專利名稱：一種薄膜晶體管液晶顯示面板及液晶顯示器的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及薄膜晶體管液晶顯示器(TFT LCD)領域，尤其涉及一種薄膜晶體 管液晶顯示面板及液晶顯示器。
背景技術：
目前TFT IXD大規模生產過程中，生產、測試和搬送過程都不可避免地會引入靜 電，摩擦和接觸可產生瞬時千伏電壓，可以產生約20A的大電流，而玻璃基板屬非導體，不 利于靜電的釋放，靜電積累(ESC)與靜電釋放(ESD)過程比較容易造成鈍化層(PVX)的擊 穿，直接形成數據線或柵線的短路或造成部分TFT的損壞，從而影響良品率。另外，在TFT IXD生產工藝過程中，為了提高生產效率，很多產品在工藝設計上采 用Au-Ball ( 一般是在塑料材料外部包裹鎳(Ni)和金(Au)層)的技術，Au-Ball可以代替 傳統的導電銀膠工藝，在導通彩膜基板公共電極與陣列基板公共電極的同時，減少工藝步 驟，提高生產效率。但是由于彩膜基板表面上的公共電極(通常為ITO材料)通過Au-Ball 容易和數據引線或柵線引線發生靜電擊穿現象，形成數據線亮線或柵線亮線。其根本原因 是因為在工藝過程中引入的外部靜電擊穿了數據線引線或柵線引線上面的鈍化層(PVX)， 造成數據線弓丨線或柵線引線與彩膜基板公共電極線通過Au-Bal 1導通。在一般工藝過程中，Au-Ball直接摻雜在封框膠中進行涂布，Au-Ball在封框膠中 形成分散粒子，在陣列基板與彩膜基板組裝成盒過程中，Au-Ball粒子受到擠壓，通過充分 接觸彩膜基板公共電極與陣列基板公共電極形成導通作用，在這過程中不可避免地形成了 Au-Ball在數據線引線或柵線引線區域與PVX的直接接觸，工藝過程中遇到靜電很容易擊 穿PVX層。圖1所示為常用TFT IXD結構，包括陣列基板1和彩膜基板2，陣列基板1和彩膜 基板2通過封框膠3 (摻雜Au-Ball)貼合，在陣列基板邊緣和彩膜基板邊緣之間，有多個數 據線引線區域4和多個柵線引線區域5。圖2是圖1中數據線引線區域4的放大示意圖。 圖3為圖2中A-A向截面圖。結合圖2、圖3，陣列基板1上的數據引線7與彩膜基板2上 的公共電極14交疊部分通過封框膠3中的Au-Balll2接觸，此時只有數據引線7上面的鈍 化層10起隔離作用。在成盒工藝后，Au-Ball 12受到擠壓后，Au-Ball 14與鈍化層10充 分接觸，而數據引線7在陣列工藝中形成的鈍化層10厚度約為0. 3um，因此在數據信號與公 共電極信號之間的電場作用下，主要是Au-Ball與數據引線或柵線引線之間的強電場下， 容易造成鈍化層10的擊穿，進而形成彩膜基板公共電極與交疊部分的數據引線短路，造成 顯示不良，靜電擊穿部位參見圖3的位置13所示。
實用新型內容本實用新型的實施例提供一種薄膜晶體管液晶顯示面板及液晶顯示器，能夠防止 采用Au-Ball技術后，在工藝過程中發生數據線引線或柵線引線與彩膜基板的公共電極之 間因靜電擊穿造成短路，導致良品率降低。[0007]為達到上述目的，本實用新型的實施例采用如下技術方案一種薄膜晶體管液晶顯示面板，包括陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板和彩膜 基板之間用封框膠貼合，所述封框膠中摻雜有Au-Ball，位于封框膠區域的數據線引線、柵 線引線處的Au-Ball與所述彩膜基板的公共電極層絕緣。所述彩膜基板上，位于所述封框膠區域的對應所述數據線引線、柵線引線的公共 電極層被去除掉。所述彩膜基板上，位于所述封框膠區域的對應所述數據線引線、柵線引線的公共 電極層上形成有絕緣層。所述彩膜基板上，位于所述封框膠區域的對應所述數據線引線、柵線引線的公共 電極層上形成有絕緣層，且所述公共電極層與其他區域的公共電極層斷開。所述陣列基板上，位于所述封框膠區域的數據線引線、柵線引線與所述封框膠中 的Au-Ball電連接。所述陣列基板上，位于所述封框膠區域的數據線引線、柵線引線通過導電薄膜層 與所述封框膠中的Au-Ball電連接。所述導電薄膜層為ITO層。所述絕緣層為樹脂層。本實用新型實施例還提供一種液晶顯示器，包括上述的薄膜晶體管液晶顯示面 板。本實用新型實施例提供的薄膜晶體管液晶顯示面板及液晶顯示器，包括陣列基板 和彩膜基板，陣列基板和彩膜基板之間用封框膠貼合，封框膠中摻雜有Au-Ball，位于封框 膠區域的數據線引線、柵線引線處的Au-Ball與彩膜基板的公共電極層絕緣。這樣，由于 Au-Ball通過導電薄膜直接與數據線引線和柵線引線電連接，且又與彩膜基板相應的公共 電極絕緣，因而不會帶電，有效消除了 Au-Ball與數據線引線和柵線引線之間發生靜電釋 放(ESD)的條件，從而防止了靜電擊穿造成的短路，提高了良品率。
為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例 或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅 是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提 下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為薄膜晶體管液晶顯示面板結構示意圖；圖2為圖1中數據線引線區域4的放大示意圖；圖3為圖2的A-A向截面圖；圖4為本實用新型實施例提供的薄膜晶體管液晶顯示面板的數據線引線區域的 截面示意圖；圖5為本實用新型實施例提供的薄膜晶體管液晶顯示面板的數據線引線區域的 另一截面示意圖；圖6為本實用新型實施例提供的薄膜晶體管液晶顯示面板的數據線引線區域的 又一截面示意圖；[0025]圖7為本實用新型實施例提供的薄膜晶體管液晶顯示面板的數據線引線區域的 放大示意圖；圖8為圖7的B-B向截面圖；圖9為圖7的C-C向截面圖；圖10為圖7的另一 B-B向截面圖；圖11為圖7的另一 C-C向截面圖；圖12為圖7的又一 B-B向截面圖；圖13為圖7的又一 C-C向截面圖。
具體實施方式
下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行 清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的 實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下 所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。實施例一本實用新型實施例一提供的薄膜晶體管液晶顯示面板，包括陣列基板和彩膜基 板，該陣列基板和彩膜基板之間用封框膠貼合，其中，封框膠中摻雜有Au-Ball。位于封框膠區域的數據線引線、柵線引線位置處的Au-Ball與彩膜基板的公共電 極層絕緣。具體的，Au-Ball與彩膜基板的公共電極層的絕緣，可以是通過將彩膜基板上的， 位于封框膠區域的對應數據線引線、柵線引線的公共電極層去除掉實現的。以數據線引線 區域為例，如圖4所示，陣列基板1部分與現有技術相同，彩膜基板2則去掉了封框膠區域3 的對應數據線引線7 (圖中只對其中一條數據線引線標號，其余未標，文中數據線引線7均 指各條數據線引線)的公共電極層。再有，Au-Ball與彩膜基板的公共電極層的絕緣，還可以是通過在彩膜基板上，位 于封框膠區域的對應數據線引線、柵線引線的公共電極層上形成絕緣層實現的。以數據線 引線區域為例，如圖5所示，陣列基板1部分與現有技術相同，彩膜基板2的位于封框膠區 域3的對應數據線引線7的公共電極層14上形成有絕緣層15，例如樹脂層等。進一步地，如圖6所示，在彩膜基板2的位于封框膠區域3的對應數據線引線7 的公共電極層14'上形成絕緣層15之后，又用激光切割等的方式使將該部分公共電極層 14'與其他區域的公共電極層14斷開。這樣進一步保證了 Au-Ball 12與公共電極層14 的絕緣。柵線引線該部分的構造與數據線引線的構造類似，不再贅述。本實用新型實施例提供的薄膜晶體管液晶顯示面板，包括陣列基板和彩膜基板， 陣列基板和彩膜基板之間用封框膠貼合，封框膠中摻雜有Au-Ball，位于封框膠區域的數據 線引線、柵線引線處的Au-Ball與彩膜基板的公共電極層絕緣。這樣，由于Au-Ball通過導 電薄膜直接與數據線引線和柵線引線電連接，且又與彩膜基板相應的公共電極絕緣，因而 不會帶電，有效消除了 Au-Ball與數據線引線和柵線引線之間發生靜電釋放(ESD)的條件， 從而防止了靜電擊穿造成的短路，提高了良品率。[0041]實施例二本實用新型實施例二提供的薄膜晶體管液晶顯示面板，包括陣列基板和彩膜基 板，該陣列基板和彩膜基板之間用封框膠貼合，其中，封框膠中摻雜有Au-Ball。對于彩膜基板，通過在彩膜基板位于封框膠區域的對應數據線引線和柵線引線的 公共電極層上形成絕緣層或將相應區域的公共電極層去除掉的方式，實現陣列基板上位于 封框膠區域的數據線引線、柵線引線位置處的Au-Ball與彩膜基板的公共電極層絕緣。對于陣列基板，可以用現有的4mask工藝形成。具體的先在玻璃基板上形成第一導電薄膜，通過構圖工藝處理得到包括柵線、柵電極和 柵線引線的圖形。再在形成上述圖形的基板上形成柵絕緣層之后，在柵絕緣層上形成半導體層薄 膜、摻雜半導體層薄膜和第二導電薄膜，在第二導電薄膜上涂覆光刻膠，之后通過構圖工藝 處理得到有源層、數據線、源電極、漏電極和數據線引線的圖形。該源電極、漏電極和有源 層、柵電極構成薄膜晶體管。然后，在數據線上形成鈍化層，并在其上涂覆光刻膠，通過構圖工藝形成過孔。這 里，在形成該漏電極過孔的同時，可以通過該構圖工藝處理刻蝕掉數據線引線上方的位于 封框膠區域的鈍化層，使得位于封框膠區域的數據線引線露出，如圖7所示。圖7為圖1中數據線引線區域4的另一放大示意圖。在圖7中，刻蝕掉了數據線 引線7上方的位于封框膠區域3的鈍化層(圖中未表示)，得到了露出該數據線引線7的過 孔8。相應的，通過該構圖工藝得到數據線引線過孔的同時，還需將柵線上方的位于封 框膠區域的鈍化層、柵絕緣層刻蝕掉，得到露出柵線引線的過孔。得到數據線引線、柵線引線的位于封框膠區域的過孔后，對過孔不做處理，以使成 盒時相應區域的Au-Ball直接接觸過孔位置的數據線引線或柵線引線，實現Au-Ball與數 據線引線或柵線引線的電連接。此外，在得到數據線引線、柵線引線的位于封框膠區域的過孔后，還可以在該過孔 中涂覆導電薄膜。這樣，一方面導電薄膜具有導電性可以使得引線和Au-Ball電連接 ’另一 方面導電薄膜還可以保護引線，防止其受到腐蝕。由于此后的步驟是在鈍化層上沉積ITO層，則可以將ITO層涂覆到數據線引線、柵 線引線的位于封框膠區域的過孔中，作為導電薄膜。將做好的陣列基板和彩膜基板通過封框膠進行貼合，以數據線引線區域為例，利 用圖8、9進行說明，其中，圖8為圖7的B-B向截面圖，圖9為圖7的C-C向截面圖。在圖8、圖9中，下部為陣列基板，包括玻璃基板1、數據線引線7 (圖中只對其中一 條數據線引線標號，其余未標，下文數據線引線7均指各條數據線引線)、以及形成于數據 線和數據線引線上方的鈍化層10。通過上述制造工藝，數據線引線7上方的位于封框膠3 區域的鈍化層被刻蝕掉，填充有導電薄膜層(ΙΤ0層)11。圖8、圖9上部為彩膜基板2。該 彩膜基板2上的位于封框膠3區域內的對應數據線引線7的公共電極層14被去除掉。將陣列基板和彩膜基板通過封框膠3貼合后，封框膠3中的Au-Ball 12通過導電 薄膜層(ΙΤ0層)11直接與數據線引線7電連接。由于彩膜基板2上相應位置的公共電極 層14已被去除掉，則與數據線引線7通過導電薄膜層(ΙΤ0層)11電連接的Au-Ball 12與彩膜基板2上的公共電極層14絕緣。柵線引線該部分的構造與數據線引線的構造類似，不再贅述。這樣，在數據信號、柵線信號與公共電極信號之間的強電場下，由于有效消除了 Au-Ball與數據線引線和柵線引線之間發生靜電釋放(ESD)的條件，因此，Au-Ball就不會 擊穿鈍化層，進而彩膜基板公共電極與交疊部分的引線也不會出現短路，從而提高了良品率。實施例三本實用新型實施例三提供的薄膜晶體管液晶顯示面板，包括陣列基板和彩膜基 板，該陣列基板和彩膜基板之間用封框膠貼合，其中，封框膠中摻雜有Au-Ball。針對陣列基板，其制造工藝與上述實施例二相同，數據線引線上方的位于封框膠 區域的鈍化層被刻蝕掉，填充有ITO層；柵線引線上方的位于封框膠區域的鈍化層、柵絕緣 層被刻蝕掉，填充有ITO層。針對彩膜基板，在彩膜基板上位于封框膠區域的對應數據線引線和柵線引線的公 共電極層上再形成一層絕緣層，例如樹脂層等。如圖10、圖11所示，其中，圖10為圖7的B-B向截面圖，圖11為圖7的C-C向截面圖。在圖10、圖11中，下部為陣列基板，包括玻璃基板1、數據線引線7(圖中只對其中 一條數據線引線標號，其余未標，下文數據線引線7均指各條數據線引線)、以及形成于數 據線和數據線引線上方的鈍化層10。通過制造工藝，數據線引線7上方的位于封框膠3區 域的鈍化層被刻蝕掉，填充有導電薄膜層(ΙΤ0層)11。圖10、圖11上部為彩膜基板2。該 彩膜基板2上的位于封框膠3區域內的對應數據線引線7的公共電極層14上形成有絕緣 層15。該絕緣層15可以是涂覆的樹脂層。將陣列基板和彩膜基板通過封框膠3貼合后，封框膠3中的Au-Ball 12通過導電 薄膜層(ΙΤ0層)11直接與數據線引線7電連接。由于彩膜基板2上相應位置的公共電極 層14上形成有絕緣層15，則與數據線引線7通過導電薄膜層(ΙΤ0層)11電連接的Au-Ball 12與彩膜基板2上的公共電極層14絕緣。柵線引線該部分的構造與數據線引線的構造類似，不再贅述。這樣，在數據信號、柵線信號與公共電極信號之間的強電場下，由于有效消除了 Au-Ball與數據線引線和柵線引線之間發生靜電釋放(ESD)的條件，因此，Au-Ball就不會 擊穿鈍化層，進而彩膜基板公共電極與交疊部分的引線也不會出現短路，從而提高了良品率。實施例四本實用新型實施例三提供的薄膜晶體管液晶顯示面板，包括陣列基板和彩膜基 板，該陣列基板和彩膜基板之間用封框膠貼合，其中，封框膠中摻雜有Au-Ball。陣列基板的結構與上述實施例二、三完全相同。彩膜基板的結構，與上述實施例三 稍有不同，是在位于封框膠區域的對應數據線引線和柵線引線的公共電極層上形成一層絕 緣層之后，又用激光切割等的方式使將該部分公共電極層與其他區域的公共電極層斷開。如圖12、圖13所示，其中，圖12為圖7的B-B向截面圖，圖13為圖7的C-C向截 面圖。[0071]圖12、圖13上部為彩膜基板2。該彩膜基板2上的位于封框膠3區域內的對應數 據線引線7的公共電極層14'上形成有絕緣層15。該絕緣層15可以是涂覆的樹脂層。并 且，用激光切割等方式，使上述區域的公共電極層14'與其他區域的公共電極層14斷開。將陣列基板和彩膜基板通過封框膠3貼合后，封框膠3中的Au-Ball 12通過導電 薄膜層(ΙΤ0層)11直接與數據線引線7電連接。由于彩膜基板2上相應位置的公共電極 層14'上形成有絕緣層15，且公共電極層14'與公共電極層14斷開，則與數據線引線7通 過導電薄膜層(ΙΤ0層)11電連接的Au-Ball 12與彩膜基板2上的公共電極層14絕緣。柵線引線該部分的構造與數據線引線的構造相同，不再贅述。這樣，在數據信號、柵線信號與公共電極信號之間的強電場下，由于有效消除了 Au-Ball與數據線引線和柵線引線之間發生靜電釋放(ESD)的條件，因此，Au-Ball就不會 擊穿鈍化層，進而彩膜基板公共電極與交疊部分的引線也不會出現短路，從而提高了良品 率。實施例五本實用新型實施例提供的液晶顯示器，其面板采用的是上述實施例一、實施例二、 實施例三、實施例四中的任意一個所提供的薄膜晶體管液晶顯示面板。其面板的具體構造 在上述實施例中均有說明，在此不再贅述。利用本實用新型實施例提供的薄膜晶體管液晶顯示面板的液晶顯示器，彩膜基板 公共電極與交疊部分的引線不會出現短路，從而減少了顯示不良率。以上所述，僅為本實用新型的具體實施方式
，但本實用新型的保護范圍并不局限 于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本實用新型揭露的技術范圍內，可輕易想到的變 化或替換，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內。因此，本實用新型的保護范圍應以所述 權利要求的保護范圍為準。
權利要求1.一種薄膜晶體管液晶顯示面板，包括陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板和彩膜基 板之間用封框膠貼合，所述封框膠中摻雜有Au-Ball，其特征在于，位于封框膠區域的數據 線引線、柵線引線處的Au-Ball與所述彩膜基板的公共電極層絕緣。
2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管液晶顯示面板，其特征在于，所述彩膜基板上，位 于所述封框膠區域的對應所述數據線引線、柵線引線的公共電極層被去除掉。
3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管液晶顯示面板，其特征正于，所述彩膜基板上，位 于所述封框膠區域的對應所述數據線引線、柵線引線的公共電極層上形成有絕緣層。
4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管液晶顯示面板，其特征正于，所述彩膜基板上，位 于所述封框膠區域的對應所述數據線引線、柵線引線的公共電極層上形成有絕緣層，且所 述公共電極層與其他區域的公共電極層斷開。
5.根據權利要求3或4所述的薄膜晶體管液晶顯示面板，其特征在于，所述絕緣層為樹 月旨層。
6.根據權利要求1-4任意一個所述的薄膜晶體管液晶顯示面板，其特征在于，所述陣 列基板上，位于所述封框膠區域的數據線引線、柵線引線與所述封框膠中的Au-Ball電連接。
7.根據權利要求6所述的薄膜晶體管液晶顯示面板，其特征在于，所述陣列基板上，位 于所述封框膠區域的數據線引線、柵線引線通過導電薄膜層與所述封框膠中的Au-Ball電 連接。
8.根據權利要求7所述的薄膜晶體管液晶顯示面板，其特征在于，所述導電薄膜層為 ITO 層。
9.一種液晶顯示器，其特征在于，包括權利要求1-8任一所述的薄膜晶體管液晶顯示 面板。
專利摘要本實用新型實施例提供一種薄膜晶體管液晶顯示面板及液晶顯示器，涉及薄膜晶體管液晶顯示器(TFT LCD)領域，能夠防止采用Au-Ball技術后，在工藝過程中發生數據線引線或柵線引線與彩膜基板的公共電極之間因靜電擊穿造成短路，導致良品率降低。該薄膜晶體管液晶顯示面板，包括陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板和彩膜基板之間用封框膠貼合，所述封框膠中摻雜有Au-Ball，位于封框膠區域的數據線引線、柵線引線處的Au-Ball與所述彩膜基板的公共電極層絕緣。本實用新型實施例用于制造薄膜晶體管液晶顯示面板。
文檔編號G02F1/1339GK201876644SQ20102062619
公開日2011年6月22日 申請日期2010年11月23日 優先權日2010年11月23日
發明者王振偉, 馬俊才 申請人:北京京東方光電科技有限公司