專利名稱：薄膜場效應晶體管陣列基板及顯示裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及液晶顯示領域，特別是指一種薄膜場效應晶體管陣列基板及顯示
>J-U裝直。
背景技術：
TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜場效應晶體管-液晶顯示器)面板一般是由起開關作用的TFT陣列基板以及涂有RGB的彩膜基板構成，然后在兩層基板之間填充液晶層。其中，TFT陣列基板通過各層膜的沉積、刻蝕以后形成柵極層、源漏極層、像素電極以及公共電極層。在高級超維場轉換技術(Advanced Super Dimension Switch,簡稱ADS)液晶顯示模式中，傳統的像素電極結構如圖1所示，在亞像素區域形成有多個條狀像素電極3，條狀像素電極3的結構為Slit (狹縫)狀，然后像素電極連接線將Slit狀的條狀像素電極3的周邊相連構成一個完整的像素電極。由于ADS模式液晶顯示的特性，此種像素電極結構中，像素電極和公共電極之間的交疊面積比較大，造成像素電極和公共電極之間的Cst (存儲電容)相對較大，使得像素充電困難。
實用新型內容本實用新型要解決的技術問題是提供一種薄膜場效應晶體管陣列基板及顯示裝置，能夠優化顯示效果。為解決上述技術問 題，本實用新型的實施例提供技術方案如下一方面，提供一種薄膜場效應晶體管陣列基板，包括多條柵線和數據線，所述柵線和數據線相互垂直設置；由所述柵線和數據線交叉限定的亞像素區域；以及形成在亞像素區域的多個條狀像素電極，所述薄膜場效應晶體管陣列基板還包括設置在每一亞像素區域內與數據線平行、與亞像素區域中的各個條狀像素電極均相連的一條像素電極連接線。進一步地，上述方案中，所述像素電極連接線與所述亞像素區域的與數據線平行的第一中線相重合。進一步地，上述方案中，所述條狀像素電極與所述像素電極連接線成一定角度，所述角度為79、3°。進一步地，上述方案中，所述像素電極連接線兩側的條狀像素電極相對于所述像素電極連接線對稱設置。進一步地，上述方案中，所述亞像素區域的與柵線平行的第二中線兩側的條狀像素電極相對于所述第二中線對稱設置。本實用新型實施例還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的薄膜場效應晶體管陣列基板。本實用新型的實施例具有以下有益效果上述方案中，像素電極連接線垂直設置在亞像素區域中部、與亞像素區域中的各個條狀像素電極均相連形成整個像素電極，本實用新型的技術方案能夠減小像素電極與公共電極的交疊面積，從而減小了像素電極與公共電極間的存儲電容，使得像素電極更易充電；另外，像素電極連接線與數據線之間的距離增大，減小了像素電極與數據線之間的側向電容，從而降低了像素電極豎直方向上的串擾；像素電極與柵線一側的側向電場減小，從而降低了該區域漏光的面積；綜上所述，本實用新型的技術方案能夠優化液晶顯示面板的顯示效果。
圖1為現有技術中的像素電極的結構示意圖；圖2為本實用新型實施例一薄膜場效應晶體管陣列基板的像素電極的結構示意圖；圖3為本實用新型實施例二薄膜場效應晶體管陣列基板的像素電極的結構示意圖；圖4為現有技術中液晶分子的偏轉不意圖5為本實用新型實施例二薄膜場效應晶體管陣列基板的液晶分子的偏轉示意圖。
具體實施方式
為使本實用新型的實施例要解決的技術問題、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖及具體實施例進行詳細描述。本實用新型的實施例針對現有技術中像素電極和公共電極之間的存儲電容較大，像素充電困難的問題，提供一種薄膜場效應晶體管陣列基板及顯示裝置，能夠優化顯示效果。本實用新型提供了一種薄膜場效應晶體管陣列基板，包括多條柵線和數據線，所述柵線和數據線相互垂直設置；由所述柵線和數據線交叉限定的亞像素區域；以及形成在亞像素區域的多個條狀像素電極，其中，薄膜場效應晶體管陣列基板還包括設置在每一亞像素區域內與數據線平行、與亞像素區域中的各個條狀像素電極均相連的一條像素電極連接線。優選地，像素電極連接線與亞像素區域的與數據線平行的第一中線相重合。現有技術中，如圖1所示，由柵線I和數據線2圍成的一個亞像素區域中，形成有多個條狀像素電極3，像素電極連接線將Slit狀的條狀像素電極3的周邊相連構成一個完整的像素電極，可以看出，像素電極連接線與數據線2的距離較近，在像素電極連接線和數據線2之間存在側向電容，這樣會對像素電極產生豎直方向上的串擾；同時，像素電極連接線與柵線I之間也存在側向電容，像素電極連接線和柵線I之間會產生電場，該電場的方向垂直于液晶分子的取向，會使液晶分子發生偏轉，從而使得像素電極連接線與柵線I之間的區域產生漏光現象。本實用新型實施例中，如圖2和圖3所示，像素電極連接線位于亞像素區域的中部，與各個條狀像素電極3相連接構成整個像素電極，本實用新型的技術方案減小了像素電極與公共電極的交疊面積，從而減小了像素電極與公共電極間的存儲電容，使得像素電極更易充電；另外，像素電極連接線與數據線2之間的距離增大，減小了像素電極與數據線2之間的側向電容，從而降低了像素電極豎直方向上的串擾；另外，像素電極與柵線I 一側的側向電場減小，從而降低了該區域漏光的面積；另外，本實用新型的該種像素電極結構能夠使得像素電極的電阻值更小， 有利于像素顯示的均一性。綜上所述，本實用新型的技術方案能夠優化液晶顯示面板的顯示效果。下面結合具體的實施例對本實用新型的薄膜場效應晶體管陣列基板進行進一步地介紹實施例一圖2所示為本實施例的薄膜場效應晶體管陣列基板的像素電極的結構示意圖，如圖2所示，本實施例的薄膜場效應晶體管陣列基板，包括多條柵線和數據線，所述柵線和數據線相互垂直設置；由所述柵線和數據線交叉限定的亞像素區域；以及形成在亞像素區域的多個條狀像素電極，其中，薄膜場效應晶體管陣列基板還包括設置在每一亞像素區域中部、與數據線2平行且與亞像素區域中的各個條狀像素電極3均相連的一條像素電極連接線4。其中，亞像素區域有與數據線2平行的中線5 (即第一中線)和與柵線I平行的中線6 (即第二中線)，本實施例中，以第二中線6為分割線，亞像素上部分的條狀像素電極3成行排列，亞像素下部分的條狀像素電極3成行排列，像素電極連接線4與第一中線5相重合，與亞像素區域內的所有條狀像素電極3相連接組成整個像素電極。進一步地，如圖2所示，條狀像素電極3與像素電極連接線4成一定角度，該角度在7913°之間，即條狀像素電極3與柵線I所成角度在疒11°之間，隨著條狀像素電極3與柵線I所成角度的增加，能夠減少液晶分子的偏轉時間，提高液晶分子的偏轉速度，但是在條狀像素電極3與柵線I所成角度為7°左右時，能夠使采用該薄膜場效應晶體管陣列基板的液晶顯示面板具有較好的透過率。本實施例中，像素電極連接線4與各個條狀像素電極3相連接組成的像素電極的面積小于現有技術中的像素電極的面積，從而減小了像素電極與公共電極的交疊面積，從而減小了像素電極與公共電極的存儲電容，使得像素電極更易充電；另外，像素電極連接線4與數據線2之間的距離增大，減小了像素電極與數據線2之間的側向電容，從而降低了像素電極豎直方向上的串擾；另外，像素電極與柵線I 一側的側向電場減小，從而降低了該區域漏光的面積；另外，本實用新型的該種像素電極結構能夠使得像素電極的電阻值更小，有利于像素顯示的均一性。綜上所述，本實用新型的技術方案能夠優化液晶顯示面板的顯示效果。實施例二圖3所示為本實施例的薄膜場效應晶體管陣列基板的像素電極的結構示意圖，如圖3所示，本實施例的薄膜場效應晶體管陣列基板，包括多條柵線和數據線，所述柵線和數據線相互垂直設置；由所述柵線和數據線交叉限定的亞像素區域；以及形成在亞像素區域的多個條狀像素電極，其中，薄膜場效應晶體管陣列基板還包括設置在每一亞像素區域中部、與數據線2平行且與亞像素區域中的各個條狀像素電極3均相連的一條像素電極連接線4。其中，亞像素區域有與數據線2平行的中線5 (即第一中線)和與柵線I平行的中線6 (即第二中線)，本實施例中，像素電極連接線4與第一中線5相重合，與亞像素區域內的所有條狀像素電極3相連接組成整個像素電極。第一中線5和第二中線6將亞像素區域分割為四個子部分，每個子部分中的條狀像素電極3成行排列，其中，像素電極連接線4兩側的條狀像素電極3對稱于像素電極連接線4，第二中線6兩側的條狀像素電極3對稱于第二中線6。以第二中線6為分割線，亞像素上部分的條狀像素電極3成行排列，亞像素下部分的條狀像素電極3成行排列。進一步地，如圖3所示，條狀像素電極3成V形，條狀像素電極3與像素電極連接線4成一定角度，該角度在7913°之間，即條狀像素電極3與柵線I所成角度在疒11°之間，隨著條狀像素電極3與柵線I所成角度的增加，能夠減少液晶分子的偏轉時間，提高液晶分子的偏轉速度，但是在條狀像素電極3與柵線I所成角度為7°左右時，能夠使采用該薄膜場效應晶體管陣列基板的液晶顯示面板具有較好的透過率。在ADS液晶顯示模式中，傳統的像素電極結構如圖1所示，像素電極結構為Slit狀，且像素電極結構上半部分與下半部分呈對稱設計，使液晶分子7在電場的作用下向不同的方向旋轉，即為兩疇結構，如圖3所示為液晶分子的偏轉示意圖。本實施例中，像素電極結構不僅上下對稱，左右也呈對稱設計，這樣液晶分子7在電場的作用下，左半部分與右半部分也向不同的方向旋轉，形成四疇結構，如圖4所示為本實施例的液晶分子的偏轉示意圖，采用四疇結構有利于優化液晶顯示的色差問題，使液晶顯示畫面色差更小。本實施例中，像素電極連接線4與各個條狀像素電極3相連接組成的像素電極的面積小于現有技術中的像素電極的面積，從而減小了像素電極與公共電極的交疊面積，從而減小了像素電極與公共電極的存儲電容，使得像素電極更易充電；另外，像素電極連接線4與數據線2之間的距離增大，減小了像素電極與數據線2之間的側向電容，從而降低了像素電極豎直方向上的串擾；另外，像素電極與柵線I 一側的側向電場減小，從而降低了該區域漏光的面積；另外，本實用新型的該種像素電極結構能夠使得像素電極的電阻值更小，有利于像素顯示的均一性。綜上所述，本實用新型的技術方案能夠優化液晶顯示面板的顯示效果。本實用新型實施例還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的薄膜場效應晶體管陣列基板。該顯示裝置可以為液晶面板、電子紙、OLED(Organic Light Emitting Diode,有機發光二極管)面板、液晶電視、液晶顯示器、數碼相框、手機、平板電腦等具有任何顯示功能的廣品或部件。本實用新型實施例還提供了一種制作上述薄膜場效應晶體管陣列基板的制造方法，包括以下步驟步驟1、提供一基板，通過第一次構圖工藝在基板上形成由第一透明導電層組成的公共電極的圖形；其中，所述第一透明導電層的材料可以選用IT0(Indium Tin Oxide,氧化銦錫)、IZO(Indium Zinc Oxide,氧化銦鋒)；步驟2、通過第二次構圖工藝在經過上述步驟的基板上形成由第一金屬層組成的像素TFT的柵電極、柵線的圖形；步驟3、通過第三次構圖工藝在經過上述步驟的基板上形成柵絕緣層的圖形和由第二金屬層形成的像素TFT的漏電極、源電極和數據線的圖形；[0044]步驟4、通過第四次構圖工藝在經過上述步驟的基板上形成包括有像素電極過孔的絕緣層的圖形，像素過孔對應于像素TFT的漏電極；步驟5、通過第五次構圖工藝在絕緣層上形成由第二透明導電層組成的像素電極的圖形，像素電極通過像素電極過孔與漏電極相連接。其中，第一透明導電層可以選用ITO、IZ0。其中，在步驟5形成的像素電極的圖形如圖2和圖3所示，像素電極的圖形包括形成在亞像素區域的多個條狀像素電極3、以及設置在亞像素區域中部、與數據線2平行且與亞像素區域中的各個條狀像素電極3均相連的像素電極連接線4。像素電極連接線4位于亞像素區域的中部，與各個條狀像素電極3相連接構成整個像素電極。其中，亞像素區域有與數據線2平行的中線5 (即第一中線)和與柵線I平行的中線6 (即第二中線)，進一步地，形成的像素電極圖形中，像素電極連接線4可以與亞像素區域與數據線2平行的第一中線5相重合。進一步地，形成的像素電極圖形中，像素電極連接線4兩側的條狀像素電極3可以對稱于像素電極連接線4，第二中線6兩側的條狀像素電極3對稱于第二中線6。本實用新型所制造出的薄膜場效應晶體管陣列基板減小了像素電極與公共電極的交疊面積，從而減小了像素電極與公共電極的存儲電容，使得像素電極更易充電；另外，像素電極連接線4與數據線2之間的距離增大，減小了像素電極與數據線2之間的側向電容，從而降低了像素電極豎直方向上的串擾；另外，像素電極與柵線I一側的側向電場減小，從而降低了該區域漏光的面積；另外，本實用新型的該種像素電極結構能夠使得像素電極的電阻值更小，有利于像素顯示的均一性。綜上所述，本實用新型的技術方案能夠優化液晶顯示面板的顯示效果。以上所述 是本實用新型的優選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型所述原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本實用新型的保護范圍。
權利要求1.一種薄膜場效應晶體管陣列基板，包括多條柵線和數據線，所述柵線和數據線相互垂直設置；由所述柵線和數據線交叉限定的亞像素區域；以及形成在亞像素區域的多個條狀像素電極，其特征在于，所述薄膜場效應晶體管陣列基板還包括設置在每一亞像素區域內與數據線平行、與亞像素區域中的各個條狀像素電極均相連的一條像素電極連接線。
2.根據權利要求1所述的薄膜場效應晶體管陣列基板，其特征在于，所述像素電極連接線與所述亞像素區域的與數據線平行的第一中線相重合。
3.根據權利要求1所述的薄膜場效應晶體管陣列基板，其特征在于，所述條狀像素電極與所述像素電極連接線成一定角度，所述角度為7913°。
4.根據權利要求2所述的薄膜場效應晶體管陣列基板，其特征在于，所述像素電極連接線兩側的條狀像素電極相對于所述像素電極連接線對稱設置。
5.根據權利要求2或3或4所述的薄膜場效應晶體管陣列基板，其特征在于，所述亞像素區域的與柵線平行的第二中線兩側的條狀像素電極相對于所述第二中線對稱設置。
6.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求廣5中任一項所述的薄膜場效應晶體管陣列基板。
專利摘要本實用新型提供一種薄膜場效應晶體管陣列基板及顯示裝置，屬于液晶顯示領域。其中，薄膜場效應晶體管陣列基板，包括多條柵線和數據線，所述柵線和數據線相互垂直設置；由所述柵線和數據線交叉限定的亞像素區域；以及形成在亞像素區域的多個條狀像素電極，所述薄膜場效應晶體管陣列基板還包括設置在每一亞像素區域內與數據線平行、與亞像素區域中的各個條狀像素電極均相連的一條像素電極連接線。本實用新型的技術方案能夠優化顯示效果。
文檔編號G02F1/1368GK202871792SQ20122057655
公開日2013年4月10日 申請日期2012年11月2日 優先權日2012年11月2日
發明者高玉杰 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術有限公司