電子照相感光構件、處理盒和電子照相設備的制作方法
【專利摘要】本發明涉及電子照相感光構件、處理盒和電子照相設備。電子照相感光構件包括支承體，在支承體上形成的底涂層，以及在底涂層上形成并且包含電荷產生物質和空穴輸送物質的感光層。底涂層包含特定的胺化合物，平均一次粒徑為3nm以上且15nm以下的氧化鈦晶體顆粒，以及有機樹脂。
【專利說明】感光層之間設置底涂層。然而，具有上述優因此，具有底涂層的電子照相感光構件容中觀察到先前旋轉期間僅在用光照射的部6照射的部分產生淺濃度的負重影。
封列包括酞菁顏料和偶氮顏料。
產照相感光構件由于大量產生的光載流子；動的空穴成對的電子在感光層(電荷產生電子照相感光構件也容易引起重影。
本和感光層之間設置的底涂層中包含的平“化鈦晶體顆粒減小長期的重復圖像形成的
了支承體和感光層之間設置的底涂層中包6電位和殘余電位的環境變化。
了電荷產生層以及支承體和電荷產生層之珍。
感光層中包含的二苯甲酮衍生物改進耐氣示的胺化合物；平均一次粒徑為3nm以上且15nm以下的氧化鈦晶體顆粒；和有機樹脂；
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【權利要求】
1.一種電子照相感光構件，其包含：支承體，在所述支承體上形成的底涂層，和在所述底涂層上形成的感光層； 其中： 所述感光層包含電荷產生物質和空穴輸送物質，和 所述底涂層包含： 由下式（I)表示的胺化合物； 平均一次粒徑為3nm以上且15nm以下的氧化鈦晶體顆粒；和 有機樹脂；
2.根據權利要求1所述的電子照相感光構件，其中R1至Rki中的至少之一為用取代或未取代的烷基取代的氣基。
3.根據權利要求2所述的電子照相感光構件，其中所述用取代或未取代的烷基取代的氨基為二烷基氨基。
4.根據權利要求3所述的電子照相感光構件，其中所述二烷基氨基為二甲氨基或二乙氨基。
5.根據權利要求1所述的電子照相感光構件，其中R1至Rki中的至少之一為取代或未取代的環狀氨基。
6.根據權利要求5所述的電子照相感光構件，其中所述取代或未取代的環狀氨基為嗎啉基或I-哌啶基。
7.根據權利要求1所述的電子照相感光構件，其中所述底涂層中所述由式（I)表示的胺化合物的含量相對于所述底涂層的總質量為0.05質量％以上且15質量％以下。
8.根據權利要求1所述的電子照相感光構件，其中所述氧化鈦晶體顆粒為部分鈦原子用錫原子代替的金紅石型氧化鈦晶體顆粒。
9.根據權利要求1所述的電子照相感光構件，其中所述底涂層中氧化鈦晶體顆粒的含量相對于所述底涂層的總質量為15質量％以上且55質量％以下。
10.根據權利要求1所述的電子照相感光構件，其中所述感光層包含作為電荷產生物質的在CuKa線的X射線衍射中布拉格角2 Θ為7. 4° ±0.3°和28. 2° ±0.3°處具有強峰的晶體形式的羥基鎵酞菁晶體。
11.根據權利要求1所述的電子照相感光構件，其中所述感光層包含含有所述電荷產生物質的電荷產生層，和在所述電荷產生層上形成的含有所述空穴輸送物質的空穴輸送層。
12.根據權利要求11所述的電子照相感光構件，其中所述電荷產生層包含所述電荷產生物質和由式（I)表示的胺化合物。
13.根據權利要求12所述的電子照相感光構件，其中所述底涂層中包含的所述由式(I)表示的胺化合物和所述電荷產生層中包含的所述由式（I)表示的胺化合物具有相同結構。
14.一種處理盒，其可拆卸地安裝至電子照相設備的主體，其中所述處理盒一體化地支承： 根據權利要求1至13任一項所述的電子照相感光構件，和 選自由充電單元、顯影單元、轉印單元和清潔單元組成的組的至少一種單元。
15.一種電子照相設備，其包含根據權利要求1至13任一項所述的電子照相感光構件、充電單元、曝光單元、顯影單元和轉印單元。
【文檔編號】G03G15/00GK103838095SQ201310589782
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2013年11月20日 優先權日:2012年11月20日
【發明者】渡口要, 田中正人, 川原正隆, 吉田晃 申請人:佳能株式會社