光配向走線結構的制作方法

本發明涉及液晶顯示器領域，尤其涉及一種光配向走線結構。

背景技術：

液晶光配向技術是指在給液晶面板施加電壓的情況下，通過紫外光照射，促使液晶中的單體反應，使液晶分子形成預傾角，從而達到液晶配向的目的。液晶面板一般包括cf(colorfilter，彩色濾光片)基板、液晶層及tft(thinfilmtransistor，薄膜晶體管)基板，cf基板和tft基板上分別設有氧化銦錫透明電極層，且其氧化銦錫透明電極層的表面均設有聚酰亞胺配向膜，cf基板和tft基板之間的液晶層中含有單體，當給液晶面板的cf基板和tft基板通電(即施加電壓)并進行紫外光照射時，其液晶層中的單體將發生反應，使液晶層的液晶分子以預定的傾斜角度整齊排列，從而達到液晶配向的目的。

現有psva(聚合物穩定垂直配向)技術在成盒制程(cellprocess)中，通過在tft基板和cf基板施加外部電壓，并同時給予紫外光照射，使得液晶中的反應單體按照外部電壓形成的電場依序排列，從而完成液晶的配向。光配向時施加外部電壓的方式一般為由tft基板一側導入外部電壓，再經設置于tft基板和cf基板之間的導電膠將外部電壓傳導至cf基板。

隨著科技發展，面板逐漸走向成熟，市場上的產品種類越來越多，曲面/高穿透產品需求越來越大，由于兼容平面和曲面，光配向工藝得到幾家大型面板廠商青睞，但是在光配向過程中往往因為不同像素設計，當設計收緊同時，加壓敏感度不同，造成配向結果不能完全均衡，造成產品開發時程推遲或者良率或者信賴性如光學等受到影響，增加公司開發成本。

技術實現要素：

因此，本發明的目的在于提供一種光配向走線結構，提升液晶面板配向成功率。

為實現上述目的，本發明提供了一種光配向走線結構，包括：設置于液晶面板像素區附近的tft基板公共電極焊盤和cf基板公共電極焊盤，該tft基板公共電極焊盤與像素區的tft基板連接，該cf基板公共電極焊盤與像素區的cf基板連接；進行像素區的液晶配向時，第一電壓經由該tft基板公共電極焊盤輸入像素區的tft基板，第二電壓經由該cf基板公共電極焊盤輸入像素區的cf基板，在紫外光照射配合下完成液晶配向。

其中，所述第一電壓與第二電壓大小相同。

其中，所述第一電壓與第二電壓大小不同。

其中，所述第一電壓大于第二電壓。

其中，所述第二電壓大于第一電壓。

其中，根據液晶面板的設計確定所述tft基板公共電極焊盤和cf基板公共電極焊盤在液晶面板上的排布位置，以及所述tft基板公共電極焊盤和cf基板公共電極焊盤連接像素區的相對位置和連接寬度。

其中，指定特定波長的紫外光照射輔助穩定液晶配向。

其中，所述液晶面板為psva模式的tft-lcd。

綜上，本發明的光配向走線結構提升產品配向成功率，減少開發時程，提升產品綜合良率和產品特性達成率，減少成本浪費。

附圖說明

下面結合附圖，通過對本發明的具體實施方式詳細描述，將使本發明的技術方案及其他有益效果顯而易見。

附圖中，

圖1為本發明光配向走線結構第一較佳實施例的示意圖；

圖2為本發明光配向走線結構第二較佳實施例的示意圖。

具體實施方式

參見圖1，其為本發明光配向走線結構第一較佳實施例的示意圖，圖1中以psva模式的tft-lcd作為實例，但本發明不僅限于tft面板。該光配向走線結構中，tft基板公共電極焊盤(a-compad)11與像素區的tft基板連接，cf基板公共電極焊盤(cf-compad)12與像素區的cf基板連接，外部電壓v經由tft基板公共電極焊盤11和cf基板公共電極焊盤12分別輸入像素區的tft基板和cf基板，在紫外光照射配合下，完成像素區的液晶配向。本發明在現有光配向走線設計中增加tft基板公共電極焊盤及cf基板公共電極焊盤的設計，在現有配向電壓基礎上增加兩種接線加壓配向方式。在該第一較佳實施例中，雖然采用了新的走線設計，但是作為特例，兩個焊盤都輸入了相同的外部電壓v，滿足一般產品設計的需要。

參見圖2，其為本發明光配向走線結構第二較佳實施例的示意圖，圖2中以psva模式的tft-lcd作為實例，但本發明不僅限于tft面板。該光配向走線結構中，tft基板公共電極焊盤21與像素區的tft基板連接，cf基板公共電極焊盤22與像素區的cf基板連接，外部電壓va經由tft基板公共電極焊盤21輸入像素區的tft基板，外部電壓vf經由cf基板公共電極焊盤22輸入像素區的cf基板，在紫外光照射配合下，完成像素區的液晶配向。

當va>vf時，tft側對像素配向作用起主導，也就是在a-com(tft基板電位)電壓增加略高于cf-com(cf側ito電極，即像素電位)電壓時，排除cf-com對tft基板電位影響。

當va<vf時，cf-com(cf側ito電極，即像素電位)電壓對面板配向起到主導作用，也就是當a-com(tft基板電位)電壓減小時，對cf側ito電極抑制作用減小。

目前大部分液晶產品tft基板側地形較為復雜，本發明的電壓配向方式給垂直配向(va)增加可調控可能，增加制程改善途徑。提升產品配向成功率，減少開發時程，提升產品綜合良率和產品特性達成率，減少成本浪費。

根據液晶面板的設計確定所述tft基板公共電極焊盤21和cf基板公共電極焊盤22在液晶面板上的排布位置，以及所述tft基板公共電極焊盤21和cf基板公共電極焊盤22連接像素區的相對位置和連接寬度，也就是說，根據液晶面板產品的設計確定增加走線的排布位置，增加走線的加壓位置，連接寬度等。

本發明還可以進一步通過指定特定波長的紫外光照射來輔助穩定液晶配向。

綜上，本發明的光配向走線結構提升產品配向成功率，減少開發時程，提升產品綜合良率和產品特性達成率，減少成本浪費。

以上所述，對于本領域的普通技術人員來說，可以根據本發明的技術方案和技術構思作出其他各種相應的改變和變形，而所有這些改變和變形都應屬于本發明后附的權利要求的保護范圍。

技術特征：

技術總結
本發明提供一種光配向走線結構。該光配向走線結構包括：設置于液晶面板像素區附近的TFT基板公共電極焊盤和CF基板公共電極焊盤，該TFT基板公共電極焊盤與像素區的TFT基板連接，該CF基板公共電極焊盤與像素區的CF基板連接；進行像素區的液晶配向時，第一電壓經由該TFT基板公共電極焊盤輸入像素區的TFT基板，第二電壓經由該CF基板公共電極焊盤輸入像素區的CF基板，在紫外光照射配合下完成液晶配向。本發明的光配向走線結構提升產品配向成功率，減少開發時程，提升產品綜合良率和產品特性達成率，減少成本浪費。

技術研發人員：熊梅
受保護的技術使用者：深圳市華星光電技術有限公司
技術研發日：2017.05.04
技術公布日：2017.09.15