OLED色度調整方法與流程

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種OLED色度調整方法。

背景技術：

有機發光二極管(Organic light-emitting Diode,簡稱OLED)，通過有機層自主發光顯示，由于不需要背光源，因此具有更快的響應時間，更大的可視角度，更高的對比度以及更輕的元器件質量，低功耗等特點，是目前公認的最有潛力的平板顯示技術。

目前，有機發光二極管由具有不同功能的多層結構組成。每層材料的固有屬性及其與其他層材料的兼容性是非常重要的。多層結構中，通常包括空穴注入層(HIL)，空穴傳輸層(HTL)，發光層(EML)，電子傳輸層(ETL)以及電子注入層(EIL)等等。由于各層的折射率不同，光在各層之間傳輸的時候會發生全反射的現象，導致發光層有機物產生的大部分光的流失。只有約20％的光能夠有效地發射，大部分的光都浪費在各層之間的反射中，這是導致有機發光二極管外量子效率較低的主要原因。在光路上增加微透鏡陣列(microlens array)來提高OLED元件的光耦合作用，是提高OLED元件外量子效率的一種方法。

OLED顯示技術目前有兩種實現方法。第一種以白光OLED加上彩色濾光片(color filter)，第二種是RGB OLED，即由能分別發射紅色，綠色和藍色光的OLED子像素組成。在RGB OLED中，三種顏色的色度就成了評估OLED性能的主要標準之一，也是目前OLED工藝中的一個難點。

技術實現要素：

本發明提供一種OLED色度調整方法，用以解決現有技術中OLED的色度不達標，從而影響OLED性能的技術問題。

本發明提供一種OLED色度調整方法，包括：

步驟101，對OLED使用封裝層進行封裝之后，在封裝層表面覆蓋第一光刻膠，第一光刻膠中摻雜染色劑；

步驟102，利用光掩膜板對第一光刻膠進行曝光處理；

步驟103，利用顯影液對經過曝光處理的第一光刻膠進行處理，以獲得第二光刻膠，第二光刻膠上具有呈陣列分布的孔洞。

進一步的，曝光處理采用紫外線曝光。

進一步的，光刻膠為負性光刻膠。

進一步的，光刻膠為正性光刻膠。

進一步的，在步驟101之前還包括，在OLED的陰極鍍隔離層，隔離層包括有機薄膜層和無機薄膜層；在隔離層表面覆蓋封裝層，以完成OLED的封裝。

進一步的，封裝層為氮化硅層。

進一步的，有機薄膜層為聚乙烯薄膜層。

進一步的，無機薄膜層為無機氧化物薄膜層。

進一步的，在OLED的陰極鍍隔離層具體包括，通過原子層沉積技術和/或化學氣相沉積技術在OLED的陰極鍍隔離層。

本發明提供一種OLED色度調整方法，通過在第一光刻膠中加入染色劑來調整第二光刻膠的折射率，從而提高OLED元件的光耦合作用，以調整OLED的色度，同時，由于光刻的技術具有高解析度的特點，將排版后獲得的第二光刻膠作為微透鏡陣列使用，這樣的微透鏡陣列在設計上更加靈活。

附圖說明

在下文中將基于實施例并參考附圖來對本發明進行更詳細的描述。其中：

圖1為本發明實施例提供的OLED色度調整方法的一流程示意圖；

圖2為本發明實施例提供的紫外線曝光處理示意圖；

圖3為本發明實施例提供的OLED色度調整方法的另一流程示意圖。

在附圖中，相同的部件使用相同的附圖標記。附圖并未按照實際的比例繪制。

具體實施方式

下面將結合附圖對本發明作進一步說明。

如圖1所示，本發明提供一種OLED色度調整方法，包括：

步驟101，對OLED使用封裝層進行封裝之后，在封裝層表面覆蓋第一光刻膠，第一光刻膠中摻雜染色劑。染色劑可為RGB染色劑。在光刻膠中摻雜染色劑，可作為彩色濾光片使用。通過染色劑來調整光刻膠的折射率，從而調整OLED的色度。第一光刻膠可為負性光刻膠，也可為正性光刻膠。

步驟102，利用光掩膜板對第一光刻膠進行曝光處理紫外線。優選的，曝光處理采用紫外線曝光。光掩膜板上具有特定的鏤空圖案，將光掩膜板放置于第一光刻膠表面，并對其進行紫外線曝光，使光掩膜板鏤空部分對應的第一光刻膠得到紫外線曝光。

步驟103，利用顯影液對經過曝光處理的第一光刻膠進行處理，以獲得第二光刻膠，第二光刻膠上具有呈陣列分布的孔洞。當第一光刻膠為正性光刻膠時，第一光刻膠上曝光處理的部分，即第一光刻膠上被紫外線照射到的部分將溶于顯影液，在利用顯影液對第一光刻膠進行處理時，被紫外線照射到的部分會被清洗掉。當第一光刻膠為負性光刻膠時，第一光刻膠上未被曝光處理的部分，即第一光刻膠上未被紫外線照射到的部分(光掩膜板非鏤空部分覆蓋的部分)將溶于顯影液，在利用顯影液對第一光刻膠進行處理時，未被紫外線照射到的部分會被清洗掉。無論是使用正性光刻膠還是負性光刻膠，第二光刻膠都需要具有呈陣列分布的孔洞，該具有呈陣列分布的孔洞的第二光刻膠可作為微透鏡陣列使用。由于第二光刻膠中的孔洞尺寸與光掩膜板的鏤空尺寸有關，因此可以通過設計光掩膜板的鏤空尺寸來控制第二光刻膠的孔洞尺寸，所以第二光刻膠的孔洞尺寸可以做到很小。當第二光刻膠作為微透鏡陣列使用時，可進一步增加設計的靈活性。

圖2為紫外線曝光處理示意圖。圖2中4表示紫外線曝光，1為光掩膜板，2為第一光刻膠，3為封裝層。對于負性光刻膠來說，紫外線曝光的部分將不溶于顯影液，因此紫外線曝光的部分中會在后續顯影步驟中保留下來，而沒有曝光的部分溶于顯影液，因此該部分中會在顯影步驟中被洗掉。對于正性光刻膠來說，紫外線曝光的部分將溶于顯影液，該部分會在顯影步驟中被洗掉，沒有曝光的部分將不溶于顯影液，該部分會在顯影步驟中保留下來。

由于光刻的方法具有高分辨率的特點，因此，將第二光刻膠作為微透鏡陣列使用，可提高OLED元件的光耦合作用，以提高OLED元件的外量子效率。由于將排版后獲得的第二光刻膠作為微透鏡陣列使用，可以使這種微透鏡陣列做到更小的尺寸，增加了設計的靈活性。本實施例提供的OLED色度調整方法，將摻雜了染色劑的第一光刻膠作為彩色濾光薄膜來使用，可以調整出光的色度，從而提高OLED元件的光耦合作用，以調整OLED的色度，同時，由于光刻可以達到很高的分辨率，將排版后的光刻膠作為微透鏡陣列使用，在設計上更加靈活。

如圖3所示，在本發明的一具體實施例中，在步驟101之前還包括步驟100a和步驟100b。

其中，步驟100a，在OLED的陰極鍍隔離層，隔離層包括有機薄膜層和無機薄膜層。有機薄膜層為聚乙烯薄膜層。無機薄膜層為無機氧化物薄膜層。

在本發明的另一具體實施例中，在OLED的陰極鍍隔離層具體包括，通過原子層沉積技術和/或化學氣相沉積技術在OLED的陰極鍍隔離層。

在OLED的封裝步驟中，通過在陰極上蒸鍍一層隔離層，然后再通過原子層沉積技術和/或化學氣相沉積技術將有機薄膜層和無機薄膜層交互鍍在OLED陰極區域，以避免水氣和氧氣進入OLED，造成OLED元件損壞。

步驟100b，在隔離層表面覆蓋封裝層，以完成OLED的封裝。優選的，封裝層為氮化硅層。

雖然已經參考優選實施例對本發明進行了描述，但在不脫離本發明的范圍的情況下，可以對其進行各種改進并且可以用等效物替換其中的部件。尤其是，只要不存在結構沖突，各個實施例中所提到的各項技術特征均可以任意方式組合起來。本發明并不局限于文中公開的特定實施例，而是包括落入權利要求的范圍內的所有技術方案。