專利名稱：雙層減反射膜氧化鈦/氧化釔退膜方法
技術領域：
本發明屬于太陽電池技術領域，特別是涉及一種雙層減反射膜氧化鈦/氧化釔退膜方法。
背景技術：
目前，傳統工藝的減反射膜氧化鈦/氧化硅，其退膜用氫氟酸溶液。但該方法不能對三氧化二鈦/三氧化二釔膜進行退膜，達不到技術規范要求。因此，無法處理現有的不合格三氧化二鈦/三氧化二釔膜電池。
發明內容
本發明為解決現有技術存在的問題，提供了一種雙層減反射膜氧化鈦/氧化釔退膜方法。
本發明的目的是提供一種操作方便、工藝過程簡單、質量易控制的氧化鈦/氧化釔雙層膜退膜方法。
本發明采用如下技術方案雙層減反射膜氧化鈦/氧化釔退膜方法，將雙層減反射膜浸入酸后，再用水清洗，其特征是退膜方法包括以下工藝過程(1)將有雙層減反射膜氧化鈦/氧化釔的電池浸入硫酸中退膜，然后，用去離子水沖洗；(2)再浸入體積比HF∶H2O＝1∶4-1∶10的氫氟酸中退膜，退膜時間為3-10秒，然后，用去離子水沖洗；(3)電池脫水干燥。
本發明還可以采用如下技術措施上述的雙層減反射膜氧化鈦/氧化釔退膜方法，其特點是將有雙層減反射膜氧化鈦/氧化釔的電池浸入濃度為95％以上的濃硫酸中退膜，退膜時間為2-6秒。
上述的雙層減反射膜氧化鈦/氧化釔退膜方法，其特點是退膜時間3-5秒。
上述的雙層減反射膜氧化鈦/氧化釔退膜方法，其特點是將雙層反射膜氧化鈦/氧化釔的電池浸入濃度為95％以上的濃硫酸中退膜后，用去離子水沖洗6-8遍。
上述的雙層減反射膜氧化鈦/氧化釔退膜方法，其特點是氫氟酸的體積比為1∶6-1∶8，退膜時間為6-9秒。
上述的雙層減反射膜氧化鈦/氧化釔退膜方法，其特點是氫氟酸退膜后，用去離子水沖洗6-8遍。
上述的雙層減反射膜氧化鈦/氧化釔退膜方法，其特點是電池脫水干燥采用酒精棉球擦拭后風干方式或烘干方式。
本發明具有的優點和積極效果雙層減反射膜氧化鈦/氧化釔退膜方法，由于采用了本發明的技術方案，既能完全將氧化鈦/氧化釔雙層減反射膜退除干凈，又不影響電池的重新鍍膜使用，而且工藝操作簡單、易控制、成本低，產品質量穩定可靠。
減反射蒸鍍為硅太陽電池單體制作工藝的最后一道工藝，本發明可用于由于充氧閥失效或人為原因未開充氧閥而造成的不合格氧化鈦/氧化釔膜電池退膜。
圖1是本發明的雙層減反射膜氧化鈦/氧化釔電池結構示意圖。
具體實施例方式
為能進一步了解本發明的發明內容、特點及功效，茲列舉以下實例并進行詳細說明如下實施例1參照附圖1，電池的結構自上而下依次為負電極1、氧化釔膜2、氧化鈦膜3、硅4和正電極5。
雙層減反射膜氧化鈦/氧化釔電池的退膜方法，將減反射膜蒸鍍由于充氧閥失效造成的不合格氧化鈦/氧化釔膜電池TDB24.5×40.2，先浸入濃度為98％的市售濃硫酸4秒鐘，取出后用去離子水沖洗7遍；再浸入體積比HF∶H2O＝1∶7的氫氟酸8秒鐘，然后用去離子沖洗7遍；最后用酒精棉球擦拭并扇干。
經過以上工藝加工，即可完成雙層減反射膜氧化鈦/氧化釔電池的退膜過程，得到合格的退膜硅太陽電池。
權利要求
1.雙層減反射膜氧化鈦/氧化釔退膜方法，將雙層減反射膜浸入酸后，再用水清洗，其特征在于退膜方法包括以下工藝過程(1)將有雙層減反射膜氧化鈦/氧化釔的電池浸入硫酸中退膜，然后，用去離子水沖洗；(2)再浸入體積比HF∶H2O＝1∶4-1∶10的氫氟酸中退膜，退膜時間為3-10秒，然后，用去離子水沖洗；(3)電池脫水干燥。
2.根據權利要求1所述的退膜方法，其特征在于將有雙層減反射膜氧化鈦/氧化釔的電池浸入濃度為95％以上的濃硫酸中退膜，退膜時間為2-6秒。
3.根據權利要求2所述的退膜方法，其特征在于退膜時間3-5秒。
4.根據權利要求2所述的退膜方法，其特征在于將雙層反射膜氧化鈦/氧化釔的電池浸入濃度為95％以上的濃硫酸中退膜后，用去離子水沖洗6-8遍。
5.根據權利要求1所述的退膜方法，其特征在于氫氟酸的體積比為1∶6-1∶8，退膜時間為6-9秒。
6.根據權利要求1所述的退膜方法，其特征在于氫氟酸退膜后，用去離子水沖洗6-8遍。
7.根據權利要求1所述的退膜方法，其特征在于電池脫水干燥采用酒精棉球擦拭后風干方式或烘干方式。
全文摘要
本發明屬于太陽電池技術領域。雙層減反射膜氧化鈦/氧化釔退膜方法，包括以下工藝過程(1)將有雙層減反射膜氧化鈦/氧化釔的電池浸入濃度為95％以上的濃硫酸2－6秒退膜，然后，用去離子水沖洗6－8遍；(2)再浸入體積比HF∶H
文檔編號C23C14/08GK1512598SQ0215914
公開日2004年7月14日 申請日期2002年12月30日 優先權日2002年12月30日
發明者劉漢英 申請人:中國電子科技集團公司第十八研究所