專利名稱：：鍍膜裝置和鍍膜方法及該鍍膜裝置專用的鍍膜室的制作方法
技術領域：
：本發明涉及一種鍍膜裝置和鍍膜方法以及該鍍膜裝置專用的鍍膜室，尤其涉及一種不使用形成真空環境的真空箱，也能在空氣中有效鍍膜的鍍膜裝置和鍍膜方法以及該鍍膜裝置專用的鍍膜室。
背景技術：
：薄膜(ThinFilm)是指厚度不超過數微米(μm)，無法用機械加工的方法制造的薄的膜。水面的油膜、肥皂泡膜、金屬表面的銹、鍍鋅鐵、和生鐵的鋅膜或錫膜等均屬于薄膜。但除此之外，以各種金屬、或半導體、或絕緣體等為材料，利用諸如真空鍍膜法(也稱為“蒸汽干燥法”)、電鍍法、氣相或液相氧化法、化合物熱分解法、電子束鍍膜法、激光束鍍膜法這類的方法來制造各種金屬薄膜、半導體薄膜、絕緣薄膜、化合物半導體薄膜、磁性薄膜、電介質薄膜、集成電路、超導薄膜等。物質在薄膜狀態下其物理化學性質會有很大的變化。例如，不可燃的金屬做成薄膜時可能燃燒。變為薄膜狀態后，通常發生的性質改變有粘性變高、表面張力變小、和在光的干涉作用下出現著色現象。這些特性被利用于各種物理化學原理的實驗或物理化學機械的制造。另外，實際生產中應用較多的為光學透鏡的防反射膜，而近來，隨著電子裝置的超小型化，超小型薄膜電路的制造及電子部件的薄膜化也正在積極推進中。產品的薄膜化有利于產品的小型化和輕型化，還因部件薄且相對表面積大，使得產品散熱性能變好，電流負載能力增強。另外，薄膜化有利于減小產品的感應系數，優化產品的高頻特性，作為薄而致密的保護膜，性能會非常優異。另外，磁性薄膜可高速回轉磁滯，并且可制造像發光薄膜那樣的高亮度薄膜，并因節省材料，還可同時大量生產小型化產品。如上所述，半導體薄膜通常通過鍍膜的方法制造。鍍膜方法有多種，但生產上主要采用真空鍍膜(VacuumPlating)和鍍金兩種方法。真空鍍膜是一種在真空中加熱小塊金屬或非金屬而使其蒸氣附著于鍍件表面凝結成膜的技術。在高真空的容器中放置鍍件和小塊膜層金屬后，用加熱器加熱使金屬小塊蒸發，高溫的金屬蒸氣遇到低溫的物體便在其表面凝結而形成薄膜。該方法可用于任何物體的表面鍍膜，例如，在布料上鍍鋁膜或在塑料上鍍銀膜等。光學透鏡的防反射膜就是通過真空鍍膜法將氟化鎂鍍在透鏡表面而制成。另外一種方法是鍍金，這是一種在真空中放置鍍件和膜層金屬后，加熱金屬使之揮發并凝結在鍍件表面而形成薄膜的技術。這種技術廣泛應用于半導體薄膜及近來生產較多的平板顯示器(FlatPanelDisplay)的制造上。但是，以鍍金技術為原理的鍍膜裝置都需要有一個形成真空環境的真空槽(稱之為“真空箱”)，操作時將被鍍物體如半導體或平板顯示器(稱之為“鍍件”)等裝入真空箱后，利用激光吹進金屬(Metal)，從而形成微細金屬導線薄膜。該方法缺點是必需有一個所謂真空箱的部分，但因為真空箱容積固定，故很難適用于體積較大的鍍件，并且因需要在真空箱內制造真空環境，這不僅在技術上有一定難度，而且制造成本也很高。
發明內容本發明的目的在于，提供不使用形成真空環境的真空箱，也能在空氣中有效鍍膜的鍍膜裝置和鍍膜方法以及該鍍膜裝置專用的鍍膜室。本發明的上述目的是通過提供一種鍍膜裝置實現的，該鍍膜裝置包括鍍膜室，安裝在鍍件的上方一定間距處；金屬供給部分，通過鍍膜室給鍍件提供特定的金屬微粒；金屬通道，設置于鍍膜室，并將金屬供給部分提供的金屬微粒運送到鍍件；高壓氣體供給部分；高壓氣體通道，為了使通過金屬通道提供給鍍件的金屬微粒與外部空氣隔離，設置于鍍膜室，并將高壓氣體供給部分提供的高壓氣體運送到鍍件；至少一個排出通道，設置于鍍膜室，并排出使用后產生的副產物及高壓氣體；排氣部分，與排出通道相連，并抽吸通過排出通道排出的使用完的金屬微粒及高壓氣體。同時，本發明的上述目的是通過一種鍍膜方法實現的，該鍍膜方法包括以下步驟第一步驟，在鍍件的上方一定間距處安裝鍍膜室；第二步驟，通過設置于鍍膜室的金屬通道，將特定的金屬微粒提供給鍍件；第三步驟，通過在金屬通道的徑向外側沿著圓周方向安裝的高壓氣體通道，與第二步驟一起將高壓氣體提供給鍍件；第四步驟，提供的金屬微粒在鍍件上形成特定的薄膜。同時，本發明的上述目的是通過一種鍍膜裝置專用的鍍膜室實現的，該鍍膜裝置專用的鍍膜室通過與金屬供給部分、高壓氣體供給部分、及排氣部分相互作用在特定的鍍件上鍍膜，該鍍膜裝置專用的鍍膜室包括上部鍍膜室和下部鍍膜室，其是沿著上部鍍膜室和下部鍍膜室的板面方向彼此可拆分的結合；金屬通道，設置于上部及下部鍍膜室，將金屬供給部分提供的金屬微粒運送到鍍件；高壓氣體通道，為了使通過金屬通道提供給鍍件的金屬微粒與外部空氣隔離，設置于上部鍍膜室及下部鍍膜室，將從高壓氣體供給部分提供的高壓氣體運送到鍍件；至少一個排出通道，設置于上部鍍膜室及下部鍍膜室，排出使用后產生的副產物及高壓氣體。圖1所示為本發明的鍍膜裝置的示意圖。圖2為圖1所示的鍍膜裝置專用的鍍膜室的立體圖。圖3a及圖3b所示分別為下部鍍膜室和上部鍍膜室的平面圖。圖4所示為圖2的沿A-A′線的截面圖。圖5中放大顯示了圖4中用圓圈起來的部分。圖6所示為使用本發明的鍍膜裝置專用的鍍膜室進行鍍膜的過程示意圖。圖中的附圖標記說明如下1鍍件2金屬供給部分3高壓氣體供給部分4排氣部分10鍍膜室10a上部鍍膜室10b下部鍍膜室12固定架20金屬通道30高壓氣體通道30d氣體噴射40排出通道40d吸入口具體實施方式下面，將參照附圖詳細說明本發明。圖1所示為本發明的鍍膜裝置的示意圖，圖2為圖1所示的鍍膜裝置專用的鍍膜室的立體圖，圖3a及圖3b所示分別為下部鍍膜室和上部鍍膜室的平面圖，圖4所示為圖2的沿A-A′線的截面圖，圖5中放大顯示了圖4中用圓圈起來的部分，圖6所示為使用本發明的鍍膜裝置專用的鍍膜室進行鍍膜的過程示意圖。如上所述，本發明的鍍膜裝置1是無需一定要形成真空環境的真空箱，在空氣中利用激光在鍍件5的表面形成微細金屬導線薄膜。鍍在鍍件5上的薄膜包括水面的油膜、肥皂泡膜、金屬表面的銹、鍍鋅鐵和生鐵的鋅膜或錫膜等，除此之外還包括金屬薄膜、半導體薄膜、絕緣薄膜、化合物半導體薄膜、磁性薄膜、電介質薄膜、集成電路、超導薄膜等。在此，本發明的實施例將以近來生產較多的平板顯示(FlatPanelDisplay)作為鍍件5，說明在其表面鍍膜。如圖1所示，本發明的實施例中的鍍膜裝置1包括鍍膜室10，安裝在鍍件5的上方一定間距H處；金屬供給部分2，通過鍍膜室10將特定的金屬微粒提供給鍍件5；高壓氣體供給部分3；排氣部分4，可抽吸鍍膜過程中產生的副產物及高壓氣體。當然，除了這些結構還需要安裝鍍膜室10的工具或各種托臺(table)、或安裝及卸載鍍件5的裝置等，但因這些都是非常普通的部件，所以省略了詳細說明。如圖2、圖3a及圖3b、和圖4所示，鍍膜室10是本發明的核心裝置，用作在空氣中也能給鍍件5鍍膜的裝置。這種鍍膜室10由上部鍍膜室10a及下部鍍膜室10b構成，其是沿著上部鍍膜室10a及下部鍍膜室10b的板面方向彼此可拆分的結合。而且，在上部鍍膜室10a的一側設置有固定架12，用于將鍍膜室10安裝在上面的鍍膜裝置1。在固定架12中設置有多個固定孔12a。另外，在鍍膜室10內安裝了將金屬供給部分2提供的金屬微粒運送到鍍件5的金屬通道20；為了使通過金屬通道20提供給鍍件5的金屬微粒與外部空氣隔離，設置于鍍膜室10并運送高壓氣體供給部分3提供的高壓氣體的高壓氣體通道30；與排氣部分4連接并排出使用后產生的副產物及高壓氣體的多個排出通道40。金屬通道20包括第一金屬傳送區域20a，從金屬供給部分2通過下部鍍膜室10b傳送金屬微粒；以及第二金屬傳送區域20b，設置于下部鍍膜室10b并將金屬微粒從第一金屬傳送區域20a運送到鍍件5。當上部鍍膜室10a及下部鍍膜室10b呈如圖所示的四角平面部分和部分圓弧部分11a、11b時，第二金屬傳送區域20b優選位于圓弧部11b的軸心處。并且若第二金屬傳送區域20b的中部向著軸心呈酸漿果狀彎曲，則有利于加快噴射速度而提高鍍膜效率。還有，鍍膜室10不一定非要采取與圖示相同的形狀，可根據需要采用矩形或圓形、三角形等形狀。另外，在第二金屬微粒傳送區域20b上方的上部鍍膜室10a安裝有窗玻璃(windowglass)防污染排氣區域25a，用于阻止由第一金屬傳送區域及第二金屬傳送區域20a、20b提供的金屬微粒逆流。即，在金屬微粒從金屬供給部分2通過第一金屬傳送區域及第二金屬傳送區域20a、20b提供到鍍件5的過程中，金屬微粒不允許通過用參照標號25a所標識的空間排到外部。因此，本發明通過設置于下部鍍膜室10b的氣體供給通道25將氣體提供給用25a標記的部分即排氣區域25a，防止金屬微粒的逆流。這時提供給排氣區域25a的氣體應該是惰性氣體，在本實施例中采用了氬氣。高壓氣體通道30包括傳送從高壓氣體供給部分3通過下部鍍膜室10b提供的高壓氣體的第一氣體傳送區域30a，設置于上部鍍膜室10a并與第一氣體傳送區域30a的端部相連的第二氣體傳送區域30b，設置于下部鍍膜室10b并與第二氣體傳送區域30b相連的第三氣體傳送區域30c。多個氣體噴射口30d設置于第三氣體傳送區域30c，用于將第一氣體傳送區域及第二氣體傳送區域30a、30b傳送的氣體以空氣幕形式噴射到鍍件5上。結果，依次通過第一至第三氣體傳送區域30a～30c流入的高壓氣體以空氣幕形式通過多個氣體噴射口30d噴射到鍍件5上，所以可以防止外部空氣中的雜質與金屬微粒反應。即，可以形成假定的密閉空間。因此，可有效防止由于空氣中雜質(氧氣或氮氣)的干擾，出現使得純金屬微粒無法鍍到鍍件5表面的現象。并且，由于這種空氣幕形式的氣體噴射方式，本發明的鍍膜室10具有可以在空氣中使用的優點。此時，噴射到鍍件5的高壓氣體可以采用其他各種氣體，但在本實施例中采用氬(Ar)。在本實施例中，鍍膜室10內分別設置有一個金屬通道20及高壓氣體通道30，而排出通道40卻有兩個。當然，根據情況可以增加金屬通道20、高壓氣體通道30、及排出通道40，但在此只說明如圖所示的兩個排出通道40。該實施例的排出通道40包括在金屬通道20及高壓氣體通道30之間沿著圓周方向安裝的第一排出通道41，和在高壓氣體通道30的徑向外側沿著圓周方向安裝的第二排出通道42。第一排出通道及第二排出通道41、42包括第一吸入區域40a，設置于下部鍍膜室10b，并吸入鍍件5和鍍膜室10之間的副產物、高壓氣體、及空氣中的氣體；第二吸入區域40b，設置于上部鍍膜室10a，并與第一吸入區域40a相連；第三吸入區域40c，兩端分別與排氣部分4和第二吸入區域40b連接，并將通過第一吸入區域及第二吸入區域40a、40b吸入的金屬微粒、高壓氣體、及空氣中的氣體運送到排氣部分4。這時，多個吸入口40d設置于第一吸入區域40a，用于吸入鍍件5和鍍膜室10之間的副產物、高壓氣體、及空氣中的氣體，采取的是與上述氣體噴射口30d同樣的方式。如圖所示，如果形成多個吸入口40d，其優點是，在更短的時間內均勻地排出更多的金屬微粒、高壓氣體、及空氣中的氣體。這時，當吸入口40d的直徑比氣體噴射口30d的大時有利于提高排出效率。另外，在上部鍍膜及下部鍍膜室10a、10b相互連接的接觸部分設置有密封材料14(參照圖5)。這種密封材料14還可用來密封設置于上部鍍膜及下部鍍膜室10a、10b的金屬通道20、高壓氣體通道30及排出通道40相互連接的部分，從而可以阻止金屬微粒及氣體等的泄露。在下面，將參照圖6說明使用鍍膜裝置1在鍍件5表面特定的位置鍍膜的過程。當然，這種鍍膜裝置可以用如下步驟進行簡單的描述。即，本發明實施例的鍍膜方法包括以下步驟在鍍件5的上方一定間距H處安裝鍍膜室10的第一步驟；通過設置于鍍膜室10的金屬通道20將特定的金屬微粒提供給鍍件5的第二步驟；通過在金屬通道20的徑向外側沿著圓周方向安裝的高壓氣體通道30，與第二步驟一起將高壓氣體提供給鍍件5的第三步驟；提供的金屬微粒在鍍件5上形成特定的薄膜的第四步驟。當然，第一及第二步驟提供的金屬微粒和高壓氣體，在進行第二及第三步驟的過程中通過設置于鍍膜室10中的多個排出通道40排出，其具體方法在下面進行說明。首先，在鍍件5的上方一定間距H處與鍍件5平行地安裝鍍膜室10。當然，在裝置內，這可通過程序化的制動系統及驅動系統自動完成。安裝鍍膜室10后，由金屬供給部分2提供的金屬微粒，通過第一金屬傳送區域及第二金屬傳送區域20a、20b，噴射到鍍件5的有關位置的同時，并在激光的作用下開始在鍍件5的表面鍍膜(參照圖6的)。提供金屬微粒的同時，高壓氣體供給部分3的高壓氣體也噴射到第一至第三氣體傳送區域30a～30c，形成空氣幕，以使提供給鍍件5的金屬微粒不能與空氣中的空氣接觸。(參照圖6的)。這樣，高壓氣體向鍍件5以空氣幕形式噴射，而將金屬微粒保護于其內部，從而在鍍件5的表面開始形成薄膜。當然，在鍍件5的表面形成薄膜的過程中產生的副產物、高壓氣體、及空氣中的氣體，依次經由第一到第三吸入區域40a～40c后通過排氣部分4排出的同時(參照圖6的)，還可通過排氣區域25a排到外部。如此，使得金屬微粒、與金屬微粒反應產生的副產物、高壓氣體、及空氣中的氣體通過排氣部分4排出，其優點是可以防止有害氣體排到外部。如上所述，根據本發明，不使用形成真空環境的真空箱，也能在空氣中有效鍍膜。然而，上面只說明了鍍膜裝置1及鍍膜方法。但是，可設置于鍍膜裝置1內的鍍膜室10也屬于本發明的范疇。這種鍍膜裝置1的鍍膜室10包括上部鍍膜室和下部鍍膜室10a、10b，其是沿著上部鍍膜室和下部鍍膜室10a、10b的板面方向彼此可拆分的結合；金屬通道20，設置于上部鍍膜室和下部鍍膜室10a、10b，并將金屬供給部分2提供的金屬微粒運送到鍍件5；高壓氣體通道30，為了使通過金屬通道20提供給鍍件5的金屬微粒與外部空氣隔離，設置于上部鍍膜室及下部鍍膜室10a、10b，并將高壓氣體供給部分3提供的高壓氣體運送到鍍件5；至少一個排出通道40，設置于上部鍍膜室及下部鍍膜室10a、10b，排出使用后產生的副產物及高壓氣體。這時，金屬通道20、高壓氣體通道30及排出通道40分別具有如前所述的具體結構，并且有關操作也一樣，所以在此不再進行詳細的說明。以上，參照附圖對本發明進行了詳細的說明，但本發明不局限于此。在上述的實施例中，上部鍍膜室及下部鍍膜室10a、10b由四角平面部分11a和部分圓弧部分11b組成，但是，即使具有別的形狀也顯然屬于本發明的構思范疇。在上述的實施例中，通過高壓氣體通道30形成單個空氣幕，但是，根據需要可以形成兩個以上的高壓氣體通道30，從而也可以形成兩個以上的空氣幕。如上所述，本發明提供了不使用形成真空環境的真空箱也能在空氣中有效鍍膜的鍍膜裝置和鍍膜方法以及該鍍膜裝置專用的鍍膜室。權利要求1.一種鍍膜裝置，所述鍍膜裝置包括鍍膜室，安裝在鍍件的上方一定間距處；金屬供給部分，通過所述鍍膜室將特定的金屬微粒提供給所述鍍件；金屬通道，設置于所述鍍膜室，將所述金屬供給部分提供的所述金屬微粒運送到所述鍍件；高壓氣體供給部分；高壓氣體通道，為了使通過所述金屬通道提供給所述鍍件的所述金屬微粒與外部空氣隔離，設置于所述鍍膜室，將所述高壓氣體供給部分提供的高壓氣體運送至所述鍍件；至少一個排出通道，設置于所述鍍膜室，排出使用后產生的副產物及高壓氣體；以及排氣部分，與所述排出通道相連，并且抽吸通過所述排出通道排出的使用完的所述金屬微粒及所述高壓氣體。2.根據權利要求1所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述鍍膜室由上部鍍膜室和下部鍍膜室組成，其是沿著所述上部鍍膜室和所述下部鍍膜室的板面方向彼此可拆分的結合。3.根據權利要求2所述的鍍膜裝置，其特征在于，在所述上部鍍膜室及所述下部鍍膜室中，其中至少一個設置有固定架，所述固定架用于將所述鍍膜室固定在所述鍍膜裝置上。4.根據權利要求2所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述金屬通道包括第一金屬傳送區域，從所述金屬供給部分通過所述上部鍍膜室或所述下部鍍膜室傳送所述金屬微粒；第二金屬傳送區域，設置于所述下部鍍膜室，并將所述金屬微粒從所述第一金屬傳送區域運送到所述鍍件。5.根據權利要求4所述的鍍膜裝置，其特征在于所述第一金屬傳送區域設置于所述下部鍍膜室；當所述上部鍍膜室和所述下部鍍膜室由四角平面部分和部分圓弧部分組成時，所述第二金屬傳送區域設置于所述圓弧部的軸心，并且所述第二金屬傳送區域的中部向軸內側呈酸漿果狀彎曲。6.根據權利要求5所述的鍍膜裝置，其特征在于窗玻璃防污染用排氣區域設置于所述第二金屬傳送區域上方的所述上部鍍膜室，用于阻止所述第一金屬傳送區域及所述第二金屬傳送區域提供的所述金屬微粒逆流；氣體供給通道設置于所述下部鍍膜室，用于將特定的氣體提供給所述排氣區域。7.根據權利要求2所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述高壓氣體通道包括第一氣體傳送區域，從所述高壓氣體供給部分通過所述上部鍍膜室或所述下部鍍膜室傳送所述高壓氣體；第二氣體傳送區域，設置于所述上部鍍膜室，并與所述第一氣體傳送區域的端部相連；第三氣體傳送區域，設置于所述下部鍍膜室，并與所述第二氣體傳送區域相連。8.根據權利要求7所述的鍍膜裝置，其特征在于，多個氣體噴射口設置于所述第三氣體傳送區域，用于將所述第一氣體傳送區域及所述第二氣體傳送區域傳送的氣體以空氣幕形式噴射到所述鍍件上。9.根據權利要求8所述的鍍膜裝置，其特征在于，依次傳送到所述第一氣體傳送區域至所述第三氣體傳送區域，并噴射到所述鍍件的氣體是惰性氣體。10.根據權利要求9所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述惰性氣體是氬(Ar)。11.根據權利要求1或2所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述排出通道包括第一排出通道，在所述金屬通道及所述高壓氣體通道之間沿著圓周方向安裝；第二排出通道，在所述高壓氣體通道的徑向外側沿著圓周方向安裝。12.根據權利要求11所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述第一排出通道及所述第二排出通道包括第一吸入區域，設置于所述下部鍍膜室，并吸入所述鍍件和所述鍍膜室之間的副產物、高壓氣體、及空氣中的氣體；第二吸入區域，設置于所述上部鍍膜室，并與所述第一吸入區域相連；第三吸入區域，兩端分別與所述排氣部分和所述第二吸入區域連接，并將通過所述第一吸入區域及第二吸入區域吸入的所述副產物、高壓氣體、及空氣中的氣體運送到所述排氣部分中。13.根據權利要求12所述的鍍膜裝置，其特征在于，多個吸入口設置于所述第一吸入區域，用于吸入所述鍍件和所述鍍膜室之間的副產物、高壓氣體、及空氣中的氣體。14.根據權利要求13所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述吸入口的直徑比所述氣體噴射口的直徑大。15.根據權利要求2所述的鍍膜裝置，其特征在于，在所述上部鍍膜室及所述下部鍍膜室相互連接的接觸部分設置有密封材料。16.一種鍍膜方法，所述鍍膜方法包括以下步驟第一步驟，在鍍件的上方一定間距處安裝鍍膜室；第二步驟，通過設置于所述鍍膜室的金屬通道將特定的金屬微粒提供給所述鍍件；第三步驟，通過在所述金屬通道的徑向外側沿著圓周方向安裝的高壓氣體通道，與所述第二步驟一起將高壓氣體提供給所述鍍件；第四步驟，提供的所述金屬微粒在所述鍍件上形成特定的薄膜。17.根據權利要求16所述的鍍膜方法，其特征在于，所述第二步驟及所述第三步驟提供的所述金屬微粒和所述高壓氣體在進行所述第二步驟及所述第三步驟的過程中，通過設置于所述鍍膜室中的至少一個排出通道排出。18.與根據權利要求1所述的金屬供給部分、高壓氣體供給部分及排氣部分相互作用，在特定的鍍件上形成薄膜的鍍膜裝置專用的鍍膜室，所述鍍膜裝置專用的鍍膜室包括上部鍍膜室和下部鍍膜室，其是沿著所述上部鍍膜室和下部鍍膜室的板面方向彼此可拆分的結合；金屬通道，設置于所述上部鍍膜室和所述下部鍍膜室，并將所述金屬供給部分提供的所述金屬微粒運送到所述鍍件；高壓氣體通道，為了使通過所述金屬通道提供給所述鍍件的金屬微粒與外部空氣隔離，設置于所述上部鍍膜室和所述下部鍍膜室，并將所述高壓氣體供給部分提供的高壓氣體運送到所述鍍件；至少一個排出通道，設置于所述上部鍍膜室和所述下部鍍膜室，并排出使用后產生的副產物及高壓氣體。19.根據權利要求18所述的鍍膜裝置專用的鍍膜室，其特征在于，所述金屬通道包括第一金屬傳送區域，從所述金屬供給部分通過所述上部鍍膜室或所述下部鍍膜室傳送所述金屬微粒；第二金屬傳送區域，設置于所述下部鍍膜室，并將所述金屬微粒從所述第一金屬傳送區域運送到所述鍍件。20.根據權利要求19所述的鍍膜裝置專用的鍍膜室，其特征在于，所述第一金屬傳送區域設置于所述下部鍍膜室；當所述上部鍍膜室和所述下部鍍膜室由四角平面部分和部分圓弧部分組成時，所述第二金屬傳送區域設置于所述圓弧部的軸心，并且所述第二金屬傳送區域的中部向軸內側呈酸漿果狀彎曲。21.根據權利要求20所述的鍍膜裝置專用的鍍膜室，其特征在于窗玻璃防污染用排氣區域設置于所述第二金屬傳送區域上方的所述上部鍍膜室，用于阻止所述第一金屬傳送區域及所述第二金屬傳送區域提供的所述金屬微粒逆流；氣體供給通道設置于所述下部鍍膜室，用于將特定的氣體提供給所述排氣區域。22.根據權利要求18所述的鍍膜裝置專用的鍍膜室，其特征在于，所述高壓氣體通道包括第一氣體傳送區域，從所述高壓氣體供給部分通過所述上部鍍膜室或所述下部鍍膜室傳送所述金屬微粒；第二氣體傳送區域，設置于所述上部鍍膜室，并與所述第一氣體傳送區域的端部相連；第三氣體傳送區域，設置于所述下部鍍膜室，并與所述第二氣體傳送區域相連。23.根據權利要求22所述的鍍膜裝置專用的鍍膜室，其特征在于，多個氣體噴射口設置于所述第三氣體傳送區域，用于將所述第一氣體傳送區域及所述第二氣體傳送區域傳送的氣體以空氣幕形式噴射到所述鍍件上。24.根據權利要求23所述的鍍膜裝置專用的鍍膜室，其特征在于，依次傳送到所述第一氣體傳送區域至所述第三氣體傳送區域，并噴射到所述鍍件上的氣體是惰性氣體。25.根據權利要求24所述的鍍膜裝置專用的鍍膜室，其特征在于，所述惰性氣體是氬(Ar)。26.根據權利要求18所述的鍍膜裝置專用的鍍膜室，其特征在于，所述排出通道包括第一排出通道，在所述金屬通道及所述高壓氣體通道之間沿著圓周方向安裝；第二排出通道，在所述高壓氣體通道的徑向外側沿著圓周方向安裝。27.根據權利要求26所述的鍍膜裝置專用的鍍膜室，其特征在于，所述第一排出通道及所述第二排出通道包括第一吸入區域，設置于所述下部鍍膜室，并吸入所述鍍件與所述鍍膜室之間的副產物、高壓氣體、及空氣中的氣體；第二吸入區域，設置于所述上部鍍膜室，并與所述第一吸入區域相連；第三吸入區域，兩端分別與所述排氣部分和所述第二吸入區域連接，并將通過所述第一吸入區域及所述第二吸入區域吸入的所述副產物、高壓氣體、及空氣中的氣體運送到所述排氣部分。28.根據權利要求27所述的鍍膜裝置專用的鍍膜室，其特征在于，多個吸入口設置于所述第一吸入區域，用于吸入所述鍍件和所述鍍膜室之間的副產物、高壓氣體、及空氣中的氣體。29.根據權利要求28所述的鍍膜裝置專用的鍍膜室，其特征在于，所述吸入口的直徑比所述氣體噴射口的直徑大。30.根據權利要求18所述的鍍膜裝置專用的鍍膜室，其特征在于，在所述上部鍍膜室及所述下部鍍膜室相互連接的接觸部分設置有密封材料。全文摘要本發明涉及一種鍍膜裝置和鍍膜方法及該鍍膜裝置專用的鍍膜室。本發明的目的在于，不使用可制造真空環境的真空箱，也能實現在空氣中有效鍍膜。該鍍膜裝置分別包括以下幾部分鍍膜室，安裝在鍍件的上方一定間距處；金屬供給部分，通過鍍膜室給鍍件提供特定的金屬微粒；金屬通道，設置于鍍膜室，并且將金屬供給部分提供的金屬微粒運送到鍍件；高壓氣體供給部分；高壓氣體通道，為了使通過金屬通道提供給鍍件的金屬微粒與外部空氣隔離，設置于鍍膜室，并將高壓氣體供給部分提供的高壓氣體運送到鍍件；至少一個排出通道，設置于鍍膜室，并排出使用后產生的副產物及高壓氣體；排氣部分，與排出通道相連，并可抽吸通過排出通道排出的使用完的金屬微粒及高壓氣體。因此，不使用制造真空環境的真空箱，也可以在空氣中有效鍍膜。文檔編號C23C14/24GK1580318SQ200410000360公開日2005年2月16日申請日期2004年1月9日優先權日2003年8月8日發明者金一鎬,金顯正,趙國衡,方溢煥申請人:查姆工程株式會社