等離子體沉浸離子注入工藝的制作方法

專利名稱：等離子體沉浸離子注入工藝的制作方法
技術領域：
本發明的實施例通常關于半導體制造工藝及組件之領域，尤其關于通過等
離子體沉浸離子注入工藝(plasma immersion ion implantation process)而將離 子注入至基板中的方法。
背景技術：
集成電路可包含百萬個以上形成在基板上且彼此于電路內協同執行各種 功能的微型電子場效晶體管(例如，互補式金屬氧化物半導體(CMOS)場效 晶體管)。一 CMOS晶體管包括位于源極及漏極區域之間的柵極結構，該源 極及漏極區域形成在基板中。該柵極結構一般包括一柵極電極及一柵極電介質 層。該柵極電極位在該柵極電介質層上方，以控制柵極電介質層下方信道區域 內電荷載子的流動，信道區域形成在源極及漏極區域之間。
一離子注入工藝典型地用來將離子注入且慘雜至基板內，從而在基板上形 成具有欲求(deseed)的輪廓與濃度的柵極與源漏極結構。在離子注入工藝期 間，不同的工藝氣體或氣體混合物可用以提供離子源物種。當工藝氣體被供應 至離子注入處理腔室內時，可以生成RF功率以產生等離子體，而促使工藝氣 體中離子解離以及將經解離的離子朝向且進入基板表面加速。在等離子體解離 期間會形成雜質(例如經解離的離子物種結合的副產物)，并且其會隨著欲求 的離子被驅入與/或注入基板內，因而污染了基板中的結構。這些非欲求 (imdesired)的離子物種也會改變基板上所形成結構的濃度、輪廓、尺寸與離 子分布，因而不利地影響了整體電子組件性能。
所以，亟需提供一種改良的離子注入工藝。

發明內容
本發明揭示一種用以通過一等離子體沉浸離子注入工藝將離子注入到一
基板內的方法。在一實施例中，用以將離子注入到基板內的方法包括提供一
5基板至一處理腔室內；供應一氣體混合物到該腔室內，其中該氣體混合物包括 一反應氣體與一還原氣體；以及將來自該氣體混合物的離子注入到該基板內。
在另一實施例中，用以將離子注入到基板內的方法包括提供一基板至一 處理腔室內；供應一氣體混合物到該腔室內，其中該氣體混合物包括一及:應氣 體與一含氫還原氣體；以及將來自該氣體混合物的離子注入到該基板內。
在又另一實施例中，用以將離子注入到基板內的方法包括提供一基板至 一處理腔室內；供應一氣體混合物到該腔室內，其中該氣體混合物包括一反應 氣體與一含氫還原氣體，該含氫還原氣體選自包含SiHU、 B2H6、 NHs與H2的 群組；施加一RF功率以形成一等離子體；將該氣體混合物解離成多個離子物 種，其中來自該還原氣體的離子物種與一第一部分離子物種發生反應，并將副
產物泵送出該腔室；以及將來自該氣體混合物的一第二部分離子物種植入注入 到該基板內。


本發明之前述特征、詳細說明可以通過參照實施例而加以詳細地了解，其 中一些實施例被繪示在附圖中。然而，應當注意的是，附圖僅繪示出本發明的
典型實施例且因此不被視為會限制本發明范圍，本發包含其它等效實施例。 圖1A-1B繪示適于實施本發明的等離子體沉浸離子注入工具的一實施例。 圖2繪示根據本發明一實施例用于等離子體沉浸離子注入工藝的方法的
流程圖。
為了有助于了解，盡可能在附圖中使用相同的組件符號。 一實施例的構件 與特征可以有益地被并入其它實施例中而無須贅述。
然而，應當注意的是，附圖僅繪示出本發明的示范性實施例且因此不被視 為會限制本發明范圍，本發包含其它等效實施例。 主要組件符號說明
102腔室本體 106基板 124底部 128基板支撐組件 132 抽吸口
100 104 122 126 130
等離子體反應器
工藝區域
側壁
頂部
氣體散布板134真空泵136節流閥
140導管140，導管
140a第一端140a,笛_^嘗 弟 乂而
140b'第二端140b，a^y ~■ 一山 弟一頓
142心142，心
144線圈144'線圈
146功率產生器146，功率產生器
148匹配電路148，匹配電路
150環150，環
152氣體源154偏功率產生器
156匹配電路190等離子體源
192開口194開口
196開口198開口
200方法
202提供基板至等離子體沉浸處理腔室內 204供應包括反應氣體與還原氣體的氣體混合物到處理腔室內 206執行等離子體沉浸離子注入工藝，以將來自氣體混合物的離子注入 到基板內
具體實施例方式
本發明提供用以通過等離子體沉浸離子注入工藝而將離子注入至基板內 的方法。在一實施例中，離子注入工藝是透過供應含有反應氣體與還原氣體的 氣體混合物至處理腔室來執行。一等離子體被產生以將來自氣體混合物的離子 解離，從而形成朝著基板被加速且被注入至基板內的離子源，其中該基板具有 欲求的偏壓。供應的氣體混合物提供不同的離子物種，因而提供了特定經解離 的離子，其交互作用反應且/或與副產物結合而接著被泵送出處理腔室。特定 離子的交互作用反應與/或結合可避免非欲求離子隨著欲求離子一起被注入基 板內。
圖1A繪示一等離子體反應器100，其可用來實施根據本發明一實施例的 離子注入工藝。可實施工藝的一適當反應器為可從美國加州圣大克勞拉市(Santa Clara)的應用材料公司(Applied Materials, Inc.)獲得的？3〗@反應器。 本文敘述的方法可以被實施在其它適用的等離子體反應器中，包括來自其它制 造商的等離子體反應器。
等離子體反應器100包括一腔室本體102，腔室本體102具有底部124、 頂部126、與圍繞工藝區域104的側壁122。 一基板支撐組件128由腔室本體 102的底部124所支撐，且適于接收基板106以進行處理。 一氣體散布板130 耦接至腔室本體102的頂部126，且面對基板支撐組件128。 一抽吸口 132被 定義在腔室本體102中，并耦接至真空泵134。真空泵134經由一節流閥136 耦接至抽吸口 132。 一氣體源152耦接至氣體散布板130，以供應在基板106 上執行工藝所需要的氣體前驅物化合物。
圖1A繪示的反應器100更包括一等離子體源190，在圖1B中顯示較為 清楚。等離子體源190包括一對分離的外部再進入導管140、 140'，外部再進 入導管140、 140'裝設在腔室本體102的頂部126外面而彼此橫切(或如同圖 1B中示范性實施例所繪示的彼此正交)。第一外部再進入導管140具有一第一 端140a，其經由形成在頂部126中的開口 198耦接至腔室本體102中工藝區 域104的第一側內。 一第二端140b具有耦接至工藝區域104的第二側內的開 口 196。第二外部再進入導管140b具有一第一端140a，與一第二端140b，，第 一端140a，具有耦接至工藝區域104的第三側內的開口 194，第二端140b，具有 耦接至工藝區域104的第四側內的開口 192。在一實施例中，第一與第二外部 再進入導管140、 140'被建構成彼此正交，從而使每一外部再進入導管140、 140，的兩端140a、 140a，、 140b、 140b，在腔室本體102的頂部126周圍相隔約 90度。外部再進入導管140、 140'的正交組態使得等離子體源能均勻地被散布 在工藝區域104中。第一與第二外部再進入導管140、 140'可被建構成能在工 藝區域104內提供均勻等離子體散布的其它散布形式。
磁性可穿透的環面芯142、 142'圍繞一部分相應的外部再進入導管140、 140，真中之一。導電線圈144、 144，經由各自的阻抗匹配電路或構件148、 148， 耦接至各自的RF等離子體源功率產生器146、146，。每一外部再進入導管140、 140'為分別被絕緣環150、 150'干擾的中空導電管子，其中該些絕緣環150、 150'干擾各個外部再進入導管140、 140，的兩端140a、 140b (與140a，、 140b，) 之間的一連續電性路徑。基板表面的離子能量是由一 RF等離子體偏功率產生器154來控制，其中該RF等離子體偏功率產生器154經由一阻抗匹配電路或 構件156耦接至基板支撐組件128。
再參照圖1A，包括來自工藝氣體源152的氣體化合物的工藝氣體經由上 方氣體散布板130被導入工藝區域104。 RF源等離子體功率146從功率施用 器142、 144耦接至導管140內所供應的氣體，其建立了一第一封閉環面 (torroidal)路徑中的循環等離子體流，其中該第一封閉環面路徑包括外部再 進入導管140與工藝區域104。而且，RF源功率146'可以從其它功率施用器 142，、 144，耦接至第二導管140，中的氣體，其建立了與第一封閉環面路徑橫切 (例如正交)的一第二封閉環面路徑中的循環等離子體流。第二環面路徑包括 第二外部再進入導管140'與工藝區域104。每一路徑中的等離子體流在各自 RF源功率產生器146、 146'的頻率下振蕩(例如，相反的方向)，其中該兩頻 率可以相同或稍微彼此偏移。
在一實施例中，工藝氣體源152提供不同的工藝氣體，這些氣體可用來提 供被注入基板106內的離子。適當的工藝氣體實例包括有B2H6、 BF3、 SiH4、 SiF4、 PH3、 P2H5、 P03、 PF3、 PFs與CF4等。每一等離子體源功率產生器146、 146'的功率被操作成使得其結合效果能夠有效率地將從工藝氣體源152供應的 工藝氣體解離，并且在基板106的表面產生欲求的離子通量(ion flux)。 RF 等離子體偏功率產生器154的功率被控制在經選擇的位準，在此位準從工藝氣 體解離的離子可以朝向基板表面被加速且被注入到基板106表面下一欲求深 度而具有欲求離子濃度。例如，通過相對低的RF功率(例如低于約50eV)， 可以獲得相對低的等離子體離子能量。經解離而具有低離子能量的離子可以被 注入到基板表面下約0埃與100埃之間的淺深度。替代性地，經解離而具有高 離子能量的離子是由高RF功率(例如高于約50 eV)來提供且產生，經解離 而具有高離子能量的離子可以被注入到基板表面下實質上超過100埃的深度。
經控制的RF等離子體源功率與RF等離子體偏功率的組合可以將氣體混 合物中的離子解離，其因而在處理腔室100中具有足夠動量且欲求的離子分 布。這些離子被偏壓，并且被朝向基板驅動，從而將該些離子入到基板內而在 基板表面下具有欲求的離子濃度、分布及深度。再者，來自所供應工藝氣體之 離子物種的經控制離子能量與不同類型有助于該些離子被注入到基板106內， 因此在基板106上形成欲求的組件結構(例如柵極結構與源漏極區域)。
9圖2繪示通過等離子體沉浸離子注入工藝將離子注入到基板內的方法200 的工藝流程圖。工藝200可以在一等離子體沉浸離子注入處理腔室內(例如圖 1A-1B所敘述的處理腔室100)被執行。
方法200開始于步驟202，其在處理腔室100中提供一基板。在一實施例 中，基板可以是例如氧化硅、碳化硅、結晶硅(譬如^<100>或&<111>)、伸 張硅、硅鍺、摻雜或未摻雜多晶硅、慘雜或未摻雜硅晶片、摻雜硅、鍺、砷化 鎵、氮化鎵、玻璃與藍寶石(sapphire)的材料。基板可以具有各種尺寸(例 如直徑為200mm或300mm的晶片)，以及矩形或方形面板(pane)。除非特 別指明，本文敘述的實施例與實例是實施在200 mm直徑或300 mm直徑的基 板上。在使用基板以形成柵極結構的實施例中，可以在基板上的一柵極電介質 層上沉積一多晶硅層。
在步驟204， 一氣體混合物被供應至處理腔室100內，以提供用于后續注 入工藝的離子物種。可以從工藝氣體源152 (如圖1A所示)或以其它適當方 式供應氣體混合物至氣體散布系統130。
在一實施例中，供應至處理腔室100內的氣體混合物包括一反應氣體與一 還原氣體。反應氣體提供將被注入到基板內的欲求離子。例如，反應氣體可以 提供欲求離子物種的來源，諸如B、 P、 Ga、 As等，其用來在電性組件中形成 活性的摻雜質以產生基板摻雜區域的欲求電性性能。在一實施例中，可以用來 提供離子物種源的反應氣體包括BF3、 B2H6、 BC13、 P2H5、 PH3、 GaN、 AsF5、
PF3等。
在一實施例中，還原氣體可以是一含氫氣體。還原氣體是用以與除了欲求 離子物種以外的離子物種發生反應，以避免非欲求離子隨著欲求離子被注入到
基板內。例如，在反應氣體是BF3氣體的實施例中，BF3氣體在后續注入工藝 會被解離(下文會更詳細討論)且產生BF2、 BF^+與F離子形式的副產物離 子物種。從還原氣體產生的氫原子可以有效率地與未完全解離的BS+、 BF"與/ 或BF +離子及/或副產物F發生反應，其接著被泵送出腔室，因而避免了非欲 求離子物種被注入到基板內。在一實施例中，該含氫還原氣體可以包括SiH4、 B2H6、 NH3、 H2等。
在另一實施例中，被供應至處理腔室100內的氣體混合物可以包括一惰性 氣體。適當的惰性氣體實例包括N2、 Ar、 He、 Xe與Kr等。處理腔室100中
10的惰性氣體會促進氣體混合物的離子轟擊(ion bombardment),從而有效率地 增加工藝氣體撞擊的可能性，可以減少離子物種的再結合。
可選地， 一含氮氣體可以隨著氣體混合物被供應，以有助于揮發性副產物 的形成，其中這些揮發性副產物更容易被泵送出處理腔室。該含氮氣體可以包 括NO、 N02、 NH3、 N2、 >120等。在一實施例中，含氮氣體能以介于約0 seem 與約500 seem之間(例如介于約5 seem與約100 seem之間)被供應到處理腔 室內。
在步驟206， ^l行一等離子體沉浸離子注入工藝，以將在步驟204從氣體 混合物產生的離子注入到基板內。一RF源功率被供應，以在處理腔室100中 從氣體混合物產生等離子體。經產生的等離子體會將腔室100中的氣體混合物 解離成離子物種。一RF偏功率可以隨著RF源功率被施加，以將從氣體混合 物解離的離子物種解離且朝向基板驅動，并且進入基板表面下一欲求深度。施 加到腔室100的RF源與偏功率可以被控制在一欲求的能量位準，從而將離子 物種解離且摻雜成基板中欲求的濃度與深度。
在一實施例中，RF源功率可以被維持在約50瓦與約2000瓦之間。RF偏 功率可以于介于約0伏特與約12000伏特之間的RF電壓被維持在約50瓦與 約11000瓦之間。
在步驟206的等離子體沉浸離子注入工藝期間，也可以調整一些工藝參 數。在一實施例中，腔室壓力可以被維持在約4mTorr與約500 mTorr之間。 基板溫度可以被維持在約25'C與約40(TC之間。
步驟204所供應的反應氣體、還原氣體與惰性氣體之間的氣體混合物流速 與/或氣體混合物流量比可以經選擇，以在各種類型氣體之間控制經解離離子 物種的相對量。經選擇的氣體混合物流速與/或流量比使得欲被解離的氣體混 合物在不同類型的離子物種之間具有預定的量與/或比例，從而避免在處理腔 室中產生過量的特定類型離子、造成不希望的副反應與/或在基板上形成不欲 求的薄膜。例如，過量的特定類型禽子物種(例如氟或氬離子)可能會濺鍍且 轟擊基板表面，從而損壞了并粗糙化了基板表面。而且，過量的另一種類型離 子物種(例如BJly聚合物)可能無法輕易且有效率地被泵送出處理腔室，從 而累積在基板上并造成基板污染及摻雜質輪廓改變。
在一實施例中，反應氣體與還原氣體的流量比可以被控制在約1:0.5與約1:0.1之間。在另一實施例中，反應氣體能以約5sccm與約600sccm之間的流 速(例如約10sccm與約400sccm之間)被注入處理腔室。含氫還原氣體能以 約0 sccm與約800 sccm之間的流速(例如約5 sccm與約500 sccm之間，諸 如，勺5sccm與約.100sccm之間)被注入處理腔室。惰性氣體能以約0 sccm與 約1200 sccm之間的流速(例如約5 sccm與約1000 sccm之間)被注入處理腔 室。
在本發明的一示范性實施例中，氣體混合物包括BF3與SiH4。如前所述， B&與SiH4氣體會被等離子體解離成B^、 BF2+、 BF22+、 F、 S產與lT形式的 離子物種。由SiH4提供的活性H物種會與F物種及其它經解離的副產物發生 反應，形成了HF或其它類型的揮發性物種，因此避免了F物種與其它類型的 副產物一起被注入到基板內。適當的SiH4氣體流量經選擇，以避免過量的經 解離的Si離子在基板表面上形成一非欲求的硅薄膜。在一實施例中，B&氣體 與SiRU氣體可以具有約1:50與約1:100之間的流量比(例如l:80)。替代性地， BF3氣體流速能以約50 sccm與約400 sccm之間來供應，而SiH4氣體流速能以 約1 sccm與約20 sccm之間(例如5 sccm)來供應。RF源功率可以被控制在 約100伏特與約2000伏特之間，并且RF偏功率可以被控制在約100伏特與 約12000伏特之間。
在本發明的另一示范性實施例中，供應至處理腔室100內的氣體混合物可 以包括BF" B2H6與一含氮氣體(例如N2)。 BF3、 82116與N2氣體被等離子體 解離成83+、 BF2+、 BF22+、 F、 BxHy、 ^*與H+形式的離子物種。由82116氣體 提供的活性H物種會與F物種及其它經解離的副產物發生反應，形成了 HF 或其它類型能被泵送出腔室的揮發性物種，因此避免了 F物種與其它類型的副 產物一起被注入到基板內。不完全解離的B2H6氣體會形成BxHy形式的聚合物 氣體。從N2氣體產生的N離子物種可用來與聚合物氣體BxHy發生反應，以 形成能輕易被泵送出腔室的揮發性氣體，從而避免了在基板上沉積聚合物氣體 且不利地影響組件結構。在一實施例中，BF3氣體與B2H6氣體可以具有約1:0.01 與約1:0.5之間的流量比。替代性地，BF3氣體流速能以約50 sccm與約400 sccm 之間(例如100 sccm)來供應，而B2H6氣體流速能以約10 sccm與約100 sccm 之間(例如10 sccm)來供應，而N2氣體流速能以約5 sccm與約20 sccm之 間(例如10sccm)來供應。RF源功率可以被控制在約100伏特與約1000伏特之間，并且RF偏功率可以被控制在約100伏特與約12000伏特之間。
在本發明之又另一示范性實施例中，供應至處理腔室100內的氣體混合物 可以包括BF3、 B2H6與SiH4。 BF3、 B2H6與SiH4氣體被等離子體解離成B3+、 BF2+、 BF22+、 F、、產、BxHy與H+形式的離子物種。B物種被加速且被注入到 基板內基板表面下約10埃與約800埃之間的深度。由B2H6氣體提供的活性H 物種會與F物種及其它經解離的副產物發生反應，形成了 HF或其它類型的揮 發性物種，因此避免了 F物種與其它類型的副產物一起被注入到基板內。不完 全解離的BxHy氣體與H離子會形成能被泵送出腔室的揮發性氣體，從而避免 了在基板上沉積聚合物氣體與硅離子且不利地影響組件結構。在一實施例中， BF3氣體、B2H6氣體與SiH4氣體可以具有約1:0.01:0.01與約1:0.1:0.01之間的 流量比。替代性地，BF3氣體流速能以約50sccm與約400sccm之間來供應， 而B2H6氣體流速能以約10 sccm與約100 sccm之間來供應，而SiHU氣體流速 能以約5 sccm與約20 sccm之間來供應。RF源功率可以被控制在約100伏特 與約1000伏特之間，并且RF偏功率可以被控制在約100伏特與約12000伏 特之間。
所以，本發明提供了用以通過等離子體沉浸離子注入工藝而將離子注入到 基板內的方法。此改良的方法得以有益地將欲求的摻雜質量注入到基板表下欲 求的深度，而不會不利地污染或改變基板上摻雜質離子濃度，從而在基板上形 成具有欲求的電性性能的電性組件。
雖然前述說明是著重在本發明的實施例，在不脫離本發明基本范圍下可以 構想出本發明的其它與進一步實施例，并且本發明范圍是由隨附申請專利范圍 來決定。
權利要求
1、一種用以通過一等離子體沉浸離子注入工藝將離子注入到一基板內的方法，至少包含提供一基板至一處理腔室內；在該腔室內從一氣體混合物產生一等離子體，其中該氣體混合物包括一反應氣體與一還原氣體；以及將來自該等離子體的離子注入到該基板內。
2、 根據權利要求1所述的方法，其中該反應氣體包括B&、 B2H6、 BC13、 P2H5、 PH3、 GaN、 AsFs或PF3之中至少其一。
3、 根據權利要求1所述的方法，其中該還原氣體包括SiH4、 B2H6、 NH3或H2之中至少其一。
4、 根據權利要求1所述的方法，其中產生一等離子體的步驟更包含 隨著該氣體混合物供應一含氮氣體到該處理腔室內。
5、 根據權利要求4所述的方法，其中該含氮氣體包括NO、 N02、 NH3、 N2或N20之中至少其一。
6、 根據權利要求1所述的方法，其中產生一等離子體的步驟更包含 以約5 sccm與約600 sccm之間供應該反應氣體；以及以約0 sccm與約500 sccm之間供應該還原氣體。
7、 根據權利要求1所述的方法，其中該反應氣體為BF3氣體，且該還原 氣體為SiH4氣體。
8、 根據權利要求1所述的方法，其中該反應氣體為BF3與B2H6氣體，且 該還原氣體為SiH4氣體。
9、 根據權利要求1所述的方法，其中該反應氣體為BF3氣體，且該還原氣體為B2He氣體。
10、 根據權利要求1所述的方法，其中供應該氣體混合物的步驟更包含 隨著該氣體混合物供應一惰性氣體到該處理腔室內，其中該惰性氣體包括Ar、 He、 Xe、 Kr或N2之中至少其一。
11、 根據權利要求1所述的方法，其中將離子注入的步驟更包含施加一RF源功率；以及施加一RF偏功率。
12、 根據權利要求10所述的方法，其中施加RF的步驟更包含 施加約50瓦與約2000瓦之間的RF源功率； 施加約5Q瓦與約11000瓦之間的RF偏功率。
13、 根據權利要求1所述的方法，其中產生一等離子體的步驟更包含使該還原氣體與來自該反應氣體的一部分經解離的離子發生反應。
14、 根據權利要求13所述的方法，更包含形成一揮發性氣體，該揮發性氣體被泵送出該處理腔室。
15、 根據權利要求1所述的方法，其中將離子注入的步驟更包含將離子注入到該基板內基板表面下約10埃與約800埃之間的深度。
16、 根據權利要求1所述的方法，其中以約1:0.01與約1:0.5之間的氣體 流量比來供應該反應氣體與該還原氣體。
17、 根據權利要求1所述的方法，其中該還原氣體為一含氫氣體。
18、 一種用以通過一等離子體沉浸離子注入工藝將離子注入到一基板內的方法，至少包含提供一基板至一處理腔室內；供應一氣體混合物到該腔室內，其中該氣體混合物包括一反應氣體與一含 氫還原氣體；從該氣體混合物形成一等離子體；以及 將來自該氣體混合物的離子注入到該基板內。
19、 根據權利要求18所述的方法，其中該反應氣體包括BF3、 B2H6、 BC13、 P2H5、 PH3、 GaN、 AsFs或PF3之中至少其一。
20、 根據權利要求18所述的方法，其中該含氫還原氣體包括SiH4或B2H6 氣體之中至少其一。
21、 根據權利要求18所述的方法，其中供應一氣體混合物的步驟更包含: 供應一含氮氣體到該腔室內。
22、 根據權利要求21所述的方法，其中z該含氮氣體包括NO、 N02、 NH3、 N2或N20之中至少其一 。
23、 一種用以通過一等離子體沉浸離子注入工藝將離子注入到一基板內的 方法，至少包含提供一基板至一處理腔室內；供應一氣體混合物到該腔室內，其中該氣體混合物包括一反應氣體與一含氫還原氣體，該含氫還原氣體選自包含SiKU、 B2H6、 NH3與H2的群組； 施加一RF功率以形成二等離子體；.將該氣體混合物解離成多個離子物種，其中來自該還原氣體的離子物種與一第一部分離子物種發生反應，并將副產物泵送出該腔室；以及 將來自該氣體混合物的一第二部分離子物種注入到該基板內。
24、 根據權利要求23所述的方法，其中該反應氣體為BF3。
25、 根據權利要求24所述的方法，其中該第二部分離子物種為B離子。
26、 根據權利要求24所述的方法，其中該第一部分離子物種為F離子。
27、 根據權利要求23所述的方法，其中來自該還原氣體的離子物種為H離子。
全文摘要
本發明揭示一種用以通過一等離子體沉浸離子注入工藝將離子注入到一基板內的方法。在一實施例中，通過等離子體沉浸離子注入工藝將離子注入到基板內的方法包括提供一基板至一處理腔室內；供應一氣體混合物到該腔室內，其中該氣體混合物包括一反應氣體與一還原氣體；以及將來自該氣體混合物的離子注入到該基板內。在另一實施例中，該方法包括提供一基板至一處理腔室內；供應一氣體混合物到該腔室內，其中該氣體混合物包括一反應氣體與一含氫還原氣體；以及將來自該氣體混合物的離子注入到該基板內。
文檔編號C23C14/32GK101558183SQ200780044234
公開日2009年10月14日 申請日期2007年12月7日 優先權日2006年12月8日
發明者卡提克·雷馬斯瓦米, 李東亨, 李實健, 比亞吉歐·加洛, 馬耶德·A·福阿德 申請人:應用材料股份有限公司