專利名稱：基片鍍膜用處理機構的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種鍍膜用處理機構，尤其涉及一種適用于對有機發光二極管中
的基片鍍膜處理工藝進行去除雜質的基片鍍膜用處理機構。
背景技術：
OLED，即有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode)，又稱為有機電激光 顯示(Organic Electroluminesence Display,OELD)。因為具備輕薄、省電等特性，因此在 數碼產品的顯示屏上得到了廣泛應用，并且具有較大的市場潛力，目前世界上對OLED的應 用都聚焦在平板顯示器上，因為OLED是唯一在應用上能和TFT-LCD相提并論的技術，OLED 是目前所有顯示技術中，唯一可制作大尺寸、高亮度、高分辨率軟屏的顯示技術，可以做成 和紙張一樣的厚度。其中，在OLED的制作流程中，真空中基片鍍膜工藝是OLED制作流程中 一個很重要的工藝，因為它是關系到OLED的品質及壽命的最重要因素之一，所以應用于真 空中基片鍍膜工藝上的各種設備必須滿足真空中基片鍍膜工藝的精度要求，使得在該設備 內被鍍膜了產品的鍍膜層均勻，且其成分純凈、性能穩定和無應力，以及該鍍膜層能牢固地 附著于產品中以防止脫落，進而提升了產品的品質并延長了產品的壽命。其中，鍍膜用處理 機構就是應用于真空中基片鍍膜工藝上諸多設備之一種。 鍍膜用處理機構就是通過把其內部的蒸發源加熱蒸發后，使得蒸發后的鍍膜材料 沉積到OLED的基片表面而形成單層或多層薄膜，從而完成OLED的基片的鍍膜加工。但是， 現有的鍍膜用處理機構普遍存在以下的不足 目前，市面上應用于有機發光二極管的真空中基片鍍膜中的鍍膜用處理機構主要 包括柜體、蒸發源及處理板，所述柜體呈中空結構，該中空結構形成密封腔，所述蒸發源及 處理板設置于密封腔內，且所述處理板位于上述蒸發源的上方。使用時，在OLED基片鍍膜 之前加熱過程中，由于在未達到蒸發物的蒸發溫度時就會有蒸發源將雜質蒸發掉，使得蒸 發了的雜質首先沉積于基片的表面上，造成基片鍍膜層的組分不純凈，進而影響到基片性 能的穩定，以及鍍膜層與基片表面連接的牢固性。同時，由于一些蒸發物在加熱蒸發過程中 會釋放氣體，使得密封腔內壓強上升，使得現有的鍍膜用處理機構的密封腔各處受到不同
的壓力，從而導致基片鍍膜層極其不均勻，最終影響到基片的品質及正常的壽命。 因此，急需要一種能最大限度地提高了真空中有機發光二極管基片鍍膜層的均勻
性且能最大程度地保證了基片鍍膜層的成分純凈性的基片鍍膜用處理機構。
實用新型內容本實用新型的目的在于提供一種能最大限度地提高了真空中有機發光二極管基 片鍍膜層的均勻性且能最大程度地保證了基片鍍膜層的成分純凈性的基片鍍膜用處理機 構。 為實現上述目的，本實用新型的技術方案為提供一種基片鍍膜用處理機構，所述 基片鍍膜用處理機構包括柜體、處理板及蒸發源，所述柜體呈中空結構，所述中空結構形成密封腔，所述蒸發源與所述處理板設置于所述密封腔內，且所述處理板位于所述蒸發源上 方，其中，所述基片鍍膜用處理機構還包括擋板機構，所述擋板機構包括擋板、磁流體、冷卻 軸及擋板驅動機構，所述磁流體安裝于所述柜體上，所述擋板驅動機構位于所述柜體外并 與所述冷卻軸的一端連接，所述冷卻軸的另一端樞接地穿過所述磁流體并伸入所述密封腔 內，所述擋板與所述冷卻軸固定連接，所述擋板容置于所述密封腔內且位于所述蒸發源與 所述處理板之間，所述擋板隔離或開通所述蒸發源與所述處理板的空間連接，所述擋板驅 動機構驅動所述冷卻軸，所述冷卻軸帶動所述擋板轉動。 較佳地，沿垂直于所述冷卻軸方向的所述擋板的截面呈直角梯形或矩形，于截面 呈矩形的所述擋板上設置有加強筋，能最大限度地減少擋板撓性變形的程度，從而使擋板 能更可靠的工作。 較佳地，所述擋板包括第一擋板及第二擋板，所述冷卻軸包括第一冷卻軸及第二 冷卻軸，所述第一擋板的一側安裝在所述第一冷卻軸上，所述第一擋板的另一側向所述第 二擋板延伸形成第一卡接部，所述第二擋板的一側安裝在所述第二冷卻軸上，且所述第二 擋板的另一側向所述第一擋板延伸形成與所述第一卡接部相卡合對接的第二卡接部，于所 述第一卡接部與所述第二卡接部卡合對接時隔離所述蒸發源與所述處理板的空間連接。通 過由第一擋板和第二擋板組成的擋板，使得擋板能靈活地工作，且能最大限度上減少擋板 的變形，使得擋板能更可靠地工作；通過第一卡接部與第二卡接部的卡合對接，使得第一 擋板與第二擋板卡合對接處具有優異的密封性能，從而最大限度地阻隔鍍膜中的雜質從第 一擋板與第二擋板的卡合對接處通過而污染基片，進而提高了基片鍍膜層的品質；通過由 第一冷卻軸及第二冷卻軸組成的冷卻軸，使得分別固定于第一、二冷卻軸上的第一、第二擋 板能處于較佳的溫度下工作，防止已沉積在第一、二擋板上的各處雜質因受到不一致熱應 力作用下發生剝落，從而使得剝落后的雜質污染了本實用新型基片鍍膜用處理機構的密封 腔，進而影響基片鍍膜層的品質。具體地，所述第一擋板與第二擋板卡合對接時的面積之 和大于所述處理板的面積，且所述第一擋板的側緣與所述柜體相對應的內壁的距離小于IO 毫米，所述第二擋板的側緣與所述柜體相對應的內壁的距離小于10毫米，一方面使得由第 一擋板和第二擋板組成的擋板能最大限度地阻隔鍍膜中的雜質，保證處理板上的基片鍍膜 層的品質；另一方面保證第一、二擋板與柜體之間能更可靠地工作。 較佳地，所述擋板機構還包括傳動軸及真空軸承，所述傳動軸具有凹槽，所述冷卻
軸具有與所述凹槽相卡合對接的凸塊，所述傳動軸橫跨所述密封腔且兩端分別與所述真空
軸承樞接，所述真空軸承與所述柜體固定連接。通過凸塊與凹槽的配合，使得冷卻軸與傳動
軸連接簡單及可靠，且使得冷卻軸與傳動軸的加工簡單以降低其成本。具體地，所述凹槽與
所述凸塊卡合對接處位于所述真空軸承內，便于冷卻軸與傳動軸的裝拆及維護。 較佳地，所述擋板驅動機構包括馬達、主動齒輪及從動齒輪，所述馬達安裝在所述
柜體的外壁上且與所述主動齒輪連接，所述從動齒輪安裝于所述冷卻軸上且與所述主動齒
輪相嚙合，使得擋板驅動機構結構簡單、傳動精準且能更可靠地工作。具體地，所述馬達為
擺動汽缸或伺服電機，能對擋板的運動進行精準的控制。 較佳地，所述冷卻軸包括軸體，所述軸體沿軸向方向開有中空的冷卻腔；冷卻循 環室，所述冷卻循環室與所述軸體固定連接，所述冷卻循環室開有進口和出口 ，所述進口與 所述冷卻腔連通；輸入管，所述輸入管與所述冷卻循環室固定連接；循環管，所述循環管與所述輸入管固定連接且懸于所述冷卻腔內，所述循環管的一端與所述輸入管連通，另一端 與所述冷卻腔連通；及輸出管，所述輸出管與所述冷卻循環室固定連接并與所述冷卻循環 室的出口連通。通過由軸體、冷卻循環室、輸入管、循環管及輸出管組成的冷卻軸，一方面能 把固定在其上面的擋板的熱量排出到本實用新型基片鍍膜用處理機構的密封腔外，使擋板 處于較佳的溫度下工作以保證基片鍍膜層的均勻性；另一方面保證冷卻軸能處于較佳的溫 度下工作以延長冷卻軸的壽命及傳動精度，以防止擋板驅動機構在傳動過程中產生震動及 噪音進而影響基片鍍膜層的品質。 與現有技術相比，由于本實用新型的冷卻軸及連接于冷卻軸上的擋板，使得擋板 及冷卻軸能處于較佳的溫度下工作，一方面能防止已沉積在擋板上的各處雜質因受到不同 的熱應力時發生剝落而污染了本實用新型基片鍍膜用處理機構的密封腔，從而為基片的鍍 膜提供極其優異的真空環境；另一方面能提升與冷卻軸連接的擋板驅動機構的傳動精度， 使得連接于冷卻軸上的擋板能更精準地工作，從而最大限度地減少在基片鍍膜開始時蒸發 的雜質及不穩定氣體對基片鍍膜層的影響，進而使基片鍍膜層更均勻，其成分更純凈，其性 能更穩定，且基片鍍膜層與基片表面的連接更牢固及可靠，因此提高了基片鍍膜層的品質 及正常壽命。同時，由于本實用新型的磁流體，使得實用新型基片鍍膜用處理機構具有極優 異的真空環境，從而滿足真空中基片鍍膜的要求。
圖1是本實用新型基片鍍膜用處理機構的結構示意圖。 圖2是本實用新型基片鍍膜用處理機構的擋板機構的結構示意圖。 圖3是本實用新型基片鍍膜用處理機構的冷卻軸的一結構示意圖。 圖4是本實用新型基片鍍膜用處理機構的與傳動軸配合傳動的冷卻軸的另一結
構示意圖。 圖5是本實用新型基片鍍膜用處理機構的與冷卻軸配合傳動的傳動軸的結構示 意圖。 圖6是本實用新型基片鍍膜用處理機構的冷卻軸與傳動軸裝配時的結構示意圖。 圖7是本實用新型基片鍍膜用處理機構的擋板的一結構示意圖。 圖8是本實用新型基片鍍膜用處理機構的擋板的另一結構示意圖。
具體實施方式為了詳細說明本實用新型基片鍍膜用處理機構的技術內容、構造特征，以下結合 實施方式并配合附圖作進一步說明。 首先，請參閱圖1及圖2。在圖1及圖2中，本實用新型基片鍍膜用處理機構100 用于有機發光二極管的真空中基片鍍膜處理工藝中，其包括柜體1、處理板及蒸發源(圖中 未示)。該柜體1是由左側板13、右側板11、前門板(圖中未示)、后板12、底板14及頂板 (圖中未示)密封連接而成的，且上述左側板13、右側板11、前門板、后板12、底板14及頂 板形成上述柜體1的密封腔10。上述蒸發源與上述處理板均設置于上述密封腔10內，且上 述處理板位于上述蒸發源上方。其中，上述基片鍍膜用處理機構ioo還包括擋板機構，上述 擋板機構包括擋板21、磁流體、冷卻軸24及擋板驅動機構25。上述磁流體安裝于上述柜體1的左側板13上，上述擋板驅動機構25安裝在上述柜體1的左側板13的外側并與上述冷 卻軸24的一端連接，上述冷卻軸24的另一端樞接地穿過上述磁流體并伸入上述密封腔10 內；具體地，上述擋板機構還包括真空軸承，上述冷卻軸24依次樞接地穿過上述磁流體、真 空軸承并與上述擋板21固定連接，上述真空軸承固定于柜體1的左、右側板13、 11上，上述 擋板21容置于上述密封腔10內且位于上述蒸發源與上述處理板之間，上述擋板21隔離或 開通上述蒸發源與上述處理板的空間連接，把上述密封腔10隔離成上密封腔10a和下密封 腔10b，上述擋板驅動機構25驅動上述冷卻軸24，上述冷卻軸24帶動上述擋板21轉動。 可選擇地，在本實施例中，上述擋板21包括第一擋板21a及第二擋板21b，使得由 第一擋板21a和第二擋板21b組成的擋板21能靈活地工作，且能最大限度上減少擋板21 因自重而產生的變形，使得擋板21能更可靠地工作；上述冷卻軸24包括第一冷卻軸24a及 第二冷卻軸24b，使得分別固定于第一、二冷卻軸24a、24b上的第一、第二擋板21a、21b能處 于較佳的溫度下工作，防止已沉積在第一、二擋板21a、21b上的各處雜質因受到不一致熱 應力作用下發生剝落，使得剝落后的雜質污染了本實用新型基片鍍膜用處理機構100的密 封腔10，從而影響基片鍍膜層的品質；上述磁流體包括第一磁流體22a及第二磁流體22b， 使得第一、第二冷卻軸24a、24b與柜體1的連接處具有優異的密封性能；上述真空軸承包括 第一真空軸承23a及第二真軸承23b，使得第一、第二冷卻軸24a、24b與柜體1的連接處具 有優異的密封性能；上述擋板驅動機構25包括第一擋板驅動機構25a及第二擋板驅動機構 25b，使得第一擋板21a與第二擋板21b的卡合與開啟精準，從而保證基片鍍膜層的品質。且 上述第一、二真空軸承23a、23b分別安裝于上述柜體l的左、右側板13、11的內壁上，上述 第一、第二磁流體22a、22b分別安裝在上述柜體1的左側板13的外壁上且與上述第一、第 二真空軸承23a、23b處于同一軸心線上。上述第一冷卻軸24a的右端與上述第一真空軸承 23a的右軸承樞接，上述第一冷卻軸24a的左端依次樞接地穿過上述第一真空軸承23a的左 軸承、上述第一磁流體22a且與上述第一擋板驅動機構25a連接，上述第一擋板21a通過螺 釘及安裝孔214a安裝在上述第一冷卻軸24a上；上述第二冷卻軸24b的右端與上述第二真 空軸承23b的右軸承樞接，上述第二冷卻軸24b的左端依次樞接地穿過上述第二真空軸承 23b的左軸承、上述第二磁流體22b，上述第二擋板21b通過螺釘及安裝孔214b固定在上述 第二冷卻軸24b上。上述第一擋板21a與第二擋板21b相卡合對接時把上述密封腔10分 隔成上密封腔10a和下密封腔10b ;上述第一擋板21a與第二擋板21b打開后使上述蒸發 源與處理板處于空間連通狀態以便于基片的鍍膜。結合圖7，具體地，上述第一擋板21a的 一側向上述第二擋板21b延伸形成第一卡接部211a，上述第二擋板21b的一側向上述第一 擋板21a延伸形成與上述第一卡接部211a相卡合對接的第二卡接部211b，于上述第一卡接 部211a與上述第二卡接部2lib卡合對接時把上述密封腔10分隔成上、下密封腔10a、 10b ; 于上述第一卡接部211a與上述第二卡接部211b打開時使上述蒸發源與處理板處于空間連 通狀態以便于基片的鍍膜，一方面使得第一擋板21a與第二擋板21b卡合對接處具有優異 的密封性能，最大限度地阻隔基片鍍膜中的雜質從第一擋板21a與第二擋板21b的卡合對 接處通過而污染基片，從而提高了基片鍍膜層的品質；另一方面能保證去掉雜質后使蒸發 源與處理板處于空間連通狀態以便于基片鍍膜的進行，從而保證了基片鍍膜層的品質。給 合圖3，更具體地，如下 較佳者，上述第一擋板21a與第二擋板21b卡合對接時的面積之和大于上述處理板的面積，且上述第一擋板21a的后表面與上述柜體1的后板12的內壁之間、上述第一擋 板21a的右表面與上述柜體1的右側板11的內壁之間、上述第一擋板21a左表面與上述柜 體1的左側板13的內壁之間的距離均小于10毫米；上述第二擋板21b的前表面與上述柜 體1的前門板的內壁之間、上述第二擋板21b的左表面與上述柜體1的左側板13的內壁之 間、上述第二擋板21b的右表面與上述柜體1的右側板11的內壁之間的距離均小于10毫 米；其中，最優地，使它們之間的相互距離保持在5毫米以內。 一方面使得由第一擋板21a 及第二擋板21b組成的擋板21能最大限度地阻隔雜質，保證處理板上基片鍍膜層的品質； 另一方面保證第一、二擋板21a、21b與柜體1之間既能有效地阻隔雜質從它們之間的間隙 處通過，又能使擋板21與柜體1之間的旋轉更可靠且無干涉。 較佳者，上述第一擋板驅動機構25a包括第一馬達251a、第一主動齒輪(圖中未 注)及第一從動齒輪253a，上述第一馬達251a通過第一支架250a安裝在上述柜體1的左 側板13的外壁上且與上述第一主動齒輪連接，上述第一從動齒輪253a安裝于上述第一冷 卻軸24a上且與上述第一主動齒輪相嚙合，使得第一擋板驅動機構25a結構簡單、傳動精準 且能更可靠地工作。上述第二擋板驅動機構25b包括第二馬達251b、第二主動齒輪252b、 第二從動齒輪(圖中未示)，上述第二馬達251b通過第二支架250b安裝在上述柜體1的左 側板13的外壁上且與上述第二主動齒輪252b連接，上述第二從動齒輪安裝于上述第二冷 卻軸24b上且與上述第二主動齒輪252b相嚙合，使得第二擋板驅動機構25b結構簡單、傳 動精準且能更可靠地工作。具體地，所述第一、二馬達251a、251b為擺動汽缸或伺服電機， 能對第一、第二擋板21a、21b的運動進行精準的控制。 較佳者，上述冷卻軸24包括軸體241，該軸體241沿軸向方向開有中空的冷卻腔 246 ;冷卻循環室245，該冷卻循環室245與上述軸體241通過焊接密封工藝固定連接并開 有進口 2451和出口 2450，上述進口 2451與上述冷卻腔246連通；輸入管243，該輸入管243 與上述冷卻循環室245緊密套接；循環管242，該循環管242與上述輸入管243緊密套接且 懸于上述冷卻腔246內，上述循環管242的一端與上述輸入管243連通，另一端與上述冷卻 腔246連通；及輸出管244，該輸出管244與上述冷卻循環室245緊密套接并與上述冷卻循 環室245的出口 2450連通。其中，冷卻軸24的冷卻介質的流向如圖3中箭頭所指，這樣能 增加冷卻效果。通過由軸體241、冷卻循環室245、輸入管243、循環管242及輸出管244組 成的冷卻軸24，一方面能把固定在其上面的擋板21的熱量排出到本實用新型基片鍍膜用 處理機構100的密封腔10夕卜，使擋板21處于較佳的溫度下工作以保證基片鍍膜層的均勻 性；另一方面保證冷卻軸24能處于較佳的溫度下工作以延長冷卻軸24的壽命及傳動精度， 以防止擋板驅動機構25在傳動過程中產生震動及噪音進而影響基片鍍膜層的品質。 其次，請參圖4至圖6，圖4至圖6展示了相互配合傳動的冷卻軸24—與傳動軸26 的結構示意圖，以及傳動軸26與冷卻軸24—的裝配示意圖。其中，冷卻軸24—與圖3中冷卻 軸24的結構絕大部分均相同，區別點僅在于該冷卻軸24—設置有凸塊24(T 。因此，可選擇 地，在本實用新型另一實施例中，上述擋板機構還包括傳動軸26，該傳動軸26的一端與上 述真空軸承樞接，該傳動軸26橫跨上述密封腔10且其一端與上述真空軸承樞接，上述傳動 軸26的另一端具有與上述冷卻軸24—的凸塊240—相卡合對接的凹槽260，上述冷卻軸24— 的一端與上述傳動軸26對接，且另一端依次樞接地穿過上述真空軸承、上述磁流體且與上 述擋板驅動機構25連接，上述擋板21通過螺釘及安裝孔261安裝在上述傳動軸26上。通過凸塊240—與凹槽260的配合，使得冷卻軸24—與傳動軸26連接簡單及可靠，且使得冷卻 軸24—與傳動軸26的加工簡單以降低其成本。具體地，上述凹槽260與上述凸塊240—卡 合對接處位于上述真空軸承內，便于冷卻軸24—與傳動軸26的裝拆及維護。 再次，請再參閱圖7，圖7展示了本實用新型基片鍍膜用處理機構的擋板一實施例 的結構示意圖。在圖7中，該由第一擋板21a及第二擋板21b組成的擋板21的截面呈矩形， 且第一擋板21a的第一卡接部211a呈弧形，第二擋板21b的第二卡接部211b呈弧形，于第 一擋板21a上設置有第一加強筋210a，于第二擋板21b上設置有第二加強筋210b。通過截 面呈矩形的第一、第二擋板21a、21b及第一、第二加強筋210a、210b，最大限度地減少第一、 第二擋板21a、21b撓性變形的程度，從而使第一、第二擋板21a、21b能更可靠的工作；通過 弧形的第一、第二卡接部211a、211b，使得第一擋板21a與第二擋板21b的卡合對接處具有 優異的密封性能。 最后，請參閱圖8，圖8展示了本實用新型基片鍍膜用處理機構的擋板另一實施例 的結構示意圖。在圖8中，該由第一擋板21a—及第二擋板21b—組成的擋板2r的截面呈 直角梯形，上述第一擋板21a—的第一卡接部211a—呈弧形，上述第二擋板21b—的第二卡接 部211b—呈弧形，能最大限度地減少第一、第二擋板21a—、21b—撓性變形的程度，從而使第 一、第二擋板21a—、21b—能更可靠地工作；通過弧形的第一、第二卡接部211a—、211b—，使得 第一擋板21a—與第二擋板21b—的卡合對接處具有優異的密封性能。 本實用新型的冷卻軸24及連接于冷卻軸24上的擋板21，使得擋板21及冷卻軸 24能處于較佳的溫度下工作，一方面能防止已沉積在擋板21上的各處雜質因受到不同的 熱應力時發生剝落而污染了本實用新型基片鍍膜用處理機構100的密封腔IO，從而為基片 的鍍膜提供極其優異的真空環境；另一方面能提升與冷卻軸24連接的擋板驅動機構25的 傳動精度，使得連接于冷卻軸24上的擋板21能更精準地工作，從而最大限度地減少在基片 鍍膜開始時蒸發的雜質及不穩定氣體對基片鍍膜層的影響，進而使基片鍍膜層更均勻，其 成分更純凈，其性能更穩定，且基片鍍膜層與基片表面的連接更牢固及可靠，因此提高了基 片鍍膜層的品質及正常壽命。同時，由于本實用新型基片鍍膜用處理機構100的磁流體，使 得實用新型基片鍍膜用處理機構100具有極優異的真空環境，從而滿足真空中基片鍍膜的 要求。 本實用新型基片鍍膜用處理機構100所涉及蒸發源及處理板的具體形狀，以及擺 動汽缸或伺服電機的工作原理均為本領域普通技術人員根據實際需要所熟知的，在此不再 做詳細的說明。 以上所揭露的僅為本實用新型的較佳實例而已，當然不能以此來限定本實用新型 之權利范圍，因此依本實用新型申請專利范圍所作的等同變化，仍屬于本實用新型所涵蓋 的范圍。
權利要求一種基片鍍膜用處理機構，包括柜體、處理板及蒸發源，所述柜體呈中空結構，所述中空結構形成密封腔，所述蒸發源與所述處理板設置于所述密封腔內，且所述處理板位于所述蒸發源上方，其特征在于還包括擋板機構，所述擋板機構包括擋板、磁流體、冷卻軸及擋板驅動機構，所述磁流體安裝于所述柜體上，所述擋板驅動機構位于所述柜體外并與所述冷卻軸的一端連接，所述冷卻軸的另一端樞接地穿過所述磁流體并伸入所述密封腔內，所述擋板與所述冷卻軸固定連接，所述擋板容置于所述密封腔內且位于所述蒸發源與所述處理板之間，所述擋板隔離或開通所述蒸發源與所述處理板的空間連接，所述擋板驅動機構驅動所述冷卻軸，所述冷卻軸帶動所述擋板轉動。
2. 如權利要求1所述的基片鍍膜用處理機構，其特征在于沿垂直于所述冷卻軸方向的所述擋板的截面呈直角梯形或矩形，于截面呈矩形的所述擋板上設置有加強筋。
3. 如權利要求1所述的基片鍍膜用處理機構，其特征在于所述擋板包括第一擋板及第二擋板，所述冷卻軸包括第一冷卻軸及第二冷卻軸，所述第一擋板的一側安裝在所述第一冷卻軸上，所述第一擋板的另一側向所述第二擋板延伸形成第一卡接部，所述第二擋板的一側安裝在所述第二冷卻軸上，且所述第二擋板的另一側向所述第一擋板延伸形成與所述第一卡接部相卡合對接的第二卡接部，于所述第一卡接部與所述第二卡接部卡合對接時隔離所述蒸發源與所述處理板的空間連接。
4. 如權利要求3所述的基片鍍膜用處理機構，其特征在于所述第一擋板與所述第二擋板卡合對接時的面積之和大于所述處理板的面積，且所述第一擋板的側緣與所述柜體相對應的內壁的距離小于10毫米，所述第二擋板的側緣與所述柜體相對應的內壁的距離小于IO毫米。
5. 如權利要求1所述的基片鍍膜用處理機構，其特征在于所述擋板機構還包括傳動軸及真空軸承，所述傳動軸具有凹槽，所述冷卻軸具有與所述凹槽相卡合對接的凸塊，所述傳動軸橫跨所述密封腔且兩端分別與所述真空軸承樞接，所述真空軸承與所述柜體固定連接。
6. 如權利要求5所述的基片鍍膜用處理機構，其特征在于所述凹槽與所述凸塊卡合對接處位于所述真空軸承內。
7. 如權利要求1所述的基片鍍膜用處理機構，其特征在于所述擋板驅動機構包括馬達、主動齒輪及從動齒輪，所述馬達安裝在所述柜體的外壁上且與所述主動齒輪連接，所述從動齒輪安裝于所述冷卻軸上且與所述主動齒輪相嚙合。
8. 如權利要求7所述的基片鍍膜用處理機構，其特征在于所述馬達為擺動汽缸或伺服電機。
9. 如權利要求1所述的基片鍍膜用處理機構，其特征在于，所述冷卻軸包括軸體，所述軸體沿軸向方向開有中空的冷卻腔；冷卻循環室，所述冷卻循環室與所述軸體固定連接，所述冷卻循環室開有進口和出口，所述進口與所述冷卻腔連通；輸入管，所述輸入管與所述冷卻循環室固定連接；循環管，所述循環管與所述輸入管固定連接且懸于所述冷卻腔內，所述循環管的一端與所述輸入管連通，另一端與所述冷卻腔連通；及輸出管，所述輸出管與所述冷卻循環室固定連接并與所述冷卻循環室的出口連通。
專利摘要本實用新型提供了一種基片鍍膜用處理機構，包括柜體、處理板及蒸發源，柜體呈中空結構，中空結構形成密封腔，蒸發源與處理板設置于密封腔內，且處理板位于蒸發源上方，其中，還包括擋板機構，擋板機構包括擋板、磁流體、冷卻軸及擋板驅動機構，磁流體安裝于柜體上，擋板驅動機構位于柜體外并與冷卻軸的一端連接，冷卻軸的另一端樞接地穿過磁流體并伸入密封腔內，擋板與冷卻軸固定連接，擋板容置于密封腔內且位于蒸發源與處理板之間，擋板隔離或開通蒸發源與處理板的空間連接，擋板驅動機構驅動冷卻軸，冷卻軸帶動擋板轉動，一方面使得本實用新型能最大限度地提高了基片鍍膜層的品質，另一方面能最大限度上延長了本實用新型的正常壽命。
文檔編號C23C14/12GK201538813SQ200920236840
公開日2010年8月4日 申請日期2009年9月30日 優先權日2009年9月30日
發明者劉惠森, 楊明生, 王勇, 王曼媛, 范繼良 申請人:東莞宏威數碼機械有限公司