等離子體輔助原子層沉積裝置及其控制方法

專利名稱：等離子體輔助原子層沉積裝置及其控制方法
技術領域：
本發明涉及一種沉積裝置，尤其是涉及一種等離子體輔助原子層沉積裝置及其控制方法。
背景技術：
隨著先進半導體制作工藝開發，元件結構的深寬比有重大的突破，其中的一重要技術發展即為原子層沉積(atomic layer exposition，ALD)技術。由于ALD漸漸應用于各產業，為了加快傳統加熱式ALD制作工藝速度與因應成長特殊薄膜，等離子體輔助原子 ΜΚ (plasma enhanced atomic layerdeposition, PEALD)白勺JF女臺-JF胃。PEALD 的技術源自等離子體輔助化學氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)與ALD總合，雖然有較ALD明顯大范圍應用，但相對的等離子體損害與制作工藝氣體交互反應造成微粒污染腔室與基材的問題仍需被解決。薄膜品質與量產能力是現行代工廠需求的重點，由于ALD在薄膜品質上較其他技術顯著提升，因此設備商朝向提高ALD穩定大量生產能力而努力。然而在求穩定大量生產能力的同時，其面臨難題在于如何快速使基材表面附著均勻飽和的先驅物，與完全移除殘留的先驅物與副產物，兩者皆與反應室流場設計有關。以2000年后專利范圍與商用設備反應室設計的趨勢，可知批次加熱式ALD反應室多采用全時載氣或反應室吹氣擾動設計，雖然先驅物濃度降低使化學吸附時間較長，但能確保反應室內部流場擾動增加，提高表面吸附機率與吹氣效率。目前單芯片ALD反應室多采用壓縮式與圓弧化反應室空間設計，不僅減少先驅物使用率，也提升吹氣效率，也有專利提出利用氣幕方式達到阻絕制作工藝氣體與清潔功能，這些設計目的在建立一無死角的反應室空間，減少殘余先驅物與反應物對薄膜品質的影響。PEALD技術較加熱式ALD有著制作工藝溫度低、基材與氧化層界面控制佳、 塑膠基材表面吸附力好、薄膜應力低與先驅物選擇性高等優點，相信是未來軟性光電元件制作上不可缺少制作工藝技術之一。而在現有技術中，如美國公開申請案US. Pub. No. 2007/0128864揭露一種PEALD的裝置，其在噴氣板(showerhead)上方配置等離子體遮板(plasmabaffle)與等離子體屏幕 (plasma screen)將氣體導入此區域產生等離子體解離后，再經由等離子體遮板的流道流出形成螺旋氣流散布在基材上。另一制作工藝氣體經由噴氣板上緣區域通入后經小孔流出至基材上。此外，又如美國專利US. Pat. No. 6，820，570則揭露一種PEALD裝置，該技術中的噴氣板具兩片式組件，移動其中一片具開口的板件可改變噴氣板開口大小，可控制氣流量或分布圖案。當不開孔的可動件作ζ方向移動，可用來開啟或關閉噴氣板通道。另外腔體以分氣板分隔成兩部分，下半部供第一先驅物由側向導入；上半部空間可供第二先驅物導入并以等離子體解離后經由噴氣板開口導入基材反應。另外，又如美國專利US. Pat. No. 7，153，542則揭露一種PEALD裝置，其具有多個可以進行不同制作工藝的反應腔室，通過一可移動的平臺承載多個基材，以序列移動的方式讓每一個基材于每一個反應腔室內完成所需的制作工藝。又如美國公開申請案US. Pub. No. 2008/0075858揭露一種PALED裝置，其在一個反應腔體包括多種反應室，每個反應室包括入口配置，反應室內反應氣體不彼此混合。然后利用轉動機制移動基材通過反應室，序列移動基材成長ALD薄膜。

發明內容
本發明的目的在于提供一種等離子體輔助原子層沉積裝置及其控制方法，其具有可移動的隔離裝置，以切換移動遮板隔離兩個反應室空間，使得基材在兩個反應空間內往復移動分別進行先驅物反應，以避免不同先驅物的混合而影響到制作工藝的結果。由于該裝置具有多個腔體，因此可以同時對多基材進行制作工藝，利用不同腔體反應室第一制作工藝與第二制作工藝循環程序時間差，同時對在該腔體內的基材上進行成膜，提高生產效率，且共用供氣、抽氣、控制系統降低設備成本與占地空間。本發明的再一目的在于提供一種等離子體輔助原子層沉積裝置，其利用遠端等離子體，通過等離子體解離作用區域遠離基材表面且減少解離后的活性物質能量衰減與再復合現象。此外，該裝置通過流道區別使得先驅物(制作工藝氣體)只流入一反應室與通道避免交互反應產生微粒于腔室。為在達上述目的，在一實施例中，本發明提供一種等離子體輔助原子層沉積裝置， 其包括有多個反應室，每一反應室具有一第一反應空間以及一第二反應空間；一阻隔單元，其通過一調整運動以將該第一反應空間以及該第二反應空間分隔或者是使該第一反應空間與該第二反應空間連通；一第一氣體供應單元，其提供一第一制作工藝氣體給每一個第一反應空間；一第二氣體供應單元，其提供一第二氣體給每一第二反應空間；一清除氣體供應單元，其提供一清除氣體給每一反應室；以及多個加熱承載模塊，其分別設置于該多個反應室內，每一個加熱承載模塊通過一升降運動以選擇移動至該第一反應空間內或者是該第二反應空間內。在另一實施例中，本發明更提供一種等離子體輔助原子層沉積裝置，其包括有一對反應室，其分別具有一第一反應空間以及一第二反應空間；一遮板，其通過一轉動運動， 而在該對反應室間產生一往復切換移動，使該遮板進入其中一反應室時，將該第一反應空間以及該第二反應空間分隔或者是使該第一反應空間與該第二反應空間連通；一第一氣體供應單元，其提供一第一制作工藝氣體給該第一反應空間；一第二氣體供應單元，其提供一第二制作工藝氣體給該第二反應空間；一清除氣體供應單元，其提供一清除氣體給該對反應室；以及一對加熱承載模塊，其分別設置于該對反應室內，每一個加熱承載模塊通過一升降運動以選擇移動至該第一反應空間內或者是該第二反應空間內。在另一實施例中，本發明提供一種等離子體輔助原子層沉積裝置的控制方法，其包括有下列步驟提供一等離子體輔助原子層沉積裝置，其具有兩個反應室以及一阻隔單元，每一反應室具有一第一反應空間以及一第二反應空間，該阻隔單元，其通過一調整運動以將該第一反應空間以及該第二反應空間分隔或者是使該第一反應空間與該第二反應空間連通，每一反應室內具有一加熱承載單元，其承載有一基材；使該阻隔單元阻隔其中的一反應室內的第一反應空間以及一第二反應空間，其中受阻隔的反應室內的基材在該第一反應空間內，未受阻隔的反應室內的基材則位于該第二反應空間內；分別于該兩個反應室進行一等離子體輔助原子層沉積制作工藝，以于該兩個反應室內的基材上沉積一薄膜；使該阻隔單元移動至另一反應室中，其中受阻隔的反應室內的基材在該第一反應空間內，未受阻隔的反應室內的基材則位于該第二反應空間內；以及重復前述兩個步驟，直到完成該阻隔單元交互移動的次數。


圖IA為本發明的等離子體輔助原子層沉積裝置第一實施例示意圖；圖IB與圖IC為本發明的阻隔單元不同實施例示意圖；圖2A為本發明的等離子體輔助原子層沉積裝置第二實施例示意圖；圖2B與圖2C為本發明的阻隔單元另一實施例動作示意圖；圖3為本發明的等離子體輔助原子層沉積裝置第三實施例俯視示意圖；圖4A與圖4B為不同腔體數量其他實施例俯視示意圖；圖5A為本發明的腔體配置又一實施例俯視示意圖；圖5B為本發明的阻隔單元又一實施例示意圖；圖6A與圖6B為本發明的等離子體輔助原子層沉積裝置控制方法流程示意圖；圖7A與圖7B為本發明的等離子體輔助原子層沉積裝置第一實施例動作示意圖。主要元件符號說明2-等離子體輔助原子層沉積裝置20、21-腔體200、210-反應室2000、2100-第一反應空間2001、2101_ 第二反應空間201,211-曲部結構202、212_ 槽口203、213_ 進氣通道204、214_ 抽氣通道22、2 -阻隔單元220-遮板221-旋轉模塊2210-馬達2211-支撐結構222-升降模塊223-開口調節模塊2230-葉片23-第一氣體供應單元24-第二氣體供應單元25-清除氣體供應單元加熱承載模塊27a、27b-延伸部270、271-等離子體產生裝置272-等離子體源
28-真空泵280、281、282-管路沘3_壓力感測器284-閥門 7290、291-管路3-等離子體輔助原子層沉積裝置30 32、34 35-腔體33-阻隔單元330-遮板331-旋轉模塊332-連接支架333-滾輪334-傳動帶體5-控制方法500 519-步驟90、91-基材
具體實施例方式為使貴審查委員能對本發明的特征、目的及功能有更進一步的認知與了解，下文特將本發明的裝置的相關細部結構以及設計的理念原由進行說明，以使得審查委員可以了解本發明的特點，詳細說明陳述如下請參閱圖IA所示，該圖為本發明的等離子體輔助原子層沉積裝置第一實施例示意圖。該等離子體輔助原子層沉積裝置2包括有兩個腔體20與21、一阻隔單元22、一第一氣體供應單元23、一第二氣體供應單元M、清除氣體供應單元25以及一對加熱承載模塊^a與^b。該兩個腔體20與21相互鄰靠，每一個腔體20與21內具有一反應室200 與210。每一個反應室200與210具有一第一反應空間2000與2100以及一第二反應空間 2001與2101。在本實施例中，每一反應室200與210上更具有一延伸部27a與27b，其分別與該清除氣體供應單元25以及該第二氣體供應單元M相耦接，每一延伸部27a與27b的外圍設置有一等離子體產生裝置270與271，該等離子體產生裝置270與271為一遠端等離子體產生裝置。通過遠端等離子體解離作用區域遠離基材表面，以減少解離后的活性物質能量衰減與再復合現象。每一遠端等離子體產生裝置270與271則與一等離子體源272相華禹接。此外，每一反應室200與210與該延伸部相連接的位置上具有一曲部結構201與 211使得該第二反應空間2001與2101與上端具有頸縮的效果，其用意在避免第二制作工藝氣體進入該反應室200與210時，因為真空環境使得氣體溫度下降而產生凝結的現象，進而影響到制作工藝的效果。在該反應室200與210的外緣更具有一槽口 202與212，在該槽口 202與212的下方與反應室200與210的第一反應空間2000與2100相對應的腔壁上更具有一進氣通道203與213以及一抽氣通道204與214。其中該進氣通道203與213通過氣體管路230與該第一氣體供應單元23相耦接，該抽氣通道204與214則通過氣體管路觀0與一真空泵觀相耦接。此外，每一腔體20與21內也通過一管路觀1以及282與該真空泵觀相耦接。在本實施例中，管路觀0、281與282上更耦接有壓力感測器觀3以及閥門觀4。 該阻隔單元22，其可以通過一調整運動進入其中的一腔體20或21的反應室200或210內。以圖IA為例，阻隔單元22將該反應室200中的該第一反應空間2000以及該第二反應空間2001分隔或者是使該第一反應空間2000與該第二反應空間2001連通。在本實施例中，如圖IB所示，該阻隔單元22更具有一遮板220以及一旋轉模塊221，該旋轉模塊221 通過一旋轉運動控制該遮板220經由該槽口 202進入該反應室200或離開該反應室200。 在圖IB的本實施例中，該旋轉模塊221通過馬達2210以及支撐該遮板的支撐結構2211所構成，其可通過馬達所提供的旋轉動力帶動遮板220轉動而經由反應室200中的槽口 202 進入，而阻隔該反應室中200的第一反應空間2000以及第二反應空間2001 ；此時，另一反應室210內的第一反應空間2100與第二反應空間2101則保持連通狀態。此外，在另一實施例中，如圖IC所示，該阻隔單元22更可以與升降模塊222相耦接，通過該升降模塊222 控制該阻隔單元22的遮板進行Z方向的升降運動。該升降運動的目的為提供該遮板與該反應室內的腔壁保持氣密，以避免第一反應空間內的制作工藝氣體與第二反應空間內的制作工藝氣體相接觸而產生反應。再回到圖IA所示，該第一氣體供應單元23，其提供一第一制作工藝氣體給每一個第一反應空間2000與2100。該第二氣體供應單元對，其提供一第二制作工藝氣體給每一第二反應空間2001與2101。該清除氣體供應單元25，其提供一清除氣體給每一反應室200 與201。在本實施例中，該清除氣體供應單元25與該第二氣體供應單元M經由同一管路 290與291進入該反應室200與210內。要說明的是，雖然圖IA所示的第二氣體供應單元對與該清除氣體供應單元25同一管路，但是也可以為分開的管路；此外，雖然圖IA中，該清除氣體供應單元25與該第二氣體供應單元23共同經由該延伸部27a與27b進入該反應室內，但是并不以此位置為限制。該多個加熱承載模塊^a與^b，其分別設置于該多個反應室200與210內，每一個加熱承載模塊26a或26b通過一升降運動以選擇移動至該第一反應空間2000與2100內或者是該第二反應空間2001與2101內。該加熱承載模塊26a與26b可以提供承載一基材 90與91，該加熱承載模塊26a與26b可以提供熱能以增加基材90與91的溫度。該加熱承載模塊26a與26b的升降以及加熱的機制屬于現有技術，在此不做贅述。請參閱圖2A所示， 該圖為本發明的等離子體輔助原子層沉積裝置第二實施例示意圖。在本實施例中，基本上與圖IA類似，差異的是阻隔單元的結構。本實施例中的阻隔單元2 具有多個開口調節模塊223，其分別設置于每一個反應室200與201內。如圖2B所示，每一個開口調節模塊223 具有多個葉片2230，以通過該調整運動將該第一反應空間以及該第二反應空間分隔，或者是使該第一反應空間與該第二反應空間連通，如圖2C所示。該開口調節模塊223的控制葉片2230開與閉的方式如控制鏡頭的光圈大小的機制，其屬于現有的技術，在此不做贅述。請參閱圖3所示，該圖為本發明的等離子體輔助原子層沉積裝置第三實施例俯視示意圖。在本實施例中，主要是要強調該腔體的數量并非以兩個為限制，兩個以上的數量也可以實施。例如在圖3中的等離子體輔助原子層沉積裝置3，該腔體30 32的數量為三個，此時該阻隔單元33則具有兩遮板330以及一旋轉模塊331。該兩遮板330接具有連接支架332與該旋轉模塊331相連接，為了能夠讓每一個腔體30 32內的反應室的第一反應空間與第二反應空間輪流運作，在圖3的實施例中，其中的兩腔體30與31相互對應，而另一腔體32則擺設于該兩腔體30與31的中間位置。該兩遮板330的角度為180度的夾角，因此通過該旋轉模塊331的所提供的旋轉運動(本實施例為每次旋轉90度)，使該兩遮板330可以同時進行轉動，進而控制每一腔體30 32內的反應室內的第一反應空間與第二反應空間輪流供應制作工藝氣體與基材進行反應。如圖4A與圖4B所示，該圖為不同腔體數量其他實施例俯視示意圖。其中圖4A為四個腔體30 32與34時的配置與阻隔單元 33的關系，圖4B則為五個腔體30 32與34 35時的配置與阻隔單元33的關系。由前面的實施例，可以得知本發明的腔體數量并不以偶數或者是奇數為限制，熟悉此項技術之人可以根據本發明的精神，依據其所需要的數量與以配置。如圖5A所示，該圖為本發明的腔體配置又一實施例俯視示意圖。在本實施例中， 多個腔體36 39的配置成一橫式直線的配置方式，使得腔體36 39內的反應室呈一橫式直線排列。如圖5B所示，在圖5A腔體的配置架構下，該阻隔單元33a具有多個遮板330， 其設置于一傳動帶體334上，相鄰的遮板間具有一距離。傳動帶體334內具有滾輪333，以產生調整運動，此時的調整運動為線性位移運動。由于傳動帶體334成環狀，因此該多個遮板可以進行線性的循環移動。再加上相鄰遮板330間具有間距，因此可以使得每一個反應室內的第一反應空間與第二反應空間輪流與反應室內的基材進行反應。請參閱圖6A與圖6B所示，該圖為本發明的等離子體輔助原子層沉積裝置控制方法流程示意圖。該控制方法5包括有下列步驟，首先以步驟500提供一等離子體輔助原子層沉積裝置，該等離子體輔助原子層沉積裝置可以為如圖1A、圖2A、圖3、圖4A、圖4B或圖 5A所示的裝置。在本實施例中，以圖IA所示的等離子體輔助原子層沉積裝置來作說明。接著進行步驟501將基材分別載入于各腔體內的加熱承載模塊26a與26b上。至于如何將基材載入至加熱承載模塊可以利用機械手臂或者是其他自動傳輸的裝置，其屬于現有的技術，在此不做贅述。接著，以步驟502控制每一個反應室200與210中的加熱承載模塊^a 與26b分別加熱被承載的基材90與91至預定溫度。接著進行步驟503，反應室200內的第一反應空間2000內通入第一前驅物，亦即經由第一氣體供應單元23提供第一制作工藝氣體進入該第一反應空間2000內。接著以步驟 504通入清除氣體(purge gas)進入該反應室200內的第一反應空間2000內。接著進行步驟505將遮板切換至另一腔體21的反應室210內，而將反應室210的第一反應空間2100 與第二反應空間2101相隔離，以形成如圖7A所示的狀態。步驟505為循環程序的起始步驟。以下所述作動程序為反應室200與210所具有的反應空間同時開始進行個別的反應程序，所有程序完成后才進行下一個程序。首先說明反應室200的部分，以步驟506利用加熱承載模塊26a使反應室內的基材90移動至第二反應空間2001內。接著以步驟507于之第二反應空間2001內通入第二前驅物，亦即通過第二氣體供應單元M供應第二制作工藝氣體進入該第二反應空間2001。經過等離子體輔助原子層沉積一段時間后，再以步驟508，在該反應室200的第二反應空間2001通入清除氣體。緊接著，以步驟509于控制該加熱承載模塊26a下降移動至與該第一反應空間 2000相對應的位置。在進行步驟506 509的同時，以步驟510在反應室210內的第一反應空間2100通入第一前驅物，亦即以該第一氣體供應單元23提供第一制作工藝氣體。經過等離子體輔助原子層沉積一段時間后，再以步驟511，于反應室210的第一反應空間2100通入清除氣體。要說明的是，反應室200在進行步驟506 509時，反應室210則同步進行步驟510至511，等到進行完畢之后，再以步驟512將遮板切換至腔體20的反應室200內以將該第一反應空間2000與第二反應空間2001相區隔，以形成如圖7B所示的狀態。由于反應室200內的基材已經完成一次制作工藝循環，而反應室210則尚未完成， 因此接著進行步驟513，利用加熱承載模塊26b使反應室210內的基材91移動至第二反應空間2101內。接著以步驟514于之第二反應空間2101內通入第二前驅物，亦即通過第二氣體供應單元M供應制作工藝氣體進入該第二反應空間2101。經過等離子體輔助原子層沉積一段時間后，再以步驟515，于該反應室210的第二反應空間2101通入清除氣體。緊接著，以步驟516于控制該加熱承載模塊26b下降移動至與該第一反應空間2100相對應的位置。由步驟503至步驟516，則為對反應室200與210所進行的一個完整循環的程序，隨后以步驟517判對是否達到制作工藝循環的次數，如果不是的話則回到步驟503，再次進行步驟503至步驟516。反之，如果已經到達制作工藝次數，則進行步驟518，進行基材冷卻。 最后再以步驟519取出基材90與91。以上所述的僅為本發明的實施例，當不能以之限制本發明范圍。即大凡依本發明權利要求所做的均等變化及修飾，仍將不失本發明的要義所在，也不脫離本發明的精神和范圍，故都應視為本發明的進一步實施狀況。
權利要求
1.一種等離子體輔助原子層沉積裝置，其包括有多個反應室，每一反應室具有第一反應空間以及第二反應空間； 阻隔單元，其通過一調整運動以將該第一反應空間以及該第二反應空間分隔或者是使該第一反應空間與該第二反應空間連通；第一氣體供應單元，其提供一第一制作工藝氣體給每一個第一反應空間； 第二氣體供應單元，其提供一第二制作工藝氣體給每一第二反應空間； 清除氣體供應單元，其提供一清除氣體給每一反應室；以及多個加熱承載模塊，其分別設置于該多個反應室內，每一個加熱承載模塊通過一升降運動以選擇移動至該第一反應空間內或者是該第二反應空間內。
2.如權利要求1所述的等離子體輔助原子層沉積裝置，其中每一反應室上還具有一延伸部，其分別與該清除氣體供應單元以及該第二氣體供應單元相耦接，每一延伸部的外圍設置有一等離子體產生裝置，該等離子體產生裝置為一遠端等離子體產生裝置。
3.如權利要求1所述的等離子體輔助原子層沉積裝置，其中每一個反應室內具有一槽口，以及該阻隔單元還具有至少一遮板以及一旋轉模塊，該旋轉模塊通過一旋轉運動控制該至少一遮板經由該槽口進入該反應室或離開該反應室，以分隔或連通該第一反應空間以及該第二反應空間。
4.如權利要求1所述的等離子體輔助原子層沉積裝置，其中該阻隔單元還具有多個開口調節模塊，其分別設置于每一個反應室內，每一個開口調節模塊具有多個葉片，以通過該調整運動將該第一反應空間以及該第二反應空間分隔或者是使該第一反應空間與該第二反應空間連通。
5.如權利要求1所述的等離子體輔助原子層沉積裝置，其中該反應室與該延伸部相連接的位置上具有一曲部結構。
6.如權利要求1所述的等離子體輔助原子層沉積裝置，其中每一第一反應空間的一側與該第一氣體供應單元相耦接，且在每一第一反應空間上還具有一抽氣通道。
7.如權利要求1所述的等離子體輔助原子層沉積裝置，其中該多個反應室呈一橫式直線排列，該阻隔單元具有多個遮板，其設置于一傳動帶體上，相鄰的遮板間具有一距離。
8.一種等離子體輔助原子層沉積裝置，其包括有一對反應室，其分別具有一第一反應空間以及一第二反應空間； 遮板，其通過一轉動運動，而在該對反應室間產生一往復切換移動，使該遮板進入其中一反應室時，將該第一反應空間以及該第二反應空間分隔且使另一反應室的該第一反應空間以及該第二反應空間連通，或者是使該第一反應空間與該第二反應空間連通且將另一反應室的該第一反應空間以及該第二反應空間分隔；第一氣體供應單元，其提供一第一制作工藝氣體給該第一反應空間； 第二氣體供應單元，其提供一第二制作工藝氣體給該第二反應空間； 清除氣體供應單元，其提供一清除氣體給該對反應室；以及一對加熱承載模塊，其分別設置于該對反應室內，每一個加熱承載模塊通過一升降運動以選擇移動至該第一反應空間內或者是該第二反應空間內。
9.如權利要求8所述的等離子體輔助原子層沉積裝置，其中每一反應室還具有一延伸部，其分別與該清除氣體供應單元以及該第二氣體供應單元相耦接，每一延伸部的外圍設置有一等離子體產生裝置，該等離子體產生裝置為一遠端等離子體產生裝置。
10.如權利要求8所述的等離子體輔助原子層沉積裝置，其中該反應室與該延伸部相連接的位置上具有一曲部結構。
11.如權利要求1所述的等離子體輔助原子層沉積裝置，其中每一第一反應空間的一側與該第一氣體供應單元相耦接，且在每一第一反應空間上還具有一抽氣通道。
12.—種等離子體輔助原子層沉積裝置的控制方法，其包括有下列步驟提供一等離子體輔助原子層沉積裝置，其具有兩個反應室以及一阻隔單元，每一反應室具有一第一反應空間以及一第二反應空間，其分別可提供一第一制作工藝氣體與第二制作工藝氣體進行等離子體輔助原子層沉積反應，該阻隔單元，其通過一調整運動以將該第一反應空間以及該第二反應空間分隔且使另一反應室的該第一反應空間以及該第二反應空間連通，或者是使該第一反應空間與該第二反應空間連通且將另一反應室的該第一反應空間以及該第二反應空間分隔，每一反應室內具有一加熱承載單元，其承載有一基材；使該阻隔單元阻隔其中的一反應室內的第一反應空間以及一第二反應空間，其中受阻隔的反應室內的基材在該第一反應空間內，未受阻隔的反應室內的基材則位于該第二反應空間內；分別于該兩個反應室進行一等離子體輔助原子層沉積制作工藝，以于該兩個反應室內的基材上沉積一薄膜；使該阻隔單元移動至另一反應室中，其中受阻隔的反應室內的基材在該第一反應空間內，未受阻隔的反應室內的基材則位于該第二反應空間內；以及重復前述兩個步驟，直到完成該阻隔單元交互移動的次數。
13.如權利要求12所述的等離子體輔助原子層沉積裝置的控制方法，其中受該阻隔單元阻隔的反應室中的該等離子體輔助原子層沉積制作工藝還包括有下列步驟提供該第一制作工藝氣體在受該阻隔單元阻隔的反應室內的第一反應空間內；以及受該阻隔單元阻隔的反應室中的基材經等離子體輔助原子層沉積反應特定時間之后， 提供一清除氣體進入該第一反應空間內。
14.如權利要求12所述的等離子體輔助原子層沉積裝置的控制方法，其中未受該阻隔單元阻隔的反應室中的該等離子體輔助原子層沉積制作工藝還包括有下列步驟將基材移動至未受該阻隔單元阻隔的反應室內的第二反應空間內； 提供該第二制作工藝氣體在未受該阻隔單元阻隔的反應室內的第二反應空間內； 未受該阻隔單元阻隔的反應室中的基材經等離子體輔助原子層沉積反應特定時間之后，提供一清除氣體進入該第二反應空間內；以及將基材移動至未受該阻隔單元阻隔的反應室內的第一反應空間內。
15.如權利要求12所述的等離子體輔助原子層沉積裝置的控制方法，其還包括有利用該加熱承載單元將所承載的基材加熱至預定溫度的一步驟。
全文摘要
本發明公開一種等離子體輔助原子層沉積裝置及其控制方法。該等離子體輔助原子層沉積裝置，其由多個反應室以及一可移動的遮板所組成的等離子體輔助原子層沉積裝置，每一個反應室至少包含兩個反應空間以及一可移動基材加熱承載模塊。該控制方法是通過控制遮板的移動，使得遮板得以選擇分隔每一個反應室中的兩個反應空間或者是使該兩個反應空間相連通，而能避免不同制作工藝氣體交互反應所產生的微粒污染基材表面。
文檔編號C23C16/455GK102453887SQ20101051188
公開日2012年5月16日 申請日期2010年10月15日 優先權日2010年10月15日
發明者何榮振, 李侃峰, 李升亮, 江錦忠, 沈添沐, 王慶鈞, 黃振榮 申請人:財團法人工業技術研究院