專利名稱：一種表面等離子體共振芯片的制備方法
技術領域：
本發明涉及表面等離子體共振傳感技術領域，更具體地說，涉及一種表面等離子 體共振芯片的制備方法。
背景技術：
表面等離子體共振技術是一種簡單、直接的傳感技術，通過測量表面等離子體共 振芯片表面附近折射率的變化來研究物質的性質。表面等離子體共振(SPR)方法可以實時 監測其芯片表面分子之間結合或離解反應進行的情況進而獲得有關芯片表面分子結構變 化和化學鍵合的信息，從而計算反應的動力學常數，確定芯片表面反應物的種類、濃度和質 量。表面等離子體共振的檢測原理為一束P偏振光在一定角度范圍內入射到棱鏡與表面 等離子體共振芯片的金屬膜的界面上發生全反射，當入射光的波向量與表面等離子體共振 芯片的金屬膜表面電子振蕩頻率相匹配時，光被耦合進入金屬膜，引起電子發生共振，即表 面等離子體共振，并產生沿界面平面傳播的表面等離子體波，同時在金屬膜內部產生垂直 方向且以指數形式衰減的消失波，該消失波的有效深度約為100 200nm。由于共振時入射光的能量部分地轉移給表面等離子體基元，使反射光的強度急劇 下降，此時的入射角稱為共振角。共振角隨表面等離子體共振芯片的金屬膜表面的折射率 變化而變化，并且，共振角與金屬膜表面結合的分子質量成正比，因此，可以通過共振角變 化研究金屬/溶液界面的變化。由于消失波的有效深度為100 200nm，太厚的金屬膜導致 消失場到達不了金屬/溶液界面，檢測不到反應信號，不能反映金屬膜表面發生的變化。相 關研究人員發現，厚度為50nm左右的金屬膜能夠得到很好的反應信號，因此，如何控制條 件制得50nm左右的金屬膜是Sra研究者最關心的問題之一。目前，關于玻璃片上鍍金屬膜的方法主要有化學鍍膜法和物理鍍膜法，化學鍍膜 法包括溶膠_凝膠法、化學氣相沉積等，該方法不適合鍍無機膜，而且均勻性較差。物理鍍 膜法包括真空蒸鍍、離子鍍膜等。董紹俊小組用陽極電解的方法將厚度大于50nm的金膜處 理到50nm，該方法是將金膜部分電解到含有氯離子的電解液中，因此，只適用于對厚度大于 50nm的金膜的處理，未直接制備得到金屬膜。
發明內容
有鑒于此，本發明要解決的技術問題在于提供一種表面等離子體共振芯片的制備 方法，該方法可以很好的控制表面等離子體共振芯片表面的芯片的厚度。本發明提供一種表面等離子體共振芯片的制備方法，包括步驟a)將玻璃襯底放入真空濺射儀的生長室內；步驟b)向所述生長室內通入氬氣，抽真空至ICT1 10_3mbr，以鉻為靶材，靶基距 為5 9cm，在所述玻璃襯底上濺射鉻薄膜；步驟c)向所述生長室內通入氬氣，抽真空至ICT1 10_3mbr，以金為靶材、靶基距 為5 9cm，在所述步驟b)得到的產物上濺射金薄膜。
優選的，所述步驟b)中濺射電流為110 130mA。優選的，所述步驟b)中濺射電流為120mA。優選的，所述步驟b)中濺射時間為30 50秒。優選的，所述步驟c)中濺射電流為50 70mA。優選的，所述步驟c)中濺射電流為60mA。優選的，所述步驟c)中濺射時間為160 480秒。優選的，所述步驟c)具體為步驟cl)向所述生長室內通入氬氣，抽真空至ICT1 10_3mbr，以金為靶材、靶基距 為5 9cm，在所述步驟b)得到的產物上濺射金薄膜40 120秒，冷卻；步驟c2)在所述步驟cl)得到的產物上濺射金薄膜80 240秒，冷卻；步驟c3)在所述步驟cl)得到的產物上濺射金薄膜120 360秒。優選的，還包括對玻璃襯底的預處理，具體為將玻璃襯底在體積比1 3的H2O2與H2SO4的混合溶液中加熱，然后用清水沖洗， 氮氣吹干。優選的，所述真空濺射儀為德國BALZERS公司的S⑶050真空濺射系統。從上述的技術方案可以看出，本發明提供一種表面等離子體共振芯片的制備方 法，包括步驟a)將玻璃襯底放入真空濺射儀的生長室內；步驟b)向所述生長室內通入氬 氣，抽真空至KT1 10_3mbr，以鉻為靶材，靶基距為5 9cm，在所述玻璃襯底上濺射鉻薄 膜；步驟c)以金為靶材、靶基距為5 9cm，在真空度為ICT1 10_3mbr的條件下，在所述步 驟b)得到的產物上濺射金薄膜。本發明采用真空濺射原理，并采用5 9cm的靶基距，制 備得到的金屬薄膜表面平整，厚度可控，可以用于表面等離子體共振芯片。實驗結果表明， 本發明制備的金屬薄膜厚度均勻，為50nm左右。
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現 有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以 根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發明實施例1公開的制備的表面等離子體共振芯片的原子力顯微鏡圖 片；圖2為本發明實施例制備的表面等離子體共振芯片、40nm厚度的表面等離子體共 振芯片和60nm厚度的表面等離子體共振芯片在水溶液里的SPR峰形。
具體實施例方式下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于 本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他 實施例，都屬于本發明保護的范圍。本發明公開了一種表面等離子體共振芯片的制備方法，包括
步驟a)將玻璃襯底放入真空濺射儀的生長室內；步驟b)向所述生長室內通入氬氣，抽真空至ICT1 10_3mbr，以鉻為靶材，靶基距 為5 9cm，在所述玻璃襯底上濺射鉻薄膜；步驟c)向所述生長室內通入氬氣，抽真空至ICT1 10_3mbr，以金為靶材、靶基距 為5 9cm，在所述步驟b)得到的產物上濺射金薄膜。按照本發明，優選包括將所述玻璃襯底進行預處理，優選具體為將玻璃襯底在體積比為0. 8 1. 2 2. 5 3. 5的30wt %的H2O2與98wt %的 H2SO4的混合溶液中加熱，然后用清水沖洗，氮氣流吹干，所述H2O2與H2SO4的體積比更優選 為0.9 1.1 2. 8 3. 2，最優選為1 3。所述真空濺射儀優選采用德國BALZERS公司的S⑶050真空濺射系統。所述步驟b)中濺射電流優選為110 130mA，更優選為120mA。所述步驟b)中濺 射時間優選為30 50秒，更優選為40秒。本發明中真空濺射原理為電子在電場的作用下 加速，在飛向玻璃襯底的過程中與氬原子發生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向 玻璃襯底，氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子 或分子沉積在玻璃襯底上成膜。所述步驟c)中濺射電流優選為50 70mA，更優選為60mA。所述步驟c)中濺射 時間優選為160 480秒。所述步驟c)優選為步驟cl)向所述生長室內通入氬氣，抽真空至ICT1 10_3mbr，以金為靶材、靶基距 為5 9cm，在所述步驟b)得到的產物上濺射金薄膜40 120秒，冷卻；步驟c2)在所述步驟cl)得到的產物上濺射金薄膜80 240秒，冷卻；步驟c3)在所述步驟cl)得到的產物上濺射金薄膜120 360秒。所述步驟cl)濺射后優選停留10 30分鐘，更優選為停留15 20分鐘。所述 步驟c2)濺射后優選停留10 30分鐘，更優選為停留15 20分鐘。本發明優選采用上 述間歇的濺射方式，從而使金靶冷卻，保證鍍制的金膜的均勻性。為了進一步說明本發明的技術方案，下面結合實施例對本發明優選實施方案進行 描述，但是應當理解，這些描述只是為進一步說明本發明的特征和優點，而不是對本發明權 利要求的限制。本發明實施例采用的設備為德國BALZERS生產的S⑶050真空濺射系統。實施例1玻璃襯底的預處理將規格為20X 20mm的玻璃襯底在體積比為1 3的30wt %的H2O2與98wt %的 H2SO4的混合溶液中煮沸30min，再用水沖洗干凈，用氮氣流吹干；鍍鉻膜調節德國BALZERS生產的S⑶050真空濺射系統的靶基距為5cm，將所述氮氣流吹 干的玻璃襯底放入真空濺射系統的生長室內；將S⑶050連接的三通旋轉到關閉狀態，打開水冷卻系統，指示溫度在12 6°C ； 打開氬氣瓶，將供氣系統的三通旋轉到與SCD 050相通，給系統提供氬氣；安裝鉻靶，將真空濺射系統的“遮板”旋到關閉狀態，“遮板”隔在鉻靶與所述玻璃 襯底之間；
將真空濺射系統的功能版打開，調至“濺射”檔，設置濺射時間為50秒；按真空濺射系統的“開關”按鈕將S⑶050打開，按“清洗”鍵直到真空濺射系統 的生長室的真空度至IO-2Hibar ；按“濺射開始”按鈕，將電流值調至120mA，將“遮板”旋到打開狀態，開始濺射；濺射完成后，將電流按鈕旋到最小，等待15min至鉻靶冷卻，鉻的厚度約為5nm ；鍍金膜將真空濺射系統的S⑶050連接的三通旋轉到與外界相通，放入空氣直到內外壓 強相等，取下鉻靶，安裝好金靶，將“遮板”旋到關閉狀態；重新設置濺射時間為120秒；將真空濺射系統的“開關”按鈕打開，按“清洗”鍵直到真空度達到IO-2Hibar ；按“濺射開始”按鈕，將電流值調至60mA，將“遮板”旋到打開狀態，開始濺射；濺射完成后，將電流按鈕旋到最小，等待15min至金靶冷卻，累加時間按鈕到240 秒；按真空濺射系統的“濺射開始”按鈕，將電流值調至60mA，將“遮板”旋到打開狀 態，開始濺射，濺射完成后，將電流按鈕旋到最小，等待15min至金靶冷卻，再將時間按鈕加 到360秒，再按“濺射開始”按鈕，將電流值調至60mA，將“遮板”旋到打開狀態，開始濺射， 濺射完成后，將電流按鈕旋到最小，等待15min至金靶冷卻，鍍金的厚度為50nm ；按“開關”按鈕關閉儀器，然后將連接S⑶050的三通旋開放入空氣，金靶取下，制 得表面等離子體共振芯片；將功能版關閉，將連接S⑶050的三通關閉，將冷卻水關閉，氬氣瓶總閥關閉。如圖1所示，為本實施例制備的表面等離子體共振芯片的原子力顯微鏡圖片，從 圖中可以看出，本發明制備的表面等離子體共振芯片的金膜表面均勻。分別取實施例1制備的表面等離子體共振芯片、40nm厚度的表面等離子體共振芯 片和60nm厚度的表面等離子體共振芯片放置在水溶液里進行的Sra峰形檢測，如圖2所 示，為本發明實施例制備的表面等離子體共振芯片、40nm厚度的表面等離子體共振芯片和 60nm厚度的表面等離子體共振芯片在水溶液里的Sra峰形。圖中曲線由上至下分別對應 60nm厚度的表面等離子體共振芯片、40nm厚度的表面等離子體共振芯片和實施例1制備的 50nm厚度的表面等離子體共振芯片。從圖2可以看出，實施例1制備的50nm厚度的表面等 離子體共振芯片有很好的反應信號。實施例2玻璃襯底的預處理將規格為20X 20mm的玻璃襯底在體積比為1 3的30wt %的H2O2與98wt %的 H2SO4的混合溶液中煮沸30min，再用水沖洗干凈，用氮氣流吹干；鍍鉻膜調節德國BALZERS生產的S⑶050真空濺射系統的靶基距為6cm，將所述氮氣流吹 干的玻璃襯底放入真空濺射系統的生長室內；將S⑶050連接的三通旋轉到關閉狀態，打開水冷卻系統，指示溫度在12 16°C ； 打開氬氣瓶，將供氣系統的三通旋轉到與SCD 050相通，給系統提供氬氣； 安裝鉻靶，將真空濺射系統的“遮板”旋到關閉狀態，“遮板”隔在鉻靶與所述玻璃
6襯底之間；將真空濺射系統的功能版打開，調至“濺射”檔，設置濺射時間為45秒；按真空濺射系統的“開關”按鈕將S⑶050打開，按“清洗”鍵直到真空濺射系統 的生長室的真空度至IO-2Hibar ；按“濺射開始”按鈕，將電流值調至120mA，將“遮板”旋到打開狀態，開始濺射；濺射完成后，將電流按鈕旋到最小，等待15min至鉻靶冷卻，鉻的厚度約為5nm ；鍍金膜將真空濺射系統的S⑶050連接的三通旋轉到與外界相通，放入空氣直到內外壓 強相等，取下鉻靶，安裝好金靶，將“遮板”旋到關閉狀態；重新設置濺射時間為100秒；將真空濺射系統的“開關”按鈕打開，按“清洗”鍵直到真空度達到10_2mbar ；按“濺射開始”按鈕，將電流值調至60mA，將“遮板”旋到打開狀態，開始濺射；濺射完成后，將電流按鈕旋到最小，等待15min至金靶冷卻，累加時間按鈕到200 秒；按真空濺射系統的“濺射開始”按鈕，將電流值調至60mA，將“遮板”旋到打開狀 態，開始濺射，濺射完成后，將電流按鈕旋到最小，等待15min至金靶冷卻，再將時間按鈕加 到300秒，再按“濺射開始”按鈕，將電流值調至60mA，將“遮板”旋到打開狀態，開始濺射， 濺射完成后，將電流按鈕旋到最小，等待15min至金靶冷卻，鍍金的厚度為50nm ；按“開關”按鈕關閉儀器，然后將連接S⑶050的三通旋開放入空氣，金靶取下，制 得表面等離子體共振芯片；將功能版關閉，將連接S⑶050的三通關閉，將冷卻水關閉，氬氣瓶總閥關閉。實施例3玻璃襯底的預處理將規格為20X 20mm的玻璃襯底在體積比為1 3的30wt %的H2O2與98wt %的 H2SO4的混合溶液中煮沸30min，再用水沖洗干凈，用氮氣流吹干；鍍鉻膜調節德國BALZERS生產的S⑶050真空濺射系統的靶基距為7cm，將所述氮氣流吹 干的玻璃襯底放入真空濺射系統的生長室內；將S⑶050連接的三通旋轉到關閉狀態，打開水冷卻系統，指示溫度在12 6°C ； 打開氬氣瓶，將供氣系統的三通旋轉到與SCD 050相通，給系統提供氬氣； 安裝鉻靶，將真空濺射系統的“遮板”旋到關閉狀態，“遮板”隔在鉻靶與所述玻璃 襯底之間；將真空濺射系統的功能版打開，調至“濺射”檔，設置濺射時間為40秒；按真空濺射系統的“開關”按鈕將S⑶050打開，按“清洗”鍵直到真空濺射系統 的生長室的真空度至IO-2Hibar ；按“濺射開始”按鈕，將電流值調至120mA，將“遮板”旋到打開狀態，開始濺射；濺射完成后，將電流按鈕旋到最小，等待15min至鉻靶冷卻，鉻的厚度約為5nm ；鍍金膜將真空濺射系統的S⑶050連接的三通旋轉到與外界相通，放入空氣直到內外壓
7強相等，取下鉻靶，安裝好金靶，將“遮板”旋到關閉狀態；重新設置濺射時間為80秒；將真空濺射系統的“開關”按鈕打開，按“清洗”鍵直到真空度達到10_2mbar ；按“濺射開始”按鈕，將電流值調至60mA，將“遮板”旋到打開狀態，開始濺射；濺射完成后，將電流按鈕旋到最小，等待15min至金靶冷卻，累加時間按鈕到160 秒；按真空濺射系統的“濺射開始”按鈕，將電流值調至60mA，將“遮板”旋到打開狀 態，開始濺射，濺射完成后，將電流按鈕旋到最小，等待15min至金靶冷卻，再將時間按鈕加 到240秒，再按“濺射開始”按鈕，將電流值調至60mA，將“遮板”旋到打開狀態，開始濺射， 濺射完成后，將電流按鈕旋到最小，等待15min至金靶冷卻，鍍金的厚度為50nm ；按“開關”按鈕關閉儀器，然后將連接S⑶050的三通旋開放入空氣，金靶取下，制 得表面等離子體共振芯片；將功能版關閉，將連接S⑶050的三通關閉，將冷卻水關閉，氬氣瓶總閥關閉。實施例4玻璃襯底的預處理將規格為20X 20mm的玻璃襯底在體積比為1 3的30wt %的H2O2與98wt %的 H2SO4的混合溶液中煮沸15min，再用水沖洗干凈，用氮氣流吹干；鍍鉻膜調節德國BALZERS生產的S⑶050真空濺射系統的靶基距為8cm，將所述氮氣流吹 干的玻璃襯底放入真空濺射系統的生長室內；將S⑶050連接的三通旋轉到關閉狀態，打開水冷卻系統，指示溫度在12 6°C ； 打開氬氣瓶，將供氣系統的三通旋轉到與SCD 050相通，給系統提供氬氣；安裝鉻靶，將真空濺射系統的“遮板”旋到關閉狀態，“遮板”隔在鉻靶與所述玻璃 襯底之間；將真空濺射系統的功能版打開，調至“濺射”檔，設置濺射時間為35秒；按真空濺射系統的“開關”按鈕將S⑶050打開，按“清洗”鍵直到真空濺射系統 的生長室的真空度至IO-2Hibar ；按“濺射開始”按鈕，將電流值調至120mA，將“遮板”旋到打開狀態，開始濺射；濺射完成后，將電流按鈕旋到最小，等待15min至鉻靶冷卻，鉻的厚度約為5nm ；鍍金膜將真空濺射系統的S⑶050連接的三通旋轉到與外界相通，放入空氣直到內外壓 強相等，取下鉻靶，安裝好金靶，將“遮板”旋到關閉狀態；重新設置濺射時間為60秒；將真空濺射系統的“開關”按鈕打開，按“清洗”鍵直到真空度達到10_2mbar ；按“濺射開始”按鈕，將電流值調至60mA，將“遮板”旋到打開狀態，開始濺射；濺射完成后，將電流按鈕旋到最小，等待15min至金靶冷卻，累加時間按鈕到120 秒；按真空濺射系統的“濺射開始”按鈕，將電流值調至60mA，將“遮板”旋到打開狀 態，開始濺射，濺射完成后，將電流按鈕旋到最小，等待15min至金靶冷卻，再將時間按鈕加到180秒，再按“濺射開始”按鈕，將電流值調至60mA，將“遮板”旋到打開狀態，開始濺射， 濺射完成后，將電流按鈕旋到最小，等待15min至金靶冷卻，鍍金的厚度為50nm ；按“開關”按鈕關閉儀器，然后將連接S⑶050的三通旋開放入空氣，金靶取下，制 得表面等離子體共振芯片；將功能版關閉，將連接S⑶050的三通關閉，將冷卻水關閉，氬氣瓶總閥關閉。實施例5玻璃襯底的預處理將規格為20X20mm的玻璃襯底在體積比為1 3的30wt%的H2O2與98wt%的 H2SO4的混合溶液中煮沸30min，再用水沖洗干凈，用氮氣流吹干；鍍鉻膜調節德國BALZERS生產的S⑶050真空濺射系統的靶基距為9cm，將所述氮氣流吹 干的玻璃襯底放入真空濺射系統的生長室內；將S⑶050連接的三通旋轉到關閉狀態，打開水冷卻系統，指示溫度在12 6°C ； 打開氬氣瓶，將供氣系統的三通旋轉到與SCD 050相通，給系統提供氬氣；安裝鉻靶，將真空濺射系統的“遮板”旋到關閉狀態，“遮板”隔在鉻靶與所述玻璃 襯底之間；將真空濺射系統的功能版打開，調至“濺射”檔，設置濺射時間為30秒；按真空濺射系統的“開關”按鈕將S⑶050打開，按“清洗”鍵直到真空濺射系統 的生長室的真空度至IO-2Hibar ；按“濺射開始”按鈕，將電流值調至120mA，將“遮板”旋到打開狀態，開始濺射；濺射完成后，將電流按鈕旋到最小，等待15min至鉻靶冷卻，鉻的厚度約為5nm ；鍍金膜將真空濺射系統的S⑶050連接的三通旋轉到與外界相通，放入空氣直到內外壓 強相等，取下鉻靶，安裝好金靶，將“遮板”旋到關閉狀態；重新設置濺射時間為40秒；將真空濺射系統的“開關”按鈕打開，按“清洗”鍵直到真空度達到10_2mbar ；按“濺射開始”按鈕，將電流值調至60mA，將“遮板”旋到打開狀態，開始濺射；濺射完成后，將電流按鈕旋到最小，等待15min至金靶冷卻，累加時間按鈕到80 秒；按真空濺射系統的“濺射開始”按鈕，將電流值調至60mA，將“遮板”旋到打開狀 態，開始濺射，濺射完成后，將電流按鈕旋到最小，等待15min至金靶冷卻，再將時間按鈕加 到120秒，再按“濺射開始”按鈕，將電流值調至60mA，將“遮板”旋到打開狀態，開始濺射， 濺射完成后，將電流按鈕旋到最小，等待15min至金靶冷卻，鍍金的厚度為50nm ；按“開關”按鈕關閉儀器，然后將連接S⑶050的三通旋開放入空氣，金靶取下，制 得表面等離子體共振芯片；將功能版關閉，將連接S⑶050的三通關閉，將冷卻水關閉，氬氣瓶總閥關閉。從上述的技術方案可以看出，本發明提供一種表面等離子體共振芯片的制備方 法，包括步驟a)將玻璃襯底放入真空濺射儀的生長室內；步驟b)向所述生長室內通入氬 氣，抽真空至KT1 10_3mbr，以鉻為靶材，靶基距為5 9cm，在所述玻璃襯底上濺射鉻薄
9膜；步驟c)以金為靶材、靶基距為5 9cm，在真空度為ICT1 10_3mbr的條件下，在所述步 驟b)得到的產物上濺射金薄膜。本發明采用真空濺射原理，并采用5 9cm的靶基距，制 備得到的金屬薄膜表面平整，厚度可控，可以用于表面等離子體共振芯片。實驗結果表明， 本發明制備的金屬薄膜厚度均勻，為50nm左右。 對所公開的實施例的上述說明，使本領域專業技術人員能夠實現或使用本發明。 對這些實施例的多種修改對本領域的專業技術人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的 一般原理可以在不脫離本發明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現。因此，本發明 將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一 致的最寬的范圍。
權利要求
1.一種表面等離子體共振芯片的制備方法，其特征在于，包括 步驟a)將玻璃襯底放入真空濺射儀的生長室內；步驟b)向所述生長室內通入氬氣，抽真空至ICT1 10_3mbr，以鉻為靶材，靶基距為5 9cm，在所述玻璃襯底上濺射鉻薄膜；步驟c)向所述生長室內通入氬氣，抽真空至ICT1 10_3mbr，以金為靶材、靶基距為5 9cm，在所述步驟b)得到的產物上濺射金薄膜。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟b)中濺射電流為110 130mAο
3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟b)中濺射電流為120mA。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟b)中濺射時間為30 50秒。
5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟c)中濺射電流為50 70mA。
6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述步驟c)中濺射電流為60mA。
7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟c)中濺射時間為160 480秒。
8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述步驟c)具體為步驟cl)向所述生長室內通入氬氣，抽真空至ICT1 10_3mbr，以金為靶材、靶基距為 5 9cm，在所述步驟b)得到的產物上濺射金薄膜40 120秒，冷卻；步驟c2)在所述步驟cl)得到的產物上濺射金薄膜80 240秒，冷卻； 步驟c3)在所述步驟cl)得到的產物上濺射金薄膜120 360秒。
9.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，還包括對玻璃襯底的預處理，具體為將玻璃襯底在體積比1 3的H2O2與H2SO4W混合溶液中加熱，然后用清水沖洗，氮氣 吹干。
10.根據權利要求1 9任意一項所述的制備方法，其特征在于，所述真空濺射儀為德 國BALZERS公司的S⑶050真空濺射系統。
全文摘要
本發明實施例公開了一種表面等離子體共振芯片的制備方法，包括步驟a)將玻璃襯底放入真空濺射儀的生長室內；步驟b)向所述生長室內通入氬氣，抽真空至10-1～10-3mbr，以鉻為靶材，靶基距為5～9cm，在所述玻璃襯底上濺射鉻薄膜；步驟c)以金為靶材、靶基距為5～9cm，在真空度為10-1～10-3mbr的條件下，在所述步驟b)得到的產物上濺射金薄膜。本發明采用真空濺射原理，并采用5～9cm的靶基距，制備得到的金屬薄膜表面平整，厚度可控，可以用于表面等離子體共振芯片。實驗結果表明，本發明制備的金屬薄膜厚度均勻，為50nm左右。
文檔編號C23C14/18GK102002670SQ20101059457
公開日2011年4月6日 申請日期2010年12月17日 優先權日2010年12月17日
發明者包宇, 李敏, 牛利, 王偉 申請人:中國科學院長春應用化學研究所