專利名稱：液晶顯示屏含鋁膜的蝕刻液的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種液晶顯示屏含鋁膜的蝕刻液。
背景技術：
在液晶顯示裝置的制造過程中，在玻璃基板表面需要通過多次光刻的過程進行多層布線。一般來說，一次完整的光刻過程需要由一下步驟組成。·清洗與金屬鍍膜工藝。玻璃基板投入，清洗、干燥工藝，用清洗機清洗玻璃基板， 并烘干；濺射金屬膜，作為柵極材料，金屬膜可以是鋁膜、鋁合金膜。·涂膠工藝用涂膠機在處理好的金屬膜上涂布紫外干花光的光刻膠。光刻膠膜厚度一般控制在(15000 士 500) A左右。·光刻膠固化工藝前烘工藝、高溫烘焙、固化光刻膠。·曝光工藝紫外線通過具有柵極圖形的掩模板照射光刻膠。有圖形的部分擋住 UV光，被紫外照射的光刻膠發生化學反應變軟(正性光刻膠)。·顯影工藝用顯影液除去光刻膠軟化的部分。·后烘工藝對顯影液處理后的玻璃基板進行高溫烘焙。 蝕刻工藝蝕刻分濕刻和干刻兩種工藝類型。前者是用腐蝕液對金屬進行處理， 除去不需要的部分，后者是用減壓下的氣體放電形成等離子體與金屬反應。·剝離工藝剝離也分濕法和干法。前者是用剝離液除去形成圖形時使用的光刻膠；后者是在減壓條件下，用氧氣或臭氧或UV使光刻膠氧化并揮發而除去，又稱灰化。近年來，液晶顯示裝置元件的組件制造工序中，伴隨著高精細化、高集成化而引起的圖形的超微細化傾向，對于液晶顯示裝置所具有的配線的微小化，高性能化的要求也越來也嚴格。此外，在進行多層布線的技術領域中，典型的是在鋁或鋁合金布線上用某種方法形成絕緣層后，進一步在其上層形成鋁或鋁合金布線。為了提高下層鋁或鋁合金在上層絕緣層的被覆性，迫切希望對配線的剖面形狀進行控制，是指成為被蝕刻的配線側面與形成有配線的絕緣層或基板表面所成的角度(錐角)達到小于90°的形狀(正錐形狀)。當不能獲得所期望角度的錐形形狀時，有時會引起上層部分的布線斷裂。目前所用液晶顯示屏含鋁膜的蝕刻液主要存在如下三個缺點其一，鋁膜或鋁合金膜蝕刻液蝕刻角度難以控制，無法滿足客戶對正錐形狀的角度要求，使用效果不好，影響產品良率；其二，鋁膜或鋁合金膜蝕刻液對金屬層的蝕刻量難以控制，無法滿足客戶對正錐形狀的角度要求，容易蝕刻過量，同時對不需要進行蝕刻的抗蝕涂層與金屬膜界面上也有因蝕刻液滲入所致的蝕刻痕，從而降低產品良率；其三，鋁膜或鋁合金膜蝕刻液在蝕刻過程中和金屬膜發生化學反應，生成的氫氣微小氣泡溶液被金屬膜吸附，造成蝕刻后金屬膜表面粗糙，甚至龜裂。因而，亟待開發一種新型的蝕刻液滿足行業工藝需求。
發明內容
本發明的目的是提供一種液晶顯示屏含鋁膜的蝕刻液。
本發明提供的蝕刻液，包括磷酸、硝酸、非離子表面活性劑、有機酸鹽、和水。上述蝕刻液也可只由上述組分組成。其中，所述非離子表面活性劑為司盤類非離子表面活性劑。所述司盤類非離子表面活性劑選白式I所示失水山梨醇單月桂酸酯(商品名為司盤20)、式II所示失水山梨醇棕櫚酸酯(商品名為司盤40)和式III所示失水山梨糖醇單硬脂酸酯(商品名為司盤60) 中的至少一種，
權利要求
1.一種蝕刻液，包括磷酸、硝酸、非離子表面活性劑、有機酸鹽和水。
2.根據權利要求1所述的蝕刻液，其特征在于所述蝕刻液由所述磷酸、硝酸、非離子表面活性劑、有機酸鹽和水組成。
3.根據權利要求1或2所述的蝕刻液，其特征在于所述非離子表面活性劑為司盤類非離子表面活性劑。
4.根據權利要求3所述的蝕刻液，其特征在于所述司盤類非離子表面活性劑選白式 I所示失水山梨醇單月桂酸酯、式II所示失水山梨醇棕櫚酸酯和式III所示失水山梨糖醇單硬脂酸酯中的至少一種，
5.根據權利要求1-4任一所述的蝕刻液，其特征在于所述有機酸鹽為式IV所示鄰三氟甲基苯甲酸鈉；所述水為去離子水。
6.根據權利要求1-5任一所述的蝕刻液，其特征在于所述非離子表面活性劑占所述蝕刻液總重的百分比濃度為0. 01-5%，優選為0. 1-2% ；所述有機酸鹽占所述蝕刻液總重的百分比濃度為0. 5-15%，優選為1-5% ； 所述磷酸占所述蝕刻液總重的百分比濃度為20-42%，優選為沈-37% ； 所述硝酸占所述蝕刻液總重的百分比濃度為0. 65-20%，優選為3. 25-13% ； 余量為所述水。
7.一種制備權利要求1-6任一所述蝕刻液的方法，包括如下步驟將權利要求1-6任一所述原料混勻，得到所述蝕刻液。
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于所述制備權利1-6任一所述蝕刻液的方法，還包括如下步驟在所述混勻步驟之后，將所述蝕刻液過濾。
9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于所述過濾步驟中，濾網孔徑不大于 0. 2 μ m, it 1 0. 2 μ m。式 III。
10.權利要求1-6任一所述蝕刻液在蝕刻含鋁膜中的應用。
全文摘要
本發明公開了一種液晶顯示屏含鋁膜的蝕刻液。該蝕刻液，包括磷酸、硝酸、非離子表面活性劑、有機酸鹽和水。其中，所述非離子表面活性劑占所述蝕刻液總重的百分比濃度為0.01-5％；所述有機酸鹽占所述蝕刻液總重的百分比濃度為0.5-15％；所述磷酸占所述蝕刻液總重的百分比濃度為20-42％；所述硝酸占所述蝕刻液總重的百分比濃度為0.65-20％；余量為所述水。該蝕刻液能夠對鋁膜或是鋁合金膜控制性良好的進行蝕刻，能得到具有合適錐形形狀及表面平坦光滑的金屬膜。
文檔編號C23F1/20GK102304714SQ201110238648
公開日2012年1月4日 申請日期2011年8月19日 優先權日2011年8月19日
發明者馮衛文 申請人:綿陽艾薩斯電子材料有限公司