一種OLED蒸鍍用掩膜板及制備方法與流程

本發明涉及顯示技術領域，特別是涉及一種oled蒸鍍用掩膜板及制備方法。

背景技術：

有機電致發光顯示面板(organicelectroluminesecentdisplay，oled)相對于液晶顯示屏(liquidcrystaldisplay，lcd)，具有自發光、發光效率高、功耗低、反應快、視角廣、亮度高、色彩艷、輕薄等優點，被認為是下一代顯示技術。

在oled制造技術中，參見圖1，其有機功能層通常采用精細金屬掩膜板01(finemetalmask,fmm)真空蒸鍍制備，fmm質量的好壞直接關系到屏幕的顯示效果。隨著顯示技術的發展，人們對顯示產品的分辨率要求越來越高，而由于受到目前工藝所限，fmm中開口的大小受到限制，很難做到很小(例如幾個μm)，從而限制oled顯示面板的像素大小，進而影響oled顯示產品的分辨率，例如硅基oled微顯示面板，其像素一般為5μm左右的大小，其蒸鍍用掩膜板通常很難制作。并且采用其它材質的基板制作oled蒸鍍用掩膜板也存在相同的問題，因此，現有的oled蒸鍍用掩膜板的選材范圍不廣，通常采用ni/co或ni/fe等貴金屬合金材料制成fmm。

基于此，如何提高oled顯示產品的分辨率，以及擴大oled蒸鍍用掩膜板的選材范圍，是本領域技術人員亟待解決的技術問題。

技術實現要素：

本發明實施例提供了一種oled蒸鍍用掩膜板及制備方法，用以提高oled顯示產品的分辨率，以及擴大oled蒸鍍用掩膜板的選材范圍。

本發明實施例提供的一種oled蒸鍍用掩膜板，包括：基板，所述基板上設有呈矩陣排列的多個開口，每個所述開口的圖案形狀與單個像素單元的有機發光層的圖案形狀一致，每個所述開口的內壁上設置有電鍍層，以縮小所述開口的圖案大小至單個像素單元的有機發光層的圖案大小。

本發明實施例提供的oled蒸鍍用掩膜板，包括：基板，所述基板上設有呈矩陣排列的多個開口，每個所述開口的圖案形狀與單個像素單元的有機發光層的圖案形狀一致，每個所述開口的內壁上設置有電鍍層，以縮小所述開口的圖案大小至單個像素單元的有機發光層的圖案大小，通過在開口的內壁上設置電鍍層，可以縮小開口的圖案大小至單個像素單元的有機發光層的圖案大小，這樣就可以制作像素更小的oled顯示面板，從而可以提高oled顯示產品的分辨率，并且上述縮小開口尺寸的方法并不受材料的影響，因此可以選用其它的材料用于制作oled蒸鍍用掩膜板，從而擴大了oled蒸鍍用掩膜板的選材范圍。

較佳地，所述電鍍層包括：設置在所述開口的內壁上的填充層。

較佳地，所述填充層的材料為金屬。

較佳地，所述電鍍層還包括：設置在所述開口的內壁和所述填充層之間的種子層。

較佳地，所述種子層的材料為金屬。

較佳地，所述種子層的厚度為10-200nm。

較佳地，所述基板的材質為玻璃。

由于本發明實施例提供的oled蒸鍍用掩膜板中基板的材質為玻璃，這樣可以避免現有技術中的oled蒸鍍用掩膜板需由貴金屬合金材料制成，價格昂貴，生產成本居高不下的缺點，從而有利于工廠的大規模生產。

本發明實施例還提供了一種oled蒸鍍用掩膜板的制備方法，包括：

在基板上形成呈矩陣排列的多個開口；其中，每個所述開口的圖案形狀與單個像素單元的有機發光層的圖案形狀一致；

在每個所述開口的內壁上形成電鍍層，以縮小所述開口的圖案大小至單個像素單元的有機發光層的圖案大小。

采用該方法制備的oled蒸鍍用掩膜板，包括：基板，所述基板上設有呈矩陣排列的多個開口，每個所述開口的圖案形狀與單個像素單元的有機發光層的圖案形狀一致，每個所述開口的內壁上設置有電鍍層，以縮小所述開口的圖案大小至單個像素單元的有機發光層的圖案大小，通過在開口的內壁上設置電鍍層，可以縮小開口的圖案大小至單個像素單元的有機發光層的圖案大小，這樣就可以制作像素更小的oled顯示面板，從而可以提高oled顯示產品的分辨率，并且上述縮小開口尺寸的方法并不受材料的影響，因此可以選用其它的材料用于制作oled蒸鍍用掩膜板，從而擴大了oled蒸鍍用掩膜板的選材范圍。

較佳地，所述在每個所述開口的內壁上形成電鍍層，具體包括：

采用電鍍工藝在每個所述開口的內壁上形成填充層。

較佳地，在形成填充層之前，該方法還包括：

采用濺射工藝或噴墨打印工藝在每個所述開口的內壁上形成種子層。

附圖說明

圖1為現有技術中oled蒸鍍設備的結構示意圖；

圖2為本發明實施例提供的一種oled蒸鍍用掩膜板的結構示意圖；

圖3為本發明實施例提供的一種oled蒸鍍用掩膜板的俯視圖；

圖4為本發明實施例提供的另一種oled蒸鍍用掩膜板的結構示意圖；

圖5為本發明實施例提供的另一種oled蒸鍍用掩膜板的俯視圖；

圖6為本發明實施例提供的oled蒸鍍用掩膜板的制備方法的流程示意圖；

圖7(a)～圖7(c)為本發明實施例提供的oled蒸鍍用掩膜板的制備工藝流程示意圖。

具體實施方式

本發明實施例提供了一種oled蒸鍍用掩膜板及制備方法，用以提高oled顯示產品的分辨率，以及擴大oled蒸鍍用掩膜板的選材范圍。

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

需要說明的是，本發明附圖中各層的厚度和形狀不反映真實比例，目的只是示意說明本發明內容。

參見圖2-圖5，本發明實施例提供的一種oled蒸鍍用掩膜板，包括：基板11，基板11上設有呈矩陣排列的多個開口12(如圖中虛線框所示)，每個開口12的圖案形狀與單個像素單元13的有機發光層的圖案形狀一致，每個開口12的內壁上設置有電鍍層14，以縮小開口12的圖案大小至單個像素單元13的有機發光層的圖案大小。

通過在開口12的內壁上設置電鍍層14，可以縮小開口12的圖案大小至單個像素單元13的有機發光層的圖案大小，這樣就可以制作像素更小的oled顯示面板，從而可以提高oled顯示產品的分辨率，并且上述縮小開口12尺寸的方法并不受材料的影響，因此可以選用其它的材料用于制作oled蒸鍍用掩膜板，從而擴大了oled蒸鍍用掩膜板的選材范圍。

在一較佳實施方式中，如圖2、圖3所示，電鍍層14包括：設置在開口12的內壁上的填充層15。

在一較佳實施方式中，填充層15的材料可以為金屬，例如：銅(cu)。

在一較佳實施方式中，如圖4、圖5所示，電鍍層14還包括：設置在開口12的內壁和填充層15之間的種子層16。

在一較佳實施方式中，種子層16的材料可以為金屬，例如：鈦(ti)或金(au)。

在一較佳實施方式中，種子層16的厚度可以設置為10-200nm。

在一較佳實施方式中，為了節約生產成本，便于工廠的大規模生產，基板11的材質可以為玻璃，即采用玻璃基板。該玻璃基板例如可以為光敏玻璃基板。

需要指出的是，在基板可以作為電鍍的電極時，電鍍層14可以不包括種子層16，即直接在開口12的內壁上設置填充層15，當然，此時也可先在開口12的內壁上設置種子層16，然后再在種子層16上設置填充層15，本發明實施例對此并不進行限定。

基于同一發明構思，參見圖6，本發明實施例還提供了一種oled蒸鍍用掩膜板的制備方法，包括如下步驟：

s101、在基板上形成呈矩陣排列的多個開口；其中，每個所述開口的圖案形狀與單個像素單元的有機發光層的圖案形狀一致；

其中，在基板上形成呈矩陣排列的多個開口可以采用現有技術，例如：機械鉆孔、uv(紫外)光照射光敏玻璃基板等方法。形成的開口大小一般為10μm以上。

s102、在每個所述開口的內壁上形成電鍍層，以縮小所述開口的圖案大小至單個像素單元的有機發光層的圖案大小。

在一較佳實施方式中，步驟s102中在每個所述開口的內壁上形成電鍍層，具體可以包括：

采用電鍍工藝在每個所述開口的內壁上形成填充層。

在一較佳實施方式中，在形成填充層之前，該方法還可以包括：

采用濺射(sputter)工藝或噴墨打印工藝在每個所述開口的內壁上形成種子層。

因為電鍍時需要導電，而種子層可以在電鍍填充層時作為電極，因此即使基板不可以作為電鍍的電極時，通過設置該種子層，也可以在開口的內壁上形成填充層。

下面以玻璃基板為例，結合附圖7(a)～7(c)來具體說明本發明實施例提供的oled蒸鍍用掩膜板的制備工藝流程。

步驟一、參見圖7(a)，在玻璃基板11上形成呈矩陣排列的多個開口12(如圖7(a)中虛線框所示)；

其中，每個開口12的圖案形狀與單個像素單元13的有機發光層的圖案形狀一致；

步驟二、參見圖7(b)，采用sputter工藝在每個開口12的內壁上形成厚度為10-200nm的種子層16；

步驟三、參見圖7(c)，采用電鍍工藝在種子層16上形成填充層15，以縮小開口12的圖案大小至單個像素單元13的有機發光層的圖案大小。

綜上所述，本發明實施例提供的技術方案中，oled蒸鍍用掩膜板包括：基板，所述基板上設有呈矩陣排列的多個開口，每個所述開口的圖案形狀與單個像素單元的有機發光層的圖案形狀一致，每個所述開口的內壁上設置有電鍍層，以縮小所述開口的圖案大小至單個像素單元的有機發光層的圖案大小，通過在開口的內壁上設置電鍍層，可以縮小開口的圖案大小至單個像素單元的有機發光層的圖案大小，這樣就可以制作像素更小的oled顯示面板，從而可以提高oled顯示產品的分辨率，并且上述縮小開口尺寸的方法并不受材料的影響，因此可以選用其它的材料用于制作oled蒸鍍用掩膜板，從而擴大了oled蒸鍍用掩膜板的選材范圍。

顯然，本領域的技術人員可以對本發明進行各種改動和變型而不脫離本發明的精神和范圍。這樣，倘若本發明的這些修改和變型屬于本發明權利要求及其等同技術的范圍之內，則本發明也意圖包含這些改動和變型在內。