制造裝置和發光裝置的制作方法

專利名稱：制造裝置和發光裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及在利用蒸鍍可成膜的材料(以下稱蒸鍍材料)的成膜中使用的成膜裝置和具有該成膜裝置的制造裝置。特別是涉及從與基板相向地設置的蒸鍍源蒸發蒸鍍材料進行成膜的蒸鍍裝置。另外，還涉及發光裝置及其制作方法。
背景技術：
具有薄而輕、高速響應、直流低電壓驅動等特征的，用有機化合物作為發光體的發光元件正被期待著應用于下一代平板顯示器。特別是可以認為將發光元件配置成矩陣狀的顯示裝置與現有的液晶顯示裝置相比，在視角寬、可視性好方面具有優越性。
據知，發光元件的發光機構如下借助于在ー對電極之間夾持含有機化合物的層，對其施加電壓，從陰極注入的電子和從陽極注入的空穴在含有機化合物的層中的作為發光中心的發光層中進行復合形成分子激子，在該分子激子返回基態時釋放能量，進行發光。關于激發狀態已知有單激發和三重激發，據認為經任何一種激發狀態都可以發光。對將這樣的發光元件配置成矩陣狀而形成的發光裝置可以采用無源矩陣驅動(簡單矩陣型)和有源矩陣驅動(有源矩陣型)的驅動方法。但是，在像素密度增多的場合，由于對每個像素(或每I個點)設置開關的有源矩陣型可以用低電壓驅動，所以被認為是有利的。另外，含有機化合物的層具有以“空穴輸運層/發光層/電子輸運層”為代表的疊層結構。另外，形成含有機化合物的層的EL材料可粗分為低分子類(単體類)材料和高分子類(聚合物類)材料，低分子類材料可以用蒸鍍裝置成膜。現有的蒸鍍裝置將基板設置在基板支架上，具有封入了 EL材料，即蒸鍍材料的容器(或蒸鍍舟)、防止升華的EL材料上升的擋板、加熱容器內的EL材料的加熱器。這樣，被加熱器加熱了的EL材料升華，在旋轉的基板上成膜。這時，為了均勻地成膜，基板與容器之間的距離要在Im以上。在現有的蒸鍍裝置和蒸鍍方法中，在利用蒸鍍形成含有機化合物的層時，升華了的EL材料的絕大部分附著到了蒸鍍裝置的成膜室的內壁、擋板或防鍍屏(用于防止蒸鍍材料附著在成膜室的內壁上的保護板)上。因此，在含有機化合物的層成膜時，昂貴的EL材料的利用效率約在I %以下，是極低的，使得發光裝置的制造成本非常高昂。另外，為得到均勻的膜，在現有的蒸鍍裝置中使基板與蒸鍍源的間距在Im以上。另外，當為大面積基板時，存在基板的中央部與邊緣部的膜厚容易不一致的問題。還有，由于蒸鍍裝置是將基板旋轉的結構，所以對以大面積基板為目標的蒸鍍裝置存在界限。此外，當在使大面積基板與蒸鍍用掩模緊密接觸的狀態下將它們一起旋轉吋，恐怕會發生掩模與基板的位置偏離。另外，當在蒸鍍中基板和掩模被加熱時，因膨脹尺寸發生變化，這樣，由于掩模與基板的熱膨脹率不同，故而尺寸精度、位置精度降低。作為解決來自這些方面的上述課題的ー種裝置，本申請人提出了一種蒸鍍裝置(特開2001-247959號公報、特開2002-60926號公報)。

發明內容
本發明提供了具備作為借助于提高EL材料的利用效率來降低制造成本，并且使含有機化合物的層的均勻性、生產率良好的制造裝置之一的蒸鍍裝置的制造裝置。另夕卜，本發明提供了對例如基板尺寸為320mm X 400mm、370mm X 470mm、550mmX 650mm、600mmX 720mm、680mmX 880mm、1000mmX 1200mm、1100mm X 1250mm、1150mmX 1300mm的這樣的大面積基板高效率地蒸鍍EL材料的制造裝置。還有，本發明提供了對大面積的基板也能在整個基板上得到均勻的膜厚的蒸鍍裝置。本發明用3層疊層構成發光元件的含有機化合物的層，以較少的室數制作了全色發光裝置。具體地說，用3層疊層中的空穴輸運層和電子輸運層作為公用層，在I個室中對每個像素只分開涂敷發紅光、綠光或藍光的發光元件的發光層。即，至少用3個室制作發光元件的含有機化合物的層。在I個室中有選擇地進行蒸鍍，形成不同的 3個發光層。如圖I所示，安裝了不同的蒸鍍源的3個機械臂(移動裝置)106a、106b、106c在I個室內自由移動，依次有選擇地成膜。另外，在I個層的成膜結束后，使基板100與掩模113分離，改變基板與掩模的對準狀態，偏離到下一次的第2層的成膜位置，進行下一次的第2層的成膜。然后，在2個層的成膜結束后，同樣地使基板與掩模分離，在進行基板與掩模的對準后進行下一次的第3層的成膜。另外，在移動I個機械臂進行蒸鍍期間，其他的機械臂在設置室中待機，依次交替地進行蒸鍍。另外，雖然也依賴于像素的排列，但對R、G、B像素的蒸鍍位置各不相同。因此，對每種發光顏色進行基板與掩模的對準，依次進行蒸鍍。用同一個掩模，借助于使位置偏離來進行R、G、B的分開涂敷。另外，使蒸鍍源移動的機械臂也能夠在Z方向移動，可以升降。還有，機械臂的旋轉中心可以位于設置室內，也可以位于成膜室內。本說明書中公開的發明結構是在圖I中示出其一例的、具有裝料室、與該裝料室連結的傳送室和與該傳送室連結的多個成膜室的制造裝置，其特征在于上述成膜室具有與對上述成膜室內抽真空的真空排氣處理室連結、進行掩模與基板的位置調整的對準裝置、基板保持裝置和對基板加熱的裝置；第I蒸鍍源和使該第I蒸鍍源移動的裝置；第2蒸鍍源和使該第2蒸鍍源移動的裝置；第3蒸鍍源和使該第3蒸鍍源移動的裝置。上述結構的特征在于設置室與上述成膜室連結，設置室與對上述設置室內抽真空的真空排氣裝置連結，在設置室內具有將蒸鍍材料放置在蒸鍍源上的機構。另外，上述結構的特征在于上述成膜室和上述設置室與對室內抽真空的真空排氣處理室連結，并且具有可以弓I入材料氣體或清洗用氣體的裝置。另外，上述結構的特征在于上述蒸鍍源在成膜室內可以在X方向、Y方向或Z方向移動。另外，上述結構的特征在于具有對上述成膜室在成膜室內劃分區域、并且遮蔽向上述基板的蒸鍍的擋板。另外，上述結構的特征在于密封室與上述傳送室連結，與對上述密封室內抽真空的真空排氣裝置連結，在密封室內具有用噴墨法涂敷密封材料的機構。還有，利用蒸鍍層疊含有機化合物的層和陰極(或陽極)后，不接觸大氣，用噴墨法形成密封層。另外，也可以在用噴墨法形成密封層前，用濺射法形成由無機絕緣膜構成的保護膜。另外，在將發光元件密封時，在密封基板與元件基板之間充填密封材料。若是上表面出光型，最好使用透明的密封材料。另外，雖然在進行貼合前向像素區滴下了密封材料，但最好利用減壓下的噴墨法向像素區噴射密封材料。另外，也可以重復進行如下操作利用減壓下的噴墨法向像素區噴射密封材料，使其固化后用濺射法形成以氮化硅膜為代表的無機絕緣膜，再用減壓下的噴墨法噴射密封材料，使其固化后形成氮化硅膜。借助于設置密封材料和無機絕緣膜的疊層，可以阻止水分、雜質從大氣中侵入，從而提高可靠性。
另外，另一發明結構是包括具有陰極、與該陰極相接的含有機化合物的層以及與該含有機化合物的層相接的陽極的發光元件的多個發光裝置，其特征在于配置了第I發光元件、第2發光元件和第3發光元件，上述第I發光元件至少具有空穴輸運層、第I發光層和電子輸運層的疊層，上述第2發光元件至少具有上述空穴輸運層、第2發光層和上述電子輸運層的疊層，上述第3發光元件至少具有上述空穴輸運層、第3發光層和上述電子輸運層的疊層，上述第I發光層、上述第2發光層或上述第3發光層中的2個層部分地重疊。另外，在上述結構中，被陽極與陰極夾持的含有機化合物的層中的空穴輸運層和電子輸運層這兩層是公用的。因此，由于與這2個層的蒸鍍精度關系不太大，所以可以用只是對發光層精度高的蒸鍍裝置。另外，在以2個層為公用層制成全色的場合，最好選擇合適的材料和膜厚。另外，上述結構的特征在于上述發光元件具有由高分子材料構成的空穴注入層。在借助于利用旋轉涂敷等的涂敷法形成由高分子材料構成的空穴注入層時，可以提高平坦性，使在其上形成的膜的覆蓋性和膜厚的均勻性良好。特別是由于發光層的膜厚均勻，所以可以得到均勻的發光。另外，上述結構的特征在于上述第I發光元件發出紅光、綠光或藍光中的某一種顏色的光。另外，在采用可分為多塊的大面積基板時，蒸鍍掩模使用將幾塊進行貼合的掩模。因此，由于它們的貼合精度方面的原因，對每塊面板而言恐怕會發生TFT基板與蒸鍍圖形偏離。于是，在本發明中，預先測定蒸鍍圖形，根據該測定值對制作TFT的步進器的設定進行合適的校正，以使曝光圖形位置準確。如果在用進行了校正的步進器制作TFT后利用蒸鍍掩模進行蒸鍍，則可以得到偏離少的圖形。


圖I是示出本發明的蒸鍍裝置的俯視圖(實施形態I)。圖2是示出本發明的蒸鍍裝置的剖面圖(實施形態I)。圖3A 3E是示出設置在蒸鍍源上的容器的一個例子(實施形態I)的圖。圖4是示出本發明的制造裝置的俯視圖(實施例I)。圖5A 是示出液滴噴射裝置的圖(實施形態2)。圖6是示出本發明的發光裝置的剖面圖(實施形態2)。圖7A、7B是設置了輔助布線的面板的俯視圖(實施形態2)。
圖8是示出エ序流程圖的圖(實施形態3)。圖9A 9D是示出本發明的發光裝置的剖面圖(實施形態4)。圖10是示出本發明的發光裝置的俯視圖(實施形態4)。圖IlA IlD是示出本發明的發光裝置的剖面圖(實施形態4)。圖12A、12B是示出本發明的發光裝置的俯視圖和剖面圖(實施例2)。圖13A 13C是示出一例電子裝置的圖(實施例3)。
圖13D是示出圖13C的移動計算機的背面側的斜視圖。
圖13E示出電視攝像機。
圖13F和圖13G分別是移動電話的斜視圖和示出其折疊狀態的斜視圖。圖14是使用了本發明的發光裝置的移動電話的方框圖(實施例4)。圖15是產生本發明的發光裝置用的反轉信號的說明圖(實施例4)。圖16是使用了本發明的發光裝置的移動電話的充電中的狀態(實施例4)。
具體實施例方式下面說明本發明的實施形態實施形態I圖I示出了本發明的蒸鍍裝置的俯視圖的ー個例子。在圖I中，100是基板，101是成膜室，102a 102c是設置室，103a 103c、104是擋板，105是傳送室，106a 106c是機械臂，107是蒸鍍區域，108是構成面板的區域，109是蒸鍍支架，110是容器。另外，示出了在基板100上設計了構成9個面板的區域108的例子。這里，雖然示出了橫向并排地配置了擋板103a 103c、設置室106a 106c的例子，但并無特別限定，也可以在ー個設置室中配置3個機械臂。另外，掩模113與基板相接、并進行了對準，借助于將I塊掩模錯開I個像素部分、進行多次對準后再進行蒸鍍，可以分開涂敷RGB。另外，圖2示出了沿圖I中的點劃線剖開的剖面圖。另外，在圖2中對與圖I的符號相同的部位使用了相同的符號。具有圖形開ロ的薄板狀的掩模113借助于粘接或焊接，固定在框狀的掩模框114上。最好ー邊進行適合于蒸鍍材料的加熱，一邊進行蒸鍍，可以通過在該加熱溫度下對掩模施加適當的張カ來決定其恰當的固定位置。另外，與基板的位置調整借助干支撐掩模113和掩模框114的掩模支架111進行。首先，傳送來的基板被對準機構112a支撐，被放置在掩模支架111上。接著，使放置在掩模113上的基板靠近對準機構112b,借助于磁力在吸附掩模113的同時吸附基板，并將其固定。另外，對對準機構112b設置了永久磁鐵(未圖示)、加熱裝置(未圖示)。另外，在進行蒸鍍時使在設置室102a內待機的機械臂106a的端部在成膜室101內移動，一邊將其在X方向、Y方向或Z方向移動,一邊對基板進行蒸鍍。在機械臂106a的端部設置了蒸鍍支架109，設置了收容蒸鍍材料的容器110。如圖I所示，安裝了不同的蒸鍍源的3個機械臂(移動裝置)106a、106b、106c在ー個室內自由移動，依次有選擇地成膜。在進行將來自不同蒸鍍源的材料蒸鍍在同一基板上的共蒸鍍時，也可以制成能夠自由改變蒸鍍源的安裝角度，以使與蒸發中心所要蒸鍍的基板的一點相一致的結構。但是，為了對每個蒸鍍源將角度傾斜，2個蒸鍍源的間隔必須達到某種程度。因此，最好如圖3A 3C所示，將容器110制成棱柱形狀，以容器的開口方向調節蒸發中心。容器由上部部件800a和下部部件800b構成，可以準備蒸鍍材料從橢圓形開口 810射出的角度不同的多個上部部件，以便作適當的選擇。由于蒸鍍的擴展隨蒸鍍材料而異，所以在進行共蒸鍍時最好準備安裝了不同的上部部件800a的2個蒸鍍源。在共蒸鍍時，將2種不同的蒸鍍材料進行混合是很重要的。如果是圖3A 3C所示的容器，可以在從容器的開口射出后馬上混合，在基板上形成膜。特別是對圖2所示的蒸鍍裝置，典型地使基板與蒸鍍支架的間隔距離d窄至30cm以下，再好些的是在20cm以下，最好是在5cm 15cm,可以更加提高蒸鍍材料的利用效率。
另外，圖3A是容器的斜視圖，圖3B是沿點劃線A-B剖開的剖面圖，圖3C是沿點劃線C-D剖開的剖面圖。在改變蒸鍍源的安裝角度的場合，由于可傾斜至圓筒形的容器和包圍它的加熱器，所以在用2個容器進行共蒸鍍時它們之間的間隔變得較大。間隔一增大，將不同的2種蒸鍍材料進行均勻混合就變得困難。在欲將蒸鍍源與基板的間隔變窄進行蒸鍍時，難以得到均勻的膜。于是，在本發明中，不改變蒸鍍源的安裝角度，借助于容器上部部件800a的開口810來調節蒸發中心。容器由容器上部部件800a、容器下部部件800b和中蓋800c構成。另夕卜，在中蓋800c上設置了多個小孔，蒸鍍時使蒸鍍材料通過這些孔。另外，容器是由BN的燒結體、BN和AlN的復合燒結體、石英或石墨等材料形成的、能耐高溫、高壓、低壓的容器。由于蒸鍍方向及擴展隨蒸鍍材料而異，所以要適當地準備調節了適合于各種蒸鍍材料的開口 810的面積、開口的導引部、開口的位置的容器。借助于制作本發明的容器，無需將蒸鍍源的加熱器傾斜就能調節蒸鍍中心。另外，可以如圖3D所示，在共蒸鍍時使開口 810a與開口 810b兩者相向，使收容多種不同的蒸鍍材料(材料A805、材料B806)的多個容器之間的間隔變窄，一邊均勻地進行混合，一邊蒸鍍。在圖3D中，加熱裝置801 804與各自的電源連接，相互獨立地進行溫度調節。另外，要在蒸鍍源與基板的間隔例如收窄至20cm以下進行蒸鍍時，也可以得到均勻的膜。另外，圖3E示出了與圖3D不同的例子。圖3E是使用具有使得在垂直方向蒸發的開口 810c的上部部件810a和具有傾斜成與其方向一致的開口 810d的上部部件800a進行蒸發的例子。在圖3E中也是加熱裝置801、803、807、808與各自的電源連接，相互獨立地進行溫度調節。另外，由于圖3A 3E所示的本發明的容器的開口是細長的橢圓形狀，所以均勻的蒸鍍區增寬，適合于將大面積基板固定而均勻地進行蒸鍍的情形。另外，在圖4中示出了將圖I所示的蒸鍍裝置作為I個室而設置的多室型的制造裝置。另外，圖4的結構將在后面的實施例I中敘述。還有，不言而喻，也可以作為在線式的制造裝置的I個室而設置。實施形態2這里示出了使用圖5所示的裝置利用液滴噴射法，其代表是使用噴墨法進行密封材料滴下、密封材料描繪或輔助布線的形成的例子。
圖5A是示出線狀液滴噴射裝置的一個構成例的概略斜視圖。圖5A所示的線狀液滴噴射裝置具有噴頭306a 306c，借助于從噴頭306a 306c噴射液滴，在基板310上得到了所希望的液滴圖形。在線狀液滴噴射裝置中，作為基板310除所希望尺寸的玻璃基板夕卜，可以應用以塑料基板為代表的樹脂基板、或以硅為代表的半導體晶片等被處理物。在圖5A中，將基板310從傳送出入口 304送入處理室515的內部，再將完成了液滴噴射處理的基板退回，從傳送出入口 304送出。基板310安放在傳送臺303上，傳送臺303在從傳送出入口開始延伸的導軌315a、315b上移動。噴頭支撐部307支撐噴射液滴的噴頭306a 306c，與傳送臺303平行移動。當基板310向處理室515的內部移入時，與此同時，噴頭支撐部307移動得與進行初始液滴噴射處理的規定位置相一致。通過在基板送入時或基板送出時進行噴頭306a 306c向初始位置的移動，可以高效率地進行噴射處理。 在這里，準備了噴射3種不同材料的噴頭306a 306c。例如，可以使噴頭306a噴射含間隙材料的密封材料，使噴頭306b噴射用于對基板之間進行充填的、含透明樹脂的密封材料，使噴頭306c噴射用于形成布線或電極的含導電微粒的油墨。在由于傳送臺303的移動而基板310到達規定位置時，液滴噴射處理開始。液滴噴射處理借助于噴頭支撐部307對基板310的相對移動與來自被噴頭支撐部支撐的噴頭306a 306c的液滴噴射的組合而達成。通過調節基板310或噴頭支撐部307的移動速度和對來自噴頭306a 306c的液滴進行噴射的周期，可以在基板310上描繪所希望的液滴圖形。特別是由于液滴噴射處理要求很高的精度，所以最好在液滴噴射時停止傳送臺303的移動，只是使可控性高的噴頭支撐部307依次掃描。對于噴頭306a 306c的驅動最好選擇伺服電動機、脈沖電動機等可控性高的驅動方式。另外，由噴頭306a 306c的噴頭支撐部307進行的掃描不限于只是ー個方向，可以通過往返或多次往返進行液滴噴射處理。借助于上述基板310和噴頭支撐部307的移動，可以在整個基板上噴射液滴。液滴從設置在處理室515外部的液滴供給部209a 309c經噴頭支撐部307供給噴頭306a 306c內部的液體室。該液滴供給雖由設置在處理室515外部的控制裝置308控制，但也可以由內置于處理室515內部的噴頭支撐部307中的控制裝置控制。控制裝置308除進行上述的液滴供給控制外，對傳送臺303和噴頭支撐部307的移動以及與其對應的液滴噴射進行控制是其主要功能。另外，通過液滴噴射進行的圖形描繪的數據可以從該裝置外部通過CAD等軟件進行下載，這些數據借助于圖形輸入、坐標輸入等方法輸入。另外，也可以通過在噴頭306a 306c的內部設置檢測用作液滴的組成物的殘留量的機構、向控制裝置308傳送表示殘留量的信息，以附加殘留量自動報警功能。在圖5A中雖未記述，但也還可以根據需要設置用于對基板或基板上的圖形進行位置調整的傳感器、向處理室515的氣體引入裝置、從處理室515內部的排氣裝置、對基板310進行加熱處理的裝置、對基板310進行光照射的裝置以及測定溫度、壓カ等各種物理特性值的裝置等。另外，這些裝置也可以由設置在處理室515外部的控制裝置308統ー控制。另外，如果將控制裝置308經LAN電纜、無線LAN、光纖等與生產管理系統等連接，則可以從外部對エ序一律進行管理，從而提高生產率。圖5B示出了用3個噴頭306a 306c之中的2個在基板310上滴下第I密封材料312和第2密封材料314的狀態。用噴頭306a描繪第I密封材料312，用噴頭306b滴下第2密封材料314，以覆蓋像素部311。可以從2個噴頭同時進行噴射，也可以從一個噴頭噴射，固化后再從另一個噴頭進行噴射。另外，圖示出了第I密封材料312和第2密封材料314的噴射處理結束后的基板310的斜視圖。作為從噴嘴306a噴射的材料，只要是有機材料都可以，無特別的限制，作為代表，可以使用紫外線固化或熱固化的環氧樹脂。作為從噴嘴306b噴射的材料，只要是具有透光性的有機材料都可以，無特別的限制，作為代表，可以使用紫外線固化或熱固化的環氧樹脂。另外，也可以制成在圖5A所示的裝置內具有紫外線照射功能，或在其中設置加熱燈，能在裝置內使密封材料固化的結構。對液滴供給部309a 309c準備用于向溶液涂敷裝置中存儲(stock)材料溶液的容器(罐)，作為容器，最好用具有氣密性， 特別是對氧和水分的透過有足夠的抵御性能的材料形成，可以使用不銹鋼、鋁等。另外，對容器設置用于使氮、稀有氣體或其他惰性氣體進入的導入口，從那里引入惰性氣體，對容器內部壓力加壓。如果在容器的內部壓力與成膜室的內部壓力之間產生了較大的壓力差，也可以使容器的內部壓力減壓，例如可以使容器的內部壓力為比成膜室內的真空度低的真空度。另外，在將容器的內部壓力減壓的場合，由于在使處理室515為大氣壓時恐怕會發生逆流，所以設置了利用小球的防逆流機構。在圖5C中說明了噴頭306a 306c的內部結構。圖5C中的用虛線圍起來的區域是用于涂敷溶液的裝置(以下稱溶液涂敷裝置)中的噴頭部的放大了的圖形，對其一部分示出了內部結構。在截面A處設置了約束小球321的浮動量的突起，使油墨可以從小球321的兩側流過。另外，小球321具有比供給管的直徑略小的直徑，它可在一定的范圍內浮動。另外，該小球321起減緩急速的油墨流動的作用。另外，供給管的中間變細，在截面B處其直徑比小球321的直徑小，當液體逆流時，小球321完全堵塞供給管。噴頭配備具有噴射溶液的功能的噴射部317，對它們分別設置了壓電元件(peizo元件)316。壓電元件316以堵塞供給管的方式設置，借助于振動可以在它與管內壁之間產生少許間隙，使液體(密封材料或以納米油墨為代表的、含導電微粒的油墨)從該間隙通過。由于成膜室內被減壓，所以即使是少許間隙也能很有氣勢地進行噴射。另外，對每一個噴射部都充填了液體。另外，圖5C示出了借助于壓電元件316的振動，檔板被關閉的狀態。這里示出以使用了壓電元件316的所謂的壓電方式進行液滴噴射的例子，但也可以采用借助于液滴的材料使發熱體發熱產生氣泡，從而將液滴壓出的所謂的熱方式(熱油墨噴射方式)。這時，成為將壓電元件316置換成發熱體的結構。另外，在圖5C中只說明了一個噴射部，但是，可以并排排列多個噴射部(噴嘴)，當考慮生產率時，可以說最好是并列與像素部的一行部分或一列部分的像素數目(Pixel數目)相當的，或者與包圍像素部的區域的一個邊相當的數目。另外，也可以使真空排氣裝置(未圖示)與處理室515連結，在噴頭306a 306c與基板310之間的空間減壓，即使其維持在低于大氣壓的壓力。具體地說，在惰性氣體的氣氛中，壓力為IXlO2 2X IO4Pa(最好是5X IO2 5X IO3Pa)。利用壓電元件316使供給管啟閉，借助于對處理室515內減壓，將充填在噴射部317中的液體(密封材料或含導電微粒的油墨)從噴嘴引出，向基板310噴射。然后，噴射出的液滴一邊在低壓下使溶劑揮發，一邊行進，留下的材料(密封材料或導電微粒)淀積在基板上。這樣，依次在規定的時刻從噴射部(噴嘴)317噴吐液滴。其結果是間歇式地淀積了材料。利用上述裝置可以將液滴噴射到處理基板310上。關于液滴噴射方式，有連續噴射液滴形成連續的線狀圖形的所謂序列方式(分配方式)和將液滴噴射成點狀的所謂按需方式，雖然在圖5A 的裝置結構中示出了按需方式，但也可以使用序列方式的噴頭。另外，作為其他應用，也可如圖6所示，為了更牢固地密封被無機絕緣層620a覆蓋的發光元件，在只用噴嘴306b形成密封層621a、并將其固化后，用濺射法在密封層621a上形成無機絕緣層620b，再只用噴嘴306b在其上形成密封層621b、并將其固化，其后，同樣地形成無機絕緣層620c和密封層621c。借助于密封層621a 621c和無機絕緣層620a 620c的疊層，特別是阻止了水分、雜質從面板的側面侵 入。另外，在圖6中，600是基板，601是透明電極，603是偏振片，606是蓋，607是密封材料(包含間隙材料)，620a 620c是無機絕緣層(氮化硅膜(SiN)、氮氧化硅膜(SiNO)、氮化鋁膜(AlN)或氮氧化鋁膜(AlNO)等)，621a 621c是密封層，622是透明電極，623是間壁(也稱圍堤)。另外，624b是含有機化合物的層，作為發光元件形成藍色發光，624g是含有機化合物的層，作為發光元件形成綠色發光，624r是含有機化合物的層，作為發光元件形成紅色發光，由此實現了全色顯示。另外，透明電極601是與TFT的源電極或漏電極連接的發光元件的陽極(或陰極)。另外，作為其他應用，也可如圖7B所示，利用噴嘴306c用噴墨法描繪輔助布線70。圖7B示出了圖7A所示的像素部82中的I個像素的剖面圖，在第2電極(陽極)72上形成了包含由空穴輸運層79H、發光層79G、電子輸運層79E的疊層構成的有機化合物的層，又在其上設置了作為第I電極(陰極)的透明電極73。作為第I電極(陰極)的透明電極73是含功函數小的金屬(MgAg、Mgln、AlLi、CaF2> CaN等的合金,或者用共蒸鍍法形成屬于周期表中的I族或II族的元素和鋁的膜)的薄膜和透明導電膜(ΙΤ0(氧化銦氧化錫合金)、氧化銦氧化鋅合金(In2O3-ZnO)、氧化鋅(ZnO)等)的疊層。輔助布線70是在作為發光元件的陰極的透明電極73上形成，作為全體電極謀求低電阻化的布線。另外，輔助布線70還具有作為遮光膜的功能，使對比度提高。另外，也可以采取同樣的方法，用噴墨法形成迂回布線和連接布線等。作為從噴嘴306c噴射的材料，可以使用膏狀的金屬材料或散布了上述膏狀金屬的導電聚合物等的有機溶液，以及超微粒狀的金屬材料和散布了上述金屬材料的導電聚合物等的有機類溶液等。所謂超微粒狀的金屬材料是指加工成數ym 亞ym的微粒，或者rim尺度的微粒的金屬材料，將上述微粒的某ー種或者兩種散布在有機類溶液中使用。另外，在圖7A中，82是像素部，83是源側驅動電路，84、85是柵側驅動電路，86是電源供給線，72是第2電極(陽極)。另外，與第I電極同時形成的布線是電源供給線86、迂回布線87和源布線。另外，在圖7A中，與柵布線同時形成了與FPC連接的端子電極。另外，本實施形態可以與實施形態I自由組合。實施形態3這里提供了抑制蒸鍍圖形偏離的方法。通常，對照基板上的標記形成TFT、像素電極(構成發光元件的陽極或陰極的電極)和間壁(也稱圍堤)。其后，在制作了 TFT、像素電極和間壁(圍堤)的基板上進行蒸鍍。特別是當像素電極與含有機化合物的層的位置偏離時將導致缺陷，例如短路。
在可分為多塊的掩模中，多塊相同圖形的掩模貼合在一起，當貼合精度差時，在各面板上就發生偏離。于是，在本發明中，根據用掩模在虛擬基板上進行了蒸鍍的蒸鍍圖形校正步進器的曝光位置，據此制作TFT，其后進行蒸鍍，以此來抑制偏離。即，對照所使用的掩模來制作TFT。圖8示出了本發明的流程圖。首先，用掩模在試驗基板上進行蒸鍍。盡管高精度地制作了將多塊掩模合在一起的可分為多塊的掩模，但往往存在些許偏離，存在隨每塊掩模而有微妙的差異的可能性。另外，還考慮了蒸鍍圖形依賴于蒸鍍裝置的情形。這里，取得了利用在發光裝置的制造中所使用的蒸鍍裝置形成的蒸鍍圖形 。接著，對多個得到的蒸鍍圖形進行測定。根據得到的數據對步進器的I拍在X方向和Y方向兩方向上測量四角和中心的偏離量，制成校正數據。接著，根據校正數據設定步進器的曝光位置。這樣，可以進行與某特定的蒸鍍掩模相符合的步進器的曝光設定。接著，制作有源矩陣基板。根據預先測定的蒸鍍圖形形成TFT、陽極(或陰極)和間壁。因此，在利用蒸鍍形成含有機化合物的膜時可以減小偏離。在變更蒸鍍掩模使用時，只要毎次都測定蒸鍍圖形，根據該測定值對步進器的曝光等進行調節就可以。實施形態4這里，以在像素部有規則地配置的多個像素中的3X3個像素為例在下面說明本發明。圖9A是剖面圖的ー個例子。使含被陽極與陰極夾持的有機化合物的層中的至少I個層，例如空穴輸運層(或空穴注入層)19H為公用層。在圖9A中，電子輸運層(或電子注入層)19E也為公用層。另外，圖9A是高精度地分別蒸鍍發光層19R、19G、19B的例子。因此，發光層19R、19G、19B的端面位于間壁(圍堤)24上。另外，如果使含被陽極與陰極夾持的有機化合物的層中的2個層為公用層，由于與該2個層的蒸鍍精度關系不太大，所以可以用只是對發光層精度高的蒸鍍裝置。因此，在形成發光層以外的公用層時，最好使用能在較短的時間內進行處理的噴墨法、旋轉涂敷法。另外，在以2個層為公用層制作全色的場合，最好選擇合適的材料和膜厚。另外，11 13是發光元件的陰極(或陽極)，20是發光元件的陽極(或陰極)。發光元件的陰極(或陽極)11 13的兩端部以及端部與端部之間被用無機絕緣物形成的間壁(圍堤)24覆蓋。這里，作為發光元件的陽極(或陰極)20使用了透明導電膜，使來自各發光元件的光通過。另外，在與發光元件的陽極(或陰極)20保持約10 μ m的間隔的距離上利用密封材料(這里未圖示)貼附密封基板(這里未圖示)，所有發光元件均被密封。另外，在圖9A中，TFT I是控制流過發紅光的發光元件的電流的元件，4、7為源電極或漏電極。另外，TFT 2是控制流過發綠光的發光元件的電流的元件，5、8為源電極或漏電極。TFT 3是控制流過發藍光的發光元件的電流的元件，6、9為源電極或漏電極。15、16是由有機絕緣材料或無機絕緣材料構成的層間絕緣膜。
圖9B是剖面圖的又ー個例子。如圖9B所示，發紅光的發光層19R與發綠光的發光層19G部分地重疊,形成疊層部21b。另外,發綠光的發光層19G與發藍光的發光層19B部分地重疊，形成疊層部22b。疊層部21b、22b位于間壁(圍堤)24上，特別是將間壁(圍堤)24的寬度收窄，(例如10 μ m，最好5 μ m以下)，使發光層層疊，這對于增寬發光區域、制作明亮的顯示器是有用的。由于制成如此將發光層部分地重疊也沒有關系的結構，所以在制作使用發紅、緑、藍光的顔色的全色平板顯示器時，可以與含有機化合物的層的成膜方法(噴墨法、蒸鍍法、旋轉涂敷法等)以及它們的成膜精度無關地實現高精細化和高開ロ率。特別是在利用可以同時形成紅、緑、藍(R、G、B)的發光層的噴墨法進行形成吋，還能夠縮短處理時間。圖9C是剖面圖的又ー個例子。在圖9C中，在發光元 件的陰極(或陽極)12上有疊層部21c。因此，疊層部21c也發少許的光。圖10是與圖9C對應的俯視圖。在圖10中，發光區IOR表示紅光發光區，發光區IOG表示綠光發光區，發光區IOB表示藍光發光區，借助于這3種顏色的發光區實現了全色化的發光顯示裝置。在本發明中，發紅光的發光層與發綠光的發光層部分地重疊，形成疊層部。另外，發綠光的發光層與發藍光的發光層部分地重疊，形成疊層部。層疊部中的發光亮度約為發光區10R、10GU0B中的發光亮度的約1000分之I。另夕卜，由于層疊部在X方向(或Y方向)以相同寬度重疊，所以對于I行可以進行相同的亮度校正。實施者可以對照所設定的疊層部的寬度來改變對發光元件施加的信號，適當地調節面板整體的亮度。另外，圖9D是剖面圖的又ー個例子。疊層部21d完全覆蓋了間壁(圍堤)24，在間壁(圍堤)24的兩側存在由疊層部產生的些微發光。另外，在圖9A 圖9D中，可以制成從含有機化合物的層向透明電極20的方向發光的結構、從含有機化合物的層向TFT的方向發光的結構、或者向這兩個方向發光的結構。另外，圖IlA是用涂敷法形成空穴注入層29H的例子。另外。與圖9A相比，只是含有機化合物的層的疊層結構不同，因此，對與其相同的部分使用了相同的符號。作為空穴注入層29H可以用噴墨法或旋轉涂敷法等使用聚(次こニ氧基噻吩)/聚(苯こ烯磺酸)水溶液(PED0T/PSS)、聚苯胺/樟腦磺酸水溶液(PANI/CSA)、PTPDES,Et-PTPDEK 或 PPBA 等形成。另外，圖IlA是分別高精度地蒸鍍發光層29R、29G、29B的例子。因此，發光層29R、29G、29B的端面位于間壁(圍堤)24上。在用旋轉涂敷法形成空穴注入層29H時，空穴注入層29H幾乎不在間壁(圍堤)24上形成。因此，雖然間壁(圍堤)24的側面被空穴注入層29H覆蓋，但在間壁(圍堤)24上發光層29B、29G、29R相接。另外，這里雖未圖示，在發光層29B、29G、29R與空穴注入層29H之間，在所有像素上設置了公用的空穴輸運層。在借助于利用旋轉涂敷等的涂敷法形成由高分子材料構成的空穴注入層的時，可以提高平坦性，使在其上形成的膜的覆蓋性和膜厚的均勻性良好。特別是由于發光層的膜厚均勻，所以可以得到均勻的發光。這時，最好在用涂敷法形成空穴注入層后、在用蒸鍍法將發光層29B、29G、29R成膜前，進行真空加熱(100 200°C )。例如，可以在用海綿清洗第I電極(陽極)的表面后，用旋轉涂敷法在整個面上涂敷聚(次こニ氧基噻吩)/聚(苯こ烯磺酸)水溶液(PEDOT/PSS)形成60nm的膜厚，其后，在80°C下進行10分鐘的預烘烤，在200°C下進行I小時的正式烘烤，再在蒸鍍前進行真空加熱(170°C，加熱30分鐘，冷卻30分鐘)，然后，不與大氣接觸地用蒸鍍法進行發光層29B、29G、29R的形成。特別是在用I TO膜作為陽極材料、表面存在凹凸、微小粒子時，使PED0T/PSS的膜厚在30nm以上可以降低其影響。另外，圖IlB是剖面圖的又ー個例子。如圖IlB所示，發紅光的發光層29R與發綠光的發光層29G部分地重疊,形成疊層部31b。另外,發綠光的發光層29G與發藍光的發光層29B部分地重疊，形成疊層部32b。由于用旋轉涂 敷法形成空穴注入層29H，所以在該圖中空穴注入層29H也幾乎不在間壁(圍堤)24上形成。圖IlC是剖面圖的又ー個例子。在圖IlC中，在發光元件的陰極(或陽極)12上具有疊層部31c。因此，疊層部31c也發一點點光。另外，圖IlD是剖面圖的又ー個例子。疊層部31d完全覆蓋了間壁24，在間壁(圍堤)24的兩側存在由疊層部31d產生的些微發光。另外，在制成圖9A 圖9D、圖IlA IlD所示的結構時，可以用旋轉涂敷法形成空穴注入層29H，用噴墨法形成空穴輸運層19H、發光層19R、19G、19B、29R、29G、29B和電子輸運層19E。另外，即使空穴注入層、空穴輸運層、發光層和電子輸運層全部都用噴墨法形成，也能夠制作高精細的發光裝置。用下面示出的實施例對用以上結構構成的本發明進行更詳細說明。實施例實施例I在本實施例中示出了制作全色顯示面板的例子。下面示出將預先設置了陽極(第I電極)和覆蓋該陽極的端部的絕緣物(間壁)的基板送入圖4所示的制造裝置中來制作發光裝置的順序。另外，在制作有源矩陣型發光裝置時，預先在基板上設置了多個與陽極連接的薄膜晶體管(電流控制用TFT)和其他薄膜晶體管(開關用TFT等)，還設置了由薄膜晶體管構成的驅動電路。另外，在制作簡單矩陣型發光裝置時也可以用圖4所示的制造裝置制作。首先，將上述基板(600mmX720mm)放入基板投入室520。用基板尺寸為 320mmX400mm、370mmX470mm、550mmX650mm、600mmX720mm、680mmX880mm、IOOOmmX 1200mm、IlOOmmX 1250mm,甚至為1150mmX 1300mm的大面積基板也可以對應地進
行處理。將放入基板投入室520的基板(設置了陽極和覆蓋該陽極的端部的絕緣物的基板)送入保持在大氣壓下的傳送室518。另外，在傳送室518中設置了用于傳送基板或使基板反轉的傳送機構(傳送機器人等)。設置在傳送室518中的機器人能夠使基板的正反面反轉，可以使之反轉后送入轉送室505。轉送室505與真空排氣處理室連結，可以抽真空排氣，形成真空，也可以在真空排氣后弓I入惰性氣體形成大氣壓。另外，在上述的真空排氣處理室中具備磁懸浮型渦輪分子泵、低溫泵或干式泵。在傳送室502、508、514中也具備同樣的泵，據此，可以使與各室連接的傳送室502、508、514的真空度達到10_5 10_6Pa。另外，還可以控制來自泵側和排氣系統的雜質的反擴散。為了防止在裝置內部引入雜質，作為引入的氣體使用了氮、稀有氣體等惰性氣體。對引入裝置內部的這些氣體，使用在引入裝置前被氣體純化機高度提純了的氣體。因此，有必要為將氣體高度提純后引入蒸鍍裝置而設置氣體純化機。據此，可以預先除掉氣體中所含的氧、水分和其他雜質，因而能夠防止將這些雜質引入裝置內部。另外，為了減少造成不能由顯示器中的輸入信號進行發光控制的像素的點缺陷，最好在放入基板投入室520之前，用含界面活化劑(弱堿性)的多孔海綿(有代表性的是用PVA(聚こ烯醇)制的，或用尼龍制的等)對第I電極(陽極)的表面進行清洗，除掉表面上的塵埃。作為清洗機構，可以用具有繞著與基板面平行的軸線旋轉、并且與基板面接觸的輥狀刷(PVA制)的清洗裝置，也可以使用具有繞著與基板面垂直的軸線旋轉、并且與基板面接觸的盤狀刷(PVA制)的清洗裝置。接著，將基板從傳送室518送入轉送室505，再不與大氣接觸地將基板從轉送室505送入傳送室502。 另外，為了消除收縮，最好在蒸鍍含有機化合物的膜之前進行真空加熱，將基板從傳送室502送入多級真空加熱室521，為了徹底除掉上述基板上所含的水分和其他氣體，在真空(5X ICT3Torr (O. 665Pa)以下,最好是ICT4 ICT6Torr)下進行用以去氣的退火。在多級真空加熱室521中用平板加熱器(典型的是包層加熱器)將多個基板均勻加熱。可以設置多個該平板加熱器，用平板加熱器夾住基板從兩面進行加熱，當然也可以從一面進行加熱。特別是使用有機樹脂膜作為層間絕緣膜或間壁的材料吋，由于有機樹脂材料容易吸附水分，還有可能發生去氣，所以在形成含有機化合物的層之前在100°C 250°C，最好是150°C 200V下，進行例如30分鐘以上的加熱，其后，進行30分鐘的自然冷卻，以除掉吸附的水分，進行這樣的真空加熱是有效的。另外，除上述真空加熱外，還可以ー邊在惰性氣體的氣氛中進行200°C 250°C的加熱，ー邊照射UV。另外，也可以不進行真空加熱，只進行如下的處理ー邊在惰性氣體的氣氛中進行200°c 250°C的加熱，ー邊照射UV。還有，如有必要，也可以在成膜室512中在大氣壓下或低壓下用噴墨法、旋轉涂敷法或噴涂法等形成由高分子材料構成的空穴注入層。另外，也可以在用噴墨法涂敷后利用旋轉涂敷機求得膜厚均勻。同樣，也可以在用噴涂法涂敷后利用旋轉涂敷機求得膜厚均勻。另外，也可以將基板直立放置在真空中用噴墨法成膜。例如，也可以在成膜室512中在第I電極(陽極)的整個面上涂敷起空穴注入層(陽極緩沖層)作用的聚(次こニ氧基噻吩)/聚(苯こ烯磺酸)水溶液(PED0T/PSS)、聚苯胺/樟腦磺酸水溶液(PANI/CSA)、PTPDES、Et-PTPDEK或PPBA等，并進行烘烤。烘烤時最好在多級加熱室523a、523b中進行。在借助于應用了旋轉涂敷等的涂敷法形成由高分子材料構成的空穴注入層(HIL)時，可以提高平坦性，使在其上形成的膜的覆蓋性和膜厚的均勻性良好。特別是由于發光層的膜厚均勻，所以可以得到均勻的發光。這時，最好在用涂敷法形成空穴注入層后，在用蒸鍍法進行成膜前，進行大氣壓下加熱或真空加熱(100 200°c )。例如可以在用海綿清洗第I電極(陽極)的表面后送入基板投入室520，傳送至成膜室512a，用旋轉涂敷法在整個面上涂敷聚(次こニ氧基噻吩)/聚(苯こ烯磺酸)水溶液(PED0T/PSS)形成60nm的膜厚，其后傳送至多級加熱室523a、523b，在80°C下進行10分鐘的預烘烤，在200°C下進行I小時的正式烘烤，再傳送至多級真空加熱室521，在蒸鍍前進行真空加熱(170°C，加熱30分鐘，冷卻30分鐘)，然后再傳送至空穴輸運層的成膜室506H、發光層的成膜室506RGB、電子輸運層的成膜室506E，不與大氣接觸地用蒸鍍法進行含有機化合物的層的形成。特別是在用ITO膜作為陽極材料、表面存在凹凸、微小粒子時，使PEDOT/PSS的膜厚在30nm以上可以降低其影響。另外，為了改善PED0T/PSS的浸潤性，最好在UV處理室531進行紫外線照射。另外，在用旋轉涂敷法將PED0T/PSS成膜時，由于在整個面上成膜，所以最好有選擇地去除基板的端面、邊緣部、端子部以及陰極與下部布線的連接區域等處的膜，最好在上述處理室503中使用掩模借助于O2灰化等有選擇地去除。在上述處理室503中具有等離子體發生裝置，借助于激發從Ar、H、F和O中選擇的一種或數種氣體使之產生等離子體來進行干法刻蝕。通過使用掩模可以有選擇地只將不要的部分除棹。另外，蒸鍍掩模存儲在掩模存儲室524a、524b中，在進行蒸鍍時恰當地將其傳送至各成膜室506H、506RGB、506E。當使用大型基板時，由于掩模面積大，所以固定掩模的框增大，難 以存儲很多塊，因此，這里預備了 2個掩模存儲室524a、524b。也可以在掩模存儲室524a、524b中進行蒸鍍掩模的清洗。另外，由于在蒸鍍時掩模存儲室是空的，所以也可以存儲成膜后或處理后的基板。接著，將基板從傳送室502傳送至轉送室507，再不與大氣接觸地將基板從轉送室507傳送至傳送室508。接著，恰當地向與傳送室508連結的各成膜室506H、506RGB、506E傳送基板，恰當地形成作為空穴輸運層、發光層、電子輸運層的、含由低分子構成的有機化合物的層。在空穴輸運層的成膜室506H和電子輸運層的成膜室506E中分別設置了用于將蒸鍍材料放在蒸鍍支架上的設置室526h、526e。另外，在發光層的成膜室506RGB中設置了 3個設置室526r、526g、526b，可以應用實施形態I的圖I所示的蒸鍍裝置。借助于利用掩模恰當地選擇作為發光層材料的EL材料，作為發光元件全體，可以形成發出3種顏色(具體地說，為R、G、B)的光的發光兀件。接著，利用設置在傳送室514內的傳送機構將基板傳送至成膜室510，形成陰極。該陰極最好是透明或半透明的，最好以借助于利用了電阻加熱的蒸鍍法形成的金屬薄膜(MgAg > Mg I η > CaF2 > L i F > CaN等的合金,或用共蒸鍍法形成屬于周期表中的I族或II族的元素和招的膜，或者它們的疊層膜)(Inm IOnm),或者上述金屬薄膜(Inm IOnm)與透明導電膜的疊層作為陰扱。另外，在將基板從傳送室508經由轉送室511傳送至傳送室514后，再傳送至成膜室509，用濺射法形成透明導電膜。用以上エ序形成了具有含有機化合物的層的疊層結構的發光元件。另外，也可以傳送至與傳送室514連結的成膜室513，形成由氮化硅膜或氮氧化硅膜構成的保護膜，進行密封。這里，在成膜室513內設置了由硅構成的靶，或由氧化硅構成的靶，或由氮化硅構成的靶。另外，可以相對于固定的基板移動棒狀的靶形成保護膜。也可以通過相對于固定的棒狀的靶移動基板以形成保護膜。例如，可以用由硅構成的圓盤狀的靶，借助于使成膜室的氣氛為氮氣氛或含氮和氬的氣氛，在陰極上形成氮化硅膜。另外，也可以形成以碳為主成分的薄膜(類金剛石碳膜(DLC膜)、碳納米管膜(CN膜)、無定形碳膜作為保護膜，也可以另外設置使用CVD法的成膜室。類金剛石碳膜(DLC)可以用等離子體CVD法(其代表有RF等離子體CVD法、微波CVD法、電子回旋共振(ECR) CVD法、熱絲CVD法等)、燃燒火焰法、濺射法、離子束蒸鍍法、激光蒸鍍法等形成。對成膜用的反應氣體使用氫氣和烴系氣體(例如CH4、C2H2, C6H6等)，利用輝光放電進行電離，對離子加速使其與施加了負的自偏壓的陰極碰撞以成膜。另外，對于碳納米管膜(CN膜)，可以用C4H4氣體和N2氣體作為反應氣體來形成。另外，類金剛石碳膜(DLC膜)、碳納米管膜(CN膜)是對可見光透明或半透明的絕緣膜。所謂對可見光透明是指可見光的透射率為80 100%，所謂對可見光半透明是指可見光的透射率為50 80%。另外，也可以取代上述保護層，在陰極上形成由第I無機絕緣膜、應カ減緩膜、第2無機絕緣膜的疊層構成的保護層。例如，可以在形成陰極后，傳送至成膜室513形成5nm 50nm的第I無機絕緣膜,傳送至成膜室513用蒸鍍法形成IOnm IOOnm的具有吸濕性和透明性的應カ減緩膜(無機層或有機化合物層等)，進而再次傳送至成膜室513形成5nm 50nm的第2無機絕緣膜。 接著，將形成有發光元件的基板傳送至密封室519。從外部將密封基板放入裝料室517進行準備。將密封基板從裝料室517傳送至傳送室527，如有需要，將干燥劑、光學膜(濾色片、偏振膜等)傳送至用于進行貼附的光學膜貼附室529。另外，也可以將預先貼附了光學膜(濾色片、偏振片等)的密封基板放入裝料室 517。另外，為了除掉密封基板中的水分等雜質，最好預先在多級加熱室516中進行退火。然后，當在密封基板上形成用于與設置了發光元件的基板進行貼合的密封材料時，經由轉送室542傳送至傳送室514，放入噴墨室515。用減壓下的噴墨裝置(或分配裝置)形成包圍像素部的第I密封材料，并滴下用于充填被第I密封材料包圍的區域的第2密封材料。噴墨室515的詳細說明已在上述實施形態2中示出，故這里省略其說明。另外，也可以借助于噴墨裝置用納米油墨等在由透明導電膜構成的陰極上還制作輔助布線。在需要烘烤吋，可以傳送至多級加熱室516進行加熱。然后，再將形成有密封材料的密封基板傳送至密封基板存儲室530。另外，這里示出了在密封基板上形成密封材料的例子，但并不作特別的限制，也可以在形成了發光元件的基板上形成密封材料。另外，也可以在密封基板存儲室530內存儲在蒸鍍時使用的蒸鍍掩模。另外，由于本實施例是制成兩面出光結構的情形，所以可以將密封基板傳送至光學膜貼附室529，在密封基板的內側貼附光學膜。或者將設置了發光元件的基板與密封基板貼合后傳送至光學膜貼附室529,在密封基板的外側貼附光學膜(濾色片或偏振片)。接著，在密封室519將基板與密封基板進行貼合，利用在密封室519中設置的紫外線照射機構對貼合后的ー對基板照射UV光，使密封材料固化。最好從未設置遮住了光的TFT的密封基板側照射紫外線。另外，這里，作為密封材料雖然使用了紫外線固化+熱固化樹脂，但只要是粘結材料都可以，沒有特別的限制，也可以采用僅用紫外線進行固化的固化樹脂等。在兩面出光型的場合，當從密封基板側照射紫外光吋，由于紫外線通過陰極，對含有機化合物的層造成損傷，所以最好不使用紫外線固化樹脂。因此，在本實施例的兩面出光型的情形，最好用熱固化的透明樹脂作為充填樹脂。接著，將貼合后的ー對基板從密封室519傳送至傳送室514，然后經由轉送室542從傳送室527傳送至取出室525并取出。另外，在從取出室525取出后進行加熱，使密封材料固化。在將面板結構制成上表面出光型，充填熱固化樹脂時，可以在使密封材料固化的加熱處理的同時進行固化。如上所述，利用圖4所示的制造裝置，由于在將發光元件完全封入密閉空間之前都不暴露在大氣中，所以可以制造可靠性高的發光裝置。另外，這里雖未圖示，但設置了控制將基板向各個處理室移動的路徑、實現全自動化的控制裝置。另外，本實施例可以自由地與實施形態I至4的任何ー個組合。
實施例2在本實施例中，在具有絕緣表面的基板上制作設置以有機化合物層為發光層的發光元件的發光裝置(兩面出光結構)的例子示于圖12A、12B。另外，圖12A是示出發光裝置的俯視圖，圖12B是沿A-A剖開圖12A的剖面圖。用虛線示出的1101是源信號線驅動電路，1102是像素部，1103是柵信號線驅動電路，它們都設置在基板1110上。另外，1104是透明的密封基板，1105是第I密封材料，被第I透明的密封材料1105包圍的內側用透明的第2密封材料1107充填。另外，在第I密封材料1105中含有用于保持基板間隔的間隙材料。另外，1108是用于傳送向源信號線驅動電路1101和柵信號線驅動電路1103輸入的信號的布線，接受來自作為外部輸入端子的FPC(柔型印刷電路)1109的視頻信號、時鐘信號。另外，這里雖然只示出了 FPC，但也可以在該FPC上安裝印刷布線盤(PWB)。另外，設置了覆蓋FPC 1109的樹脂1150。其次，利用圖12B說明剖面結構。雖然在透明基板1110上形成了各種驅動電路和像素部1102，但在這里作為驅動電路示出了源信號線驅動電路1101。另外，對于源信號線驅動電路1101，形成了將η溝道型TFT 1123和ρ溝道型TFT1124進行組合的CMOS電路。另外，也可以用形成驅動電路的TFT形成眾所周知的CMOS電路、PMOS電路或NMOS電路。另外，雖然在本實施例中示出了在基板上形成了驅動電路的驅動器一體型的結構，但這不一定是必須的，也可以不是在基板上，而是在外部形成。另外，不特別限定于用多晶硅膜或無定形硅膜作為有源層的TFT結構，可以是頂柵型TFT，也可以是底柵型TFT。另外，像素部1102由包含開關用TFT 1111、電流控制用TFT 1112及與其漏電進行連接的第I電極(陽極)1113的多個像素形成。作為電流控制用TFT 1112，可以是η溝道型TFT，也可以是ρ溝道型TFT，但是，當與陽極連接時，最好制成ρ溝道型TFT。另外，最好適當地設置保持電容器(未圖示)。還有，這里只示出了配置了眾多的像素之中的ー個像素的剖面結構，并且示出了對該ー個像素使用了 2個TFT的例子，但是，也可以適當地使用3個或3個以上的TFT。這里，為了形成第I電極(陽極)1113與TFT的漏直接相接的結構，最好將第I電極(陽極)1113的下層制成由硅構成的、與漏形成歐姆接觸的材料層，將與含有機化合物的層1115相接的最上層制成功函數大的材料層。例如使用透明導電膜(ΙΤ0(氧化銦氧化錫合金)、氧化銦氧化鋅合金(In2O3-ZnO)、氧化鋅(ZnO)等)。另外，在第I電極(陽極)1113的兩端形成絕緣物(也稱bank、間壁、阻擋層、圍堤等)1114。絕緣物1114可以用有機樹脂膜或含硅的絕緣膜形成。這里，作為絕緣物1114，用正型感光丙烯酸樹脂膜形成了圖12B所示形狀的絕緣物1114。為了使在其上形成的、含有機化合物的層1115的覆蓋性良好，對絕緣物1114的上端部或下端部形成具有曲率的曲面。例如，在作為絕緣物1114的材料，使用正型感光丙烯酸樹脂時，最好只對絕緣物1114的上端部形成具有曲率半徑(O. 2 μ m 3 μ m)的曲面。另夕卜，作為絕緣物1114，可以使用由于能引起感光的光的照射而在刻蝕劑中具有不溶解性的負型材料，或由于光照而在刻蝕劑中具有溶解性的正型材料的任何ー種。另外，也可以用由氮化鋁膜、氮氧化鋁 膜、以碳為主要成分的薄膜或氮化硅膜構成的保護膜覆蓋絕緣物1114。另外，利用蒸鍍法在第I電極(陽極)1113上有選擇地形成含有機化合物的層1115。在本實施例中，用實施形態2中示出的制造裝置將含有機化合物的層1115成膜，得到了均勻的膜厚。另外，在含有機化合物的層1115上形成第2電極(陰極)1116。作為陰扱，可以使用功函數小的材料(Al、Ag、Li、Ca，或者它們的合金MgAg、Mgln、AlLi、CaF2或CaN)。這里，作為第2電極(陰極)1116，使用了將膜厚減薄的金屬薄膜(MgAg :膜厚IOnm)和膜厚為IlOnm的透明導電膜(ΙΤ0 (氧化銦氧化錫合金)、氧化銦氧化鋅合金(In2O3-ZnO)、氧化鋅(ZnO)等)的疊層，以使所發的光可以透過。這樣，形成了由第I電極(陽極)1113、含有機化合物的層1115和第2電極(陰極)1116構成的發光元件1118。在本實施例中，作為含有機化合物的層1115，依次層疊了 CuPc (膜厚20nm)、α-NPD (膜厚30nm)、含以鉬為中心金屬的有機金屬絡合物(Pt (ppy) acac)的CBP (膜厚30nm)、BCP (膜厚20nm)、BCP: Li (膜厚40nm)，得到了白光發射。在本實施例中，由于是使發光元件1118發射白光的例子，所以設置了由著色層1131和遮光層(BM) 1132構成的濾色片(為簡單計這里未圖示外覆蓋層)。另外，在這樣的兩面發光顯示裝置中，為了防止背景透過來，設置了用于防止對外部光進行反射的光學膜1140、1141。作為光學膜1140、1141，可以適當地將下列膜組合使用偏振膜(高透射型偏振片、薄型偏振片、白偏振片、高性能染料系偏振片、AR偏振片等)、延遲膜(寬帶1/4λ片、溫度補償型延遲膜、扭曲延遲膜、寬視角延遲膜、雙軸取向延遲膜等)、亮度增強膜等。例如，如果使用偏振膜作為光學膜1140、1141，并使光的偏振方向相互正交地配置它們，則可以得到防止背景透過的效果和抗反射的效果。這時，除發光并進行顯示的部分外皆是黑的，從任何ー側觀看顯示，背景都不透過，即看不見背景。另外，來自發光面板的光由于只通過I片偏振片，所以可以原樣地顯示出來。另外，即使不使2塊偏振膜正交，只要光的偏振方向相互所成的角在±45°內，最好在±20°內，可以得到同樣的上述效果。借助于光學膜1140、1141，當人們從一面觀察時，可以防止因背景透過被看見而對顯示難以進行識別。另外，也可以再增加I塊光學膜。例如，雖然一方的偏振膜吸收了 S波(或P波)，但還可以在偏振片與發光面板之間設置使S波(或P波)向發光元件側反射而再生的亮度增強膜。其結果是通過偏振片的P波(或S波)增多，累計光量得到増加。在為兩面發光面板時，由于來自發光元件的光所通過的層的結構不同，所以發光狀態(亮度、色度等)不同，光學膜對于調節雙方的發光平衡是有用的。另外，在為兩面發光面板吋，由于對外部光的反射程度不同，所以最好對反射較多的面在偏振片與發光面板之間設置亮度增強膜。
另外，為了密封發光元件1118，形成了透明保護疊層1117。該透明保護疊層1117由第I無機絕緣膜、應カ減緩膜和第2無機絕緣膜的疊層構成。作為第I無機絕緣膜和第2無機絕緣膜可以使用由濺射法或CVD法得到的氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜(SiNO膜(組分比N > O)或SiNO膜(組分比N < O))或者以碳為主成分的薄膜(例如DLC膜、CN膜)。這些無機絕緣膜雖然對水分有好的阻擋效果，但膜厚加厚時膜應力増大，容易起皮或發生膜脫落。但是，借助于將應力減緩膜夾在第I無機絕緣膜與第2無機絕緣膜之間，既可以減緩應力，又能夠吸收水分。另外，即使在成膜時由于某種原因在第I無機絕緣膜上形成了微小的孔(針孔等)，通過用應カ減緩膜掩埋，再在其上設置第2無機絕緣膜，對水分、氧仍有極好的阻擋效果。另外，作為應カ減緩膜，最好用比無機絕緣膜的應カ小，且具有吸濕性的材料。最好是除此之外又具有透光性的材料。另外，作為應カ減緩膜可以使用含a -NPD (4，4’ - ニ [N-(萘)-N-苯基-氨基]聯 苯)、BCP (浴銅靈)、MTDATA (4，4’，4” -三(Ν-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)三苯基胺)、Alq3 (三-8-喹啉合鋁絡合物)等有機化合物的材料膜，這些材料膜具有吸濕性，當膜厚薄時基本上是透明的。另外，MgO, SrO2, SrO,由于具有吸濕性和透光性，可以用蒸鍍法得到薄膜，所以可以用作應カ減緩膜。在本實施例中，用在含氮和氬的氣氛中采用硅靶形成的膜，即對水分、堿金屬等雜質的阻擋效果好的氮化硅膜作為第I無機絕緣膜或第2無機絕緣膜，用由蒸鍍法得到的Alq3薄膜作為應カ減緩膜。另外，為了使所發的光通過透明保護疊層，最好盡量減薄透明保護疊層的總膜厚。為了密封發光元件1118，在惰性氣體的氣氛下用第I密封材料1105、第2密封材料1107貼合密封基板1104。還有，作為第I密封材料1105，最好用環氧系樹脂。另外，作為第2密封材料1107，只要是具有透光性的材料都可以，沒有特別的限定，作為代表，最好用紫外線固化或熱固化的環氧樹脂。這里，使用了折射率為I. 50，粘度為500cps，肖氏D硬度為90，抗拉強度為3000psi，Tg點為150°C，體電阻為I X IO16 Ω · cm，耐壓強度為450V/mil的高耐熱的UV環氧樹脂(ユレクトロラィト公司制2500Clear)。另外，通過將第2密封材料1107充填在ー對基板之間，與使ー對基板之間為空隙(惰性氣體)的情形相比，可以提高整體的透射率。另外，第I密封材料1105、第2密封材料1107最好是盡可能不透過水分、氧的材料。另外，在本實施例中，作為構成密封基板1104的材料，除玻璃基板、石英基板外，還可以使用由FRP (玻璃纖維增強塑料)、PVF(聚氟こ烯)、邁拉(ー種聚酯樹脂商品名)、聚酯或丙烯酸樹脂等構成的塑料基板。另外，也可以在用第I密封材料1105、第2密封材料1107將密封基板1104粘結后，再用第3密封材料覆蓋側面(露出面)進行密封。借助于如上所述地將發光元件封入第I密封材料1105、第2密封材料1107中，可以使發光元件與外部完全隔斷，防止水分、氧這些促使有機化合物層變壞的物質從外部侵入。因此，可以得到可靠性高的發光裝置。另外，在制作上表面出光型的發光裝置吋，第2電極(陽極)1116最好是具有反射性的金屬膜(鉻、氮化鈦等)。另外，在制作下表面出光型的發光裝置時，第I電極(陰極)1113最好用由Al、Ag、Li、Ca，或者它們的合金MgAg、Mgln、AlLi構成的金屬膜(膜厚50η 200nm)。另外，本實施例可以自由地與實施形態I至4、實施例I的任何ー個組合。實施例3
在本實施例中，利用圖13A 13G說明2個以上的具備顯示裝置的電子裝置的例子。實施本發明可以完成具備EL模塊的電子裝置。作為電子裝置可以列舉出電視攝像機、數碼相機、護目鏡型顯示器(頭載顯示器)、導航系統、音響播放裝置(卡式音響、組合音響等)、筆記本型個人計算機、游戲機、移動信息終端(移動計算機、移動電話、便攜式游戲機或電子圖書等)、具有記錄介質的圖像再生裝置(具體地說，具備可以再生數字通用盤(DVD)等的記錄介質、顯示其圖像的顯示器的裝置)等。圖13A是筆記本型個人計算機的斜視圖，圖13B是示出其折疊狀態的斜視圖。筆記本型個人計算機包含主機2201、框體2202、顯示部2203a和2203b、鍵盤2204、外部連接端ロ 2205、指向鼠標2206等。 圖13A和圖13B所示的筆記本型個人計算機具備主要對圖像進行全色顯示的高圖像品質的顯示部2203a和主要對文字、符號進行單色顯示的顯示部2203b。另外，圖13C是移動計算機的斜視圖，圖13D是示出其背面側的斜視圖。移動計算機包含主機2301、顯示部2302a和2302b、開關2303、操作鍵2304、紅外線端ロ 2305等。它具備主要對圖像進行全色顯示的高圖像品質的顯示部2302a和主要對文字、符號進行單色顯示的顯示部2302b。另外，圖13E是電視攝像機，它包含主機2601、顯示部2602、框體2603、外部連接端ロ 2604、遙控信號接收部2605、顯像部2606、電池2607、聲音輸入部2608、操作鍵2609等。顯示部2602是兩面發光面板，可以在ー個面主要對圖像進行全色顯示的高圖像品質的顯示，在另ー個面主要對文字、符號進行單色顯示。另外，顯示部2602可以在裝配部處旋轉。本發明可以應用于顯示部2602。另外，圖13F是移動電話的斜視圖，圖13G是示出其折疊狀態的斜視圖。移動電話包含主機2701、框體2702、顯示部2703a和2703b、聲音輸入部2704、聲音輸出部2705、操作鍵2706、外部連接端ロ 2707、天線2708等。圖13F和圖13G所不的移動電話具備王要對圖像進彳丁全色顯不的聞圖像品質的顯示部2703a和主要以區域色對文字、符號進行顯示的顯示部2203b。這時，在顯示部2703a可以使用濾色片，在顯示部2703b可以使用構成區域色的光學膜。另外，本實施例可以自由地與實施形態I至4、實施例I、實施例2的任何ー個組
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ロ ο實施例4圖16示出了用充電器2017對使用了本發明的顯示裝置的移動電話進行充電時的圖。圖16示出的是在將移動電話打開的狀態下從兩側發光的情形，但也可以是合攏的狀態。在發光面板4001的兩側設置了光學膜4002、4003。作為光學膜4002和4003可以適當地將下列膜組合使用偏振膜(高透射型偏振片、薄型偏振片、白偏振片、高性能染料系偏振片、AR偏振片等)、延遲膜(寬帶1/4λ片、溫度補償型延遲膜、扭曲延遲膜、寬視角延遲膜、雙軸取向延遲膜等)、亮度增強膜等。例如，如果使用偏振膜作為光學膜4002、4003，并使光的偏振方向相互正交地配置它們，則可以得到防止背景透過的效果和抗反射的效果。這時，除發光并進行顯示的部分外皆為黑的，從任何ー側觀看顯示，背景都不透過，即看不見背景。另外，來自發光面板的光由于只通過I片偏振片，所以可以原樣地顯示出來。若這樣地使用2片偏振片，光的透射率可以在5%以下，對比度可以達到100以上。一般說來，在使用了 FL發光元件的顯示裝置中，EL發光元件隨著時間的流逝而質量變差，亮度降低。特別是在一個像素ー個像素地配置EL發光元件的顯示裝置的場合，由于點亮頻度隨像素而異，所以變差的程度隨像素而不同。因此，點亮頻度越高的像素，變差得越嚴重，作為圖像長時間保留現象而降低圖像質量。因此，通常在非使用狀態下的充電等時候進行顯示，通過將使用頻度低的像素點亮，可以使圖像長時間保留現象變得不顯著。作為充電時的顯示內容，有全部點亮、使標準圖像(待接受的畫面等)的明暗反轉的圖像、檢測出使用頻度低的像素進行顯示的圖像等。 圖14是與圖16所示的移動電話對應的方框圖。通過CPU 2001取得檢測出已處于使用了充電器2017的充電狀態的信號，對顯示器控制器2004發出使顯示與上面所述對應的信號的指令，兩面發光顯示器2003發光。另外，除此信息外，還可以對CPU輸入根據合頁2016的開合由顯示選擇器2002決定在兩面發光顯示器2003的哪ー側的面上進行顯示的信息；從觸摸屏2010輸入至觸摸屏控制器2011的信息；涉及使用了話筒2012和揚聲器2013的聲音控制器2009的信息；以及來自鍵盤2015的信息等。CPU中具備通信電路2005、易失性存儲器2006、非易失性存儲器2007、外部接ロ 2008和HDD 2014等。圖15是形成上述的將標準信號(待接受的畫面等)的明暗反轉了的圖像的裝置的例子。利用開關2103將標準信號(待接受的畫面等)的數字視頻信號存儲在具有子存儲器2104_1 2104_4的存儲器A 2104、具有子存儲器2105_1 2105_4的存儲器B 2105的某ー個中。影像信號選擇開關2106的輸出信號被輸入至開關2107,可以選擇開關2106的信號或直接輸入到顯示器2101中，或反轉后輸入。可以在需要明暗反轉時進行反轉后輸入。該選擇由顯示器控制器2102進行。另外，在進行全部點亮時可以對顯示器2101輸入固定的電壓。這樣ー來，借助于在充電中進行可以抑制圖像長時間保留現象的發光，能夠抑制顯示的圖像質量變差。另外，本實施例可以自由地與實施形態I至4、實施例I至實施例3的任何ー個組
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ロ ο發明的效果按照本發明，可以實現具備作為借助于提高形成含有機化合物的層的材料的利用效率來降低制造成本，并且使含有機化合物的層的成膜均勻性和生產率良好的制造裝置之一的蒸鍍裝置的制造裝置。另外，在制作全色的發光裝置時，必須精密地進行發光層的有選擇的蒸鍍，但是借助于制成發光層的一部分可以重疊的結構，可以使間壁的尺寸進ー步縮小，可以使開ロ率提聞。
權利要求
1.ー種制造發光裝置的方法，包括 當移動蒸鍍源時在基板上形成包含有機化合物的層； 其中所述蒸鍍源包括第一容器和第二容器；以及 其中所述第一容器的開ロ的方向不同于所述第二容器的開ロ的方向。
2.如權利要求I所述的制造發光裝置的方法， 其中所述蒸鍍源在X方向、Y方向和Z方向中移動。
3.如權利要求I所述的制造發光裝置的方法， 其中所述蒸鍍源由機械臂來移動。
4.如權利要求I所述的制造發光裝置的方法，還包括 執行具有圖形開ロ的蒸鍍掩模和所述基板的對準。
5.如權利要求I所述的制造發光裝置的方法，還包括 在所述基板和所述層之間形成空穴輸運層；以及 在所述層上形成電子輸運層。
6.如權利要求I所述的制造發光裝置的方法， 其中所述第一容器的第一材料和所述第二容器的第二材料在獨立于彼此而調節的溫度中被加熱。
7.如權利要求I所述的制造發光裝置的方法， 其中所述基板和所述蒸鍍源之間的空間距離是30cm或更小。
8.如權利要求I所述的制造發光裝置的方法，還包括 通過使用所述第一容器和所述第二容器來執行共蒸鍍。
9.如權利要求I所述的制造發光裝置的方法， 其中所述第一容器和所述第二容器的開ロ是橢圓的。
10.ー種制造發光裝置的方法，包括 當移動第一蒸鍍源時在室中在基板上形成第一層； 當移動第二蒸鍍源時在所述室中在所述基板上形成第二層； 當移動第三蒸鍍源時在所述室中在所述基板上形成第三層； 其中所述第一蒸鍍源、所述第二蒸鍍源和所述第三蒸鍍源的至少ー個包括第一容器和第二容器，以及 其中所述第一容器的開ロ的方向不同于所述第二容器的開ロ的方向。
11.如權利要求10所述的制造發光裝置的方法， 其中所述第一蒸鍍源、所述第二蒸鍍源和所述第三蒸鍍源的至少ー個在X方向、Y方向和Z方向中移動。
12.如權利要求10所述的制造半導體裝置的方法， 其中所述第一蒸鍍源、所述第二蒸鍍源和所述第三蒸鍍源的至少ー個由機械臂來移動。
13.如權利要求10所述的制造發光裝置的方法，還包括 執行具有圖形開ロ的蒸鍍掩模和所述基板的對準。
14.如權利要求10所述的制造半導體裝置的方法，還包括 在所述基板和所述第一層之間形成空穴輸運層；以及在所述第一層、所述第二層和所述第三層上形成電子輸運層。
15.如權利要求10所述的制造半導體裝置的方法， 其中所述第一容器的第一材料和所述第二容器的第二材料在獨立于彼此而調節的溫度中被加熱。
16.如權利要求10所述的制造發光裝置的方法， 其中所述基板與所述第一蒸鍍源、所述第二蒸鍍源和所述第三蒸鍍源的至少ー個之間的空間距離是30cm或更小。
17.如權利要求10所述的制造發光裝置的方法，還包括 通過使用所述第一容器和所述第二容器來執行共蒸鍍。
18.如權利要求10所述的制造發光裝置的方法， 其中所述第一容器和所述第二容器的開ロ是橢圓的。
19.如權利要求10所述的制造發光裝置的方法， 其中所述第一層、所述第二層和所述第三層能夠發出ー種選自包括紅、綠、藍的組的顏色。
20.ー種制造發光裝置的方法，包括 當移動第一蒸鍍源時在室中在基板上形成第一層； 當移動第二蒸鍍源時在所述室中在所述基板上形成第二層，使得所述第二層與所述第ー層部分地重疊； 當移動第三蒸鍍源時在所述室中在所述基板上形成第三層，使得所述第三層與所述第ニ層部分地重疊； 其中所述第一蒸鍍源、所述第二蒸鍍源和所述第三蒸鍍源的至少ー個包括第一容器和第二容器；以及 其中所述第一容器的開ロ的方向不同于所述第二容器的開ロ的方向。
21.如權利要求20所述的制造發光裝置的方法， 其中所述第一蒸鍍源、所述第二蒸鍍源和所述第三蒸鍍源的至少ー個在X方向、Y方向和Z方向中移動。
22.如權利要求20所述的制造半導體裝置的方法， 其中所述第一蒸鍍源、所述第二蒸鍍源和所述第三蒸鍍源的至少ー個由機械臂來移動。
23.如權利要求20所述的制造發光裝置的方法，還包括 執行具有圖形開ロ的蒸鍍掩模和所述基板的對準。
24.如權利要求20所述的制造半導體裝置的方法，還包括 在所述基板和所述第一層之間形成空穴輸運層；以及 在所述第一層、所述第二層和所述第三層上形成電子輸運層。
25.如權利要求20所述的制造半導體裝置的方法，其中所述第一容器的第一材料和所述第二容器的第二材料在獨立于彼此而調節的溫度中被加熱。
26.如權利要求20所述的制造發光裝置的方法， 其中所述基板與所述第一蒸鍍源、所述第二蒸鍍源和所述第三蒸鍍源的至少ー個之間的空間距離是30cm或更小。
27.如權利要求20所述的制造發光裝置的方法，還包括 通過使用所述第一容器和所述第二容器來執行共蒸鍍。
28.如權利要求20所述的制造發光裝置的方法， 其中所述第一容器和所述第二容器的開ロ是橢圓的。
29.如權利要求20所述的制造發光裝置的方法， 其中所述第一層、所述第二層和所述第三層能夠發出ー種選自包括紅、綠、藍的組的顏色。
全文摘要
制造裝置和發光裝置。通過利用在1個室內具有3個蒸鍍源以及將它們的每一個進行移動的裝置的裝置，可以提高蒸鍍材料的利用效率。據此，可以降低制造成本，并且在使用大面積基板時，也能在整個基板上得到均勻的膜厚。
文檔編號C23C14/00GK102676998SQ20111039165
公開日2012年9月19日 申請日期2004年4月26日 優先權日2003年4月25日
發明者山崎舜平, 桑原秀明 申請人:株式會社半導體能源研究所