一種微合金工藝的制作方法
【專利摘要】本發明涉及一種微合金工藝，其特征在于，所述工藝步驟如下：打開合金爐，將合金爐的氣壓調整到45-55psi，將合金爐的溫度升至300℃，穩定10分鐘；將芯片放至載片臺上，將載片臺載入合金爐內；微合金過程如下：預熱1.5min→恒溫8min→爐口冷卻2.5min→爐外冷卻3min；合金完后，退出合金爐，將芯片取出。發明的有益效果是：本工藝通過對微合金的工藝進行改進，增加了微合金的穩定性，減少掉電極的現象，從而提高了產品的良率。
【專利說明】一種微合金工藝
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種微合金工藝，屬于光電子領域。
【背景技術】
[0002]微合金技術是LED生產過程中必不可少的工藝步驟，微合金工藝的優劣直接決定了 LED芯片電極的可靠性及牢固性，而目前由于微合金工藝存在的一些缺陷，導致微合金后批量出現掉電極等現象，造成生產成本的浪費。
【發明內容】
[0003]本發明針對現有技術存在的不足，提供一種微合金工藝。
本發明解決上述技術問題的技術方案如下:一種微合金工藝，其特征在于，所述工藝步驟如下:
Cl)打開合金爐，將合金爐的氣壓調整到45-55psi，將合金爐的溫度升至300°C，穩定10分鐘；
(2)將芯片放至載片臺上，將載片臺載入合金爐內；
(3)微合金過程如下:預熱1.5min —恒溫8min —爐口冷卻2.5min —爐外冷卻3min ；
(4)合金完后,退出合金爐,將芯片取出。
[0004]本發明的有益效果是:本工藝通過對微合金的工藝進行改進，增加了微合金的穩定性，減少掉電極的現象，從而提聞了廣品的良率。
【具體實施方式】
[0005]以下對本發明的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本發明，并非用于限定本發明的范圍。
[0006]一種微合金工藝，其特征在于，所述工藝步驟如下:
Cl)打開合金爐，將合金爐的氣壓調整到45-55psi，將合金爐的溫度升至300°C，穩定10分鐘；
(2)將芯片放至載片臺上，將載片臺載入合金爐內；
(3)微合金過程如下:預熱1.5min —恒溫8min —爐口冷卻2.5min —爐外冷卻3min ；
(4)合金完后,退出合金爐,將芯片取出。
[0007]以上所述僅為本發明的較佳實施例，并不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。
【權利要求】
1.一種微合金工藝，其特征在于，所述工藝步驟如下:打開合金爐，將合金爐的氣壓調整到45-55psi，將合金爐的溫度升至300°C，穩定10分 鐘；將芯片放至載片臺上，將載片臺載入合金爐內；微合金過程如下:預熱1.5min —恒溫8min —爐口冷卻2.5min —爐外冷卻3min ；合金完后，退出合金爐，將芯片取出。
【文檔編號】C23C10/00GK103811594SQ201210456755
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2012年11月15日 優先權日:2012年11月15日
【發明者】毛華軍 申請人:毛華軍