專利名稱：一種調整減反射膜厚度和折射率的方法
技術領域：
本發明涉及太陽能電池領域，尤其涉及一種調整減反射膜厚度和折射率的方法。
背景技術：
在目前的太陽能電池片的制作過程中，在硅片表面形成減反射膜為太陽能電池片制作過程中必不可少的一部分。硅片表面的減反射膜具有鈍化作用和減反射作用，此減反射膜的質量對太陽能電池的性能具有很大的影響。為了檢測減反射膜的質量，也即為了保證太陽能電池的性能，在形成減反射膜后，需要通過測量儀器，對形成的減反射膜的均勻性進行測試。所述均勻性與減反射膜的厚度和折射率有關，是通過STDVE函數反應減反射膜厚度和折射率標準差的一個數值，用以反 應減反射膜的厚度和折射率的均勻性。在生產實踐中，為了保證減反射膜的均勻性，通常在鍍膜過程中需要調整減反射膜的厚度和折射率。但是現有技術中的調整減反射膜的厚度和折射率的方法對減反射膜厚度和折射率的均勻性的調整有一定的局限性，從而影響成品太陽能電池片的質量。
發明內容
有鑒于此，本發明提供一種調整減反射膜厚度和折射率的方法，可以克服現有技術在調整減反射膜的厚度和折射率時的局限性，保證成品太陽能電池片的質量。為實現上述目的，本發明實施例提供了如下技術方案—種調整減反射膜厚度和折射率的方法，包括設置多個溫區；獲取各個溫區內已沉積完成的硅片表面減反射膜的厚度和折射率；根據所獲取的各個溫區內已沉積完成的硅片表面減反射膜的厚度和折射率，調整相應的各個溫區內當前待沉積硅片的加熱速率；在待沉積硅片表面形成減反射膜。優選的，所述獲取各個溫區內已沉積完成的硅片表面減反射膜的厚度和折射率包括分別在各個溫區內已沉積完成的硅片中選取樣本硅片；在每個樣本硅片表面選取多個樣本點；測量并記錄每個樣本硅片表面的多個樣本點處的減反射膜的厚度和折射率；根據測量所得的各樣本硅片樣本點處的減反射膜的厚度和折射率，分別計算并記錄每個樣本硅片表面的多個樣本點處的減反射膜的厚度平均值和折射率平均值，作為每個樣本硅片的減反射膜的厚度和折射率，即各個溫區內已沉積完成的硅片表面減反射膜的厚度和折射率。優選的，所述根據所獲取的各個溫區內已沉積完成的硅片表面減反射膜的厚度和折射率，調整相應的各個溫區內當前待沉積硅片的加熱速率包括分別將所獲取的各個溫區內已沉積完成的硅片表面減反射膜的厚度與預設厚度、所獲取的各個溫區內已沉積完成的硅片表面減反射膜的折射率與預設折射率進行比較；根據比較結果調整相應的各個溫區內的當前待沉積硅片的加熱速率。優選的，所述根據比較結果調整相應的各個溫區內的當前待沉積硅片的加熱速率包括當某個溫區內已沉積完成的硅片表面減反射膜的厚度大于預設厚度，且折射率小于預設折射率時，提高相應溫區內的待沉積硅片的加熱速率。 優選的，所述根據比較結果調整相應的各個溫區內的當前待沉積硅片的加熱速率包括當某個溫區內已沉積完成的硅片表面減反射膜的厚度小于預設厚度，且折射率大于預設折射率時，降低相應溫區內的待沉積硅片的加熱速率。優選的，所述調整減反射膜厚度和折射率的方法還包括測試各個溫區內已沉積完成的硅片表面減反射膜的厚度的均勻性和折射率的均勻性。優選的，所述測試各個溫區內已沉積完成的硅片表面減反射膜的厚度和折射率的均勻性包括分別在各個溫區已沉積完成的娃片中獲取樣本娃片；在每個樣本娃片表面選取多個樣本點；測量并記錄每個樣本硅片表面的多個樣本點處的減反射膜的厚度和折射率；計算所有樣本硅片表面的所有樣本點處的減反射膜的厚度標準差和折射率標準差；根據減反射膜的厚度標準差和折射率標準差，判斷各個溫區內已沉積完成的硅片表面減反射膜的厚度的均勻性和折射率的均勻性。 優選的，所述調整減反射膜厚度和折射率的方法應用于鏈式PECVD設備時，包括設置三個溫區，其中所述三個溫區包括第一溫區、第三溫區以及位于第一溫區和第三溫區之間的第二溫區；將硅片分為五組，分別放置于所述三個溫區，其中第一溫區和第三溫區分別對應有一組硅片、第二溫區對應有三組硅片；獲取各個溫區內已沉積完成的五組硅片表面減反射膜的厚度和折射率；根據所獲取的各個溫區內已沉積完成的各組硅片表面減反射膜的厚度和折射率，調整相應的各個溫區內當前待沉積的各組硅片的加熱速率；在待沉積硅片表面形成減反射膜。優選的，所述獲取各個溫區內已沉積完成的五組硅片表面減反射膜的厚度和折射率包括分別在三個溫區內已沉積完成的五組娃片內各取一個樣本娃片；在每個樣本娃片表面選取5個樣本點；測量并記錄每個樣本硅片表面的5個樣本點處的減反射膜的厚度和折射率；根據測量所得的每個樣本硅片表面的5個樣本點處的減反射膜的厚度和折射率，分別計算并記錄每個樣本硅片表面的5個樣本點處的減反射膜的厚度的平均值和折射率的平均值，作為每個樣本硅片的減反射膜的厚度和折射率，即各個溫區內已沉積完成的各組硅片表面減反射膜的厚度和折射率。與現有技術相比，本發明實施例具有以下優點本發明提供的調整減反射膜厚度和折射率的方法，通過利用加熱速率對減反射膜厚度和折射率的影響，可以實現調整減反射膜的膜厚增大的同時，減低減反射膜的折射率；或者實現調整減反射膜的膜厚減小的同時，增大減反射膜的折射率。以克服現有技術在調整減反射膜均勻性的過程中，只能實現減反射膜厚度增大(或減小)，折射率也只能同步增大(或減小)的局限性，保證了形成的減反射膜的厚度和折射率的均勻性，提高了成片太陽能電池片的質量。
為了更清楚地說明本發明實施例的技術方案，下面將對實施例所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1是本發明提供的一種調整減反射膜厚度和折射率的方法的流程示意圖2是本發明提供的獲取各個溫區內已沉積完成的硅片表面減反射膜的厚度和折射率的流程示意圖；圖3是本發明提供的根據所獲取的各個溫區內已沉積完成的硅片表面減反射膜的厚度和折射率，調整相應的各個溫區內當前待沉積硅片的加熱速率的流程示意圖；圖4是本發明提供的測試各個溫區內已沉積完成的硅片表面減反射膜的厚度的均勻性和折射率的均勻性的流程示意圖。
具體實施例方式正如背景技術部分所述，現有技術中的調整減反射膜厚度和折射率的方法對減反射膜的厚度和折射率的均勻性的調整有一定的局限性，從而影響成品太陽能 電池片的質量。發明人研究發現，形成上述問題的原因是，現有的調整減反射膜厚度和折射率的方法在增大(或減小)減反射膜厚度的同時，減反射膜的折射率也會相應增大(或減小)。因此，當減反射膜的厚度較預設厚度較大(或較小)的同時，減反射膜的折射率較預設折射率卻較小(或較大)時，現有的調整減反射膜厚度和折射率的方法就不再適用，也即現有的調整減反射膜厚度和折射率的方法對減反射膜厚度和折射率的均勻性的調整有一定的局限性。發明人還研究發現，現有的鍍膜過程中常用的方法為等離子體增強型化學氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,簡稱 PECVD),而對于鏈式 PECVD 設備，調整減反射膜的厚度和折射率的方法包括三種調整微波峰值、調整工藝壓力或者堵塞特氣管路上的相應小孔。在此三種方法中，調整微波峰值和調整工藝壓力的方法只能實現在保證特氣配比不變的情況下，使減反射膜的厚度和折射率成正比變化，即在應用調整微波峰值和調整工藝壓力的方法時，減反射膜的厚度變大，其折射率也會相應變大；而堵塞特氣管路上的相應小孔的方法則是通過調整特氣配比來實現膜厚和折射率的變化，此種方法屬于硬件上的改動，不僅會對管路造成不可逆的傷害，而且實現的減反射膜的厚度和折射率的變化也是呈正比變化的。而在實際的鏈式PECVD形成減反射膜的過程中，有時為了保證相同載片基板形成的每一批硅片良好的均勻性，需要對單個硅片表面的減反射膜的厚度和折射率做單獨調整。有時為了保證均勻性，在增大單個硅片的減反射膜的厚度的同時，卻需要降低它的折射率,此時傳統方法無法滿足要求。基于上述原因，本發明實施例提供了一種調整減反射膜厚度和折射率的方法，如圖1所示，包括以下步驟步驟SlOl :設置多個溫區。步驟S102 :獲取各個溫區內已沉積完成的硅片表面減反射膜的厚度和折射率。步驟S103 :根據所獲取的各個溫區內已沉積完成的硅片表面減反射膜的厚度和折射率，調整相應的各個溫區內當前待沉積硅片的加熱速率。步驟S104 :在待沉積硅片表面形成減反射膜。由以上所述可知，本發明提供的調整減反射膜厚度和折射率的方法，通過利用加熱速率對減反射膜厚度和折射率的影響，滿足在形成減反射膜過程中對減反射膜的均勻性的要求，保證了形成的減反射膜的厚度和折射率的均勻性，提高了成片太陽能電池片的質量。為使本發明的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發明的具體實施方式
做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節以便于充分理解本發明，但是本發明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發明內涵的情況下做類似推廣，因此本發明不受下面公開的具體實施例的限制。其次，本發明結合示意圖進行詳細描述，在詳述本發明實施例時，為便于說明，表示器件結構的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應限制本發明保護的范圍。此外，在實際制作中應包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。下面結合具體實施例對本發明實施例所提供的調整減反射膜厚度和折射率的方 法進行具體描述。需要說明的是，為了便于描述，以下實施例中的描述以鏈式PECVD設備為例，但是本發明提供的調整方法同樣適用于其他鍍膜設備，只要其應用了加熱速率對減反射膜的厚度和折射率的影響，達到增加減反射膜厚度的同時，減小減反射膜的折射率，或者減小減反射膜厚度的同時，增大減反射膜的折射率的目的，就在本發明的保護范圍之內。實施例一步驟S101，設置多個溫區。在本發明的實施例中，以本發明所提供的調整減反射膜厚度和折射率的方法應用于鏈式PECVD設備為例進行詳細描述，但本發明的應用范圍并不僅限于此。鏈式PECVD設備設置有三個溫區，包括第一溫區、第三溫區以及位于第一溫區和第三溫區之間的第二溫區。同時，放于鍍膜腔室的硅片分為五組，分別放置于所述三個溫區內，其中第一溫區和第三溫區分別對應有第一組硅片和第五組硅片、第二溫區對應有第二組硅片、第三組硅片和第四組硅片。步驟S102 :獲取各個溫區內已沉積完成的硅片表面減反射膜的厚度和折射率。當鏈式PECVD設備完成了一批硅片的減反射膜的沉積后，取出對應三個不同溫區的五組硅片，獲取五組硅片的厚度和折射率，如圖2所示，具體過程包括步驟S201 :分別在各個溫區內已沉積完成的硅片中獲取樣本硅片。在鏈式PECVD設備中，娃片的載體結構為5行5列的結構，即對應的五組娃片，每組硅片包括5個硅片。在選取樣本硅片時，分別在對應三個不同溫區的已完成減反射膜沉積的五組娃片內各隨機選取I個樣本娃片，共5個樣本娃片。步驟S202 :在每個樣本硅片表面選取多個樣本點。通過步驟S201選取的5個樣本硅片后，在每個樣本硅片表面選取5個樣本點。在選取的過程中，考慮到對減反射膜的覆蓋的全面性，優選的，在每個樣本硅片表面選取5個樣本點時，5個樣本點要均勻的分布在娃片表面。在本發明的一個實施例中，更優選在娃片表面的幾何中心選取I個點，在硅片的四個角各選取I點，選取的點具有一點的離散型，以保證后續對減反射膜的厚度和折射率的測量結構能準確反應減反射膜的厚度和折射率。需要說明的是，在每個樣本硅片表面選取樣本點的過程中，本發明并不限定樣本點的個數和樣本點的選取位置，只要能實現測量減反射膜的厚度和折射率的目的就屬于本發明的保護范圍。步驟S203 :測量并記錄每個樣本硅片表面的多個樣本點處的減反射膜的厚度和折射率。通過測量儀器測量并記錄每個樣本硅片表面的5個樣本點處的減反射膜的厚度和折射率。在測量和記錄的過程中，除了記錄每個樣本硅片表面的5個樣本點處的減反射膜的厚度和折射率，還要準確記錄每個樣本硅片各自對應的溫區位置，以便后續步驟的展開。步驟S204 :根據測量所得的各樣本硅片樣本點處的減反射膜的厚度和折射率，分別計算并記錄每個樣本硅片表面的多個樣本點處的減反射膜的厚度平均值和折射率平均值，作為每個樣本硅片的減反射膜的厚度和折射率，即各個溫區內已沉積完成的硅片表面減反射膜的厚度和折射率。 在本發明的一個實施例中，根據測量所得的每個樣本硅片表面的5個樣本點處的減反射膜的厚度和折射率，分別計算和記錄每個樣本硅片的減反射膜的厚度平均值和折射率平均值，也即對應記錄了各個溫區內形成的減反射膜的厚度和折射率。步驟S103 :根據所獲取的各個溫區內已沉積完成的硅片表面減反射膜的厚度和折射率，調整相應的各個溫區內當前待沉積硅片的加熱速率。當鏈式PECVD設備完成了一批硅片的減反射膜的沉積后，開始準備進行下一批硅片的減反射膜的沉積時，可以根據上一批已完成減反射膜沉積的硅片的相關數據，調整鏈式PECVD設備的各溫區的加熱速率，如圖3所示，具體過程包括步驟S301 :分別將所獲取的各個溫區內已沉積完成的硅片表面減反射膜的厚度與預設厚度、所獲取的各個溫區內已沉積完成的硅片表面減反射膜的折射率與預設折射率進行比較。根據步驟S102測量并計算獲得的各個溫區對應的各組硅片的減反射膜的厚度平均值和折射率平均值，分別與減反射膜的預設厚度和預設折射率進行比較，并記錄各組硅片的比較結果，此時的記錄也包括各組硅片與各個溫區的對應關系。步驟S302 :根據比較結果調整相應的各個溫區內的當前待沉積硅片的加熱速率。比較結果會出現多種情況，包括情況1:減反射膜的厚度的平均值大于預設厚度，折射率的平均值大于預設折射率；情況2 :減反射膜的厚度的平均值小于預設厚度，折射率的平均值小于預設折射率；情況3 :減反射膜的厚度的平均值大于預設厚度，折射率的平均值小于預設折射率；情況4 :減反射膜的厚度的平均值小于預設厚度，折射率的平均值大于預設折射率。對于情況I和情況2，現有技術是可以解決的，在此本發明不再贅述。而對于情況3和情況4，現有技術不能解決，需要根據本發明提供的方法進行調整解決。對應情況3，當某個溫區內已沉積完成的各組硅片的樣本硅片的減反射膜的厚度平均值大于減反射膜的預設厚度，且減反射膜的折射率平均值小于減反射膜的預設折射率時，提高相應溫區內的待沉積硅片的加熱速率。對應情況4，當某個溫區內已沉積完成的各組硅片的樣本硅片的減反射膜的厚度平均值小于減反射膜的預設厚度，且減反射膜的折射率平均值大于減反射膜的預設折射率時，降低相應溫區內的待沉積硅片的加熱速率。
步驟S104 :在待沉積硅片表面形成減反射膜。需要說明的是，在鏈式PECVD設備的生產實踐的過程中，發明人發現在所有鍍膜條件相同的情況下，由于鍍膜腔室內的特氣分布和腔室壓力分布等因素，鏈式PECVD的三個溫區中的靠近腔室邊緣的第一溫區和第三溫區內的硅片表面沉積的減反射膜的厚度和折射率容易與第二溫區內的硅片表面沉積的減反射膜的厚度和折射率存在較大差異，對同一批硅片整體均勻性的影響較為嚴重。更進一步地，情況3和情況4容易發生在第一溫區或者第三溫區，而由于第一溫區和第三溫區各自對應有一個加熱板，那么在調整加熱速率時，只需根據比較結果單獨調整第一溫區和/或第三溫區的加熱板的加熱速率即可提高同一批硅片整體的均勻性，從而無需對現有鏈式PECVD設備進行任何改造，使得本發明的實現方法簡單方便，且不會增加格外的成本。需要說明的是，雖然實踐證明在鏈式PECVD形成減反射膜的過程中，只有第一溫區和第三溫區容易出現情況3和情況4，但是并不排除在極少的情況下出現第二溫區內對應的三組硅片中的一組或者二組出現情況3和情況4。 故在本發明的另一實施例中，可以將鏈式PECVD設備改造為5個溫區，并且每個溫區分別對應有一個可以獨立調整加熱速率的加熱板，這樣無論哪個溫區內對應的一組硅片出現情況3或者情況4，本發明提供的方法均能順利實現。此外，本發明提供的調整減反射膜厚度和折射率的方法還包括測試各個溫區內已沉積完成的硅片表面減反射膜的厚度的均勻性和折射率的均勻性，如圖4所示，具體包括步驟S401 :分別在各個溫區已沉積完成的硅片中獲取樣本硅片。在鏈式PECVD設備中，娃片的載體結構為5行5列的結構，即對應的五組娃片，每組硅片包括5個硅片。在選取樣本硅片是，分別在對應三個不同溫區的已完成減反射膜沉積的五組娃片內各隨機選取I個樣本娃片，共5個樣本娃片。步驟S402 :在每個樣本硅片表面選取多個樣本點。通過步驟S401選取的5個樣本硅片，在每個樣本硅片表面選取5個樣本點。在選取的過程中，考慮到對減反射膜的覆蓋的全面性，優選的，在每個樣本硅片表面選取5個樣本點時，5個樣本點要均勻分布在娃片表面,在本發明的一個實施例中，更優選在娃片表面的幾何中心選取I個點，在硅片的四個角各選取I點，選取的點具有一定的離散型，以保證后續對減反射膜的厚度和折射率的測量結構能準確反應減反射膜的厚度和折射率。步驟S403 :測量并記錄每個樣本硅片表面的多個樣本點處的減反射膜的厚度和折射率。步驟S404 :計算所有樣本硅片表面的所有樣本點處的減反射膜的厚度標準差和折射率標準差。標準差采用STDEV函數計算，即基于樣本估算標準偏差。標準偏差反映的是數值相對于平均值的離散程度。STDEV的計算公式為ΙηΣ ~I_— (χ為樣本里I到η個數值)
\ η(η-\)步驟S405 :根據減反射膜的厚度標準差和折射率標準差，判斷各個溫區內已沉積完成的硅片表面減反射膜的厚度的均勻性和折射率的均勻性。所述均勻性的標準即為步驟S404內計算所得的各樣本點處的減反射膜的厚度標準差和折射率標準差，是反應減反射膜厚度均勻性和折射率均勻性的數值，數值越小，證明該批硅片表面沉積的減反射膜的厚度均勻性和折射率均勻性越好。所述均勻性的測試過程是在每一批硅片完成減反射膜的沉積后，對硅片表面沉積的減反射膜質量的檢驗過程，以保證成品太陽能電池片的質量。綜上所述，本發明提供的調整減反射膜厚度和折射率的方法克服了現有技術在調整減反射膜厚度和折射率時的局限性，可以在減反射膜的厚度需要減小(或增大)，而折射率卻需要增大(或減小)的情況下，同步調整減反射膜的厚度和折射率達到均勻性的要求，克服現有技術在調整減反射膜厚度和折射率要求方面的局限性，提高硅片表面減反射膜的均勻性，提高成片太陽能電池片的質量。實施例二
在本發明實施例中繼續以該方法應用于鏈式PECVD為例，對本發明所提供的調整減反射膜厚度和折射率的方法進行介紹。本發明提供的調整減反射膜厚度和折射率的方法是根據減反射膜的折射率與加熱速率成正比，減反射膜的厚度與加熱速率成反比的規律實現的。而在將減反射膜的折射率與加熱速率成正比，減反射膜的厚度與加熱速率成反比的規律投入實踐時，本案以鏈式PECVD設備為例進行說明。在本實施例中，共進行了四次減反射膜的鍍膜工藝。前兩次操作是在第一臺鏈式PECVD設備中進行，并且前兩次操作中除了第三溫區的加熱速率不同外，其他工藝條件完全相同；而后兩次操作是在第二臺鏈式PECVD設備中進行，并且后兩次操作中除了第二溫區的加熱速率不同外，其他工藝條件也是完全相同。并且前兩次操作的的加熱速率和工藝條件與后兩次操作的加熱速率和工藝條件是不同的。在本發明的一個實施例中，PECVD工藝的前提條件為微波功率為3300W ;工藝溫度為350攝氏度；工藝氣體流量為硅烷530SCCM、氨氣1830SCCM ;工藝壓力為3. Oe^mbar,并在所述PECVD設備中各個溫區的加熱輸出功率的百分百比值為30%-70%-40%的條件下，在各溫區內的硅片表面沉積減反射膜。沉積完成后，分別測量五組硅片的每個樣本硅片的五個樣本點的折射率平均值和厚度平均值如下表所示
權利要求
1.一種調整減反射膜厚度和折射率的方法，其特征在于，包括設置多個溫區；獲取各個溫區內已沉積完成的硅片表面減反射膜的厚度和折射率；根據所獲取的各個溫區內已沉積完成的硅片表面減反射膜的厚度和折射率，調整相應的各個溫區內當前待沉積硅片的加熱速率；在待沉積硅片表面形成減反射膜。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述獲取各個溫區內已沉積完成的硅片表面減反射膜的厚度和折射率包括分別在各個溫區內已沉積完成的硅片中選取樣本硅片；在每個樣本硅片表面選取多個樣本點；測量并記錄每個樣本硅片表面的多個樣本點處的減反射膜的厚度和折射率；根據測量所得的各樣本硅片樣本點處的減反射膜的厚度和折射率，分別計算并記錄每個樣本硅片表面的多個樣本點處的減反射膜的厚度平均值和折射率平均值，作為每個樣本硅片的減反射膜的厚度和折射率，即各個溫區內已沉積完成的硅片表面減反射膜的厚度和折射率。
3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述根據所獲取的各個溫區內已沉積完成的硅片表面減反射膜的厚度和折射率，調整相應的各個溫區內當前待沉積硅片的加熱速率包括分別將所獲取的各個溫區內已沉積完成的硅片表面減反射膜的厚度與預設厚度、所獲取的各個溫區內已沉積完成的硅片表面減反射膜的折射率與預設折射率進行比較；根據比較結果調整相應的各個溫區內的當前待沉積硅片的加熱速率。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述根據比較結果調整相應的各個溫區內的當前待沉積硅片的加熱速率包括當某個溫區內已沉積完成的硅片表面減反射膜的厚度大于預設厚度，且折射率小于預設折射率時，提高相應溫區內的待沉積硅片的加熱速率。
5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述根據比較結果調整相應的各個溫區內的當前待沉積硅片的加熱速率包括當某個溫區內已沉積完成的硅片表面減反射膜的厚度小于預設厚度，且折射率大于預設折射率時，降低相應溫區內的待沉積硅片的加熱速率。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括測試各個溫區內已沉積完成的硅片表面減反射膜的厚度和折射率的均勻性。
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述測試各個溫區內已沉積完成的硅片表面減反射膜的厚度的均勻性和折射率的均勻性包括分別在各個溫區已沉積完成的硅片中獲取樣本硅片；在每個樣本硅片表面選取多個樣本點；測量并記錄每個樣本硅片表面的多個樣本點處的減反射膜的厚度和折射率；計算所有樣本硅片表面的所有樣本點處的減反射膜的厚度標準差和折射率標準差；根據減反射膜的厚度標準差和折射率標準差，判斷各個溫區內已沉積完成的硅片表面減反射膜的厚度的均勻性和折射率的均勻性。
8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述調整減反射膜厚度和折射率的方法應用于鏈式PECVD設備時，包括設置三個溫區，其中所述三個溫區包括第一溫區、第三溫區以及位于第一溫區和第三溫區之間的第二溫區；將硅片分為五組，分別放置于所述三個溫區，其中第一溫區和第三溫區分別對應有一組硅片、第二溫區對應有三組硅片；獲取各個溫區內已沉積完成的五組硅片表面減反射膜的厚度和折射率；根據所獲取的各個溫區內已沉積完成的各組硅片表面減反射膜的厚度和折射率，調整相應的各個溫區內當前待沉積的各組硅片的加熱速率；在待沉積硅片表面形成減反射膜。
9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述獲取各個溫區內已沉積完成的五組硅片表面減反射膜的厚度和折射率包括分別在三個溫區內已沉積完成的五組硅片內各取一個樣本硅片；在每個樣本娃片表面選取5個樣本點；測量并記錄每個樣本硅片表面的5個樣本點處的減反射膜的厚度和折射率；根據測量所得的每個樣本硅片表面的5個樣本點處的減反射膜的厚度和折射率，分別計算并記錄每個樣本硅片表面的5個樣本點處的減反射膜的厚度的平均值和折射率的平均值，作為每個樣本硅片的減反射膜的厚度和折射率，即各個溫區內已沉積完成的各組硅片表面減反射膜的厚度和折射率。
全文摘要
本發明公開了一種調整減反射膜厚度和折射率的方法，包括設置多個溫區；獲取各個溫區內已沉積完成的硅片表面減反射膜的厚度和折射率；根據所獲取的各個溫區內已沉積完成的硅片表面減反射膜的厚度和折射率，調整相應的各個溫區內當前待沉積硅片的加熱速率；在待沉積硅片表面形成減反射膜。利用本發明提供的方法可以實現調整減反射膜的膜厚增大的同時，減低減反射膜的折射率；或者實現調整減反射膜的膜厚減小的同時，增大減反射膜的折射率。以克服現有技術在調整減反射膜均勻性的過程中的局限性，保證了形成的減反射膜的厚度和折射率的均勻性，提高了成片太陽能電池片的質量。
文檔編號C23C14/54GK103022260SQ201210590770
公開日2013年4月3日 申請日期2012年12月28日 優先權日2012年12月28日
發明者趙強 申請人:英利能源(中國)有限公司