專利名稱：一種冷卻進氣布局結構的制作方法
技術領域：
本發明屬于PECVD設備的冷卻技術領域，具體地說是一種冷卻進氣布局結構。
背景技術：
隨著經濟建設的快速發展，微電子技術得到了迅猛地發展，PECVD等離子體處理設備的開發和使用也日益廣泛。PECVD即為等離子體增強化學氣相沉積法，在化學氣相沉積時，為了使化學反應能在較低的溫度下進行，可以利用了等離子體的活性來促進反應，這種化學氣相沉積方法稱為等離子體增強化學氣相沉積法，實施該種加工方法的設備為PECVD設備。用于太陽能領域等薄膜沉積系統主要為大型平板式PECVD設備，一種典型的板式PECVD系統將多個太陽能電池片裝入載板中，將該載板傳輸至工藝腔內，預熱到設定溫度后，通入工藝氣體，設定功率離化工藝氣體產生等離子體，進而完成薄膜沉積。但是現有的大型平板式PECVD設備存在加熱溫度高，在PECVD機臺上沉積減反射層時反應溫度在350 450°C，每隔一定間隔需要進行更換石英管等維護工作，現在通常將上蓋打開進行冷卻，但是仍然需要3個小時以上，存在冷卻速度慢，維護周期長，嚴重影響產能等缺點。
發明內容
針對上述問題，本發明的目的在于提供一種冷卻進氣布局結構，該結構結構簡單、可以實現快速冷卻。為了實現上述目的，本發明采用以下技術方案一種冷卻進氣布局結構，包括真空腔體、法蘭、進氣法蘭槽及進氣管，其中真空腔體的底部設有法蘭，所述進氣管的一端穿過法蘭和真空腔體的底部插入真空腔體內，進氣管的另一端通過與法蘭連接的進氣法蘭槽固定于真空腔體的底部。所述進氣管位于真空腔體內部的端口對準真空腔體的側壁。所述進氣管位于真空腔體內部端口的軸心與真空腔體底部表面的距離為20mm。所述進氣管的材料采用金屬材料，直徑為O. 5英寸-1英寸。所述法蘭焊接于真空腔體的底部。所述冷卻進氣布局結構設置于真空腔體的底部四角。本發明的優點及有益效果是本發明采取改變空氣流動方式可以有效降低冷卻時間，有效縮短維護周期，提高產能。
圖1為本發明的結構示意圖。其中1為進氣法蘭槽，2為外焊法蘭，3為真空腔體，4為進氣管。
具體實施方式
下面結合附圖對本發明作進一步描述。如圖1所示，本發明包括真空腔體3、法蘭2、進氣法蘭槽I及進氣管4，其中真空腔體3的底部四角均焊接有法蘭2，各法蘭2處均設有進氣管4，進氣管4的一端穿過法蘭2和真空腔體3的底部插入真空腔體3內，進氣管4的另一端通過與法蘭2螺栓連接的進氣法蘭槽I固定于真空腔體3的底部。各進氣管4位于真空腔體3內的端口對準真空腔體3的側壁、并端口的軸心與真空腔體3底部表面的距離為20mm。該布局方式可以避免打開工藝腔體3的上蓋時，內部的氮化硅粉塵顆粒逸出真空腔體3，并可以有效降低溫度。進氣管4的材料采用金屬材料，進氣管4的直徑為O. 5英寸-1英寸，可接入液氮流量是10 201/min。本實施例進氣管4采用不銹鋼材料，直徑為O. 5英寸，可接入冷卻氮氣的流量為101/min。本實施例中法蘭與進氣法·蘭槽的型號為RF40。
權利要求
1.一種冷卻進氣布局結構，其特征在于包括真空腔體(3)、法蘭(2)、進氣法蘭槽(I)及進氣管(4)，其中真空腔體(3)的底部設有法蘭(2)，所述進氣管(4)的一端穿過法蘭(2)和真空腔體(3)的底部插入真空腔體(3)內，進氣管(4)的另一端通過與法蘭(2)連接的進氣法蘭槽(I)固定于真空腔體(3)的底部。
2.按權利要求1所述的冷卻進氣布局結構，其特征在于所述進氣管(4)位于真空腔體⑶內部的端口對準真空腔體⑶的側壁。
3.按權利要求2所述的冷卻進氣布局結構，其特征在于所述進氣管(4)位于真空腔體⑶內部端口的軸心與真空腔體⑶底部表面的距離為20mm。
4.按權利要求1所述的冷卻進氣布局結構，其特征在于所述進氣管(4)的材料采用金屬材料，直徑為O. 5英寸-1英寸。
5.按權利要求1所述的冷卻進氣布局結構，其特征在于所述法蘭(2)焊接于真空腔體⑶的底部。
6.按權利要求1-5任一項所述的冷卻進氣布局結構,其特征在于所述冷卻進氣布局結構設置于真空腔體(3)的底部四角。
全文摘要
本發明屬于PECVD設備的冷卻技術領域，具體地說是一種冷卻進氣布局結構。包括真空腔體、法蘭、進氣法蘭槽及進氣管，其中真空腔體的底部設有法蘭，所述進氣管的一端穿過法蘭和真空腔體的底部插入真空腔體內，進氣管的另一端通過與法蘭連接的進氣法蘭槽固定于真空腔體的底部。本發明采取改變空氣流動方式可以有效降低冷卻時間，有效縮短維護周期，提高產能。
文檔編號C23C16/44GK103046025SQ20121059083
公開日2013年4月17日 申請日期2012年12月29日 優先權日2012年12月29日
發明者雷震霖, 趙崇凌, 李士軍, 張健, 張冬, 洪克超, 徐寶利, 鐘福強, 陸濤, 許新, 王剛, 劉興, 張妍, 王學敏, 李松, 屈秋霞, 張締, 朱龍來, 徐浩宇, 趙科新, 閆用用 申請人:中國科學院沈陽科學儀器股份有限公司