一種掩模板及其制作方法
【專利摘要】本發明公開了一種掩模板，包括掩模板本體及形成在所述掩模板本體上的蒸鍍孔，所述蒸鍍孔貫穿所述掩模板本體，其特征在于：所述掩模板包括蒸鍍面和ITO面，在所述蒸鍍孔中心軸線所在的截面上，所述蒸鍍孔的邊緣線呈漏斗狀，所述蒸鍍面的蒸鍍孔的孔壁與所述掩模板本體的板面的夾角為30°～60°。本發明還提供了一種掩模板的制作方法，通過電鑄和激光切割混合工藝制作掩模板，通過電鑄工藝制作掩模板蒸鍍孔的精度高，通過激光切割工藝使蒸鍍面的蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體具有30°～60°的夾角，可有效地減小蒸鍍孔的孔壁對蒸鍍材料的遮擋，很好地解決了現有技術中蒸鍍孔開口精度不高以及蒸鍍孔孔壁對蒸鍍材料的遮擋的問題。
【專利說明】一種掩模板及其制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一掩模板及其制作方法，具體涉及一種OLED蒸鍍用掩模板及其制作方法。
【背景技術】
[0002]有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode ；0LED)顯示器具有自主發光、低電壓直流驅動、全固化、視角寬、顏色豐富等一系列的優點，與液晶顯示器相比，OLED顯示器不需要背光源，視角大，功率低，其響應速度可達到液晶顯示器的1000倍，其制造成本卻低于同等分辨率的液晶顯示器。因此，OLED顯示器具有廣闊的應用前景，逐漸成為未來20年成長最快的新型顯示技術。
[0003]制作有機發光二極管顯示器時需要用到蒸鍍用的掩模板，通常電鑄工藝制作掩模板的蒸鍍孔與掩模板板面垂直，蒸鍍孔的孔壁對蒸鍍材料產生遮蔽現象，如圖1所示，10為掩模板，11為蒸鍍孔，12為沉積基板，當鍍源材料發射路線與掩模板板面的角度小于δ時，蒸鍍孔11的孔壁就會對材料產生遮擋，致使有機材料層的厚度不均勻，從而影響蒸鍍質量。
[0004]而通過激光切割工藝制作掩模板時，切割蒸鍍孔具有一定的角度但蒸鍍孔的精度不高，同樣會影響到掩模板的質量。
[0005]本發明主要是針對以上問題提出一種掩模板及其制作方法，較好的解決以上所述問題。
【發明內容】
[0006]有鑒于此，本發明的主要目的在于提供一種掩模板及其制作方法，提高掩模板的蒸鍍孔的精度，減小蒸鍍孔的孔壁對蒸鍍材料的遮擋。
[0007]本發明提供一種掩模板，包括掩模板本體及形成在所述掩模板本體上的蒸鍍孔，所述蒸鍍孔貫穿所述掩模板本體，其特征在于:所述掩模板包括蒸鍍面和ITO面，在所述蒸鍍孔中心軸線所在的截面上，所述蒸鍍孔的邊緣線呈漏斗狀。
[0008]進一步地，蒸鍍面的蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體的板面的夾角為30°~60°。
[0009]進一步地，ITO面的蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體的板面垂直。
[0010]進一步地，ITO面的蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體的板面的夾角為60°~90°。
[0011]進一步地，掩模板蒸鍍面的厚度為10~50μπι。
[0012]進一步地，掩模板ITO面的厚度為2~30 μ m。
[0013]進一步地，掩模板的總厚度為12~80 μ m。
[0014]本發明還提供了一種制作上述所述掩模板的方法，包括電鑄步驟和激光切割步驟，其特征在于:
所述電鑄步驟形成所述掩模板本體以及形成在所述掩模板本體上的通孔，所述激光切割步驟切除所述掩模板蒸鍍面通孔的周邊區域，形成所述蒸鍍孔。[0015]進一步地，激光切割步驟中激光頭的激光發射路線與掩模板本體板面之間的夾角調整范圍為30°~60°。
[0016]進一步地，電鑄步驟中形成的掩模板本體的厚度為12~80 μ m，所述激光切割步驟中切除所述掩模板本體的厚度為2~30 μ m。
[0017]本發明的有益效果在于，通過本發明提供的掩模板及其制作方法，通過電鑄工藝制作掩模板蒸鍍孔的精度高，通過激光切割工藝使蒸鍍面的蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體具有30°~60°的夾角，通過電鑄步驟和激光切割步驟相結合形成的蒸鍍孔，可有效地減小蒸鍍孔的孔壁對蒸鍍材料的遮擋、提高蒸鍍孔的精度，很好地解決了現有技術中存在的問題。
[0018]本發明附加的方面和優點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發明的實踐了解到。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0019]本發明的上述和/或附加的方面和優點從下面結合附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
圖1所示為現有技術中利用掩模板蒸鍍有機材料的截面示意圖；
圖2所示為本發明提供的掩模板整體平面結構示意圖；
圖3所示為圖2中沿A-A方向的一種結構的截面示意圖；
圖4所示為圖2中沿A-A方向的另一種結構的截面示意圖；
圖5所示為本發明完成貼膜步驟的截面示意圖；` 圖6所示為本發明完成曝光步驟的截面示意圖；
圖7所示為本發明完成顯影步驟的截面示意圖；
圖8所示為本發明完成電鑄步驟的截面示意圖；
圖9所示為本發明完成剝離驟的截面放大示意圖；
圖10所示為本發明完成激光切割驟的截面放大示意圖；
圖1中，10為掩模板，11為蒸鍍孔，12為沉積基板，δ為蒸鍍源材料發射路線與掩模板板面的角度；
圖2中，20為掩模板整體，21為蒸鍍孔，22為掩模板本體，A-A為待解剖觀測方向；
圖3中，Θ蒸鍍面的蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體的板面的夾角，I為掩模板的ITO面，2為掩模板的蒸鍍面，t為掩模板的總厚度，tl為掩模板ITO面的厚度，t2為掩模板蒸鍍面的厚度；
圖4中，β為ITO面的蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體的板面的夾角；
圖5中，50為芯模，51為膜；
圖6中，60為曝光膜；
圖7中，70為露出的芯模區域；
圖9中，90為通孔；
圖10中，100為激光頭，α為中激光頭的激光發射路線與掩模板本體板面之間的夾角。
[0020]【具體實施方式】
[0021]下面將參照附圖來描述本發明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用于解釋本發明，而不能解釋為對本發明的限制。
[0022]根據本發明的實施例，參考圖2~圖4所示，提供了一種掩模板，包括掩模板本體22及形成在所述掩模板本體上的蒸鍍孔21，所述蒸鍍孔21貫穿所述掩模板本體22，其特征在于:所述掩模板20包括蒸鍍面(圖3中2代表蒸鍍面)和ITO面(圖3中I代表1TO面)，在所述蒸鍍孔21中心軸線所在的截面上，所述蒸鍍孔的邊緣線呈漏斗狀。
[0023]另外，根據本發明公開的一種掩模板還具有如下附加技術特征:
根據本發明的一些實施例，如圖3所示，蒸鍍面的蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體22的板面的夾角Θ為30°~60°。
[0024]根據本發明的一些實施例，如圖3所示，ITO面的蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體22的板面垂直。
[0025]根據本發明的一些實施例，如圖4所示，ITO面的蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體22的板面的夾角β為60°~90°。
[0026]根據本發明的一些實施例，如圖3所示，掩模板22蒸鍍面的厚度t2為10~50 μ m。
[0027]根據本發明的一些實施例，如圖3所示，掩模板ITO面的厚度tl為2~30μπι。
[0028]根據本發明的一些實施例，如圖3所示，掩模板的總厚度t為12~80 μ m。
`[0029]本發明還提供了一種制作上述所述掩模板的方法，如圖5~圖10所示，包括電鑄步驟和激光切割步驟，其特征在于:
所述電鑄步驟形成所述掩模板本體22以及形成在所述掩模板本體上的通孔90，所述激光切割步驟切除所述掩模板蒸鍍面通孔的周邊區域，形成所述蒸鍍孔21。
[0030]下面詳細描述掩模板制作方法的具體步驟，包括:
51、芯模貼膜步驟:如圖5所示，將膜51壓貼或涂覆到芯模50的一面；
52、曝光步驟:如圖6所示，將芯模50貼膜的一面按預設的曝光圖案進行曝光，形成曝光膜60和未曝光膜區域；
53、顯影步驟:如圖7所示，經顯影步驟去除未曝光膜區域的膜，使對應未曝光膜區域的芯模區域70露出，曝光膜60繼續保留；
54、電鑄步驟:如圖8所示，經電鑄步驟在露出的芯模區域70形成電鑄層22(電鑄層即為掩模板本體)，在曝光膜60區域形成通孔90 ；
55、后處理步驟:后處理步驟包括剝離步驟，經剝離步驟將電鑄層(即掩模板本體22)從芯模50上剝離下來,如圖9所示；
56、激光切割步驟:如圖10所示，通過激光切割步驟切除掩模板蒸鍍面通孔90的周邊區域，形成蒸鍍孔21。
[0031]另外，根據本發明公開的一種制作掩模板的方法還具有如下附加技術特征:
根據本發明的一些實施例，如圖10所示，激光切割步驟中激光頭100的激光發射路線
與掩模板本體22板面之間的夾角α調整范圍為30°~60°。
[0032]根據本發明的一些實施例，如圖8~圖9所示，電鑄步驟中形成的掩模板本體22的厚度t為12~80 μ m。[0033]根據本發明的一些實施例，如圖10所示，激光切割步驟中切除(切除掩模板蒸鍍面的通孔90的周邊區域)掩模板本體22的厚度t2為2~30 μ m。
[0034]本發明提供的掩模板及其制作方法，通過電鑄工藝制作掩模板蒸鍍孔21的精度高，通過激光切割工藝使蒸鍍面的蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體具有30°~60°的夾角，通過電鑄步驟和激光切割步驟相結合形成的蒸鍍孔21，可有效地減小蒸鍍孔的孔壁對蒸鍍材料的遮擋，很好地解決了現有技術中存在的問題。
[0035]盡管參照本發明的多個示意性實施例對本發明的【具體實施方式】進行了詳細的描述，但是必須理解，本領域技術人員可以設計出多種其他的改進和實施例，這些改進和實施例將落在本發明原理的精神和范圍之內。具體而言，在前述公開、附圖以及權利要求的范圍之內，可以在零部件和/或者從屬組合布局的布置方面作出合理的變型和改進，而不會脫離本發明的精神。除了零部件和/或布局方面的變型和改進，其范圍由所附權利要求及其等同物限定。`
【權利要求】
1.一種掩模板，包括掩模板本體及形成在所述掩模板本體上的蒸鍍孔，所述蒸鍍孔貫穿所述掩模板本體，其特征在于:所述掩模板包括蒸鍍面和ITO面，在所述蒸鍍孔中心軸線所在的截面上，所述蒸鍍孔的邊緣線呈漏斗狀。
2.根據權利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述蒸鍍面的蒸鍍孔的孔壁與所述掩模板本體的板面的夾角為30°~60°。
3.根據權利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述ITO面的蒸鍍孔的孔壁與所述掩模板本體的板面垂直。
4.根據權利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述ITO面的蒸鍍孔的孔壁與所述掩模板本體的板面的夾角為60°~90°。
5.根據權利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述掩模板蒸鍍面的厚度為10~50 μ m0
6.根據權利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述掩模板ITO面的厚度為2~30μ m。
7.根據權利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述掩模板的總厚度為12~80μπι。
8.一種制作權利要求1~7任意一項權利要求所述掩模板的方法，包括電鑄步驟和激光切割步驟，其特征在于: 所述電鑄步驟形成所述掩模板本體以及形成在所述掩模板本體上的通孔，所述激光切割步驟切除所述掩模板蒸鍍面通孔的周邊區域，形成所述蒸鍍孔。
9.根據權利要求8所述的制作掩模板的方法，其特征在于，所述激光切割步驟中激光頭的激光發射路線與所述掩模板本體板面之間的夾角調整范圍為30°~60°。
10.根據權利要求8所述的制作掩模板的方法，其特征在于，所述電鑄步驟中形成的所述掩模板本體的厚度為12~80 μ m，所述激光切割步驟中切除所述掩模板本體的厚度為2 ~30 μ m0
【文檔編號】C23C14/04GK103556112SQ201310523520
【公開日】2014年2月5日 申請日期:2013年10月30日 優先權日:2013年10月30日
【發明者】魏志凌, 高小平, 趙錄軍, 許鐳芳 申請人:昆山允升吉光電科技有限公司