生產設備和生產方法
【專利摘要】提供生產設備用于在箔(FO)上生產產品。該生產設備包括有潔凈室形成的沉積區(10)，其中排列至少第一和第二沉積設備(21，22)用于在箔上沉積一層材料。生產設備還包括至少一個加工設備(31)用于加工所述沉積的層，所述加工設備排列在所述沉積區以外并且包括具有遠離所述沉積區、朝向轉向設備(41)的第一路徑(31a)和從所述轉向設備回到所述沉積區的第二路徑(31b)的加工軌跡。
【專利說明】生產設備和生產方法
[0001]發明背景發明領域
[0002]本發明涉及生產設備。
[0003]本發明還涉及生產方法。
【背景技術】
[0004]卷對卷(roll to roll)工藝已經證明是非常有效的生產基于箔的產品的方式。這類產品的示例是光電子產品，如(O)Led、顯示板、電致變色裝置和光伏裝置。這類產品的其他示例是電池、有機電路等。這種卷對卷工藝通常包括對各種可能帶圖案的、功能性的層進行沉積和對這些層進行加工，例如固化或干燥。希望生產設備能夠易于配置成能夠生產不同的產品或一種產品的不同變種。也希望對于潔凈室設備的要求是適度的。為了促進新產品的快速開發，也希望當需要時可能通過添加元件來容易地擴大生產線并且不需要重新排列生產線上已有的配置。最后，對于更先進的產品(例如，對于第二代和第三代產品)，希望能夠易于向配置中添加額外的沉積和加工步驟。
[0005]注意到WO 2005/116552公開了用藥劑涂覆支持物膜的設備，尤其是用于生產具有透皮作用的石膏。該設備包括支持物膜的解繞工段，向支持物膜施涂液體或糊狀藥劑的施涂工段，用于對支持物膜上施涂的藥劑進行干燥的干燥工段和用于覆蓋支持物膜的繞卷工段。該裝置包括施涂模塊和相鄰排列的至少一個干燥模塊，從而施涂模塊含有解繞工段、施涂工段和繞卷工段，而線上的一個或幾個干燥模塊形成干燥工段。
【發明內容】
[0006]按照本發明的第一方面，提供了如權利要求1中所述的生產設備。在按照本發明的生產設備中，至少一個用于加工的加工設備被安排在沉積區之外。另外，加工設備包括具有遠離沉積區、并朝向轉向設備的第一路徑和從所述轉向設備回到所述沉積區的第二路徑的加工軌跡。以這種方式，至少第一和第二沉積設備可以在較緊湊的空間中互相靠近地放置。這促進了通過省略沉積設備中的一個或多個來適應生產工藝，當不使用沉積設備中的一個或多個時，箔不必被引導通過不需要的大距離。同樣，也能易于適應隨后的沉積步驟之間的加工軌跡的長度和組成，而不需要重新排列沉積設備，因為加工軌跡在與沉積步驟之后的軌跡的橫向方向上延伸。如果需要，可以易于通過添加一個或多個沉積和干燥設備來延伸生產設備。按照本發明的生產設備的可適應性質促進生產不同的產品和/或一種產品的不同變種。延伸干燥軌跡設備的長度的自由度促進了對加工速度的適應。如果需要較高的加工速度，可以自由地延伸加工長度，使得有效加工時間仍然足夠長以實現需要的加工效果。在生產設備的一個實施方式中，在加工軌跡中，具有沉積層的箔的一面朝上(上方)。這種配置的優勢是總是可以在背側上支持基材，防止由于重力而彎垂并且增強幅(web)的穩定性。
[0007]在按照第一方面的生產設備的實施方式中，沉積區是具有出口和入口的潔凈室，其中所述第一路徑導向遠離所述出口的第一方向并且從導向回到所述入口。
[0008]由于在沉積區中沉積設備的緊湊排列，限定沉積區的潔凈室可以較小。對于這類沉積設備，這促進了維持較嚴格的環境要求，使得潔凈室設備的要求是適度的。
[0009]按照本發明的第二方面，提供了如權利要求15中所述在箔上生產產品的方法。
[0010]注意到W002/31216A2描述了濺射涂覆設備，其至少包括第一濺射涂覆線和第二濺射涂覆線。在某些實施方式中，第一和第二濺射涂覆線可以互相平行地運行以獨立地形成涂覆系統和各自的涂覆制品。然而，可以采用這兩條涂覆線以互相串聯運行來形成一個涂覆制品。在后一種情況中，當希望采用互相串聯的這兩條涂覆線時，在第一條線的末端和第二條線的末端之間提供過渡區以選擇性地將第一條線的輸出和第二條線的輸入相連。W002/31216A2并沒有描述卷對卷生產設備，其包括在共同條件的空間內各種沉積工段的緊湊排列。
[0011]附圖簡要說明
[0012]參考附圖更詳細地描述了這些和其他方面。其中:
[0013]圖1顯示了非按照本發明的生產設備，
[0014]圖2顯示了按照本發明的生產設備的第一實施方式，
[0015]圖2A顯示了所述第一實施方式的實施方式中的細節，
[0016]圖3顯示了按照本發明的生產設備的第二實施方式，
[0017]圖3A顯示了更詳細地顯示了第二實施方式的部分，
[0018]圖3B顯示了圖3A的生產設備的重新排列，
[0019]圖4是沉積設備的一個實施方式的示意圖，
[0020]圖5是按照本發明的生產設備的第三實施方式的部分的示意圖，
[0021 ] 圖5A是按照圖5中的VA視圖的細節，
[0022]圖6顯示了按照本發明的生產設備的第四實施方式，
[0023]圖7顯示了按照本發明的生產設備的第五實施方式，
[0024]圖8顯示了按照本發明的第二方面的生產方法。
【具體實施方式】
[0025]除非另外說明，不同附圖中的相同附圖標記表示相同的元件。
[0026]在以下詳細描述中，為了提供對本發明的透徹理解，陳述了許多具體的細節。但是，本領域技術人員應理解的是，本發明可以在沒有這些具體細節的情況下實施。在其它情況中，為了不混淆本發明的各方面，沒有詳細描述眾所周知的方法、過程和組合物。
[0027]在此將參照附圖更完整地描述本發明，附圖中給出了本發明的實施方式。但是，本發明可以以許多不同的方式實施，不應被解讀成限定于在此提出的實施方式。相反，這些實施方式使得說明透徹而完整，能夠向本領域技術人員完全地展示本發明的范圍。在圖中，為了清晰起見，放大了層和區域的尺寸和相對尺寸。
[0028]本文所用的術語僅僅用來描述具體的實施方式，而不是用于限制本發明。如本文所用，單數形式的“一個”、“一種”和“該”也包括復數形式，除非上下文另有明確說明。還應當理解，在說明書中，術語“包含”和/或“包括”表示存在所述特征、整數、步驟、操作、元件和/或部件，但是并不排除存在或加入一種或多種其它的特征、整數、步驟、操作、元件、部件和/或其組合的情況。
[0029]而且，除非明確說明意思相反，否則“或”表示包含的或和不排除的或。例如，以下任何一個條件都滿足條件A或B:A為真(或存在)且B為假(或不存在),A為假(或不存在)且B為真(或存在)，以及A和B都為真(或存在)。
[0030]應理解當一個元件與另一個元件或層“偶聯”時，其可以直接與另外的元件偶聯或可以存在插入物。相反地，當描述一種元件與另一元件之間“直接相連”時，則不存在插入元件或層。
[0031]應當理解，盡管在本文中用術語第一、第二、第三等描述各種元件、部件或區域，但是這些元件、部件或區域不應受到這些術語的限制。這些術語僅用于區分一個元件、部件或區域與另一個區、層或區域。因此，下文討論的第一元件、部件、區域也可以記作第二元件、部件、區域，而不會背離本發明的內容。
[0032]在此參考截面說明描述本發明的實施方式，這些截面說明是本發明的理想化實施方式(和中間結構)的示意性說明。因此，可以考慮根據制造技術和/或容差而對所示的形狀進行變化。因此，本發明的實施方式不應理解為僅限于圖中所示的具體形狀，而是應該包括例如由于制造導致的形狀偏差。
[0033]除非另外定義，否則，本文中使用的所有術語(包括技術術語和科學術語)具有本發明所屬領域普通技術人員通常所理解的同樣含義。還應當理解，常用字典中定義的術語的含義應當理解為與其在相關領域中的定義一致，除非本文中有另外的表述，否則不應理解為理想化或者完全形式化的含義。本文中述及的所有出版物、專利申請、專利和其他參考文獻都通過引用全文納入本文。在抵觸的情況下，以本說明書(包括定義在內)為準。此夕卜，材料、方法和實施例都僅是說明性的，并不意在構成限制。
[0034]在下面的說明中，描述了本發明的實施例。為了比較，首先參考圖1描述了非按照本發明的生產。
[0035]以所有的生產步驟都在單個生產空間中進行的方式構建圖1所示的現有R2R(中試)系統。由于該生產通常包括要求高質量的潔凈室環境的沉積步驟，所以整個生產空間需要符合這一要求，這是昂貴的。在該示例中，生產空間的長度LO為50m，寬度WO為10m。在生產空間中，大量的卷對卷生產設備PU P2、P3、P4互相連接地排列。在該示例中，經過生產工藝的箔通過轉向設備Tl (例如，包括空氣浮軸承)從生產設備Pl導向生產設備P2、生產設備P3并且通過第二轉向設備T2導向生產設備P4。生產設備是例如第一沉積線Pl，用于水基沉積的第二沉積線P2，用于溶劑基沉積的第三沉積線P3和用于圖案化沉積的第四沉積線P4。沉積線P1-P4各自包括用于沉積層的沉積設備和例如用于對沉積的層進行固化或干燥的加工設備。
[0036]在圖1所示的R2R系統中，難以改變使用沉積線的組合。例如，如果需要使用沉積線Pl和P3，幅(箔)總是需要通過工藝P2，帶來額外的材料損失和另外的污染的風險。
[0037]如圖1所示的布局的另一個缺點在于，完整的沉積線必須位于潔凈室環境中(例如10.000級)。對于加工線，其具有4x50m的覆蓋面積，這變得非常昂貴。對于OLED和OPV裝置的加工，局部的潔凈水平必須好于1000級(可能甚至是100或10)。這只能通過對各R2R系統和系統之間各自連接進行封閉來實現。
[0038]圖2顯不了按照本發明的第一實施方式,在箔FO上生產產品的生產設備的第一實施方式。該生產設備包括沉積區10，其中排列至少第一和第二沉積設備21，22用于在箔FO上沉積一層材料。該生產設備還包括至少一個加工設備31用于加工沉積的層。在沉積區10以外的加工區60中排列加工設備31。
[0039]在所示的實施方式中，沉積區10定義為潔凈室，通過壁11與加工區分開。
[0040]加工設備31包括穿過潔凈室10的壁11遠離出口 I la、朝向轉向設備41的第一方向(-X)上的第一途徑31a的加工軌跡。加工設備31包括從所述轉向設備41返回朝向所述潔凈室的入口 Ilb的第二方向(+X)上的第二途徑31b。箔在第一再導向設備51a中被再導向為其原始方向的橫向方向，其原始方向是從沉積設備21朝向壁上的出口 11a。第二再導向設備51b將其原始方向的橫向方向上的箔從壁11上的入口 Ilb導向第二沉積設備。第一和/或第二沉積設備21，22包括沉積單元，例如印刷設備，如噴墨打印機、柔性版印刷機、凹版印刷機、膠印機、轉動絲網印刷機或涂覆設備，用于例如狹縫涂覆、模頭涂覆、吻合涂覆或噴涂。
[0041]在另一個實施方式中，沉積區10和加工區60并不在物理上分開，但是封閉于共同的潔凈室內。
[0042]加工設備用于通過沉積設備對沉積在箔上的層進行加工。加工設備的一般示例是干燥設備、燒結設備、退火設備、固化設備、融合設備和消融設備。這類加工設備通常引入(灰塵)顆粒。將這些設備排列在潔凈室外防止這些顆粒進入潔凈室。在具有遠離潔凈室朝向轉向設備的第一途徑31a和返回潔凈室10的第二部分31b的加工設備的排列中，加工設備延伸的方向(-X，x)相對于沉積突進延伸的方向(y)(即沿著排列沉積設備21，22的途徑)橫向。這使得可以根據需要容易地改變加工設備31的長度，而不需要改變沉積設備21，22的配置。此外，由于加工設備31排列在潔凈室10以外，潔凈室本身可以是緊湊的。為了防止灰塵從壁11以外的環境中進入潔凈室10，可以用外殼35包封加工設備31和/或出口 Ila和入口 Ilb可以去偶槽(decoupling slot)進行，如之前的申請W0/2011/028119中所述。在所示的實施方式中，轉向設備41與加工設備31 —起排列在外殼35內。
[0043]如圖2A所示，加工設備31可以由模塊31a、31b、...31n組成。干燥器設備可以由例如多個干燥器模塊組成，其各自具有1.5-2m的長度L31x。這使得干燥器易于適應之前的沉積過程所設定的要求。也可以在加工軌跡31中添加額外的加工設備，而不需要重新排列沉積設備21，22。
[0044]在所示的實施方式中，在加工室60中排列加工設備31。加工室60通常具有比潔凈室10的等級高至少10個等級的潔凈室等級。例如，在所示的實施方式中，潔凈室10的潔凈室等級為1000，而加工室60的等級為10000或更高。如上述，具有最嚴格的潔凈室等級的潔凈室10本身可以是緊湊的。
[0045]在一個實施方式中，潔凈室10的面積僅僅是潔凈室10和加工室60所占總面積的三分之一。例如，潔凈室10和加工室60各自具有10-40m的寬度W，而加工室具有20-40m的長度L60并且潔凈室10具有5-15m的長度LlO。例如，潔凈室10和加工室60各自具有20m的寬度W，而加工室具有30m的長度L60并且潔凈室10具有8m的長度L10。因此，潔凈室10的面積與總面積之比為約0.21。
[0046]可以易于用另外的沉積設備和加工設備來延伸具有兩個沉積設備21，22和單個加工設備31的圖2的排列。下一個加工設備可各自通過與圖2所示相似的再導向設備與沉積設備的輸出相連。同樣，下一個沉積設備可各自通過圖2所示的再導向設備51與加工設備的輸出相連。
[0047]圖3顯示了按照本發明的第二實施方式，在箔FO上生產產品的生產設備。其中與圖2中的那些對應的部分具有相同的附圖標記。
[0048]在這個情況中，四個沉積設備21-24排列在潔凈室10中。生產設備具有排列在所述潔凈室10以外的加工設備32，33用于加工沉積的層。另外的加工設備32具有遠離所述潔凈室10、朝向轉向設備42的第一方向上的第一途徑32a和從所述轉向設備回到所述潔凈室10的第二途徑32b。同樣，另外的加工設備33具有遠離所述潔凈室10、朝向轉向設備43的第一方向上的第一途徑33a和從所述轉向設備回到所述潔凈室10的第二途徑33b。
[0049]如圖4所示，例如沉積設備21可以另外包括除了用于以任選圖案化的層來沉積材料的沉積單元213之外的解繞單元211、第一清潔/比對單元212、后固化單元214、第二清潔/比對單元215和繞卷單元216。后固化單元使得能夠對例如OPV摻混物進行額外的固化，其可以導致PV電池的較高效能(性能)。在各沉積設備之前，需要比對設備以將箔再次校正到需要的位置(橫向)并且以這種方式防止后續的加工步驟之間的未對準。
[0050]生產設備還具有第一和第二再導向設備51a，b用于將箔從潔凈室10的入口 Ilb再導向到第二沉積設備22。在其從入口 Ilb到再導向設備51a,b的途徑上,可以將箔導向通過沉積設備的單元，例如后固化單元214或第二清潔/比對單元215。如圖3所示，生產設備還具有再導向設備52a，b用于將箔從潔凈室10的入口 12b再導向到另一個沉積設備23。
[0051]在所示的實施方式中，只向第一沉積設備21提供了繞卷單元211用于提供待加工的箔。箔，例如像PEN或PET的聚合物，可能已經通過清潔或施涂涂層等制備。只有最后的沉積設備23具有繞卷單元(216)用于繞卷箔。通常排列第一清潔/比對單元212用于在發生沉積之前清潔和/或比對箔。如果箔已經是干凈的，則可省略單元212，并且例如在沉積工藝是均勻沉積工藝的情況中不需要比對。
[0052]另外的潔凈室可以存在于例如潔凈室10的另一側，與加工區60相對用于另外的生產步驟，例如納米印刷和層疊的卷對卷生產步驟。另外的潔凈室可以具有比潔凈室10嚴格程度低的潔凈室等級，例如潔凈室等級比潔凈室10的等級高至少10倍。例如，與潔凈室的1000等級相比，另外的潔凈室可能具有10000的等級。
[0053]在所示的實施方式中，加工室60具有7-10m的高度，例如8m，同時潔凈室10和另外的潔凈室具有例如2.5-3m的正常高度。對于特定的加工裝置，如多邊形干燥器，加工室可能需要較大的高度。在圖3所示的實施方式中，如圖3A更詳細地顯示，生產設備包括潔凈室10中的第一子區10a，其中排列所有的沉積設備21-24，包括排列了至少第一和第二沉積設備21，22。在與第一子區1a分離的潔凈室10的第二子區1b中，排列了再導向設備51a、51b、52a、52b，包括排列了至少第一和第二再導向設備。
[0054]由于其更好地促進生產設備的再配置，該實施方式是特別有優勢的。例如，這通過參考圖3B來說明。由于在這種排列中，在與第一子區1a分離的第二子區1b中排列再導向設備，因此易于選擇沉積和加工設備的子集來得到特定的產品或一種產品的特定變種。例如，在圖3B所不的實施方式中，再導向設備將箔FO從沉積設備21的輸出直接再導向到沉積設備23，其中跳過沉積設備22和加工設備32。再導向設備51a、51b、52a、52b可以在例如沿著Z-方向延伸的導軌上可移動地排列。或者，再導向設備可移動地在Z-方向上連接或排列，使得它們可以從第二子區1b中箔FO的途徑中移出。
[0055]圖5更詳細地顯示了轉向設備41的實施方式。轉向設備41包括用于箔FO的第一和第二引導棒411,412。第一和第二引導棒411,412各自具有相對于第一方向31a傾斜的方向，并且第一和第二引導棒411,412為互相橫向排列。這種排列使得可以在較短的距離內將箔FO從第一途徑31a轉向第二途徑31b，同時防止與箔的涂覆面，即運載沉積的層的箔FO的一面相接觸。與涂覆面相反的箔的一面滑過引導棒的表面，或者引導棒設置有空氣浮軸承使得箔漂浮通過其表面。
[0056]在所示的實施方式中，轉向設備41包括對比設備413。對比設備413用相應的支持物束414，415使引導棒定位并且用其控制相對距離D，使其限定在箔的第一方向31a (-X)和第二方向31b(x)中的中線之間。在所示的實施方式中，加工設備31的第一和第二途徑31a，31b在小于20倍的距離D處互相平行排列。在更優選的實施方式中，距離D甚至可小于箔FO的寬度的10倍。
[0057]所不的實施方式包括再導向設備51,其具有再導向棒511和一對轉向棍512a, b,其中只有前者示于圖5。圖5中VA的側視圖示于圖5A。箔FO具有正面fol，其設置有由沉積設備21提供的(任選帶圖案的)層。箔隨后由再導向棒511從方向+y再導向為方向+Xo在再導向之后，箔的反面fo2朝上。箔FO隨后通過一對轉向棍512a,b再導向到-X方向，其為的沉積設備31的方向。由此，箔FO轉向使得其正面fol再次朝上，從而可以由支持輥318在其反面fo2支持箔。
[0058]在所不的實施方式中，再導向設備52也設置有對比設備523。再導向設備52包括引導棒521，其由一對支持束524支持，受到比對設備523的控制。在這種方式中，轉向設備41和再導向設備52也用作比對箔F0。例如，比對設備413，523各自包括用于感應箔的位置的位置傳感器，用于移動支持束414、415、524的致動器，和控制器，例如PID控制器，用于基于傳感器所得的數據來控制致動器。
[0059]如圖5A所示，再導向設備51的所有部分，即再導向棒511和轉向輥512a，b在其反面fo2上支持箔F0，由此防止與箔的涂覆面fol接觸。相似地，轉向設備的引導棒411、412在其反面fo2上支持箔F0。這也適用于支持輥318。除了額外的比對設備523，再導向設備52與再導向設備51相同。由此，在按照本發明的排列中實現了沿著整條加工軌跡避免與箔FO的涂覆的正面fol接觸。
[0060]圖6顯示了按照本發明的生產設備的第四實施方式。在圖6的實施方式中，生產設備在沉積區10的相對側上有加工區60。箔FO隨后被引導沿著沉積設備21、22、23、24、25通過加工設備31、32、33和34。離開沉積設備25后，箔FO被引導通過加工設備35到包裝設備80。
[0061]圖7顯示了按照本發明的生產設備的第五實施方式，其中加工設備包括加工區60，其以U-形在沉積區10周圍延伸。箔FO隨后被引導沿著沉積設備21、22、23、24、25、26、27通過加工設備31、32、33、34、35和36。離開沉積設備27后，箔FO引導通過加工設備37到包裝設備80。
[0062]圖8顯示了按照第二方面在箔上生產產品的方法。所述方法包括以下步驟:
[0063]-用第一沉積步驟在沉積區中在箔上沉積SI第一層，
[0064]-在沉積區外沿著遠離所述沉積區的第一方向上的第一路徑引導S2含有所述第一層的箔并且沿著朝向所述沉積區的第二路徑轉回，同時沿著第一和/或第二路徑對所述第一層進行加工S3,
[0065]-在轉到所述的沉積區后用第二沉積步驟在箔上沉積S4第二層。
[0066]在權利要求中，術語“包含”并不排除其它要素或步驟，不定冠詞“一種”或“一個”并不排除多個。單一部件或其它單元可實現如權利要求所述的幾項功能。權利要求中的任意參考文獻標記并不構成對范圍的限制。
【權利要求】
1.一種用于在箔(FO)上生產產品的生產設備，所述生產設備包括沉積區(10)，其中排列第一沉積設備(21)用于在所述箔上沉積材料層，所述生產設備還包括至少一個加工設備(31)用于加工所述沉積的層，所述加工設備排列在所述沉積區以外并且包括具有遠離所述沉積區、朝向轉向設備(41)的第一方向上的第一路徑(31a)和從所述轉向設備回到所述沉積區的第二路徑(31b)的加工軌跡，所述生產設備還包括再導向設備(51a，51b)用于在所述沉積區內對所述箔進行再導向，其中所述沉積區(10)是具有出口(Ila)和入口(Ilb)的潔凈室，其中所述第一路徑(31a)導向遠離所述出口(Ila)的第一方向并且帶回所述入口 (lib), 其特征在于，在所述沉積區至少排列第二沉積設備(22)，所述箔被引導沿著所述第一和所述至少第二沉積設備通過所述加工設備。
2.如權利要求1所述的生產設備，其特征在于，第一和第二再導向設備(51a,51b)對所述箔進行再導向，從而朝向所述至少第二沉積設備(22)的輸入。
3.如權利要求1所述的生產設備，其特征在于，所述沉積區包括第一子區(1a)和第二子區(10b)，其中所述第一子區中排列所述第一和所述至少第二沉積設備(21，22)并且所述第二子區中排列至少第一和第二再導向設備51a，51b，所述第二子區與所述第一子區分離。
4.如權利要求1所述的生產設備，所述生產設備包括互相一字排列的至少3個沉積設備(21、22、23、24)。
5.如權利要求1所述的生產設備，其特征在于，在所述箔(FO)寬度的至多20倍，優選至多10倍的距離⑶上互相平行排列所述加工設備(31)的第一和第二路徑(31a，31b)。
6.如權利要求1所述的生產設備，其特征在于，所述轉向設備(41)包括用于所述箔的第一和第二引導棒(411，412)，其各自具有與所述第一方向(-X)相傾斜的方向，并且所述第一和第二引導棒互相橫向排列。
7.如權利要求1所述的生產設備，其特征在于，所述轉向設備(41)和所述加工設備(31)有共同的外殼(35)。
8.如權利要求1所述的生產設備，所述生產設備包括比對設備(413;523)，其整合到轉向設備(41)和/或再導向設備(52)中。
9.如權利要求1所述的生產設備，其特征在于，所述至少一個加工設備(31)的軌跡由外殼(35)封閉，排列在加工室￠0)中，所述加工室的潔凈室等級比所述潔凈室(10)的等級高至少10倍。
10.如權利要求1所述的生產設備，其特征在于，所述第一和/或所述第二沉積設備(21，22)選自印刷設備和涂覆設備。
11.如權利要求1所述的生產設備，其特征在于，所述至少一個加工設備(31)選自干燥設備、燒結設備、退火設備、固化設備和融合設備、消融設備。
12.如權利要求1所述的生產設備，其特征在于，除了用于在所述箔(FO)上沉積層的沉積單元(213)以外，所述第一和所述第二沉積設備(21，22)中的一個或多個還包括解繞單元(211)、第一清潔/比對單元(212)、第一比對單元(212)、后固化單元(214)、檢查單元、第二清潔/比對單元(215)和繞卷單元(216)中的一種或多種。
13.如權利要求1所述的生產設備，其特征在于，在加工室￠0)中排列所述加工軌跡，并且其中所述潔凈室(10)的面積至多為所述潔凈室(10)和所述加工室￠0)所占總面積的三分之一。
14.如權利要求1所述的生產設備，其特征在于，所述轉向設備包括空氣浮軸承。
15.用于在箔上生產產品的方法，所述方法包括以下步驟: -用第一沉積步驟在成為潔凈室的沉積區中在所述箔上沉積(SI)第一層， -在所述沉積區外沿著遠離所述沉積區的第一方向上的第一路徑引導(S2)含有所述第一層的箔并且沿著朝向所述沉積區的第二路徑轉回，同時沿著所述第一和/或第二路徑對所述第一層進行加工(S3)， 其特征在于 -在轉到所述沉積區后用第二沉積步驟在所述箔上沉積(S4)第二層。
【文檔編號】C23C14/56GK104203433SQ201380014696
【公開日】2014年12月10日 申請日期:2013年2月6日 優先權日:2012年2月7日
【發明者】I·G·德弗里斯, H·A·J·M·安德生, A·朗根 申請人:荷蘭應用自然科學研究組織Tno