1.一種真空鍍膜設備，包括設置在真空腔室（10）中的靶材（11）、敲擊探頭（13）和樣品基片（12），所述靶材（11）與電源陰極相連，敲擊探頭（13）與電源陽極相連，樣品基片（12）與靶材（11）平行相對設置，所述敲擊探頭（13）位于靶材（11）與樣品基片（12）之間，所述敲擊探頭（13）往復運動設置，并敲擊靶材（11）表面，其特征在于：所述靶材（11）與敲擊探頭（13）相對轉動設置，使敲擊探頭（13）能夠沿靶材（11）圓周方向均勻敲擊靶材（11）表面。
2.根據權利要求1所述的真空鍍膜設備，其特征在于：所述靶材（11）安裝在一轉盤（14）上，所述轉盤（14）由驅動裝置驅動旋轉。
3.根據權利要求2所述的真空鍍膜設備，其特征在于：所述轉盤（14）內部設有冷卻水循環管路（15），冷卻水循環管路（15）的進水口和出水口設置在轉盤（14）的轉軸（16）上，所述進水口和出水口通過流體旋轉接頭與固定設置的供水管路連通。
4.根據權利要求2所述的真空鍍膜設備，其特征在于：所述靶材（11）內部設有冷卻水循環管路（15），冷卻水循環管路（15）的進水口和出水口連至轉盤（14）的轉軸（16）上，所述進水口和出水口通過流體旋轉接頭與固定設置的供水管路連通。
5.根據權利要求2所述的真空鍍膜設備，其特征在于：所述靶材（11）為金屬/合金材料時，靶材（11）連續轉動設置，且轉速為3-10r/min。
6.根據權利要求2所述的真空鍍膜設備，其特征在于：所述靶材（11）為石墨材料時，靶材（11）間歇式轉動設置，且每隔5s-20s轉動5°-10°，轉速為3-10r/min。