本發明涉及涂層領域，尤其涉及一種在機床刀具上使用的復合涂層，屬于機械領域。
背景技術：
硬質涂層主要是通過氣相沉積方法，在刀具基體上沉積的高硬度耐磨防護涂層。目前，硬質涂層已廣泛應用于鉆頭、絲錐、立銑刀、鉸刀、可轉位銑刀片、焊接刀具等的防護處理，以及模具、耐磨機械零部件等的表面處理領域。通常，這類涂層具有極高硬度、極高耐磨性，結合刀具基體的高強度、高韌性等優點，涂層處理可顯著提高刀具的耐磨性而不降低其韌性，賦予刀具優異的綜合機械性能，進而延長切削刀具使用壽命，大幅提高機械加工效率。此外，硬質涂層涂覆于零部件可以有效地降低各零部件的機械磨損及高溫氧化傾向，從而延長機械零部件的使用壽命，這些良好的綜合性能使得硬質涂層在工業材料尤其是刀具材料中有著重要的應用前景。
刀具涂層技術較好地解決了刀具材料硬度和耐磨性越高而韌性和強度越差的矛盾，大大提高了切削刀具的耐用度、適用性和工作效率。自涂層刀具被應用以來，刀具涂層技術取得了飛快的發展，涂層種類也越來越多。TiC和TiN體系是最早出現的刀具涂層材料。TiC涂層硬度高，但脆性大，不耐沖擊，使用溫度不能超過500℃。TiCN韌性好，使用溫度可達到600℃，也是目前工藝最為成熟和應用最為廣泛的刀具涂層材料，但涂層膜層結合力差。
技術實現要素：
為了解決上述問題，本發明設計了一種硬質合金，采用納米復合多層結構，以達到提高硬質合金的膜層結合力的發明目的。
為實現上述發明目的，本發明采取的技術方案如下：
本發明提供了一種涂層，所述涂層為一種多層納米復合涂層，包括過渡層和表涂層，其中表涂層為TiCN納米涂層；所述過渡層為Ti、TiC、TiN、或Ti/TiN納米層；其中過渡層厚度為100-200nm，表涂層為600-800nm。
本發明還提供了制備上述納米復合涂層的方法,采用多靶位、靶材基座能旋轉選擇工作靶材的濺射設備；
襯底采用單晶硅片、玻璃片或鋼片；先對襯底進行處理，將襯底分別在丙酮和乙醇中各超聲清洗20min，烘干；
將襯底固定于濺射設備的樣品架上置于濺射靶前，安裝靶材于靶位上，靶基距為16cm；腔體溫度加熱至300℃，抽真空至4.0×10-3Pa以下，通入氣壓為1.0Pa的Ar氣，基體偏壓-350V，對襯底進行輝光刻蝕25min；
開啟高功率脈沖電源沉積過渡層，膜層為100-200nm；
最后，通入N2，流量20sccm，保持腔體氣壓0.35Pa，調整偏壓-50--300V，頻率為350kHz，，沉積TiCN涂層，采用脈沖濺射，脈沖電壓700V，脈寬180μs，頻率100Hz，靶功率850W；沉積時間為80-100min，膜層厚度600-700nm。
本發明的有益效果：本發明提供的納米合金復合涂層，其多層納米結構的設計使得本涂層綜合具有膜基結合力強、涂層致密的優點，從而達到高硬度、高韌性、高耐磨和高溫抗氧化性等涂層優點。
具體實施方式
下面結合具體實施例對本發明的進一步說明。采用的沉積系統為的腔體尺寸：Φ800×800mm；真空可低于1×10-5torr；加熱溫度可達500℃；氣體流量0-100sccm；濺射靶基座：：可承載2個濺射靶材的轉盤，可旋轉。
實施例1
襯底采用P型(100)單晶硅片、玻璃片、鋼片；對襯底進行處理，將襯底分別在丙酮和乙醇中各超聲清洗20min，烘干；
將襯底固定于濺射設備的樣品架上置于濺射靶前，靶材為合金靶靶TiC，靶基距為16cm；腔體溫度加熱至300℃，抽真空至4.0×10-3Pa以下，通入氣壓為1.0Pa的Ar氣，基體偏壓-350V，對襯底進行輝光刻蝕25min；
開啟高功率脈沖電源沉積TiC過渡層，膜層約200nm；
最后，通入N2，流量20sccm，保持腔體氣壓0.35Pa，調整偏壓-50--300V，頻率為350kHz，脈沖反轉時間為2μs，沉積TiCN涂層，采用脈沖濺射，脈沖電壓700V，脈寬180μs，頻率100Hz，耦合直流電流1.0A，靶功率850W；沉積時間為80-100min，膜層厚度600-700nm。
實施例2
襯底采用鋼片；對襯底進行處理，將襯底分別在丙酮和乙醇中各超聲清洗20min，烘干；
將襯底固定于濺射設備的樣品架上置于濺射靶前，將靶材純金屬靶Ti和合金靶TiC分別安裝在靶材基座上的兩個不同靶位上，靶基距為16cm；
腔體溫度加熱至300℃，抽真空至3.0×10-3Pa以下，通入氣壓為1.0Pa的Ar氣，基體偏壓-300V，對襯底進行輝光刻蝕20min；去除襯底表面的雜質及氧化層；
將Ti靶置于工作位置，開啟高功率脈沖電源沉積Ti過渡層，膜層約200nm；
最后，旋轉靶材基座，將TiC靶置于工作位置；通入N2，流量20sccm，保持腔體氣壓0.35Pa，調整偏壓-300V，頻率為350kHz，脈沖反轉時間為2μs，沉積TiCN涂層采用脈沖濺射，脈沖電壓700V，脈寬200μs，頻率100Hz，耦合直流電流1.0A，靶功率850W；沉積時間為100-120min，膜層厚度約700-800nm。
實施例3
襯底采用玻璃片；對襯底進行處理，將襯底分別在丙酮和乙醇中各超聲清洗20min，烘干；
將襯底固定于濺射設備的樣品架上置于濺射靶前，將靶材純金屬靶Ti和合金靶TiC分別安裝在靶材基座上的兩個不同靶位上，靶基距為16cm；
腔體溫度加熱至300℃，抽真空至4.0×10-3Pa以下，通入氣壓為1.0Pa的Ar氣，基體偏壓-300V，對襯底進行輝光刻蝕20min；去除襯底表面的雜質及氧化層；
將Ti靶置于工作位置，通入N2，流量10sccm，保持腔體氣壓0.35Pa，開啟高功率脈沖電源，脈沖負偏壓-300V，頻率為350KHz，沉積TiN過渡層，膜層約200nm；
最后，旋轉靶材基座，將TiC靶置于工作位置；通入N2，流量20sccm，保持腔體氣壓0.35Pa，調整偏壓-300V，頻率為350kHz，脈沖反轉時間為2μs，沉積TiCN涂層采用脈沖濺射，脈沖電壓700V，脈寬200μs，頻率100Hz，耦合直流電流1.0A，靶功率850W；沉積時間為80-120min，膜層厚度約600-800nm。
實施例4
襯底采用鋼片；對襯底進行處理，將襯底分別在丙酮和乙醇中各超聲清洗20min，烘干；
將襯底固定于濺射設備的樣品架上置于濺射靶前，將靶材純金屬靶Ti和合金靶TiC分別安裝在靶材基座上的兩個不同靶位上，靶基距為16cm；
腔體溫度加熱至300℃，抽真空至3.0×10-3Pa以下，通入氣壓為1.0Pa的Ar氣，基體偏壓-300V，對襯底進行輝光刻蝕20min；去除襯底表面的雜質及氧化層；
將Ti靶置于工作位置，開啟高功率脈沖電源沉積Ti過渡層，膜層約100nm；之后通入N2，流量10sccm，保持腔體氣壓0.35Pa，開啟高功率脈沖電源，脈沖負偏壓-300V，頻率為350KHz，沉積TiN過渡層，膜層約100nm；
最后，旋轉靶材基座，將TiC靶置于工作位置；通入N2，流量20sccm，保持腔體氣壓0.35Pa，調整偏壓-300V，頻率為350kHz，脈沖反轉時間為2μs，沉積TiCN涂層采用脈沖濺射，脈沖電壓700V，脈寬200μs，頻率100Hz，耦合直流電流1.0A，靶功率850W；沉積時間為120min，膜層厚度約700-800nm。
最后要說明的是，以上所述僅為本發明的優選實施例而已，并不用于限制本發明。對于本領域的技術人員，依然可以參照本發明各實施例所記載的技術方案進行修改、等同替換。凡在本發明的精神或原則之內所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。