硅外延反應腔用梯形基座的制作方法

本發明涉及化學氣相沉積用設備技術領域，尤其涉及一種硅外延反應腔用梯形基座。

背景技術：

桶式反應腔（如圖1所示）中硅片貼附在梯形基座表面，硅片中心位置與邊緣位置距鐘罩距離不同，中心位置遠，邊緣位置近，造成硅片左右位置接觸氣流面積大，形成邊緣生長速率比中心快，所以在相同工藝條件下，邊緣厚度比中心厚度厚。厚度作為外延層質量重要控制參數，直接影響到電特性、VDMOS導通電阻、肖特基二極管正向壓降等關鍵參數一致性。

技術實現要素：

本發明所要解決的技術問題是提供一種硅外延反應腔用梯形基座附屬掛件，通過使用具有所述基座的反應腔，能夠改變反應腔室結構造成的硅片外延層左右位置厚度偏大趨勢，改善片內厚度形貌、提高片內厚度一致性。

為解決上述技術問題，本發明所采取的技術方案是：一種硅外延反應腔用梯形基座，包括梯形基座本體，所述梯形基座本體為筒狀多面體結構，所述基座本體的每個側面上從上到下設有硅片放置槽，其特征在于：所述基座本體相鄰兩個側面的連接面上設有檔條。

進一步的技術方案在于：所述檔條設有兩根，沿所述連接面的上、下方向設置。

進一步的技術方案在于：每個連接面上的兩根檔條之間設有空隙。

進一步的技術方案在于：所述檔條的橫截面為長方形。

進一步的技術方案在于：所述硅片放置槽設有兩個。

進一步的技術方案在于：所述兩個硅片放置槽靠近所述基座本體的下側設置。

采用上述技術方案所產生的有益效果在于：通過在所述基座本體相鄰兩個側面的連接面上設置檔條，阻擋部分氣流，使得能夠改變反應腔室結構造成的硅片外延層左右位置厚度偏大趨勢，改善片內厚度形貌、提高片內厚度一致性。

附圖說明

圖1是現有技術中所述桶式反應腔的結構示意圖；

圖2是本發明實施例所述基座的立體結構示意圖；

其中：1、梯形基座本體2、硅片放置槽3、檔條。

具體實施方式

下面結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

在下面的描述中闡述了很多具體細節以便于充分理解本發明，但是本發明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發明內涵的情況下做類似推廣，因此本發明不受下面公開的具體實施例的限制。

如圖2所示，本發明實施例公開了一種硅外延反應腔用梯形基座，包括梯形基座本體1，所述梯形基座本體1為筒狀多面體結構，所述基座本體的每個側面上從上到下設有硅片放置槽2，需要說明的是，以上技術方案是現有技術，在此不做贅述。

本發明不用于現有技術之處在于：所述基座本體相鄰兩個側面的連接面上設有檔條3。優選的，如圖2所示，所述檔條3設有兩根，沿所述連接面的上、下方向設置。進一步的，每個連接面上的兩根檔條3之間設有空隙，用于使部分氣流通過。需要說明的是，所述檔條的個數還可以是三根或三根以上，同樣的檔條之間設置空隙，用于使部分氣流通過。

優選的，所述檔條3的橫截面可以為正方形，當然還可以為其它形狀（本發明在于掛條寬度不同影響厚度均勻性趨勢不同，本發明通過實驗確定最佳掛條寬度）。而所述硅片放置槽2靠近所述基座本體的下側設置，且優選設有兩個，當然還可以為其它個數。

通過在所述基座本體相鄰兩個側面的連接面上設置檔條，阻擋部分氣流，使得能夠改變反應腔室結構造成的硅片外延層左右位置厚度偏大趨勢，改善片內厚度形貌、提高片內厚度一致性。