一種貴金屬防氧化膜的真空鍍膜方法及貴金屬鍍膜制品與流程

本發明涉及真空鍍膜技術領域，具體涉及一種貴金屬防氧化膜的真空鍍膜方法。

背景技術：

貴金屬主要包括金、銀、鉑等等，特別的金屬銀作為貴金屬，具備觀賞性色澤，廣泛的應用于珠寶飾品，裝飾和電子行業。雖然金屬銀對化學試劑的抵抗力相當大，在一般條件下不易引起化學反應，但是在長期的使用過程中，金屬銀還是會跟空氣中的氧氣和硫化物進行反應，使得表面呈現出黑色的外觀，影響了銀制品的觀賞性。

目前貴金屬表面抗氧化防護主要包括兩種:

第一種，在金屬表面通過貼合的形式在表面覆蓋一層透明的塑料薄膜，有效地隔絕外界灰塵和氧化氣體對金屬表面的反應，起到保護的效果；

第二種，在基材表面涂覆硅烷液體，在uv光源或者電子槍的作用下，在金屬表面均勻的生產微米級的透明氧化硅保護膜，同樣也能夠達到貴金屬表面防氧化的效果。

當貴金屬表面出現氧化層或者難以去除的污漬，需要采用研磨的方法對表面進行拋光以保持其金屬光澤，但是機械拋光往往會造成金屬重量的減輕。透明塑料薄膜的包裹不能很好的覆蓋異形貴金屬表面；而表面涂覆硅烷與水反應生成類氧化硅保護膜的工藝，由于有機硅烷化學反應和固化反應等，副產物易造成污染，并且工藝過程也比較復雜，保護膜的質量不能夠保證，無法長效保持貴金屬的防氧化效果。

因此，研發一種在貴金屬表面鍍上附著力強的透明保護薄膜的真空鍍膜方法迫在眉睫。

技術實現要素：

本發明的目的是克服現有技術的不足，公開一種貴金屬防氧化膜的真空鍍膜方法，該鍍膜方法能在貴金屬的表面沉積納米無機非金屬氧化物透明保護薄膜，實現對金屬銀表面的防氧化防護，其以實現大批量貴金屬表面的防氧化薄膜制備，提高設備的生產效率，同時采用該工藝制備的防氧化薄膜具有優良的基材附著力和耐摩擦性能。

為了達到上述技術目的，本發明是按以下技術方案實現的：

本發明所述的一種貴金屬防氧化膜的真空鍍膜方法，具體步驟是：

(1)對待鍍的貴金屬基材進行鍍膜前的預清洗處理：

(2)在真空室低真空度的環境下，對待鍍的貴金屬基材通過離子源放電處理系統進行表面放電處理；

(3)上述待鍍的貴金屬基材在離子源放電處理后，關閉離子源放電處理系統，重新抽至本底真空，通入有機硅烷單體和輔助放電氣體氬氣，采用等離子體化學氣相沉積的方法，在高壓功率源的作用下，使得有機硅烷單體裂解，在待鍍的貴金屬基材表面鍍制氧化硅防氧化膜；

(4)關閉放電電源，完成整個防氧化薄膜的制備流程，待真空室恢復大氣壓后，取出完成防氧化薄膜鍍制的貴金屬鍍膜制品。

作為上述技術的進一步改進，上述步驟(1)中所述的鍍膜前的預清洗處理為對待鍍的貴金屬基材進行超聲清洗，其依次采用丙酮，酒精，去離子水超聲處理，超聲時間分別為15分鐘。

作為上述技術的更進一步改進，上述步驟(2)中的離子源放電處理條件為：真空度為2-10pa，常溫條件下放電處理5-15分鐘，以達到活化基材表面的目的，具體來說，所述離子源放電處理條件的真空度優選為5pa。

作為上述技術的更進一步改進，上述步驟(3)中所述等離子體化學氣相沉積方式制備氧化硅薄膜的條件是：真空度為1.0pa-100pa，采用的是中頻電源或者射頻電源進行放電。具體來說，所述等離子體化學氣相沉積方式制備氧化硅薄膜時真空度為10pa。

作為上述技術的更進一步改進，上述步驟(3)中所述的有機硅烷單體，為四乙氧基硅烷或六甲基二硅氧烷或八甲基環四硅氧烷。

作為上述技術的更進一步改進，上述步驟(3)中氧化硅防氧化膜厚度為100-1000nm。具體來說，所述氧化硅防氧化薄膜的厚度優選為200nm。

本發明還公開了上述貴金屬防氧化膜的真空鍍膜方法所制得的貴金屬鍍膜制品，該貴金屬鍍膜制品包括貴金屬基材，以及附著在貴金屬基材表面的氧化硅防氧化薄膜，該貴金屬鍍膜制品具有較好的表面防氧化效果。

與現有技術相比，本發明的有益效果是：

本發明所述的貴金屬防氧化膜的真空鍍膜方法，其由于采用的是真空環境下制備防氧化膜，薄膜與貴金屬基材表面的附著力好，整個工藝過程簡單，操作簡便安全，可以在貴金屬表面制得理想的防氧化薄膜，具有較佳的貴金屬防氧化效果。

附圖說明

下面結合附圖和具體實施例對本發明做詳細的說明：

圖1是本發明所述的貴金屬鍍膜制品結構示意圖。

具體實施方式

如圖1所示，本發明所述的貴金屬鍍膜制品該貴金屬鍍膜制品，包括貴金屬基材1，以及附著在貴金屬基材1表面的氧化硅防氧化薄膜2，所述氧化硅防氧化膜2的厚度范圍為100-1000nm，具體來說，所述氧化硅防氧化薄膜2的厚度優選為200nm。該貴金屬鍍膜制品具有較好的表面防氧化效果。

以下具體說明本發明所述的貴金屬防氧化膜的真空鍍膜方法：

本發明所述的一種貴金屬防氧化膜的真空鍍膜方法，具體步驟是：

(1)對待鍍的貴金屬基材1進行鍍膜前的預清洗處理：該鍍膜前的預清洗處理是通過對待鍍的貴金屬基材1進行超聲清洗，其依次采用丙酮，酒精，去離子水超聲處理，超聲處理的時間分別為15分鐘。

(2)在真空室低真空度的環境下，對待鍍的貴金屬基材1通過離子源放電處理系統進行表面放電處理。此時，真空室內的真空度范圍值為2-10pa，常溫條件下放電處理5-15分鐘，以達到活化基材表面的目的，具體來說，所述離子源放電處理條件的真空度優選為5pa。

(3)上述待鍍的貴金屬基材1在離子源放電處理后，關閉離子源放電處理系統，重新抽至本底真空，通入有機硅烷單體和輔助放電氣體氬氣，采用等離子體化學氣相沉積的方法，在高壓功率源的作用下，使得有機硅烷單體裂解，在貴金屬基材1表面鍍制氧化硅防氧化膜2。該步驟(3)中所述等離子體化學氣相沉積方式制備氧化硅薄膜的條件是：真空度為1.0pa-100pa，采用的是中頻電源或者射頻電源進行放電，具體來說，所述等離子體化學氣相沉積方式制備氧化硅薄膜時真空度為10pa。此外，所述的有機硅烷單體，為四乙氧基硅烷或六甲基二硅氧烷或八甲基環四硅氧烷。所述氧化硅防氧化膜的厚度為100-1000nm，具體來說，所述氧化硅防氧化薄膜的厚度優選為200nm。

(4)關閉放電電源，完成整個防氧化薄膜的制備流程，待真空室恢復大氣壓后，取出完成防氧化薄膜鍍制的貴金屬鍍膜制品。

本發明所述的貴金屬防氧化膜的真空鍍膜方法，通過該薄膜制備工藝，可以實現大批量貴金屬表面的防氧化薄膜制備，提高設備的生產效率，同時采用該工藝制備的防氧化薄膜具有優良的基材附著力和耐摩擦性能。

本發明并不局限于上述實施方式，凡是對本發明的各種改動或變型不脫離本發明的精神和范圍，倘若這些改動和變型屬于本發明的權利要求和等同技術范圍之內，則本發明也意味著包含這些改動和變型。

技術特征：

技術總結
本發明屬于真空鍍膜技術領域，具體公開貴金屬防氧化膜的真空鍍膜方法，具體步驟是：(1)對待鍍的貴金屬基材進行鍍膜前的預清洗處理：(2)在低真空度的環境下，對待鍍的貴金屬基材通過離子源放電方式進行表面放電處理；(3)上述待鍍的貴金屬基材在本底真空環境下，采用等離子體化學氣相沉積的方法，在高壓功率源的作用下，在待鍍的貴金屬基材的表面鍍制氧化硅防氧化膜；(4)完成整個防氧化薄膜過程。該鍍膜方法能在貴金屬的表面沉積納米無機非金屬氧化物透明保護薄膜，實現對金屬銀表面的防氧化防護，其以實現大批量貴金屬表面的防氧化薄膜制備，提高設備的生產效率，同時采用該工藝制備的防氧化薄膜具有優良的基材附著力和耐摩擦性能。

技術研發人員：潘振強;朱惠欽
受保護的技術使用者：廣東振華科技股份有限公司
技術研發日：2017.06.26
技術公布日：2017.10.03