CMP設備內部噴灑系統的制作方法

本實用新型涉及半導體設備化學機械拋光領域，尤其是一種CMP設備內的噴灑系統。

背景技術：

化學機械拋光（簡稱CMP）設備是半導體晶圓生產的重要設備，現有的CMP設備內部噴灑系統只能用于清洗研磨頭，不能清潔機器內部其他部位，以致于研磨液揮發物會沉積污染機器內部，日積月累，大的揮發物顆粒會掉落在研磨墊上導致晶圓劃傷，嚴重時會導致晶圓報廢。

技術實現要素：

針對現有技術中存在的不足，本實用新型提供一種CMP設備內部噴灑系統，相較于現有技術能夠發揮更好的清洗作用，實現CMP設備內部環境的清潔，降低CMP工藝時顆粒密度，提高晶圓良率。本實用新型采用的技術方案是：

一種CMP設備內部噴灑系統，包括至少一根支撐桿，所述支撐桿連接在支撐裝置上，支撐桿位于相鄰兩個研磨頭之間；支撐桿的安裝高度高于研磨頭；

在支撐桿上固定有噴灑器；所述噴灑器包括底座、底座內部的通道、轉接頭和噴嘴；兩個轉接頭分別設在底座的兩端，與通道連通，且所述轉接頭為傾斜角度轉接頭；噴嘴設在轉接頭上；

底座固定在支撐桿上，底座上的兩個噴嘴分別位于所在支撐桿的兩側，并朝向外側下方。

更優地，支撐桿設有數根，連接在CMP設備大盤中央上方的支撐裝置上，并呈放射狀向大盤外側邊緣延伸。

進一步地，轉接頭采用45度轉接頭。

本實用新型的優點在于：

1）能夠清潔CMP設備內多處位置，清潔效果更好。

2）減少CMP設備內部顆粒殘留，提高晶圓的良率。

附圖說明

圖1為本實用新型的CMP設備結構示意圖。

圖2為本實用新型的俯視角度示意圖。

圖3為本實用新型的噴灑器結構示意圖。

具體實施方式

下面結合具體附圖和實施例對本實用新型作進一步說明。

圖1所示為CMP設備之重要部分，包括大盤1、拋光墊2、研磨頭3、支撐裝置4；拋光墊2設置在大盤1的一個表面；研磨頭3設置在拋光墊2上方，其一種較優的排布方式是，如圖2所示，圍繞拋光墊2中心沿周向均布數個；研磨頭3下端通過吸附或粘附方式固定住晶圓（圖1、圖2中未畫出晶圓，實際位于研磨頭3與拋光墊2之間，吸附或粘附在研磨頭3下端）；研磨頭3將晶圓壓在拋光墊2上，晶圓的一個待拋光面與拋光墊2接觸；大盤1在其驅動機構帶動下轉動，大盤1的驅動機構可安裝在大盤1下方；同時研磨頭3在其驅動機構作用下帶動晶圓轉動；此時晶圓相對拋光墊2就會形成圍繞晶圓中心自轉和圍繞拋光墊2中心公轉的狀態，同時在拋光墊2上噴淋拋光液，晶圓表面就會被拋光；

CMP設備內部噴灑系統，包括至少一根支撐桿5，所述支撐桿5連接在支撐裝置4上，支撐桿5位于相鄰兩個研磨頭3之間；支撐桿5的安裝高度高于研磨頭3；

優選地，支撐桿5設有數根，連接在大盤1中央上方的支撐裝置4上，并呈放射狀向大盤1外側邊緣延伸；

在支撐桿5上安裝如圖3所示的噴灑器6；所述噴灑器6包括底座601、底座601內部的通道602、轉接頭603和噴嘴604；

通道602是去離子水的通路，兩個轉接頭603分別設在底座601的兩端，與通道602連通，且所述轉接頭603為傾斜角度轉接頭，方便噴嘴604向兩側的側下方噴射去離子水；噴嘴604設在轉接頭603上；

底座601固定在支撐桿5上，底座601上的兩個噴嘴604分別位于所在支撐桿5的兩側，并朝向外側下方；

轉接頭603具體可采用45度轉接頭；

工作時，去離子水通過底座601，再經過轉接頭603，從噴嘴604上向支撐桿5兩側側下方的研磨頭3噴灑去離子水，由于大盤1帶動拋光墊2在轉動，同時也可以對拋光墊2起到不間斷的清潔作用。