專利名稱：防腐蝕多晶硅還原爐的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種防腐蝕多晶硅還原爐，尤其是一種用于三氯氫硅和氫氣在加 熱的硅芯上進行化學氣相沉積生產多晶硅的還原爐。
背景技術：
多晶硅還原爐是“改良西門子法”生產多晶硅的主要設備，爐體主體采用不銹鋼 材，不銹鋼材質可以有效的減少設備材質對產品的污染，但在生產多晶硅時，氯硅烷以及還 原爐內的高溫對爐壁的腐蝕十分嚴重，極大降低了設備的運行壽命。
發明內容本實用新型的目的是克服現有技術中存在的不足，提供一種防腐蝕多晶硅還原 爐，可以有效地降低多晶硅還原爐內壁的腐蝕。按照本實用新型提供的技術方案，所述防腐蝕多晶硅還原爐，包括設置在底座上 的還原爐殼體，所述還原爐殼體包括外殼體和內殼體，外殼體和內殼體之間存在空隙；在外 殼體的頂部設有冷卻水出口，外殼體的下端設有冷卻水進口 ；在還原爐殼體的底部設有進 氣管和出氣管；特征是在所述內殼體的內表面均勻涂覆有碳化硅涂層。本實用新型通過在多晶硅還原爐內壁附著結合牢固、均勻致密的碳化硅(SiC) 層，達到降低多晶硅還原爐內壁的腐蝕，并提高多晶硅產品的質量的目的，同時延長了設備 的運行壽命。
圖1為本實用新型的結構示意圖。
具體實施方式
如圖所示還原爐包括還原爐殼體1、底座2、進氣管3、出氣管4、冷卻水進口 5、冷 卻水出口 6、碳化硅涂層7等。本實用新型包括設置在底座2上的還原爐殼體1，所述還原爐殼體1包括外殼體和 內殼體，內殼體內部形成還原爐的內腔，外殼體和內殼體之間存在空隙；在外殼體的頂部設 有冷卻水出口 6，外殼體的下端設有冷卻水進口 5 ；在還原爐殼體1的底部設有進氣管3和 出氣管4 ；在內殼體的內表面均勻涂覆有碳化硅涂層7。本實用新型通過在多晶硅還原爐殼體1的內殼體的內壁附著結合牢固、均勻致密 碳化硅涂層7，達到降低多晶硅還原爐內壁的腐蝕，并提高多晶硅產品的質量的目的。碳化 硅是一種共價鍵化合物，具有類金剛石的四面體結構，化學性能穩定、導熱系數高、熱膨脹 系數小、耐磨性能好，在多晶硅還原爐內附著結合牢固、均勻致密碳化硅涂層7，可以極大的 減小還原爐內壁的腐蝕，提高設備的運行壽命，并且由于碳化硅的高穩定性，可以減少設備 材質對產品質量的影響。
權利要求一種防腐蝕多晶硅還原爐，包括設置在底座(2)上的還原爐殼體(1)，所述還原爐殼體(1)包括外殼體和內殼體，外殼體和內殼體之間存在空隙；在外殼體的頂部設有冷卻水出口(6)，外殼體的下端設有冷卻水進口(5)；在還原爐殼體(1)的底部設有進氣管(3)和出氣管(4)；其特征是在所述內殼體的內表面均勻涂覆有碳化硅涂層(7)。
專利摘要本實用新型涉及一種防腐蝕多晶硅還原爐，包括設置在底座上的還原爐殼體，所述還原爐殼體包括外殼體和內殼體，外殼體和內殼體之間存在空隙；在外殼體的頂部設有冷卻水出口，外殼體的下端設有冷卻水進口；在還原爐殼體的底部設有進氣管和出氣管；特征是在所述內殼體的內表面均勻涂覆有碳化硅涂層。本實用新型通過在多晶硅還原爐內壁附著結合牢固、均勻致密的碳化硅(SiC)層，達到降低多晶硅還原爐內壁的腐蝕，并提高多晶硅產品的質量的目的。
文檔編號C01B33/03GK201746332SQ201020236510
公開日2011年2月16日 申請日期2010年6月24日 優先權日2010年6月24日
發明者周大榮 申請人:無錫中彩科技有限公司