一種多晶硅鑄錠熱場的制作方法

本發明屬于光伏電池技術領域，特別是涉及一種多晶硅鑄錠熱場。

背景技術：

隨著光伏市場的日趨成熟，競爭日趨激烈，客戶需求不再集中在成本低的產品上，而是轉向高品質的光伏產品。影響光伏產品品質的一個關鍵點就是硅片的光衰問題，現在的硅片光衰率偏高，因此，如何獲得光衰較低且可大規模生產，不影響生產效率和成本的光伏產品是目前主要的問題。

現有技術中，為了得到低光衰硅片，主要是使用鎵作為母合金，但由于多晶硅錠在摻鎵后電阻率分布范圍較大，不同熱區的硅錠頭部電阻率分布不均勻，頭部采用同樣劃線的情況下，會產生很多電阻率較低的硅片，低電阻位置的漏電流較高，電池效率較低，增加了生產的操作困難，導致生產效率不高。

技術實現要素：

為解決上述問題，本發明提供了一種多晶硅鑄錠熱場，能夠使頭部電阻率偏低的硅塊集中在固定的區域，減少品檢操作人員對摻鎵硅錠不同區域頭部電阻率一一測試的繁瑣操作，提高生產效率。

本發明提供的一種多晶硅鑄錠熱場，包括側部加熱器和頂部加熱器，所述頂部加熱器的預設區域的厚度比所述預設區域以外的其他區域的厚度小預設數值。

優選的，在上述多晶硅鑄錠熱場中，所述預設區域為靠近一個角或兩個角的區域。

優選的，在上述多晶硅鑄錠熱場中，所述預設區域為靠近一個邊的位置。

優選的，在上述多晶硅鑄錠熱場中，所述預設數值為3毫米至10毫米。

優選的，在上述多晶硅鑄錠熱場中，所述頂部加熱器還包括設置于所述預設區域和所述其他區域之間的斜坡式平面。

優選的，在上述多晶硅鑄錠熱場中，所述預設區域以外的其他區域的厚度范圍為18毫米至22毫米。

通過上述描述可知，本發明提供的上述多晶硅鑄錠熱場，由于所述頂部加熱器的預設區域的厚度比所述預設區域以外的其他區域的厚度小預設數值，因此能夠使頭部電阻率偏低的硅塊集中在固定的區域，減少品檢操作人員對摻鎵硅錠不同區域頭部電阻率一一測試的繁瑣操作，提高生產效率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本申請實施例提供的第一種多晶硅鑄錠熱場的頂部加熱器的示意圖；

圖2為本申請實施例提供的第一種多晶硅鑄錠熱場的頂部加熱器的橫截面圖。

具體實施方式

本發明的核心思想在于提供一種多晶硅鑄錠熱場，能夠使頭部電阻率偏低的硅塊集中在固定的區域，減少品檢操作人員對摻鎵硅錠不同區域頭部電阻率一一測試的繁瑣操作，提高生產效率。

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

本申請實施例提供的第一種多晶硅鑄錠熱場，包括側部加熱器和頂部加熱器，所述頂部加熱器如圖1所示，圖1為本申請實施例提供的第一種多晶硅鑄錠熱場的頂部加熱器的示意圖，該頂部加熱器的預設區域1的厚度比所述預設區域1以外的其他區域的厚度2小預設數值。更多的細節參考圖2，圖2為本申請實施例提供的第一種多晶硅鑄錠熱場的頂部加熱器的橫截面圖，可以明顯的看出，預設區域1的厚度比其他區域2的厚度更小，這樣就能夠增加這個預設區域的電阻，雜質都聚集到該區域，只需要后續檢查此位置的參數即可，從而降低品檢人員的工作量。

通過上述描述可知，本申請實施例提供的第一種多晶硅鑄錠熱場，由于所述頂部加熱器的預設區域的厚度比所述預設區域以外的其他區域的厚度小預設數值，因此能夠使頭部電阻率偏低的硅塊集中在固定的區域，減少品檢操作人員對摻鎵硅錠不同區域頭部電阻率一一測試的繁瑣操作，提高生產效率。

本申請實施例提供的第二種多晶硅鑄錠熱場，是在上述第一種多晶硅鑄錠熱場的基礎上，還包括如下技術特征：

所述預設區域為靠近一個角或兩個角的區域。

當預設區域為靠近一個角的區域時，頂部加熱器在這種靠近一個角的區域中電阻率偏低，從而，頭部電阻率偏低的硅塊集中在該區域，后續就可以減少繁瑣操作，而當預設區域為靠近兩個角的區域時則同理，此處不再贅述。

本申請實施例提供的第三種多晶硅鑄錠熱場，是在上述第一種多晶硅鑄錠熱場的基礎上，還包括如下技術特征：

所述預設區域為靠近一個邊的位置。

在這種情況下，就能夠將電阻率偏低的硅塊集中在靠近一個邊的位置，而不像現有技術中那樣分散在各個位置，這樣也方便后續質檢人員的操作，提高工作效率。

本申請實施例提供的第四種多晶硅鑄錠熱場，是在上述第一種多晶硅鑄錠熱場的基礎上，還包括如下技術特征：

所述預設數值為3毫米至10毫米。

需要說明的是，這種減薄的厚度范圍能夠有效保證鎵元素分凝到預設區域，使固定增強熱區的電阻率偏低。

本申請實施例提供的第五種多晶硅鑄錠熱場，是在上述第一種多晶硅鑄錠熱場的基礎上，還包括如下技術特征：

繼續參考圖2，所述頂部加熱器還包括設置于所述預設區域1和所述其他區域2之間的斜坡式平面3。這種斜坡式平面能夠增加結構強度，防止在安裝過程中出現折斷或者在使用過程中出現拉弧現象，當然不做斜坡式也是可以的。

本申請實施例提供的第六種多晶硅鑄錠熱場，是在上述第一種至第四種多晶硅鑄錠熱場中任一種的基礎上，還包括如下技術特征：

所述預設區域以外的其他區域的厚度范圍為18毫米至22毫米。

需要說明的是，可以根據所需的電阻率來選擇對應的厚度值。

綜上所述，上述各個方案中，在鑄錠爐內頂部加熱器任一邊角位置的加熱區變薄，增加其電阻，強行在預設位置產生了熱區，使得硅錠頭部電阻率偏低集中在預定好的位置，避免現有技術中對不同區域硅錠電阻率一一測試而采用不同劃線標準的問題，提高了工作效率。另外需要說明的是，上述熱場除了適用于摻雜鎵元素的硅錠之外，還同樣適用于硅基體中磷等低分凝系數的摻雜劑。

對所公開的實施例的上述說明，使本領域專業技術人員能夠實現或使用本發明。對這些實施例的多種修改對本領域的專業技術人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現。因此，本發明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。