制造具有增強對高溫載荷下蠕變滑動的抗性的工程表面的二氧化硅形成的制品的方法
【專利摘要】一種形成制品的方法包括：在制品的基底表面的含硅區域上形成含硅層；在含硅層中形成多個溝道和隆起；和形成覆蓋含硅區域的表面的至少一個外層。該多個溝道和隆起可通過對含硅層添加含硅材料而形成。該溝道和隆起可通過從含硅層去除材料而形成。溝道和隆起可通過在形成含硅層之前，在基底的表面的含硅區域中形成溝道或溝槽而形成。
【專利說明】制造具有増強對高溫載荷下蠕變滑動的抗性的工程表面的二 氧化硅形成的制品的方法
[0001] 政府利益
[0002] 本技術是通過政府支持在由美國能源部資助的合同號No. DE-FC26-05NT42643下 開發的。政府可能享有要求保護的發明中某些權利。
[0003] 援引加入
[0004] 在2012年12月 11 日提交的且題為ENVIRONMENTAL BARRIER COATINGS AM) METHODS THEREFOR(環境阻擋涂層及其方法)共同轉讓的美國申請13/711250,和同此一起 提交的且題為SILICA-FORMING ARTICLES HAVING ENGINEERED SURFACES TO ENHANCE RESISTANCE TO CREEP SLIDING UNDER HIGH-TEMPERATURE L0ADING(具有增強對高溫載荷 下蠕變滑動的抗性的工程表面的二氧化硅形成的制品）的共同轉讓的美國申請[代理人卷 號262402-1 ]的內容通過引用而并入本文中。
技術領域
[0005] 本技術大體上涉及適用于保護暴露于高溫環境(如渦輪發動機的不利熱環境）的 構件的涂層系統和方法。更具體而言，本技術涉及在構件的含硅區域上的環境阻擋涂層 (Environmental Barrier Coating，EBC)，且涉及在含娃區域中并入表面特征，以抑制EBC 的當在高溫下經歷剪切載荷時的蠕變位移。
【背景技術】
[0006] 不斷探尋渦輪發動機的更高操作溫度，以便提高它們的效率。雖然已通過鐵、鎳和 鈷基超合金的配方實現了高溫性能的顯著進步，但已探索備選的材料。陶瓷復合材料目前 考慮作為燃燒器襯套、靜葉、護罩、動葉、和渦輪發動機的其他熱區段構件用于此類高溫應 用。陶瓷復合材料的一些實例包括硅基復合材料，例如，硅、碳化硅(SiC)、氮化硅（Si 3N4)、 和/或硅化物用作增強相和/或基質相的復合材料。
[0007] 在許多高溫應用中，對于含Si材料，保護涂層是有益的或必需的。這種涂層將通過 抑制含水環境中含Si材料的退化(degradation)(即，揮發性氫氧化娃(例如Si(0H)4)產物 的形成）的主要機理來提供環境保護。具有這些功能的涂層系統在下文將稱為環境阻擋涂 層(EBC)系統。涂層材料所期望的性質包括與含Si基底材料相容的熱膨脹系數(CTE)、對于 氧化劑的低滲透性、低導熱性、穩定性和與含Si材料的化學相容性。
[0008] 含娃粘結涂層的娃含量在高溫下與氧反應，以主要形成無定形二氧化娃(Si〇2)氧 化皮，但一部分氧化物產物可能是結晶二氧化硅或粘結涂層和/或EBC的其他組分的氧化 物。無定形二氧化硅產物呈現低氧滲透性。結果，與含硅粘結涂層一起，在粘結涂層上熱生 長的二氧化硅產物能夠形成保護性阻擋層。
[0009] 在使用中在含硅粘結涂層上形成的無定形二氧化硅產物具有相對低的粘度，且因 此在剪切載荷下具有高蠕變速率。高剪切載荷（例如從大約0.1至l〇MPa)可由因移動部件 (諸如禍輪發動機的動葉(輪葉(bucket)))高頻旋轉產生的g力施加(如從大約10000至大約 lOOOOOg^)。此種剪切載荷可導致EBC相對于粘結涂層和基底的蠕變位移，這可導致嚴重的 EBC損壞和在下面的基底的EBC保護的喪失。
【發明內容】
[0010] 本技術提供了環境阻擋涂層(EBC)系統和在由含硅材料(諸如陶瓷基質復合材料 (CMC)，其中，含硅材料用作增強相和/或基質相)形成的制品上制作該EBC系統的方法。EBC 系統和方法特別適用于保護暴露于高溫(包括渦輪發動機的不利熱環境)的含硅制品。
[0011] 根據本技術的實例，形成制品的方法包括在制品的基底表面的含硅區域上形成含 硅層;在含硅層中形成多個溝道和隆起;且形成覆蓋含硅區域表面的至少一個外層，其中， 多個溝道和隆起是通過對含硅層添加含硅材料而形成的；根據本技術的另一實施例，溝道 和隆起是通過從含硅層去除材料而形成的。根據本技術的又一實施例，通過在形成含硅層 之前，在基底表面的含硅區域中形成溝道或溝槽來形成溝道和隆起。
[0012] 通過使含硅區域與環境阻擋涂層系統的最初的層互鎖，可顯著地抑制可歸因于組 分層(例如在含硅層或區域熱生長的二氧化硅層）的蠕變的EBC的位移，從而提高環境阻擋 涂層系統的結構完整性及其在高溫應用中保護制品的能力。該技術適用于與已知的環境阻 擋涂層材料一起使用，且互鎖特征可使用各種方法來生產。
【附圖說明】
[0013] 當參照附圖閱讀下述【具體實施方式】時，本技術的這些和其他特征、方面、和優勢將 變得更容易理解，在附圖中，貫穿附圖，類似的字符表示類似的部件，在附圖中：
[0014]圖1示意地描繪可利用本技術的涂層且根據本技術的方法涂布的制品或構件；
[0015] 圖2示意地描繪根據本技術的實例的包括涂層的圖1的制品或構件的區段；
[0016] 圖3-3B示意地描繪根據本技術的實例的制品或構件的粘結涂層的工程表面；
[0017] 圖4示意地描繪根據本技術的實例的用于形成工程表面的過程；
[0018] 圖5示意地描繪根據本技術的實例的用于形成工程表面的過程；
[0019] 圖6示意地描繪根據本技術的實例的形成工程表面的過程；
[0020] 圖7示意地描繪根據本技術的用于形成工程表面的布置；
[0021] 圖8示意地描繪根據本技術的用于形成工程表面的布置;和 [0022]圖9-20是根據本技術形成的工程表面的照片。
【具體實施方式】
[0023]本技術大體上適用于在特征為相對高的溫度、應力、和氧化的環境內操作的構件。 此種構件中的值得注意的實例包括高壓和低壓渦輪靜葉(噴嘴)和動葉(輪葉），但該技術也 適用于其他構件。
[0024] 參照圖1和2,制品或構件2,例如渦輪輪葉或動葉，可包括環境阻擋涂層(EBC)系統 22,以當在高溫、化學反應環境中操作時保護物品或構件。構件2可包括從平臺6延伸的基底 4,例如翼型件區段。平臺6可包括安裝和固連結構8,其構造成將構件安裝和固連到旋轉元 件，諸如轉子(未示出）。基底4可包括含硅區域。含硅材料的示例包括具有以下的那些材料： 碳化硅、氮化硅、硅化物(如難熔金屬或過渡金屬硅化物，包括但不限于例如Mo、Nb、或W娃化 物)和/或作為基質相或第二相的硅。另外的示例包括包含碳化硅以作為增強和/或基質相 的陶瓷基質復合材料(CMC)。
[0025]圖2的EBC系統22表示多種不同的EBC系統中的一種，其示為直接應用于基底4的表 面。例如在U.S. 6,299,988中公開了含硅粘結涂層。粘結涂層10還表示為將第一或最初的 EBC層14粘結到基底4,且可選地粘結EBC系統22的至少一個附加層16、18、20 ABC系統22對 在下面的基底4提供環境保護。它還可降低構件2的操作溫度，從而使構件2能夠在與其他情 況下可能的相比高的氣體溫度下操作。雖然圖2中將構件2表示為包括含硅粘結涂層10,在 該情況下，第一EBC層14直接沉積在由粘結涂層10形成的含硅表面區域上，但該技術也適用 于不含如本文所述的粘結涂層10的構件2,在該情況下，第一EBC層14可以直接沉積在由基 底4形成的含硅表面區域上。應當理解的是，在下面更詳細地描述的組分層12或組分層12的 一部分可在第一 EBC層14的應用之前存在。
[0026] 燃燒環境中的含硅材料的退化導致與水蒸汽的反應，以生成揮發性氫氧化硅(例 如Si(0H)4)產物。EBC系統22可用于抵抗由粘結涂層10和/或基底4與水蒸汽的化學反應引 起的凹陷，提供溫度梯度以降低構件2的操作溫度，或二者。能夠與本技術一起使用的合適 的EBC系統包括但不限于例如在1].3.6,296,941和1].3.6,410，148中公開的那些<^8(：系統22 可實現許多密封、反應阻擋、抗凹陷、和/或熱阻擋功能。
[0027] 如上面提到的，粘結涂層10和基底4中的各個可限定構件2的含硅的表面區域。例 如，粘結涂層10可包括元素娃或基本上由元素娃構成。備選地，粘結涂層10可包含碳化娃、 氮化硅、金屬硅化物、元素硅、硅合金、或它們的混合物。粘結涂層10還可含有氧化物相，諸 如氧化硅、稀土硅酸鹽、稀土鋁硅酸鹽、和/或堿土鋁硅酸鹽。對粘結涂層10使用含硅成分提 高了基底4的抗氧化性，且增強基底4與第一EBC層14之間的粘結。粘結涂層10中的硅在高溫 下與氧反應，以使主要為無定形二氧化硅（Si0 2)的組分層12在其表面上熱生長，如圖2所 示。所得的為無定形二氧化硅的熱生長的氧化物呈現低的氧滲透性。結果，與含硅粘結涂層 10-起，組分層12能夠阻止氧滲透到粘結涂層10和基底4中。在組分層12的生長期間，無定 形二氧化硅中的一些可結晶成結晶二氧化硅，且附加的雜質元素和第二相可加入其中。 [0028]在沒有含硅粘結涂層10的情況下，EBC系統22的第一層14可直接沉積在由基底4限 定的構件2的含娃表面區域上，在該情況下，基底4形成為具有如下成分，該成分的娃的含量 足以在高溫下與氧反應且生成上述富含二氧化硅的組分層12。此外，取決于基底4的成分， 該層可以主要是無定形二氧化硅產物、富含二氧化硅的玻璃、或其中至少一個相富含二氧 化硅的多相混合物。為方便起見，其余的公開內容將參照圖2中表示的包括粘結涂層10的實 施例，但本公開應理解為等同地適用于在基底4表面上形成的組分層12。
[0029] 取決于應用，在高溫使用期間，在含硅粘結涂層10或另一含硅表面區域(諸如基底 4)上形成的組分層12可生長直至大約50μπι或更大的厚度。組分層12可具有相對低的粘度， 且從而具有剪切載荷τ下的高蠕變速率，該剪切載荷τ可由在構件(諸如渦輪發動機的動葉 (輪葉））的旋轉期間產生的g力施加。作為組分層12的蠕變的結果，在大約1315 °C (約2400° F)下工作超過25000小時，在上面的EBC系統22相對于基底4的位移可超過100mm。此種大的 蠕變位移可導致對EBC系統22的嚴重損壞和在下面的基底4的環境保護的直接喪失。
[0030] 如圖3所示，在含硅粘結涂層10上(或在沒有粘結涂層10的情況下，在基底4的表面 上)形成的組分層12的蠕變可通過對粘結涂層10的表面提供工程表面或特征24來抑制，該 工程表面或特征24構造成減輕組分層12的蠕變。如圖3所示，表面特征可采用如在題為 "SILICA-FORMING ARTICLES HAVING ENGINEERED SURFACES TO ENHANCE RESISTANCE TO CREEP SLIDING UNDER HIGH-TEMPERATURE LOADING(在高溫載荷下具有提高抗蠕變滑動的 工程表面的二氧化硅形成制品)"的共同未決的，共同轉讓的美國申請[代理人卷號262402-1]中描述的隆起24的形式。隆起24可具有限定比率a(W/L的波長L和跨度W，比率α可為從大 約0.1至0.9，例如大約0.2至0.8，例如大約0.4至0.6)。雖然隆起24示為在橫截面方面為大 體上方形的，且與剪切載荷方向基本垂直地（即沿基本上翼弦方向）延伸，但應該理解的是， 工程表面(即隆起24)可具有其他橫截面形狀，例如矩形、梯形、或任何大體上正弦或波形的 構造。還應當理解，雖然示例示出表面24垂直于剪切應力，但表面24可相對于剪切載荷方向 成角度地提供，例如，相對于剪切載荷方向直到大約45°。還應理解，雖然工程表面示為周期 性且連續的，但表面可以是非周期性和/或非連續的。還應理解的是，工程表面可作為一組 相交的表面提供，例如，作為示例形成的菱形。參照圖3Α，工程表面24可具有大體上梯形的 形狀。參照圖3Β，工程表面24可具有大體上波形或波狀的形狀。
[0031] 參照圖4,工程表面(例如隆起24)可以通過添加過程形成，以選擇性地添加材料來 限定由溝槽谷25分隔的隆起24。熱噴涂，例如空氣等離子噴涂(APS)裝置38構造成噴涂材料 43(如Si)，以用于穿過有圖案的掩模36形成粘結涂層10,有圖案的掩模36具有孔口或槽道 44,孔口或槽道44限定隆起24在基底4上的位置。APS裝置38構造成如由箭頭所示地在掩模 36上移動，以在粘結涂層10上形成隆起。備選地，隆起24可通過添加過程形成，該添加過程 包括使用直寫噴槍(direct-write torch)噴涂隆起24的材料(例如Si)。應當理解的是，可 使用任何熱噴涂工藝，例如包括空氣等離子噴涂;等離子體，包括由激光產生的等離子體、 大氣壓或低壓或真空等離子體;HV0F;冷噴涂;燃燒;或動力學。
[0032]參照圖5,工程表面24可通過去除過程形成。噴砂裝置40可穿過有圖案的掩模36的 孔口 44噴射顆粒46以形成溝槽谷25,從而形成隆起24。例如，顆粒46可以是SiC或氧化鋁 (Al2〇3)顆粒。噴砂裝置40例如可如由箭頭所示地移動，跨過有圖案的掩模36,以在粘結涂層 10上形成隆起24。備選地，溝槽谷25可通過另一去除過程來形成，例如激光加工，或利用微 型水噴射來加工溝槽25。
[0033] 參照圖6,基底4可形成圖案以包括工程表面27,以便在應用粘結涂層10時，與基底 4的工程表面27對應地形成粘結涂層10的工程表面24。基底4的工程表面27可通過在基底中 形成溝槽42來提供。溝槽42可與零件的形狀相符，且連續且基本上垂直于剪切載荷方向，或 相對于剪切載荷方向成直到大約45°的角度。粘結涂層10的工程表面24也可通過上面關于 圖4和5描述的過程中的任一種形成或部分地形成。可通過例如CVD或任何其他合適的過程 來對基底提供粘結涂層1 〇。
[0034] 參照圖7和8,在通過去除方法（例如噴砂或微型水噴射加工）或添加方法（例如 APS)形成工程表面時，掩模36可以從基底4和/或粘結涂層10間隔大約5密耳(0.127mm)或更 小的距離d，且掩模36可具有在大約60到120密耳（1.5至3mm)之間的厚度。掩模36中的槽道 44可以是逐漸變小的，且具有大約20密耳(0.5mm)的公稱寬度。如圖7所示，掩模36可定位為 以便槽道44朝基底4和粘結涂層10收斂，以用于通過添加過程來應用工程表面24。備選地， 如圖8所示，掩模36可定位為以便掩模36的槽道44朝基底4和結合層10發散。槽道44的開口 可間隔從大約20至40密耳(0.5至1mm)的距離si，且槽道44的出口可間隔從大約20至40密耳 的距離s2。如在上面公開的，在掩模44中提供的槽道44可以是周期性和/或連續的，或者可 以是非周期性和/或不連續的。如還在上面公開的，槽道44可相交，以作為一組相交的表面 來提供工程表面。
[0035]掩模是通過跨過掩模基底掃描微型水噴射而形成的，該掩模基底例如是由金屬 (例如11八8丁^^11〇￥@)形成的，具有大約60密耳（1.5111111)或大約120密耳(大約31]1111)的厚 度，以形成槽道44。例如圖7和8示例，通過掃描微型水噴射形成的槽道44具有逐漸變小的外 形。然而，應當理解，可通過例如激光加工掩模基底來形成具有大體上直的（即大體上平行） 的邊緣的槽道44。槽道44在其最窄部分處可具有大約20密耳(0.5mm)的公稱寬度。
[0036]參照圖9-18,各試樣示為通過在SiC-SiC陶瓷基質復合材料基底上應用4到5密耳 (1至1.25mm)的SG-100Si粘結涂層而形成。掩模與試樣間隔大約5密耳（1.25mm)，且工程表 面24是通過穿過掩模的APS而在粘結涂層上形成的。所應用的工程表面為大約2密耳 (0.05mm)。移除掩模，且應用大約4密耳(0.1mm)的分別YbYDS和BSAS的附加層14，16。
[0037] 參照圖9,通過使用具有例如圖7中所示的收斂槽道的掩模在粘結涂層10中形成工 程表面24。槽道出口之間的距離s2為20密耳，且掩模具有60密耳的厚度。參照圖10,使用具 有例如圖8中所示的發散槽道的掩模在粘結涂層10中形成工程表面。槽道出口之間的距離 s2為20密耳，且掩模厚度為60密耳。如圖9所示，通過具有收斂槽道的掩模形成的工程表面 24呈現大體上矩形的外形，而如圖10所示，通過具有發散槽道的掩模形成的工程表面24呈 現更圓、波狀的外形。圖10中所示的大體上圓形、波狀的工程表面呈現比圖9所示的大體上 矩形的工程表面低的應力集中，但可對EBC系統提供更小的抗蠕變性。
[0038] 參照圖11，使用具有例如圖7所示的收斂槽道的掩模在粘結涂層10中形成工程表 面24。槽道出口之間的距離大約為40密耳（1mm)，且掩模具有大約60密耳（1.5mm)的厚度。如 圖11所示，工程表面具有大體上梯形的形狀。圖11的梯形形狀大體上在圖9的大體上矩形的 形狀和圖10的大體上圓形、波狀的形狀之間。大體上梯形的工程表面因而呈現比大體上矩 形的表面低的應力集中，具有相對于大體上圓形、波狀表面改善的抗蠕變性。
[0039] 參照圖12,類似于圖10中示出的工程表面，使用具有例如圖8所示的發散槽道的掩 模在粘結涂層10中形成工程表面24。掩模具有大約60密耳的厚度，且掩模槽道的出口間隔 大約40密耳。因此，圖12的工程表面具有比圖10的工程表面長的波長。
[0040] 參照圖13,通過具有例如圖7所示的收斂槽道的掩模在粘結涂層10中形成工程表 面24。掩模槽道出口之間的距離為20密耳，且掩模具有120密耳(3mm)的厚度。工程表面24具 有與圖11的表面類似的大體上梯形的形狀。因為掩模槽道出口之間的距離與圖9中相同，所 以圖13中的工程表面24具有與圖9中的表面類似的波長。
[0041] 圖14中示出的工程表面是通過具有例如圖8所示的發散槽道的掩模形成的。掩模 槽道出口間隔20密耳，且掩模厚度為120密耳。表面24具有與圖10和12中所示的那些類似的 大體上圓形、波狀的形狀，具有與圖10中所示的那些類似的波長。
[0042] 圖15的工程表面是利用具有例如圖7所示的收斂槽道的掩模形成的。槽道出口間 隔大約40密耳（1mm)，且掩模具有大約120密耳的厚度。表面24呈具有角部的大體上梯形的 形狀，該角部比例如圖11的大體上梯形的表面更圓。圖16的工程表面是通過具有例如圖8所 示的發散槽道的掩模形成的。槽道間隔和掩模厚度與關于圖15描述的相同。
[0043]參照圖17,用于形成工程表面的掩模具有與用于形成圖15的工程表面的掩模相同 的槽道間隔和掩模厚度。跨過用于制作用于圖17的工程表面的掩模的掩模基底的微型水噴 射掃描速度比用來形成用于形成圖15的工程表面的掩模的微型水噴射的掃描速度低。如圖 17所示，大體上梯形的表面24的角部或邊緣較不圓，從而使用更低掃描速度的微型水噴射 來形成掩模槽道。類似地，圖18的工程表面是通過具有與圖16相同的尺寸和發散掩模槽道 的掩模形成的，但利用更低掃描速度的微型水噴射來形成掩模槽道。圖18的表面具有比圖 16中所示的表面大體上更圓的形狀。
[0044] 參照圖19,工程表面24是通過使用直寫噴槍將硅直接噴涂到粘結涂層上而形成 的。
[0045]參照圖20,工程表面24是通過將溝槽激光加工到陶瓷復合材料基質基底中而形成 的。在基底4上提供粘結涂層10和EBC系統的層14、16。
[0046]應理解的是，根據任何特定的實施例，不一定獲得在上面描述的所有的目標或優 點。因此，例如，本領域技術人員將認識到，本文中描述的系統和技術可以以下述方式來實 現或執行:實現或優化在本文中教導的一個優點或一組優點，而不一定實現可能在本文中 教導或建議的其他目標或優點。
[0047]雖然已在本文中例示和說明了本技術的僅某些特征，但本領域技術人員將想到許 多修改和變化。因此，應理解的是，所附權利要求旨在覆蓋所有此種修改和變化。
【主權項】
1. 一種形成制品的方法，所述方法包括： 在所述制品的基底的表面的含硅區域上形成含硅層； 在所述含硅層中形成多個溝道和隆起;和 形成覆蓋所述含硅區域的表面的至少一個外層。2. 根據權利要求1所述的方法，其中，所述多個溝道和隆起是通過對所述含硅層添加含 硅材料而形成的。3. 根據權利要求2所述的方法，其中，對所述含硅層添加含硅材料包括將所述含硅材料 穿過掩模噴涂到所述含硅層上。4. 根據權利要求3所述的方法，其中，所述掩模包括沿收斂的方向朝制品逐漸變小的槽 道。5. 根據權利要求3所述的方法，其中，所述掩模包括沿朝制品發散的方向逐漸變小的槽 道。6. 根據權利要求3所述的方法，其中，所述掩模包括具有大約20密耳的公稱寬度的槽 道。7. 根據權利要求3所述的方法，其中，所述掩模與所述含硅層間隔大約5密耳。8. 根據權利要求1所述的方法，其中，所述含硅層包括元素硅、碳化硅、氮化硅、金屬硅 化物、硅合金，或它們的混合物。9. 根據權利要求9所述的方法，其中，所述含硅層還包括氧化物相、稀土硅酸鹽、稀土鋁 硅酸鹽、堿土鋁硅酸鹽或它們的混合物。10. 根據權利要求2所述的方法，其中，對所述含硅層添加含硅材料包括通過在所述含 硅層上直寫含硅材料來形成所述隆起。11. 根據權利要求1所述的方法，其中，在所述含硅層中形成所述多個溝道和隆起包括 在形成所述含硅層之前，在所述基底的含硅區域中形成溝道。12. 根據權利要求11所述的方法，其中，在所述含硅區域中形成所述溝道包括激光加工 所述含硅區域。13. 根據權利要求1所述的方法，其中，所述多個溝道和隆起是通過移除所述含硅層的 部分而形成的。14. 根據權利要求13所述的方法，其中，從所述含硅層移除材料包括將顆粒穿過掩模噴 涂到所述含硅層上。15. 根據權利要求14所述的方法，其中，所述顆粒包括水、碳化硅顆粒、或氧化鋁顆粒。16. 根據權利要求13所述的方法，其中，移除所述含硅層的部分包括激光加工所述含硅 層。17. 根據權利要求1所述的制品，其中，所述含硅區域是所述制品的基底且包含碳化硅、 氮化硅、硅化物和/或硅以作為增強相和/或基質相。18. 根據權利要求17所述的制品，其中，所述基底是陶瓷基質復合材料，其包含碳化硅 以作為增強相和/或基質相。19. 根據權利要求17所述的制品，其中，所述硅化物是難熔金屬硅化物或過渡金屬硅化 物。20. 根據權利要求1所述的制品，其中，所述制品是渦輪發動機的旋轉構件，且所述溝道 和隆起沿與在所述制品的旋轉期間施加到所述制品的剪切載荷基本上垂直的方向延伸。
【文檔編號】C04B41/89GK105916830SQ201480060109
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2014年8月19日
【發明人】D·M·利普金, C·A·約翰遜, J·L·馬戈利斯, L·S·羅森斯維希, J·萬
【申請人】通用電氣公司