包括含有蒽衍生物化合物的有機層的有機發光器件的制作方法

專利名稱：包括含有蒽衍生物化合物的有機層的有機發光器件的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種包含蒽衍生物化合物和離子金屬絡合物 或者兩種或多種不同的蒽衍生物化合物的有機發光器件。更具體地 講，本發明涉及通過使用具有電穩定性和良好電子傳輸能力的材料得 到的其特征為高效率、低驅動電壓、高亮度和長壽命的有機發光器件。
本發明涉及一種用于開發在功率消耗和壽命特性方面改 進的高質量有機發光器件的必須預先具備的技術。
背景技術：
如圖l所示，有才幾發光器件為這樣的器件，當對置于兩個 電極之間的有機層施加電流時，該器件通過該有機層中的電子與空穴 復合而發光。有才幾發光器件具有各種優點如高圖像質量、快速響應速 度和寬視角，并因此能實現輕薄型的信息顯示裝置。由于這些優點， 有機發光器件技術開始迅速發展。近來，有機發光器件的應用領域已 經從手機延伸到其他高質量的信息顯示裝置。
隨著有機發光器件的快速發展，有機發光器件會不可避免 地在科學和工業技術方面與其他信息顯示器件如TFT-LCD竟爭。常 規的有機發光器件在器件的效率、壽命和功率消耗方面現正面臨技術 局限，而這些方面明顯影響器件數量的增長和質量的提高。發明內容
本發明提供了 一種有機發光器件，所述有機發光器件能提 高壽命、亮度和功率消耗效率。
本發明的一方面提供了一種有機發光器件，所述有機發光 器件包括第一電極；第二電極；和置于第一電極和第二電極之間的有 機層，所述有機層包含一種或多種下式1表示的蒽衍生物化合物和任 選的離子金屬絡合物
<式1>
其中R,和R2各自獨立為氫原子、取代或未取代的C1-C3 0 烷基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C6-C30芳 基、取代或未取代的C6-C30芳氧基、取代或未取代的C4-C30雜芳 基、取代或未取代的C6-C30稠合多環基、羥基、囟素、氰基或取代 或未取代的氨基。
用于本發明的有機發光器件的蒽衍生物化合物和離子金 屬絡合物的混合物或兩種或多種不同蒽衍生物化合物的混合物具有 良好的電子傳輸能力，并因此可有效地用作形成有機層的材料，從而 形成效率高、驅動電壓低、亮度高和壽命長的有機發光器件。


通過參考附圖詳細描述本發明的示例性實施方案，本發明 的上述和其他特征和優點將變得更顯而易見，其中
圖1A至1C為說明本發明的實施方案的有機發光器件的 示意性剖視圖2圖示了本發明的實施例l-2和比較實施例1中制造的 有機發光器件的電流密度；
圖3圖示了本發明的實施例l-2和比較實施例1中制造的 有機發光器件的效率特性；和
圖4圖示了本發明的實施例l-2和比較實施例1中制造的 有機發光器件的壽命特性。
具體實施方式
將參考附圖更充分地描述本發明，附圖中表示了本發明的 示例性的實施方案。
本發明提供了一種有機發光器件，所述有機發光器件包括 第一電極、第二電極和置于第一電極和第二電極之間的有機層。
所述有機層包含一種或多種下式1表示的蒽衍生物化合 物和任選的離子金屬絡合物。
所述有機層包含下式1表示的蒽衍生物化合物和離子金 屬絡合物，或者包含兩種或多種不同的下式1表示的蒽衍生物化合 物
<式1〉<formula>formula see original document page 13</formula>
R2
其中R,和R2各自獨立為氫原子、取代或未取代的CI-C30 烷基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C6-C30芳氧基、取代或未取代的C4-C30雜芳 基、取代或未取代的C6-C30稠合多環基、羥基、卣素、氰基或取代 或未取代的氨基。
優選Rt和R2各自獨立為選自以下的基團苯基、Cl-C5 烷基苯基、Cl-C5烷氧基苯基、氰基苯基、笨氧基苯基、卣代苯基、 萘基、Cl-C5烷基萘基、C1-C5烷氧基萘基、氰基萘基、囟代萘基、 蒽基、芴基、呼唑基、Cl-C5烷基咔唑基、聯苯基、Cl-C5烷基聯苯 基、Cl-C5烷氧基聯苯基和吡咬基。
更優選R!和R2各自獨立為選自以下的基團苯基、乙基 苯基、乙基聯苯基、鄰-、間-和對-氟苯基、二氯苯基、二氰基苯基、 三氟曱氧基苯基、鄰-、間-和對-曱苯基、萊基、苯氧基苯基、二甲基 苯基、(N,N'-二甲基)氨基苯基、(N，N'-二苯基)氨基苯基、戊搭烯基、萘基、曱基萘基、蒽基、奠基、庚搭烯基、苊烯基、芴基、蒽醌基、菲基、三亞苯基、戊芬基、己芬基和咔唑基。
所述有機層可包含上式1表示的蒽衍生物化合物和離子 金屬絡合物或者包含兩種或多種不同的上式1表示的蒽衍生物化合 物。
用于本發明的式中的未取代C1-C20烷基的實例包括曱 基、乙基、丙基、異丁基、仲丁基、戊基、異戊基和己基。所述烷基 的至少一個氫原子可被以下基團取代卣素原子、羥基、硝基、氰基、 氨基、脒基、肼、腙、羧基或其鹽、磺基或其鹽、膦羧基或其鹽、C1-C30 烷基、Cl-C30鏈烯基、Cl-C30炔基、C6-C30芳基、C7-C30芳基烷 基、C2-C20雜芳基或C3-C30雜芳基烷基。
用于本發明的式中的未取代C1-C20烷氧基的實例包括曱 氧基、乙氧基、苯氧基、環己氧基、萘氧基、異丙氧基和聯苯氧基。 所述烷氧基的至少 一個氫原子可被在上述對烷基的定義中提到的相 同取代基取代。
單獨用于或組合用于本發明的式中的未取代C6-C20芳基 是指包含一個或多個環的芳族碳環體系。所述環可作為側基相互連接 或可稠合。所述芳基的至少一個氫原子可被在上述對烷基的定義中提 到的相同取代基取代。
所述芳基可為苯基、乙基苯基、乙基聯苯基、鄰-、間-和 對-氟苯基、二氯苯基、二氰基苯基、三氟曱氧基苯基、鄰-、間-和對 -曱苯基、鄰-異丙苯基、間-異丙苯基、對-異丙苯基、萊基、苯氧基 苯基、(a,a-二曱基千基)苯基、(N,N'-二曱基)氨基苯基、(N,N'-二苯基) 氨基苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、曱基萘基、蒽基、奠基、庚搭烯 基、苊烯基、非那烯基、芴基、蒽醌基、曱基蒽基、菲基、三亞苯基、 芘基、蔑基、乙基蔑基、旌基、芘基、氯芘基、戊芬基、并五苯基、 四亞苯基、己芬基、并六苯基、玉紅省基、蔬基、三萘并苯基、庚芬基、并七苯基、皮蒽基、卵苯基、呼唑基等。
用于本發明的式中的未取代的芳氧基的實例包括苯氧基、 萘氧基和聯苯氧基。所述芳氧基的至少一個氫原子可被在上述對烷基 的定義中提到的相同取代基取代。
用于本文的未取代雜芳基是指6-30個碳原子的一價或二 價的單環或雙環芳族有機化合物，該化合物含1、 2或3個選自N、 O、 P和S的雜原子。所述雜芳基的至少一個氬原子可被在上述對烷基的 定義中提到的相同取代基取代。
所述雜芳基的實例包括吡唑基、咪唑基、噁唑基、噻唑基、 三唑基、四唑基、嚼二唑基、吡咬基、噠。秦基、嘧咬基、三。秦基、口卡 唑基、吲哚基等。
特別是，式1的化合物可選自但不限于式2至12表示的 化合物
<式2〉
<式5><formula>formula see original document page 16</formula><formula>formula see original document page 17</formula>
<式11><formula>formula see original document page 18</formula><formula>formula see original document page 19</formula>
<formula>formula see original document page 19</formula>
<式12><formula>formula see original document page 19</formula>
當所述有機層包含兩種或多種不同的上式1表示的蒽衍 生物化合物時，所述兩種或多種不同的蒽衍生物化合物例如可選自上 式2-12表示的化合物。
可用于本發明的有機發光器件的離子金屬絡合物可選自 如下式13-15所表示的含有一價或二價中心金屬M或M'的化合物
<式13〉
<formula>formula see original document page 20</formula> <式14>
其中M和M'各自為一價或二價金屬。
例如M和M'可各自為Li、 Na、 Ca、 Cs、 Be、 Mg、 Zn等。更優選所述離子金屬絡合物為喹啉酚根合鋰(LiQ)金屬絡合物、 壹啉酚根合鈉(NaQ)金屬絡合物或喹啉酚根合銫(CsQ)金屬絡合物。
在本發明的有機發光器件中，式1的蒽衍生物化合物與所 述離子金屬絡合物的重量比可為5:95至95:5。如果式1的蒽衍生物 化合物與所述離子金屬絡合物的重量比小于5:95，也就是說，如果式 1的蒽衍生物化合物的含量太低，則所述有機發光器件的壽命會降低。 在另一方面，如果式1的蒽衍生物化合物與所述離子金屬絡合物的重量比超過95:5，也就是說，如果離子金屬絡合物的含量太低，則有機 發光器件的驅動電壓會增加。
在本發明的有機發光器件中，兩種或多種不同的式1表示 的蒽衍生物化合物的重量比可為5:95至95:5。如果兩種或多種不同 的式1的蒽衍生物化合物中的一種的含量太高(高于95:5)或太低(低于 5:95)，則有機發光器件的壽命會減低或驅動電壓會增加。
本發明的有機發光器件可具有各種結構。所述有機發光器 件在第一電極和第二電極之間還可包括至少一個選自以下的有機層 電子傳輸層、電子注入層、空穴阻擋層、發光層、電子阻擋層、空穴 注入層和空穴傳輸層。如上所述，這類有機層可包含式1的蒽衍生物 化合物與離子金屬絡合物的混合物或者包含兩種或多種不同的式1 的蒽衍生物化合物的混合物。例如，包含式1的蒽衍生物化合物與離 子金屬絡合物的混合物或者包含兩種或多種不同的式1的蒽衍生物 化合物的混合物的有機層可為但不限于電子傳輸層或電子注入層。
更詳細地講，本發明的各種實施方案的有機發光器件示于 圖1A、 1B和1C。參考圖1A,該有機發光器件的結構為第一電極/ 空穴傳輸層/發光層/電子傳輸層/第二電極。參考圖1B,該有機發光 器件的結構為第 一 電極/空穴注入層/空穴傳輸層/發光層/電子傳輸層/ 電子注入層/第二電極。參考圖1C，該有機發光器件的結構為第一電 極/空穴注入層/空穴傳輸層/發光層/空穴阻擋層/電子傳輸層/電子注入 層/第二電極。此處，所述發光層、所述電子傳輸層或所述電子注入 層可包含式1的蒽衍生物化合物。
下面將參考圖1C來描述制造本發明實施方案的有機發光 器件的方法。
首先，使用具有高功函數的第一電極材料通過沉積或濺射 在基板上形成第一電極。第一電極可為陽極。此處，所述基板可為常 規用于有機發光器件的基板。優選所述基板可為具有優良機械強度、 熱穩定性、透明性、表面光滑度、處理性能和斥水性的玻璃或透明塑料基板。第一電極材料可為具有良好導電性的透明材料，例如氧化錫銦(ITO)、氧化鋅銦(IZO)、 二氧化錫(Sn02)或氧化鋅(ZnO)。
接著，可使用各種方法中的任一種在第一電極上形成空穴 注入層(HIL),所述方法例如為真空沉積、旋涂、流延或Langmuir Blodgett(LB)法。
當使用真空沉積法形成空穴注入層時，沉積條件可隨空穴 注入層材料的類型、空穴注入層的結構和熱特性等變化。但是，優選 應當在100至50(TC的溫度下、l(rS至10-3托真空水平下以0.01至100 A/秒的沉積速率沉積厚度為10A至5pm的空穴注入層。
對空穴注入層材料沒有特別限制，且可為美國專利第 4,356,429號公開的酞菁化合物(例如銅酞菁)；Advanced Material, 6， 677頁(1994)中公開的星爆型(Starburst-type)胺衍生物(例如TCTA、 m-MTDATA、 m-MTDAPB)等。這里，m-MTDATA用下式表示
接著，可使用各種方法中的任一種在空穴注入層上形成空 穴傳輸層(HTL)，所述方法例如為真空沉積、旋涂、流延或LB法。 當使用真空沉積形成空穴傳輸層時，沉積條件可隨所用化合物的類型 而變化，但通常與用于形成空穴注入層的條件幾乎相同。
對空穴傳輸層材料沒有特別限制且可任選地選自用于空 穴傳輸層的公知材料，例如寸唑衍生物如N-苯基呻唑或聚乙烯基呻 唑；具有芳族稠合環的胺衍生物如N，N'-雙(3-曱基苯基)-N,N'-二苯基 -[1，1-聯苯]-4,4'-二胺0^0)或N，N'-雙(萘-l-基)-N，N'-二苯基聯苯胺 (a-NPD)等。這里，a-NPD用下式表示
接著，可使用真空沉積、旋涂、流延、LB法等在空穴傳 輸層上形成發光層(EML)。當使用真空沉積形成發光層時，沉積條件 隨所用化合物的類型而變化，但通常與用于形成空穴注入層的條件幾 乎相同。
對發光層材料沒有特別限制且可任選地選自公知的發光 材料、公知的基質材料和公知的摻雜劑材料。例如，基質材料可為 GGHOl、 GGH02、 GDI1403(Gracel Co" Ltd.)、 Alq3、 CBP(4,4'-N,N'-二啼唑-聯苯)等。至于摻雜劑，熒光摻雜劑可為GGD01、GGD02(Gracel Co.，Ltd.)、 C545T(HayashibaraCo.,Ltd.)等，磷光摻雜劑可為紅色磷光 摻雜劑(如PtOEP、 RD25、 RD61(UDC))、綠色磷光摻雜齊'j(例如Ir(PPy)3 (PPy:2-苯基吡啶)、TLEC025、 TLEC027(Takasago Co., Ltd.)或藍色磷 光摻雜劑(如F2Irpic)。此外，也可使用下式表示的摻雜劑
對摻雜劑的摻雜濃度沒有特別限制。基于100重量份的基 質和摻雜劑，摻雜劑的含量通常可為0.01至15重量份。
當發光層包含磷光摻雜劑時，可使用真空沉積或旋涂在發 光層上進一步形成空穴阻擋層(HBL),以防止三線態激子或空穴擴散 進入電子傳輸層。可用的空穴阻擋材料可為噁二哇衍生物、三唑衍生 物、菲咯啉衍生物、在JP 11-329734(Al)中公開的空穴阻擋材料、BCP 等。
接著，使用各種方法中的任一種形成電子傳輸層(ETL)， 所述方法例如為真空沉積、旋涂或流延。電子傳輸層材料可為能增強 電子傳輸能力的式1的蒽衍生物化合物。電子傳輸層材料還可為公知 的材料，例如p奎啉衍生物，特別是三(8-喹啉酚根)合鋁(Alq3)。
優選形成的電子傳輸層(ETL)的厚度為5至70nm。如果電 子傳輸層的厚度小于5nm，則不能保持空穴與電子之間的平衡，從而 效率降低。在另一方面，如果電子傳輸層的厚度大于70nm，則會降 低電流特性，從而增加驅動電壓。
接著，可在電子傳輸層上形成電子注入層(EIL)以便于從 陰才及注入電子。對于電子注入層材料沒有特別限制。
電子注入層材料可為LiF、 NaCl、 CsF、 Li20、 BaO等。 空穴阻擋層(HBL)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)的沉積條件 可隨所用化合物的類型而變化，但通常與用于形成空穴注入層的條件 幾乎相同。
最后，使用形成第二電極的材料通過真空沉積或濺射在電 子注入層上形成第二電極。第二電極可用作陰極。形成第二電極的材 料可為具有低功函數的金屬或合金、導電化合物或其混合物。例如， 形成第二電極的材料可為鋰(Li)、鎂(Mg)、鋁(A1)、鋁-鋰(Al-Li)、釣 (Ca)、鎂-錮(Mg-In)、鎂-銀(Mg-Ag)等。第二電極還可為由ITO或IZO 形成的透射式陰極以提供前發光型器件。工
除了如圖1C所述的包括第一電極、空穴注入層(HIL)、 穴傳輸層(HTL)、發光層(EML)、空穴阻擋層(HBL)、電子傳輸層(ETL)、 電子注入層(EIL)和第二電極的結構外，本發明的有機發光器件還可具 有不同結構。在需要時，還可形成一個或兩個中間層。
下文將描述本發明的式2表示的化合物(下文中稱作"化合 物2")和式3表示的化合物(下文中稱作"化合物3")的合成實施例和多 個實施例，但本發明不限于以下實施例。
實施例
合成實施例1
按照下述反應流程1合成中間體A。
<反應流程1><formula>formula see original document page 25</formula>
中間體A
按照下述反應流程2用中間體A合成化合物2。
<反應流程2>
<formula>formula see original document page 26</formula>
合成實施例2
按照下述反應流程3合成中間體Bc
<反應流程3><formula>formula see original document page 26</formula>中間體B
tu，c
按照上述反應流程2使用中間體B代替中間體A合成化 合物3。
實施例1
使用合成實施例1中合成的化合物2與查啉酚根合鈉 (NaQ)的混合物(重量比為l:l)作為電子傳輸層材料制造具有以下結構 的有機發光器件m-MTDATA(750 A )/a-NPD(150A)。
將15Q/cm2的ITO玻璃基板(Corning, 1200A)切成大小 為50mm x 50mm x 0.7mm的塊，隨后在異丙醇和純水中各用超聲波 清洗5分鐘并使用UV/臭氧清洗30分鐘以形成陽極。隨后在陽極上 真空沉積厚度為750A的m-MTDATA以形成空穴注入層，在空穴注 入層上真空沉積厚度為150A的a-NPD以形成空穴傳輸層。隨后在空 穴傳輸層上真空沉積厚度為300 A的作為藍色熒光基質的 GBH02(Gracel Co., Ltd.)和作為摻雜劑的GBD32(Gracel Co., Ltd.)(重 量比(％)為97:3)以形成發光層。隨后在發光層上真空沉積厚度為200 A的化合物2與NaQ的混合物以形成電子傳輸層。將LiF(10A，電 子注入層)和A1(3000A,陰極)順次真空沉積在電子傳輸層上以形成 LiF/Al電極。這樣完成了有機發光器件的制造。
實施例2
采用與實施例1相同的方法制造有機發光器件，不同之 處在于真空沉積在合成實施例1中合成的化合物2與合成實施例2中 合成的化合物3的混合物(重量比為l:l)以形成電子傳輸層。
比較實施例
采用與實施例1相同的方法制造有機發光器件，不同之 處在于使用 Alq3作為電子傳輸層材料m-MTDATA(750 A)Ax-A)/A1(3000A)'
評價實施例1
評價實施例l-2和比較實施例1中制造的有機發光器件 的電流密度、效率和壽命特性。圖2至4分別圖示了電流密度、效率 和壽命特性。使用Source Measurement Unit 238(Keithley)評價電流密度，使用PR650(Photo Research Inc.)評價效率特性，使用Polaronix M6000 (Mcscience)評價壽命特性。
用于本發明的有機發光器件的蒽衍生物化合物與離子金 屬絡合物的混合物或者兩種或多種不同的蒽衍生物化合物的混合物 具有良好的電子傳輸能力，并因此可有效地用作形成有機層的材料， 從而形成具有高效率、低驅動電壓、高亮度和長壽命的有機發光器件。
權利要求
1.一種有機發光器件，所述有機發光器件包括第一電極；第二電極；和置于第一電極和第二電極之間的有機層，所述有機層包含一種或多種下式1表示的蒽衍生物化合物和任選的離子金屬絡合物<式1>其中R1和R2各自獨立為氫原子、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C6-C30芳氧基、取代或未取代的C4-C30雜芳基、取代或未取代的C6-C30稠合多環基、羥基、鹵素、氰基或取代或未取代的氨基。
2.權利要求l的有機發光器件，其中所述有機層包含下式l表示 的蒽衍生物化合物和離子金屬絡合物 <式1><formula>formula see original document page 3</formula>其中Ri和R2各自獨立為氫原子、取代或未取代的Cl-C30烷基、 取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C6-C30芳基、取 代或未取代的C6-C30芳氧基、取代或未取代的C4-C30雜芳基、取 代或未取代的C6-C30稠合多環基、羥基、卣素、氰基或取代或未取 代的氨基。
3. 權利要求2的有機發光器件，其中所述蒽衍生物化合物與所述 離子金屬絡合物的重量比為5:95至95:5。
4. 權利要求1的有機發光器件，其中所述有機層包含兩種不同的 式1表示的蒽衍生物化合物，且所述兩種不同的蒽衍生物化合物的重 量比為5:95至95:5。
5. 權利要求1的有機發光器件，其中&和112各自獨立為選自以 下的基團苯基、Cl-C5烷基苯基、Cl-C5烷氧基苯基、tt苯基、 苯氧基苯基、鹵代苯基、萘基、Cl-C5烷基萘基、Cl-C5烷氧基萘基、 氰基萘基、卣代萘基、蒽基、芴基、咔唑基、Cl-C5烷基呻峻基、聯 苯基、Cl-C5烷基聯苯基、Cl-C5烷氧基聯苯基和吡口定基。
6. 權利要求1的有機發光器件，其中Ri和R2各自獨立為選自以 下的基團苯基、乙基苯基、乙基聯苯基、鄰-、間-和對-氟苯基、二 氯苯基、二氰基苯基、三氟曱氧基苯基、鄰—、間-和對-曱苯基、萊基、 苯氧基苯基、二曱基苯基、(N,N'-二曱基)氨基苯基、(N,N'-二苯基)氨 基苯基、戊搭烯基、萘基、甲基萘基、蒽基、奠基、庚搭烯基、苊烯 基、芴基、蒽醌基、菲基、三亞苯基、戊芬基、己芬基和咔唑基。
7.權利要求4的有機發光器件，其中式l的蒽衍生物化合物選自下 式2至12表示的化合物 <式2><formula>formula see original document page 5</formula><formula>formula see original document page 6</formula><式11><formula>formula see original document page 7</formula><式12><formula>formula see original document page 7</formula>
8.權利要求1的有機發光器件，其中所述離子金屬絡合物為下式 13、 14或15表示的4b合物<formula>formula see original document page 8</formula><式13>其中M和M'各自為一價或二價金屬。
9.權利要求1的有機發光器件，其中所述有機層包含式2表示的化 合物和p奎啉酚根合鈉(NaQ), <式2><formula>formula see original document page 9</formula>
10.權利要求1的有機發光器件，其中所述有機層包含式2和3表示 的化合物， <formula>formula see original document page 9</formula><formula>formula see original document page 10</formula>
11. 權利要求l的有機發光器件，其中所述有機層為電子傳輸層或 電子注入層。
12. 權利要求9的有機發光器件，其中所述有機層還包括至少一層 選自以下的層空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發光層、 空穴阻擋層、電子傳輸層和電子注入層。
13. 權利要求IO的有機發光器件，所述有機發光器件具有第一電 極/空穴傳輸層/發光層/電子傳輸層/第二電極結構、第一電極/空穴注 入層/空穴傳輸層/發光層/電子傳輸層/電子注入層/第二電極結構或第 一電極/空穴注入層/空穴傳輸層/發光層/空穴阻擋層/電子傳輸層/電子 注入層/第二電極結構。
全文摘要
本發明提供了一種有機發光器件，所述有機發光器件包括第一電極；第二電極；和置于第一電極和第二電極之間的有機層，所述有機層包含一種或多種下式1表示的蒽衍生物化合物和任選的離子金屬絡合物，其中R₁和R₂各自獨立為氫原子、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C6-C30芳氧基、取代或未取代的C4-C30雜芳基、取代或未取代的C6-C30稠合多環基、羥基、鹵素、氰基或取代或未取代的氨基。
文檔編號C07C211/57GK101267022SQ20081008680
公開日2008年9月17日 申請日期2008年3月13日 優先權日2007年3月14日
發明者千民承, 崔慶勛, 崔玲碩, 樸永浩, 樸美花, 李寬熙, 林椿于 申請人:三星Sdi株式會社