專利名稱：可交聯的取代芴化合物和基于其的共軛低聚物或聚合物的制作方法
技術領域：
本發明涉及新的可交聯的芴化合物及它們的制備方法。本發明還涉及這種化合物的低聚物和聚合物，所述的化合物包括其交聯衍生物，以及由這種化合物、低聚物或聚合物制備的薄膜和涂層，制備這種薄膜和涂層的方法，以及包含一層或多層的這種聚合物薄膜的電子器件，特別是場致發光器件。
背景技術：
美國專利6，605，373,6, 362，310,6, 255，449,6, 255，447,6, 169，163,5, 962，631
和相關專利公開某些可交聯的取代芴化合物，以及來自于它們的低聚物和聚合物。 Macromolecular Rapid Communi r,a.ti on 21, 583-589 (2000)描述了含有含可交聯的氧雜環丁燒基的可交聯空穴傳輸材料的芳基胺的合成。Macromolecular Rapid Communication 20,224-228(1999)描述了含有可交聯的氧雜環丁烷基的三芳基胺小分子的合成，可以將所述的三芳基胺小分子旋涂并且交聯成薄膜。上面的參考文獻，在所公開的交聯聚合物的范圍內，缺少共軛聚合物骨架，并且只具有受限的電荷傳輸能力。在WO 2004/072123中，公開了用于有機發光顯示器中的含芴二基的化合物。相關的化合物還公開于美國專利6，559，256和于2004年3月18日公開的USA 2004/0054152中。顯示技術的最新進展得到用于場致發光器件如發光二極管(LED)的改進化合物和制造技術。對于大部分可見光譜，現在可以得到高亮度的材料，包括發藍光的化合物。最近，已經發現通過將電荷傳輸層結合在活性或發光層與陽極之間的多層LED中，可以得到多層LED的活性或發光層的提高的壽命和效率。這種層也可以稱作空穴注入層和/或空穴傳輸層，其目的在于改善空穴向發光層的注入并且在陽極和發光層之間提供緩沖層。在其它應用中，已經表明這種在空穴傳輸層和發光層之間的中間層提供改善的器件效率和壽命。本發明涉及新化合物，該化合物用于多層LED的空穴傳輸層和中間層，以及其它電子器件如場效應晶體管(FET)、光電池，并且甚至用于集成電路或印刷電路板。
發明內容
在一個方面，本發明提供一種可交聯的化合物，其含有一種或多種下式的芴二
權利要求
1.一種可交聯的組合物，其包含具有經驗式Ia的低聚物或聚合物
2.一種下式的可交聯低聚物或聚合物(
3.根據權利要求2的可交聯低聚物或聚合物，其具有下面的結構，或
4. 一種對應于下式的交聯聚合物
全文摘要
本發明公開了可交聯的取代芴化合物；由這種可交聯的化合物制備的低聚物和聚合物；薄膜和涂層；以及包含這種薄膜的多層電子器件。
文檔編號C07C25/24GK102585172SQ20121003464
公開日2012年7月18日 申請日期2004年10月25日 優先權日2003年11月17日
發明者M·因巴斯卡格, 余旺林 申請人:住友化學株式會社