金屬醇鹽化合物、薄膜形成用原料、薄膜的制造方法和醇化合物的制作方法
【專利摘要】本發明提供一種具有適合作為CVD法中的薄膜形成用原料的物性的金屬醇鹽化合物，特別是具有適合作為金屬銅薄膜形成用原料的物性的金屬醇鹽化合物。具體地說，提供一種由下述通式(I)表示的金屬醇鹽化合物以及含有該金屬醇鹽化合物的薄膜形成用原料。通式(I)中，R1表示甲基或乙基，R2表示氫原子或甲基，R3表示碳原子數為1～3的直鏈或分支狀的烷基，M表示金屬原子或硅原子，n表示金屬原子或硅原子的價數。
【專利說明】金屬醇鹽化合物、薄膜形成用原料、薄膜的制造方法和醇化 合物
【技術領域】
[0001] 本發明涉及一種具有特定的亞氨基醇作為配位體的新穎的金屬醇鹽化合物、含有 該化合物的薄膜形成用原料、使用了該薄膜形成用原料的含有金屬的薄膜的制造方法和新 穎的醇化合物。
【背景技術】
[0002] 含有金屬元素的薄膜材料由于顯示出電特性和光學特性等，所以被應用于各種用 途。例如，銅和含有銅的薄膜由于具有高導電性、高耐電迀移性、高熔點的特性，因而被作為 LSI的配線材料來應用。另外，鎳和含有鎳的薄膜主要用于電阻膜、阻隔膜等電子部件的構 件、磁性膜等記錄介質用構件、電極等薄膜太陽電池用構件等。另外，鈷和含有鈷的薄膜用 于電極膜、電阻膜、粘接膜、磁帶、超硬工具構件等。
[0003] 作為上述的薄膜的制造方法，可以列舉出濺射法、離子鍍法、涂布熱分解法以及 溶膠凝膠法等MOD法、化學氣相沉積法等，由于具有組成控制性、高低差覆蓋性優良、適合 于批量生產化、能夠實現混合集成等諸多優點的緣故，所以包括ALD (原子層沉積；Atomic Layer Deposition)法在內的化學氣相沉積（以下，有時也僅記為CVD)法是最適合的制造 工藝。
[0004] 作為化學氣相沉積法中使用的金屬供給源，已經大量報道過各種原料，例如，在專 利文獻1中，公開了在MOCVD法中能夠用作含有鎳的薄膜形成用原料的鎳的叔氨基醇鹽化 合物。另外，在專利文獻2中，公開了在MOCVD法中能夠用作含有鈷的薄膜形成用原料的鈷 的叔氨基醇鹽化合物。此外，在專利文獻3中，公開了在化學氣相沉積法中能夠用作含有銅 的薄膜形成用原料的銅的叔氨基醇鹽化合物。
[0005] 現有技術文獻
[0006] 專利文獻
[0007] 專利文獻I :US2008/171890號公報
[0008] 專利文獻2 :KR100675983號公報
[0009] 專利文獻3 :日本特開2006-328019號公報
【發明內容】
[0010] 本發明所要解決的問題
[0011] 在使化學氣相沉積用原料等氣化來形成薄膜的情況下，適合于該原料的化合物 (前體）所要求的性質是無自然起火性、蒸氣壓大而容易氣化、熱穩定性高。以往的金屬化 合物中，還沒有能夠充分滿足上述要求的化合物。
[0012] 另一方面，在使化學氣相沉積用原料等氣化來形成金屬銅薄膜的情況下，如果進 行200°C以上的加熱，則存在著金屬銅薄膜的膜質變差，電阻值變高，無法獲得所期望的電 特性的問題。該問題的原因還不確定，但據推測這或許是因為：通過進行200°C以上的加 熱，會使得到的薄膜中存在的銅粒子的粒徑變大或該粒子凝聚。因此，需要有在低于200°C 下可發生熱分解的金屬銅薄膜形成用的化學氣相沉積法用原料。
[0013] 因此，本發明的目的是提供一種具有適合作為CVD法中的薄膜形成用原料的物性 的金屬醇鹽化合物，特別是，提供一種具有適合作為金屬銅薄膜形成用原料的物性的金屬 醇鹽化合物。
[0014] 解決問題的手段
[0015] 本
【發明者】進行了反復研宄，結果發現，特定的金屬醇鹽化合物能夠解決上述課題， 從而得到本發明。
[0016] 本發明提供由下述通式（I)表示的金屬醇鹽化合物、含有該金屬醇鹽化合物的薄 膜形成用原料、和使用該原料來形成含有金屬的薄膜的薄膜的制造方法。
[0017]
【權利要求】
1. 一種金屬醇鹽化合物，其由下述通式（I)表示，
通式（I)中，R1表示甲基或乙基，R2表示氫原子或甲基，R3表示碳原子數為1?3的直 鏈或分支狀的烷基，M表示金屬原子或硅原子，η表示金屬原子或硅原子的價數。
2. 根據權利要求1所述的金屬醇鹽化合物，其中，在所述通式（I)中，M是銅、鎳、鈷。
3. 根據權利要求1所述的金屬醇鹽化合物，其中，在所述通式（I)中，M是銅，R2是氫 原子。
4. 一種薄膜形成用原料，其含有權利要求1?3中任一項所述的金屬醇鹽化合物。
5. -種薄膜的制造方法，其中，將使權利要求4所述的薄膜形成用原料氣化而得到的 含有上述金屬醇鹽化合物的蒸氣導入至設置有基體的成膜腔室內，使該金屬醇鹽化合物發 生分解和/或化學反應，從而在該基體的表面上形成含有金屬的薄膜。
6. -種醇化合物，其由下述通式（II)表示，
通式（II)中，R4表示甲基或乙基，R5表示氫原子或甲基，R6表示碳原子數為1?3的 直鏈或分支狀的烷基，其中，當R5為氫原子時，R4表示甲基或乙基，R6表示碳原子數為1? 3的直鏈或分支狀的烷基；另外，當R5為甲基、R4為甲基時，R6表示碳原子數為3的直鏈或 分支狀的烷基；另外，當R5為甲基、R4為乙基時，R6表示碳原子數為1?3的直鏈或分支狀 的燒基。
【文檔編號】C07F15/04GK104470892SQ201380035400
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2013年10月21日 優先權日:2012年11月13日
【發明者】櫻井淳, 畑瀨雅子, 山田直樹, 白鳥翼, 齋藤昭夫, 吉野智晴 申請人:株式會社艾迪科