進行了酸性處理的單烷基萘甲醛樹脂的制作方法
【專利摘要】本發明提供熱分解性和在溶劑中的溶解性優異的新型樹脂及其前體。一種樹脂，其是對單烷基萘甲醛樹脂進行酸性處理而得到的，所述單烷基萘甲醛樹脂是使下述式(1)所示的化合物與甲醛在催化劑的存在下反應而得到的。(式(1)中，R1表示碳數1～4的烷基)。
【專利說明】進行了酸性處理的單烷基萘甲醛樹脂
【技術領域】
[0001] 本發明涉及新型的樹脂，尤其涉及對單烷基萘甲醛樹脂進行酸性處理而得到的樹 脂。
【背景技術】
[0002] 例如，對于作為電氣用絕緣材料、抗蝕劑用樹脂、半導體用密封樹脂、印刷電路板 用粘接劑、電氣機器?電子機器?產業機器等中搭載的電氣用層疊板的基體樹脂、電氣機 器?電子機器?產業機器等中搭載的預浸料的基體樹脂、積層層疊板材料、纖維強化塑料用 樹脂、液晶顯示面板的密封用樹脂、涂料、各種涂布劑、粘接劑、半導體用的涂布劑或半導體 制造中的抗蝕劑用樹脂而使用的樹脂而言，為了難以因熱而分解（熱分解性）以及容易操 作，要求在溶劑中的良好溶解性。作為具有這種特性的樹脂，已知有如下樹脂：使以單烷基 萘或二烷基萘作為主成分的多環式芳香族烴與多聚甲醛在芳香族單磺酸的存在下反應而 得到的芳香族烴樹脂（參照專利文獻1);使甲氧基亞甲基萘化合物與苯酚、甲酚或萘酚等 具有酚式羥基的化合物在硫酸二乙酯的存在下反應，從而具有使萘與具有酚式羥基的化合 物介由亞甲基鍵合而成的結構的酚醛樹脂（參照專利文獻2)等。
[0003] 另外，已知使上述的使用二烷基萘得到的芳香族烴樹脂與酸和具有酚式羥基的化 合物反應而制成改性樹脂，從而改善熱分解性的方法（參照專利文獻3和4)。
[0004] 已知的是，為了抑制因熱導致的分解，提高樹脂中的碳濃度即可，作為這樣的樹 月旨，例如已知具有下述式所示的單元結構的苊樹脂（參照專利文獻5)。
[0005] [化學式1]
[0006]
【權利要求】
1. 一種樹脂，其是對單烷基萘甲醛樹脂進行酸性處理而得到的，所述單烷基萘甲醛樹 脂是使下述式（1)所示的化合物與甲醛在催化劑的存在下反應而得到的， [化學式1]
式（1)中，&表示碳數1?4的燒基。
2. 根據權利要求1所述的樹脂，其中，所述酸性處理使用酸性催化劑和下述式（2)所示 的化合物， [化學式2]
式（2)中，a表示1?3的整數，X各自獨立地表示氫原子、碳數1?10的烷基、碳數 6?10的芳基、或者環己基，b表示0?3的整數，Y各自獨立地表示碳數1?10的燒基、 碳數6?10的芳基、或者環己基，η表示0?2的整數。
3. 根據權利要求2所述的樹脂，其中，所述式（2)所示的化合物為選自由苯基苯酚、萘 酚、甲氧基萘酚、苯甲酸基萘酚、二羥基萘、羥基蒽、甲氧基蒽、苯甲酸基蒽、以及二羥基蒽組 成的組中的至少一種。
4. 根據權利要求2或3所述的樹脂，其中，所述式（2)所示的化合物的用量相對于所述 單烷基萘甲醛樹脂中的含氧摩爾數1摩爾為〇. 1?5摩爾。
5. 根據權利要求1所述的樹脂，其中，所述酸性處理使用酸性催化劑和水。
6. 根據權利要求5所述的樹脂，其中，所述酸性催化劑的用量相對于所述單烷基萘甲 醛樹脂100質量份為〇. 0001?100質量份。
7. -種樹脂，其是使用酸性催化劑和上述式（2)所示的化合物對權利要求5或6所述 的樹脂進行酸性處理而得到的。
8. 根據權利要求7所述的樹脂，其中，所述式（2)所示的化合物為選自由苯基苯酚、萘 酚、甲氧基萘酚、苯甲酸基萘酚、二羥基萘、羥基蒽、甲氧基蒽、苯甲酸基蒽、以及二羥基蒽組 成的組中的至少一種。
9. 根據權利要求7或8所述的樹脂，其中，所述式（2)所示的化合物的用量相對于所述 單烷基萘甲醛樹脂中的含氧摩爾數1摩爾為〇. 1?5摩爾。
10. -種下層膜用樹脂，其是對單烷基萘甲醛樹脂進行酸性處理而得到的，所述單烷基 萘甲醛樹脂是使下述式（1)所示的化合物與甲醛在催化劑的存在下反應而得到的， [化學式3]
式（1)中，&表示碳數1?4的燒基。
11. 根據權利要求10所述的下層膜用樹脂，其中，所述酸性處理是使用酸性催化劑和 下述式（2)所示的化合物進行的、和/或、使用酸性催化劑和水進行的， [化學式4]
式（2)中，a表示1?3的整數，X各自獨立地表示氫原子、碳數1?10的烷基、碳數 6?10的芳基、或者環己基，b表示0?3的整數，Y各自獨立地表示碳數1?10的燒基、 碳數6?10的芳基、或者環己基，η表示0?2的整數。
12. -種下層膜形成材料，其特征在于，其至少含有權利要求1所述的樹脂和有機溶 劑。
13. 根據權利要求12所述的下層膜形成材料，其特征在于，其還含有產酸劑。
14. 根據權利要求12或13所述的下層膜形成材料，其特征在于，其還含有交聯劑。
15. -種光刻用下層膜，其特征在于，其是由權利要求12?14中任一項所述的下層膜 形成材料形成的。
16. -種圖案形成方法，其特征在于，在基板上使用權利要求12?14中任一項所述的 下層膜形成材料形成下層膜，在該下層膜上形成至少1層的光致抗蝕層后，對該光致抗蝕 層的所需區域照射輻射線，進行堿顯影。
17. -種圖案形成方法，其特征在于，在基板上使用權利要求12?14中任一項所述的 下層膜形成材料形成下層膜，在該下層膜上使用含有硅原子的抗蝕中間層膜材料形成中間 層膜，在該中間層膜上形成至少1層的光致抗蝕層后，對該光致抗蝕層的所需區域照射輻 射線，進行堿顯影形成抗蝕圖案，其后，以該抗蝕圖案作為掩膜對所述中間層膜進行蝕刻， 以所得中間層膜圖案作為蝕刻掩膜對所述下層膜進行蝕刻，以所得下層膜圖案作為蝕刻掩 膜對基板進行蝕刻，從而在基板上形成圖案。
【文檔編號】C08G10/04GK104114596SQ201380009715
【公開日】2014年10月22日 申請日期:2013年2月25日 優先權日:2012年2月27日
【發明者】內山直哉, 東原豪, 越后雅敏 申請人:三菱瓦斯化學株式會社