用于體外診斷設備并帶有葫蘆形開口的反應倉的制作方法

本發明涉及體外診斷設備檢測用反應倉，尤其是涉及一種用于體外診斷設備并帶有葫蘆形開口的反應倉。

背景技術：

基因擴增技術又稱無細胞分析克隆系統，可將極微量的靶DNA擴增上百萬倍，從而大大提高對靶DNA分子的分析和檢測能力，能檢測單分子DNA或對每9萬個細胞中僅含一個靶DNA分子的樣品，因而在體外診斷領域得到快速發展，用于檢測遺傳病、傳染病等疾病。常將體外診斷設備如全自動化學發光免疫分析系統、生化分析儀等儀器與基因擴增技術合為一體進行多種疾病或病毒的診斷。據統計，目前導致基因擴增檢測失敗的關鍵因素在于提純質量的失控而導致靶DNA的丟失或受到污染，因而靶DNA復制后的提純是直接影響基因擴增反應的關鍵操作，直接影響疾病檢測結果的準確性。提純步驟中用到的反應倉是用來獲得提純物的一次性耗材或可重復性耗材，需要有接收混合物的反應空間，在檢測過程中，反應倉既要滿足同自動化儀器設備的動作對接，又要依照其動作程序滿足各類功能需求及防污染需求，并以此獲得高質量的純化物進而確保擴增反應的成功率及準確性。現有反應倉混合不均，反應混合物易出現掛壁現象，并且帶有靶DNA的磁珠富集時間長，進而影響樣品檢測的準確性。

技術實現要素：

本發明目的在于提供一種用于體外診斷設備并帶有葫蘆形開口的反應倉。

為實現上述目的，本發明采取下述技術方案：

本發明所述用于體外診斷設備并帶有葫蘆形開口的反應倉，包括頂部設置有固定圈的倉體，所述倉體由倉室和設置在所述倉室下端的倉底組成，所述倉室上端部橫截面的內輪廓為由大直徑圓弧段和小直徑圓弧段銜接構成的葫蘆形輪廓，倉室的上側壁呈圓柱形結構, 倉室的下側壁內輪廓為上大下小的倒圓臺結構或碗狀結構，所述倉底為圓弧底；與所述小直徑圓弧段對應位置處的倉室側壁上斜切有自上側壁向下側壁下端延伸的富集斜切壁，所述富集斜切壁的下端向倉底中軸線傾斜設置，富集斜切壁的內表面和外表面均為平面結構，富集斜切壁與所述倉底中軸線之間的夾角α為150～175°，倉室的下側壁上設置有富集裝置。

與所述富集斜切壁相對的倉室下側壁縱截面外輪廓線為直線或弧線。

位于所述富集斜切壁兩側的倉室側壁上均斜切有自上側壁向下側壁下端延伸的加熱斜切壁，每個所述加熱斜切壁的內表面和外表面均為平面結構，加熱斜切壁外表面與富集斜切壁之間外表面之間的夾角β為80～90°。

所述倉體的壁厚為0.4～1.0mm。

所述富集斜切壁的寬度為4～8mm。

本發明優點在于結構簡單、使用方便；倉底為圓弧底，便于渦旋；下側壁為倒圓臺結構或碗狀結構，具有緩沖作用，便于渦旋，根據液體渦旋原理，流入倉底的反應試劑渦旋上升后再下落，實現渦旋混勻；富集斜切壁與倉底中軸線夾角α為定值，富集斜切壁的高度與葫蘆形開口的大直徑圓弧、小直徑圓弧之間的中心距呈正相關；注液后，可以直接對下側壁進行加熱或者對加熱斜切壁加熱，壁厚一致，反應試劑受熱均勻，富集斜切壁傾斜設置，富集距離短，縮短富集時間，進而提高檢測效率。

附圖說明

圖1是本發明所述下側壁為倒圓臺結構時的結構示意圖。

圖2是本發明所述下側壁為倒圓臺結構時的立體結構示意圖（隱去富集裝置）。

圖3是圖2的俯視結構示意圖。

圖4是本發明所述下側壁為碗狀結構時的結構示意圖。

圖5是本發明所述下側壁為碗狀結構時的立體結構示意圖（隱去富集裝置）。

圖6是本發明帶有加熱斜切壁時的結構示意圖。

圖7是本發明帶有加熱斜切壁時的立體結構示意圖（隱去富集裝置）。

圖8是圖7的俯視結構示意圖。

具體實施方式

如圖1、圖2所示，本發明所述用于體外診斷設備并帶有葫蘆形開口的反應倉，包括頂部設置有固定圈1的倉體，所述倉體包括頂部開口設置的倉室和設置在所述倉室下端的倉底2，倉體2為圓弧底，便于渦旋，使倉室無用容量最小化，在反應試劑添加過程中起渦旋作用；如圖3所示，所述倉室上端部橫截面的內輪廓為由大直徑圓弧和小直徑圓弧銜接構成的葫蘆形輪廓4，即倉室的上開口為葫蘆形開口；如圖1、圖2所示，倉室包括呈圓柱形的上側壁4和設置在所述上側壁4下端的下側壁5，所述倉底2設置在下側壁5的底部，與所述小直徑圓弧開口對應位置處的倉室上斜切有自上側壁4向下側壁5下端延伸的富集斜切壁6，所述富集斜切壁6的下端向倉底2中軸線傾斜，富集斜切壁6的內表面和外表面均為平面結構；所述下側壁5內輪廓為上大下小的倒圓臺形結構，與所述富集斜切壁6對應位置處的下側壁5縱截面外輪廓線為直線；實際制造時，倉室的下側壁5的內輪廓也可以是如圖4、圖5所示的上大下小碗狀結構，與所述富集斜切壁6對應位置處的下側壁5縱截面外輪廓線為弧線；倉室的下側壁5具有緩沖作用，便于渦旋；倉室的下側壁5上設置有富集裝置7，富集裝置7為可移動的磁鐵塊，富集裝置7可以設置在富集斜切壁6上，還可以設置在與富集斜切壁6相對位置處的倉室下側壁5上，還可以同時在富集斜切壁6和倉室下側壁5上。

實際制造時，為了加熱方便，在位于富集斜切壁6前側和后側位置處的倉室上均斜切有自上側壁4向下側壁5下端延伸的加熱斜切壁8，每個所述加熱斜切壁8的內表面和外表面均為平面結構，加熱斜切壁8外表面與富集斜切壁6之間外表面之間的夾角β為90°。

實際制造時，富集斜切壁6與所述倉底2中軸線之間的夾角α為固定值，富集斜切壁6的高度與葫蘆形開口的大直徑圓弧、小直徑圓弧之間的中心距呈正相關，中心距越大，富集斜切壁6的最高處越接近固定圈1，即富集斜切壁6的高度越大。如圖4-5所示，富集斜切壁6與倉底2中軸線之間的夾角為168°，葫蘆形開口的大直徑圓弧段與小直徑圓弧段之間的中心距為6.3mm，富集斜切壁6的寬度為6mm，富集斜切壁6上部與固定圈1底部之間的距離為7.6mm；如圖6-8所示，富集斜切壁6與倉底2中軸線之間的夾角α為168°，葫蘆形開口的大直徑圓弧段與小直徑圓弧段之間的中心距為7.3mm，富集斜切壁6的寬度為6mm，富集斜切壁6上部與固定圈1底部之間的距離為2.0mm。

實際使用時，富集裝置7可移動，注液和混勻過程中將富集裝置7移開，磁珠試劑富集時再將富集裝置7移動到富集斜切壁6的外表面，注液時，如圖1、圖4、圖6所示，注液管9的注液位置為富集斜切壁6中上部所在的軸線上，注液管9的注液深度由反應試劑的加入量確定，反應試劑經富集斜切壁6流入倉底2，避免因注液位置而導致掛壁和混合不均勻現象，提高準確性；倉室的壁厚為0.7mm，壁厚一致，受熱均勻，便于傳熱；位于富集斜切壁6兩側的倉室上側壁4具有避位作用，防止反應試劑在渦旋過程中沖出倉室；倉室下側壁外表面設置有富集裝置7，便于磁珠試劑的富集磁珠試劑富集時直接沿富集斜切壁6縱向吸附在其內表面，即磁珠試劑呈一定寬度的線狀結構。

本發明的工作原理簡述如下：

實際使用時，首先向倉室內添加磁珠試劑，然后向倉室內注入反應試劑，反應試劑的注液位置位于富集斜切壁6內表面的上部，反應試劑順著富集斜切壁6內表面向下流入倉底2，倉底2為弧形尖底，根據渦旋原理，流入倉底2的反應試劑向上渦旋至下側壁5內表面，然后上升至上側壁4，然后反應試劑在自身重力的作用下重新落入倉底2，實現反應試劑與磁珠試劑的混合，可以反復進行吸液、注液動作，使反應混合均勻，注液后加熱下側壁5或加熱斜切壁8對反應混合物進行加熱，提供反應所需的熱量。

當反應結束后，用設置在富集斜切壁6上的富集裝置7對磁珠進行富集，用富集30～70秒后，磁珠試劑即可完全吸附在富集裝置7對應位置處的富集斜切壁6上，用吸液管10進行緩慢吸液直至將倉底2位置處的溶液完全吸出，，即可實現磁珠試劑富集的實驗操作。