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一種晶片粘接蠟的制作方法

文檔序號:3813485閱讀:1867來源:國知局
專利名稱:一種晶片粘接蠟的制作方法
技術領域
本發明涉及一種粘接臘,特別涉及一種具有聞拉伸到切強度的晶片粘接臘。
背景技術
在各種晶片的拋光過程中,比較常用的拋光方式為無蠟拋光和有蠟拋光。隨著單晶直徑的不斷增大,有蠟拋光逐步成為大直徑晶片的主要拋光方式。同時,對于厚度較薄的晶片而言,由于有蠟拋光是將晶片完全固定在基板上,具有在拋光過程中不易碎片的特點,因此也成為厚度較薄晶片的主要拋光方式。上述的“蠟”實際是含蠟的粘接材料,實際上在晶片的加工過程中,切割及拋光工序都需要將晶片進行高強度的粘接固定,目前主流的粘接材料都是松香加石蠟調配而成。如中國專利申請號200910030364. 3的發明專利公開了一種粘接晶片膠各組成的重量比為85號地蠟松香熱熔膠=5:3:5。·中國專利公開號CN101984012A的發明專利公開了一種有蠟加工晶片用粘結劑及其制備方法,該粘結劑主要由石蠟、松香和蟲膠組成,其中石蠟、松香、蟲膠按20-50 40-75 5-20的質量比配比。中國專利專利號00117420. 7的發明專利公開了一種含松香和紫膠的精密磁石切割用熱熔膠粉及其制法,該熱熔膠粉按重量份數計,組成包括松香30-50份、紫膠30-50份、聚合松香3-8份、經硅油表面處理的輕質碳酸鈣2-5份。上述專利中的粘接蠟的主要成分為石蠟、松香、紫(蟲)膠和聚合松香等,其中松香起主要的粘性作用,紫(蟲)膠、聚合松香主要提供內聚強度和一定的粘性,石蠟為降低粘度(提高膠的流動性)作用。松香粘性好,但軟化點低,特別是添加石蠟的情況下,軟化點只能達到55°C _65°C,在加工過程中晶片溫度升高,造成粘接強度急劇下降,所以得添加聚合松香或紫膠。聚合松香及紫膠內聚力強,軟化點高,可達145°C,可有效提高晶片粘接蠟的軟化點和內聚強度,但融熔運動粘度大,流動性變差,會帶來粘接效果下降,要改進流動性,只能增加石蠟含量或提高施膠溫度,增加石蠟含量則軟化點、內聚強度及粘性降低,提高施膠溫度(比如120°C )則松香易變質,損失粘性,所以聚合松香及紫膠添加量受到限制。有人把上述石蠟更換成聚乙烯蠟或費托合成蠟,內聚力有所提高,但從拉伸剪切強度測試數據看,粘接力并沒有實質的提聞。從晶片粘接的要求看,需要一種軟化點適中,粘性和流動性好,內聚力高的粘接臘。通常粘接蠟使用時溫度控制在高出軟化點30°C時為好,低于這個溫度則蠟中開始出現結晶,浸潤性下降,粘接力下降;高出這個溫度,則運動粘度太低,流動性過高,造成粘接面太薄,粘接強度下降。雖然軟化點越高越耐溫,但有些晶片加工后采用熱水浸泡,將晶片上的粘接蠟泡軟除下,則要求粘接蠟的軟化點不宜超過100°c。而且含松香的粘接蠟使用溫度不宜超過120°c,一般在110°C左右,所以粘接蠟的軟化點不宜超過90°C,一般控制在80°C左右。
流動性是以運動粘度指標來表示,當某一溫度的運動粘度越低,則該溫度下的流動性越好。當運粘接溫度下動粘度高時,則粘接蠟和晶片的浸潤性下降明顯,粘接力下降。如前所述,運動粘度也不是越低越好,從使用經驗總結,110°C下運動粘度控制在100-200mm2/s 為好。從實際拉伸剪切強度測試可以看出,大部分都是內聚破壞,即粘接層內聚強度不夠。從拋光產生的剪切力可知,拉伸剪切強度指標不能低于20Kg/cm2。但目前所公開技術的粘接蠟,經測試,拉伸剪切強度普遍在12-22Kg/cm2,所以在實際晶片加工過程中有時好有時壞,根本原因就是粘接力不夠,即拉伸剪切強度不夠高。綜上所述,針對現有技術的缺陷,特別需要一種晶片粘接蠟,以解決以上提到的問 題。

發明內容
本發明的目的在于提供一種晶片粘接蠟,解決上述現有技術的缺陷,軟化點適中,粘性和流動性好,內聚力高。本發明所解決的技術問題可以采用以下技術方案來實現一種晶片粘接蠟,其特征在于,它包含以下重量百分比的組分微晶蠟1_5%、合成蠟5-10%、酰胺蠟5-10%、松香50-75%和改性松香5_10%。在本發明的一個實施例中,所述合成蠟采用費托合成蠟,分子量分布窄,熔融粘度低,可有效降低熔化狀態下的運動粘度,并且加快晶片粘接蠟的凝固速度。在本發明的一個實施例中,所述酰胺蠟采用N. N’ -I、2-乙二基雙十二(碳)酰胺或N. N’ -1,2-乙二基雙十八(碳)酰胺,有效提高晶片粘接蠟的拉伸剪切強度。在本發明的一個實施例中,所述松香采用氫化松香,提供晶片粘接蠟的主要粘性,具有更好的抗氧化性和抗結晶性。在本發明的一個實施例中,所述改性松香采用聚合松香或松香季戊四醇酯,除了提高晶片粘接蠟的內聚強度,也能提高粘接力,更主要的是促進了松香和酰胺蠟的相容性,避免了熔化狀態下松香和酰胺蠟分層或結晶析出的可能。在本發明的一個實施例中,所述晶片粘接蠟的軟化點在80_90°C,110°C度運動粘度100-200mm2/s,拉伸剪切強度大于30Kg/cm2。本發明的晶片粘接蠟,與現有技術相比,軟化點在80-90°C,ll(TC度運動粘度100-200mm2/s,拉伸剪切強度大于30Kg/cm2,軟化點適中,粘性和流動性好,內聚力高,實現本發明的目的。本發明的特點可參閱以下較好實施方式的詳細說明而獲得清楚地了解。
具體實施例方式為了使本發明實現的技術手段、創作特征、達成目的與功效易于明白了解,下面進一步闡述本發明。本發明的晶片粘接蠟,它包含以下重量百分比的組分微晶蠟1_5%、合成蠟5-10%、酰胺蠟5-10%、松香65-75%和改性松香5_10%。其中,所述微晶蠟能有效增塑晶片粘接蠟各個組份,降低晶片粘接蠟脆性和熔化狀態下的運動粘度,并且增加松香的初粘性,根據需要采用高熔點硬質微晶蠟。
所述合成蠟采用費托合成蠟,分子量分布窄,熔融粘度低,可有效降低熔化狀態下的運動粘度,并且加快晶片粘接蠟的凝固速度。所述酰胺蠟采用N. N’-I、2-乙二基雙十二(碳)酰胺或N. N’-I、2-乙二基雙十八(碳)酰胺,酰胺蠟具有高 熔點和在熔融體中低黏度的獨特性質,特別是同松香類材料配合,熔化狀態下流動性好,浸潤性極佳,更主要的內聚強度很高,有效提高晶片粘接蠟的拉伸剪切強度。所述松香采用氫化松香,提供晶片粘接蠟的主要粘性,具有更好的抗氧化性和抗結晶性。所述改性松香采用聚合松香或松香季戊四醇酯,除了提高晶片粘接蠟的內聚強度,也能提高粘接力,更主要的是促進了松香和酰胺蠟的相容性,避免了熔化狀態下松香和酰胺蠟分層或結晶析出的可能。所述晶片粘接蠟的軟化點在80_90°C,110°C度運動粘度100-200mm2/s,拉伸剪切強度大于30Kg/cm2。實施例I :本發明的晶片粘接蠟包含以下重量百分比的組分微晶蠟5%、合成蠟10%、酰胺蠟10%、松香65%和改性松香10%。所述晶片粘接蠟的軟化點在89°C,110°C度運動粘度156mm2/s,拉伸剪切強度為42Kg/cm2。實施例2 本發明的晶片粘接蠟包含以下重量百分比的組分微晶蠟5%、合成蠟10%、酰胺蠟5 %、松香70 %和改性松香IO %。所述晶片粘接蠟的軟化點在84°C,110°C度運動粘度137mm2/s,拉伸剪切強度為32Kg/cm2。實施例3 本發明的晶片粘接蠟包含以下重量百分比的組分微晶蠟5%、合成蠟5%、酰胺蠟10%、松香75%和改性松香5%。所述晶片粘接蠟的軟化點在87°C,110°C度運動粘度185mm2/s,拉伸剪切強度為39Kg/cm2。實施例4 本發明的晶片粘接蠟包含以下重量百分比的組分微晶蠟1%、合成蠟5%、酰胺蠟10%、松香75%和改性松香9%。 所述晶片粘接蠟的軟化點在88°C,110°C度運動粘度198mm2/s,拉伸剪切強度為38Kg/cm2。實施例5 本發明的晶片粘接蠟包含以下重量百分比的組分微晶蠟3%、合成蠟8%、酰胺蠟8 %、松香73 %和改性松香8 %。所述晶片粘接蠟的軟化點在88°C,110°C度運動粘度169mm2/s,拉伸剪切強度為36Kg/cm2。上述顯示和描述了本發明的基本原理和主要特征和本發明的優點。本行業的技術人員應該了解,本 發明不受上述實施例的限制,上述實施例和說明書中描述的只是說明本發明的原理,在不脫離本發明精神和范圍的前提下,本發明還會有各種變化和改進,這些變化和改進都落入要求保護的本發明范圍內,本發明要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效物界定。
權利要求
1.一種晶片粘接蠟,其特征在于,它包含以下重量百分比的組分微晶蠟1-5%、合成蠟5-10%、酰胺蠟5-10%、松香65-75%和改性松香5_10%。
2.如權利要求I所述的晶片粘接蠟,其特征在于,所述合成蠟采用費托合成蠟。
3.如權利要求I所述的晶片粘接蠟,其特征在于,所述酰胺蠟采用N.N’ -1、2-乙二基雙十二(碳)酰胺或N. N’ -1,2-乙二基雙十八(碳)酰胺。
4.如權利要求I所述的晶片粘接蠟,其特征在于,所述松香采用氫化松香。
5.如權利要求I所述的晶片粘接蠟,其特征在于,所述改性松香采用聚合松香或松香季戊四醇酯。
6.如權利要求I所述的晶片粘接蠟,其特征在于,所述晶片粘接蠟的軟化點在80-90°C,110°C度運動粘度100-200mm2/s,拉伸剪切強度大于30Kg/cm2。
全文摘要
本發明的目的在于公開一種晶片粘接蠟,它包含以下重量百分比的組分微晶蠟1-5%、合成蠟5-10%、酰胺蠟5-10%、松香65-75%和改性松香5-10%;與現有技術相比,軟化點在80-90℃,110℃度運動粘度100-200mm2/s,拉伸剪切強度大于30Kg/cm2,軟化點適中,粘性和流動性好,內聚力高,實現本發明的目的。
文檔編號C09J191/06GK102936485SQ201110234279
公開日2013年2月20日 申請日期2011年8月16日 優先權日2011年8月16日
發明者王玫, 劉家芳, 李毅, 宋麗萍, 章安龍 申請人:江蘇泰爾新材料科技有限公司
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