一種研磨材料制備方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及金屬研磨技術領域，更具體地說，涉及一種研磨材料制備方法。
【背景技術】
[0002]在研磨藍寶石、氮化硅、碳化硅、氧化硅、玻璃、氮化鎵、砷化鎵、砷化銦、磷化銦等硬脆材料的過程中，一般會使用到研磨材料和研磨用組合物。對于在研磨硬盤用玻璃基板、液晶顯示面板的玻璃基板、光掩模用合成石英基板等基板的用途中使用的研磨用組合物，為了提高研磨后的基板的品質，強烈要求研磨后的基板的表面粗糙度小以及研磨后的基板上如劃痕那樣的表面缺陷少。另外，為了縮短研磨操作所耗費的時間，還要求基板的研磨速度(去除速度)高。
【發明內容】
[0003]本發明要解決的技術問題在于，針對現有技術的上述缺陷，提供一種研磨材料制備方法。
[0004]本發明解決其技術問題所采用的技術方案是:
構造一種研磨材料制備方法，包括氧化鋯顆粒、鈰鹽和鋯鹽；其中，包括以下步驟:
將氧化鋯、鈰鹽和鋯鹽顆粒干式粉碎；
采用酸、堿或鹽來調節所述氧化鋯顆粒、鈰鹽和鋯鹽組合物的PH值至1-4 ;
添加螯合劑、表面活性劑、防腐劑、防霉劑或防銹劑；
將從研磨裝置排出的使用完畢的研磨用組合物暫時回收到容器內，從容器內再次向研磨裝置供給。
[0005]本發明所述的研磨材料制備方法，其中，所述按重量計，所述氧化鋯顆粒和所述鈰鹽的組合比例為7-5:3_5。
[0006]本發明所述的研磨材料制備方法，其中，所述氧化鋯顆粒具有I?10m2/g的比表面積，所述氧化鋯顆粒具有0.2 μπι以下的平均一次粒徑。
[0007]本發明所述的研磨材料制備方法，其中，在每ImL含有I %質量的氧化鋯顆粒的水分散液中，所述氧化鋯顆粒之中具有4μπι以上的二次粒徑的顆粒的個數為20000000個以下。
[0008]本發明所述的研磨材料制備方法，其中，所述氧化鋯顆粒、所述鈰鹽和所述鋯鹽的組合比例為7-5:2-4:1。
[0009]本發明所述的研磨材料制備方法，其中，所述氧化鋯顆粒、所述鈰鹽和所述鋯鹽的組合比例為7:2:1。
[0010]本發明的有益效果在于:本發明方法制備的研磨材料更加適合用于藍寶石、氮化硅、碳化硅、氧化硅、玻璃、氮化鎵、砷化鎵、砷化銦、磷化銦等硬脆材料的研磨中。
【具體實施方式】
[0011]為了使本發明實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實施例是本發明的部分實施例，而不是全部實施例。基于本發明的實施例，本領域普通技術人員在沒有付出創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明的保護范圍。
[0012]本發明較佳實施例的研磨材料制備方法，包括氧化鋯顆粒、鈰鹽和鋯鹽；其中，包括以下步驟:將氧化鋯、鈰鹽和鋯鹽顆粒干式粉碎；采用酸、堿或鹽來調節所述氧化鋯顆粒、鈰鹽和鋯鹽組合物的pH值至1-4 ;添加螯合劑、表面活性劑、防腐劑、防霉劑或防銹劑；將從研磨裝置排出的使用完畢的研磨用組合物暫時回收到容器內，從容器內再次向研磨裝置供給。
[0013]氧化鋯顆粒既可以是由立方晶系、正方晶系、單斜晶系等結晶質氧化鋯形成的顆粒，也可以是由非晶質氧化鋯形成的顆粒。作為研磨材料優選的是正方晶系、單斜晶系的氧化鋯。氧化鋯顆粒也可包含鈣、鎂、鉿、釔、硅等。
[0014]其中，氧化鋯顆粒的純度優選盡量高，具體而言，優選為99 %以上，更優選為99.5%以上，進一步優選為99.8 %以上。隨著氧化鋯顆粒的純度在99 %以上的范圍內變高，基于研磨用組合物的硬脆材料的研磨速度提高。在該方面，若氧化鋯顆粒的純度為99 %以上，進一步而言為99.5 %以上，更進一步而言為99.8 %以上，則變得容易使基于研磨用組合物的硬脆材料的研磨速度提高到在實用上特別適宜的水平。
[0015]優選地，所述按重量計，所述氧化鋯顆粒和所述鈰鹽的組合比例為7-5:3_5。
[0016]氧化鋯顆粒具有I?10m2/g的比表面積，所述氧化鋯顆粒具有0.2 μπι以下的平均一次粒徑。在每ImL含有I %質量的氧化鋯顆粒的水分散液中，所述氧化鋯顆粒之中具有4μπι以上的二次粒徑的顆粒的個數為20000000個以下。
[0017]優選地，上述氧化鋯顆粒、所述鈰鹽和所述鋯鹽的組合比例為7-5:2-4:1。
[0018]優選地，上述氧化鋯顆粒、所述鈰鹽和所述鋯鹽的組合比例為7:2:1。
[0019]氧化鋯顆粒中的雜質可以通過粉末X射線衍射法測定。使用例如RigakuCorporat1n制造的MiniFlex等粉末X射線衍射裝置測定的2 Θ為26.5°附近的衍射峰的強度優選為200cps以下。
[0020]更優選2Θ為26.5°附近不出現衍射峰，這表示氧化鋯顆粒實質上不含有作為雜質的石英二氧化硅。
[0021]另外，若使用粉末X射線衍射裝置，則能夠測定氧化鋯的微晶尺寸。優選的是基于2Θ為28.0°附近的衍射強度和31.0°附近的衍射強度算出的微晶尺寸均為以上、這表示氧化鋯的晶系為單斜晶系，且該微晶尺寸大。
[0022]氧化鋯顆粒的比表面積優選為lm2/g以上，更優選為2m2/g以上。另外，氧化鋯顆粒的比表面積優選為15m2/g以下，更優選為13m2/g以下，進一步優選為9m2/g以下。若氧化鋯顆粒的比表面積為I?15m2/g的范圍，則變得容易使基于研磨用組合物的硬脆材料基板的研磨速度提高到在實用上適宜的水平。
[0023]應當理解的是，對本領域普通技術人員來說，可以根據上述說明加以改進或變換，而所有這些改進和變換都應屬于本發明所附權利要求的保護范圍。
【主權項】
1.一種研磨材料制備方法，包括氧化鋯顆粒、鈰鹽和鋯鹽；其特征在于，包括以下步驟: 將氧化鋯、鈰鹽和鋯鹽顆粒干式粉碎； 采用酸、堿或鹽來調節所述氧化鋯顆粒、鈰鹽和鋯鹽組合物的PH值至1-4 ; 添加螯合劑、表面活性劑、防腐劑、防霉劑或防銹劑； 將從研磨裝置排出的使用完畢的研磨用組合物暫時回收到容器內，從容器內再次向研磨裝置供給。2.根據權利要求1所述的研磨材料制備方法，其特征在于，所述按重量計，所述氧化鋯顆粒和所述鈰鹽的組合比例為7-5:3-5。3.根據權利要求2所述的研磨材料制備方法，其特征在于，所述氧化鋯顆粒具有I?1mVg的比表面積，所述氧化鋯顆粒具有0.2 μπι以下的平均一次粒徑。4.根據權利要求1所述的研磨材料制備方法，其特征在于，在每ImL含有I%質量的氧化鋯顆粒的水分散液中，所述氧化鋯顆粒之中具有4 μπι以上的二次粒徑的顆粒的個數為20000000個以下。5.根據權利要求2所述的研磨材料制備方法，其特征在于，所述氧化鋯顆粒、所述鈰鹽和所述鋯鹽的組合比例為7-5:2-4:1。6.根據權利要求3所述的研磨材料制備方法，其特征在于，所述氧化鋯顆粒、所述鈰鹽和所述鋯鹽的組合比例為7:2:1。
【專利摘要】本發明涉及一種研磨材料制備方法，包括以下步驟：將氧化鋯、鈰鹽和鋯鹽顆粒干式粉碎；采用酸、堿或鹽來調節所述氧化鋯顆粒、鈰鹽和鋯鹽組合物的pH值至1-4；添加螯合劑、表面活性劑、防腐劑、防霉劑或防銹劑；將從研磨裝置排出的使用完畢的研磨用組合物暫時回收到容器內，從容器內再次向研磨裝置供給。本發明的研磨材料更加適合用于藍寶石、氮化硅、碳化硅、氧化硅、玻璃、氮化鎵、砷化鎵、砷化銦、磷化銦等硬脆材料的研磨中。本發明方法制備的研磨材料更加適合用于藍寶石、氮化硅、碳化硅、氧化硅、玻璃、氮化鎵、砷化鎵、砷化銦、磷化銦等硬脆材料的研磨中。
【IPC分類】C01F17/00, H01L21/304, C01G27/02, C09K3/14, B24B37/00
【公開號】CN105505312
【申請號】CN201510417887
【發明人】沈麗華, 王林丹, 沈川江, 呂阿琴
【申請人】湖州華通研磨制造有限公司
【公開日】2016年4月20日
【申請日】2015年7月16日