本發明涉及鋁合金技術領域，尤其涉及一種手機殼高光處理后的二次氧化工藝。
背景技術：
由于鋁合金有很多優良的物理化學性能，因此被應用到國民經濟的各個領域，尤其是目前日漸流行的手機，市場上幾乎80%的手機電池蓋都是采用鋁合金。現有技術中，在經過初次陽極氧化工藝及高光處理之后，需要再次進行陽極氧化，高光表面容易出現白霧、刀紋、腐蝕等不良現象，影響了產品的外觀及使用性能。
因此，針對現有技術的不足，研究出一種手機殼高光處理后的二次氧化工藝是很有意義的技術課題。
技術實現要素：
本發明的目的是克服現有技術存在的不足，提供一種手機殼高光后處理二次氧化工藝，以消除手機殼高光處理之后出現的白霧、刀紋或腐蝕等不良現象。
本發明的目的通過以下技術方案來實現：一種手機殼高光處理后二次氧化工藝，包括以下步驟：（1）將手機殼進行脫脂除油處理；（2）將經步驟（1）處理后的手機殼進行化拋（即“化學拋光”，下同）處理；（3）將經步驟（2）處理后的手機殼進行中和處理；（4）將經步驟（3）處理后的手機殼進行堿洗處理；（5）將經步驟（4）處理后的手機殼進行中和處理；（6）將經步驟（5）處理后的手機殼進行化拋處理；（7）將經步驟（6）處理后的手機殼進行中和處理；（8）將經步驟（7）處理后的手機殼進行氧化處理，所述氧化處理中陽極氧化溫度為18～20℃，陽極氧化電壓為13.5～14.5V。
進一步地，上述手機殼高光處理后二次氧化工藝，其中：所述步驟（1）中脫脂劑濃度為60～80g/L。氧化槽內選用硫酸作為氧化劑。
進一步地，上述手機殼高光處理后二次氧化工藝，其中：所述步驟（2）和步驟（6）中化拋劑比例為磷酸：硫酸=(4～6)：1。
更進一步地，上述手機殼高光處理后二次氧化工藝，其中：所述步驟（4）中堿洗劑濃度為60～80g/L。
更進一步地，上述手機殼高光處理后二次氧化工藝，其中：所述步驟（3）、步驟（5）和步驟（7）中中和劑優選為無氮中和劑RTL-134，其濃度為90～130g/L。
再進一步地，上述手機殼高光處理后二次氧化工藝，其中：所述步驟（8）中氧化劑優選為硫酸，其濃度為190～210g/L,氧化時間為30～50min。
本發明技術方案突出的實質性特點和顯著的進步主要體現在：采用本發明所述的手機殼高光處理后二次氧化工藝，可以很好地清除手機殼高光表面容易出現白霧、刀紋或腐蝕等不良現象，其二次氧化工藝過程簡單、易操作，具有很好的應用前景。
具體實施方式
本發明提出了一種手機殼高光處理后二次氧化工藝，包括以下步驟，
（1）將手機殼放入脫脂槽進行脫脂除油處理；（2）將經步驟（1）處理后的手機殼放入化拋槽進行化拋處理；（3）將經步驟（2）處理后的手機殼放入中和槽進行中和處理；（4）將經步驟（3）處理后的手機殼放入堿洗槽進行堿洗處理；（5）將經步驟（4）處理后的手機殼放入中和槽進行中和處理；（6）將經步驟（5）處理后的手機殼放入化拋槽進行化拋處理；（7）將經步驟（6）處理后的手機殼放入中和槽進行中和處理；（8）將經步驟（7）處理后的手機殼放入氧化槽進行氧化處理，所述氧化處理中陽極氧化溫度為18～20℃，陽極氧化電壓為13.5～14.5V。步驟（1）中脫脂劑濃度為60～80g/L，步驟（2）和步驟（6）中化拋槽內化拋劑比例為磷酸：硫酸=(4～6)：1,步驟（4）中堿洗劑濃度為60～80g/L，步驟（3）、步驟（5）和步驟（7）中，中和槽內使用無氮中和劑RTL-134，其濃度為90～130g/L，步驟（8）中氧化槽內選用硫酸作為氧化劑，硫酸濃度為190～210g/L,氧化時間為30～50min。
實施例1
優選地，脫脂槽內選用市場上普通脫脂劑，脫脂劑濃度為60g/L，化拋槽內化拋劑比例為磷酸：硫酸=4：1，堿洗槽內選用市場上普通堿洗劑，堿洗劑濃度為60g/L，中和槽內使用無氮中和劑RTL-134，其濃度為90g/L，氧化槽內選用硫酸作為氧化劑，硫酸濃度為190g/L,氧化時間為40min，陽極氧化溫度為18℃，陽極氧化電壓為13.5V。
實施例2
優選地，脫脂槽內選用市場上普通脫脂劑，脫脂劑濃度為80g/L，化拋槽內化拋劑比例為磷酸：硫酸=4：1，堿洗槽內選用市場上普通堿洗劑，堿洗劑濃度為80g/L，中和槽內使用無氮中和劑RTL-134，其濃度為130g/L，氧化槽內選用硫酸作為氧化劑，硫酸濃度為210g/L,氧化時間為40min，陽極氧化溫度為20℃，陽極氧化電壓為13.5V。
實施例3
優選地，脫脂槽內選用市場上普通脫脂劑，脫脂劑濃度為80g/L，化拋槽內化拋劑比例為磷酸：硫酸=4：1，堿洗槽內選用市場上普通堿洗劑，堿洗劑濃度為80g/L，中和槽內使用無氮中和劑RTL-134，其濃度為130g/L，氧化槽內選用硫酸作為氧化劑，硫酸濃度為210g/L,氧化時間為40min，陽極氧化溫度為18℃，陽極氧化電壓為14.5V。
實施例4
優選地，脫脂槽內選用市場上普通脫脂劑，脫脂劑濃度為80g/L，化拋槽內化拋劑比例為磷酸：硫酸=6：1，堿洗槽內選用市場上普通堿洗劑，堿洗劑濃度為80g/L，中和槽內使用無氮中和劑RTL-134，其濃度為130g/L，氧化槽內選用硫酸作為氧化劑，硫酸濃度為210g/L,氧化時間為40min，陽極氧化溫度為18℃，陽極氧化電壓為14.5V。
實施例5
優選地，脫脂槽內選用市場上普通脫脂劑，脫脂劑濃度為80g/L，化拋槽內化拋劑比例為磷酸：硫酸=4：1，堿洗槽內選用市場上普通堿洗劑，堿洗劑濃度為80g/L，中和槽內使用無氮中和劑RTL-134，其濃度為130g/L，氧化槽內選用硫酸作為氧化劑，硫酸濃度為210g/L,氧化時間為40min，陽極氧化溫度為20℃，陽極氧化電壓為14.5V。
實施例6
優選地，脫脂槽內選用市場上普通脫脂劑，脫脂劑濃度為80g/L，化拋槽內化拋劑比例為磷酸：硫酸=4：1，堿洗槽內選用市場上普通堿洗劑，堿洗劑濃度為80g/L，中和槽內使用無氮中和劑RTL-134，其濃度為130g/L，氧化槽內選用硫酸作為氧化劑，硫酸濃度為210g/L,氧化時間為40min，陽極氧化溫度為18℃，陽極氧化電壓為14.5V。
通過以上描述可以發現，本發明二次氧化工藝過程簡單、易操作，二次氧化處理之后，可以很好地清除手機殼高光表面容易出現白霧、刀紋、腐蝕等不良現象，具有很好的應用前景。
當然，以上只是本發明的典型實例，除此之外，本發明還可以有其它多種具體實施方式，凡采用等同替換或等效變換形成的技術方案，均落在本發明權利要求保護范圍之內。