磁體電學中心的檢測裝置及方法
【專利摘要】一種磁體電學中心的檢測裝置和方法，所述檢測裝置包括：探頭陣列，包括預定數量且呈線性排布的測量探頭；測量主軸，所述探頭陣列設置于所述測量主軸上，所述測量主軸的一端標有相對于中心參考點位置的測量刻度，所述中心參考點為所述探頭陣列所在位置的所述測量主軸上任意一點；射頻收發器，用于發射射頻脈沖信號和接收模擬電壓信號；控制處理器，包括控制單元和數據處理單元。本發明技術方案能夠減少測量磁體電學中心的時間，降低由過多人工操作帶來的操作復雜性，提高測量結果的精度。
【專利說明】磁體電學中心的檢測裝置及方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及磁共振【技術領域】，特別涉及磁體電學中心的檢測裝置和方法。
【背景技術】
[0002]磁共振成像(MRI,Magnetic Resonance Imaging)作為核磁共振應用的重要領域，由于其對人體軟組織有極好的分辨力、成像參數能提供豐富的診斷信息、對人體沒有電離輻射損傷等諸多優點，磁共振系統已成為醫學臨床診斷的主要工具之一。磁體是磁共振系統的重要組成部分，在磁體設計時，磁體產生的磁場沿著磁體主軸方向的變化呈一個對稱分布，一般情況下，在主軸方向上偏離對稱中心IOmm以內的某一點或者對稱中心點稱為磁體的理想電學中心。在生產磁共振系統時，梯度線圈和體線圈的裝配需要參考此磁體的理想電學中心。但是，在實際制作磁體過程中，由于制作誤差，磁體的理想電學中心往往會偏離設計時的位置，因此，在裝配梯度線圈和體線圈前需要對磁體電學中心進行檢測。
[0003]現有技術中，對磁體電學中心的測量是通過如下方法進行的:將分布著一定數量探頭的測量面板放入磁體中，按固定角度旋轉測量面板，每旋轉一次測量面板測得一組磁場分布，旋轉360° (即一周)后，便能得到一個完整的球面上的磁場分布；根據磁場分布計算某些特征量，若該特征量的數值在一定數值范圍以內，則此時測量區域的中心為磁體電學中心，否則將根據該特征量的數值向前或向后移動測量面板，重新旋轉測量面板測量球面上的磁場分布，再次計算特征值進行判斷，直到找到磁體電學中心為止。
[0004]由于每對一個位置測量球面上的磁場分布，都需要多次旋轉測量面板，上述測量方法大大增加了測試時間，提高了測試成本。另一方面，整個測量磁體電學中心的過程中，旋轉和移動測量面板都是通過人工操作進行的，過多的人工操作將帶來操作復雜性，降低測量結果的精度。
【發明內容】
[0005]本發明解決的是使用現有技術測試磁體電學中心測試時間長、測試結果精度低的問題。
[0006]為解決上述問題，本發明提供了一種磁體電學中心的檢測裝置，包括:探頭陣列，包括預定數量且呈線性排布的測量探頭，所述測量探頭用于反饋模擬電壓信號以檢測其所處位置的磁場強度；測量主軸，所述探頭陣列設置于所述測量主軸上，所述測量主軸的一端標有相對于中心參考點位置的測量刻度，所述中心參考點為所述探頭陣列所在位置的所述測量主軸上任意一點；射頻收發器，與所述探頭陣列連接，用于發射射頻脈沖信號和接收所述模擬電壓信號；控制處理器，與所述射頻收發器連接，包括:控制單元，用于發送測場序列以檢測所述測量探頭所處位置的磁場強度，所述測場序列用于控制所述射頻收發器對所述測量探頭發射射頻脈沖信號和接收所述測量探頭反饋的模擬電壓信號；數據處理單元，用于分析所述磁場強度，判斷所述中心參考點是否位于磁體電學中心。
[0007]可選的，所述射頻收發器包括:射頻脈沖發生器，用于產生所述射頻脈沖信號的數字信號，所述射頻脈沖發生器的輸入端連接所述控制單元；數模轉換器，用于將所述數字信號轉換成所述射頻脈沖信號的模擬信號，所述數模轉換器的輸入端與所述射頻脈沖發生器的輸出端連接；射頻功率放大器，用于將所述射頻脈沖信號的模擬信號放大為所述射頻脈沖信號并發送，所述射頻功率放大器的輸入端與所述數模轉換器的輸出端連接，所述射頻功率放大器的輸出端與所述探頭陣列連接；模數轉換器，用于將所述測量探頭反饋的模擬電壓信號轉換為數字電壓信號，所述模數轉換器的輸出端與所述控制單元連接。
[0008]可選的，還包括前置放大器，用于將所述測量探頭反饋的模擬電壓信號放大并發送，所述前置放大器的輸入端與所述探頭陣列連接，所述前置放大器的輸出端與所述模數轉換器的輸入端連接。
[0009]可選的，所述測量探頭包括小型線圈以及高氫原子密度的樣品。
[0010]可選的，所述小型線圈的主軸垂直于所述磁體產生的主磁場方向。
[0011]可選的，所述高氫原子密度的樣品放置于所述小型線圈內。
[0012]可選的，還包括用于穩固所述測量主軸至所述磁體的主軸中心線上的測量支架。
[0013]可選的，所述測量支架包括兩個橫梁支架，磁體前后各一個。
[0014]可選的，還包括數據線及線纜，所述射頻收發器通過所述數據線與所述控制處理器連接，所述射頻收發器通過所述線纜與所述探頭陣列連接。
[0015]可選的，所述測場序列包括測量探頭選擇信號和射頻脈沖發射/接收切換信號。
[0016]可選的，所述預定數量的取值為不小于13。
[0017]為解決上述問題，本發明還提供了一種使用所述磁體電學中心的檢測裝置的磁體電學中心的檢測方法,所述磁體的一端為參考端面,包括:
[0018](a)將所述磁體電學中心的檢測裝置的測量主軸通過所述測量支架固定在所述磁體的主軸中心線上，所述中心參考點偏離所述磁體理想電學中心預定距離，所述測量主軸標有測量刻度的一端位于所述參考端面；
[0019](b)通過所述控制處理器的控制單元發送測場序列，以檢測所述測量探頭所處位置的磁場強度；
[0020](c)通過對所述磁場強度的分析，得到判斷項；
[0021](d)通過判斷所述判斷項是否在參考數值范圍內，確定所述中心參考點是否位于磁體電學中心；
[0022](e)若所述判斷項不在所述參考數值范圍內，則所述中心參考點未位于磁體電學中心，沿著磁體主軸中心線移動所述測量主軸，重復步驟(b)?步驟(d)；
[0023](f)若所述中心參考點位于磁體電學中心，測量結束。
[0024]可選的，所述預定距離的取值為3mm。
[0025]可選的，所述判斷項為所述磁場強度用多項式表示時的高階項系數。
[0026]可選的，所述參考數值范圍由所述磁體結構確定。
[0027]與現有技術相比，本發明技術方案提供的磁體電學中心的檢測裝置和方法，在操作過程中，只需要沿著磁體主軸中心線移動測量主軸，不進行旋轉操作，有效地減少了測試時間。另一方面，由于不需要進行旋轉操作，減少了人工操作步驟，降低了人工操作帶來的復雜性，提高了測量結果的精度。【專利附圖】
【附圖說明】
[0028]圖1是本發明實施方式的磁體電學中心的檢測裝置的結構示意圖；
[0029]圖2是本發明實施例的磁體電學中心的檢測裝置的部分結構示意圖；
[0030]圖3是本發明實施方式的磁體電學中心的檢測方法的流程示意圖；
[0031]圖4是本發明實施例的測場序列的時序示意圖；
[0032]圖5A是本發明實施例的所述高階項系數為〖與所述中心參考點O的位置關系示意圖；
[0033]圖5B是本發明實施例的所述高階項系數4與所述中心參考點O的位置關系示意圖；
[0034]圖5C是本發明實施例的所述高階項系數(與所述中心參考點O的位置關系示意圖。
【具體實施方式】
[0035]為使本發明的上述目的、特征和優點能夠更為明顯易懂，下面結合附圖和實施例對本發明的具體實施方 式做詳細的說明。
[0036]在下面的描述中闡述了很多具體細節以便于充分理解本發明，但是本發明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實施，因此本發明不受下面公開的具體實施例的限制。
[0037]正如【背景技術】中所描述的，對磁體電學中心的檢測現有技術是通過測量球形區域的場分布、計算并判斷某些特征量進行的，在測試過程中必須旋轉測量面板，由此產生了測試時間長、人工操作復雜、測量結果精度低的問題。因此，發明人經過研究，提供了一種磁體電學中心的檢測裝置和方法。本技術方案使用探頭陣列利用磁共振成像原理，檢測每個測量探頭所處位置的磁場強度，由于測量時所述測量探頭分布在所述磁體的主軸中心線上，所述磁場強度可用一個關于所述測量探頭坐標的多項式表示，所述測量探頭坐標為所述測量探頭相對于磁體參考端面的位置，所述多項式的次數由所述探頭陣列的數量決定。每個所述測量探頭對應一個磁場強度，對于所述探頭陣列在某個測試位置時則可以得到一個多項式組。求解所述多項式組，便能得到所述多項式的系數。由于所述多項式的高階項系數對位于所述探頭陣列所在位置的測量主軸上的中心參考點與磁體電學中心的位置偏差比較敏感，即如果所述中心參考點位于磁體電學中心，所述高階項系數便很小，甚至為0，反之，所述高階項系數便很大，因此，在測量過程中可選擇一個高階項系數作為判斷項，通過判斷所述高階項系數是否在參考數值范圍以內，確定所述中心參考點是否位于磁體電學中心。若所述高階項系數不在所述參考數值范圍內，則所述中心參考點未位于磁體電學中心，沿著磁體主軸中心線移動所述測量主軸，重復操作。使用本技術方案對磁體電學中心檢測的整個過程中，不需要對檢測裝置進行旋轉操作，有效地減少了測試時間，另一方面，減少了人工操作步驟，降低了人工操作帶來的復雜性，提高了測量結果的精度。
[0038]下面結合圖1對本發明實施方式的磁體電學中心的檢測裝置的結構進行詳細說明。本發明實施方式的磁體電學中心的檢測裝置包括:探頭陣列16，包括預定數量且呈線性排布的測量探頭；測量主軸15，所述探頭陣列16設置于所述測量主軸15上，所述測量主軸15的一端標有相對于中心參考點O位置的測量刻度19,所述中心參考點O為所述探頭陣列16所在位置的所述測量主軸15上任意一點，為清楚表示中心參考點O，圖1作出了輔助線h，所述輔助線h與測量主軸15相互垂直，交點即為中心參考點O ;測量支架13，用于穩固所述測量主軸15至所述磁體I的主軸中心線上，為方便理解，圖1作出了所述磁體I的主軸中心線MN ;射頻收發器12，通過線纜18與所述探頭陣列16連接，用于發射射頻脈沖信號和接收所述測量探頭在測量時反饋的模擬電壓信號；控制處理器11，通過數據線17與所述射頻收發器12連接，包括控制單元111和數據處理單元112。
[0039]圖2給出了本發明實施例的磁體電學中心的檢測裝置的部分結構示意圖，參考圖2，所述射頻收發器12包括:射頻脈沖發生器122，用于產生射頻脈沖信號的數字信號，所述射頻脈沖發生器122的輸入端連接所述控制單元111 ;數模轉換器123，用于將所述數字信號轉換成所述射頻脈沖信號的模擬信號，所述數模轉換器123的輸入端與所述射頻脈沖發生器122的輸出端連接；射頻功率放大器124，為了保證所述測量探頭接收到的射頻脈沖信號質量，因此需要用射頻功率放大器124，將所述射頻脈沖信號的模擬信號放大并發送，所述射頻功率放大器124的輸入端與所述數模轉換器123的輸出端連接，所述射頻功率放大器124的輸出端與所述探頭陣列16連接；模數轉換器121，用于將所述測量探頭反饋的模擬電壓信號轉換為數字電壓信號，所述模數轉換器121的輸出端與所述控制單元111連接。由于所述測量探頭反饋的模擬電壓信號通過線纜在傳輸過程中會產生損耗，噪聲信號也會增加，在本實施例中，所述磁體電學中心的檢測裝置還包括前置放大器20，用于將所述測量探頭反饋的模擬電壓信號放大并發送，所述前置放大器20的輸入端與所述探頭陣列16連接，所述前置放大器20的輸出端與所述模數轉換器121的輸入端連接。
[0040]需要說明的是，在本實施例中，所述模數轉換器121、所述射頻脈沖發生器122、所述數模轉換器123、所述射頻功率放大器124均集成于所述射頻收發器12的內部，本領域技術人員應當可以理解，上述各功能單元也可以獨自存在，或是以其他形式集成在一起。例如，將所述射頻脈沖發生器122集成于所述控制處理器11中；或者讓射頻脈沖發生器122獨自存在，通過數據線與所述控制單元111連接，通過線纜與所述數模轉換器123連接；或者將所述射頻脈沖發生器122和所述數模轉換器123均集成于所述控制處理器11中，這些都是可以實現的，所述各功能單元的集成方式并不影響本發明的實質。
[0041]基于上述的磁體電學中心的檢測裝置，本發明實施方式還提供了磁體電學中心的檢測方法，如圖3所示，包括:
[0042]步驟S1:將測量主軸通過所述測量支架固定在所述磁體的主軸中心線上，所述中心參考點偏離所述磁體理想電學中心預定距離，所述測量主軸標有測量刻度的一端位于所述參考端面；
[0043]步驟S2:通過所述控制處理器的控制單元發送測場序列，以檢測所述測量探頭所處位置的磁場強度；
[0044]步驟S3:通過對所述磁場強度的分析，得到判斷項；
[0045]步驟S4:通過判斷所述判斷項是否在參考數值范圍內，確定所述中心參考點是否位于磁體電學中心；
[0046]步驟S5:若所述判斷項不在所述參考數值范圍內，則所述中心參考點未位于磁體電學中心，沿著磁體主軸中心線移動所述測量主軸，重復步驟S2?步驟S4 ；
[0047]步驟S6:若所述中心參考點位于磁體電學中心，測量結束。[0048]為更好地對本發明的實施方式進行理解，下面結合附圖對本發明技術方案所述的磁體電學中心的檢測裝置和方法做詳細的描述。
[0049]在本實施例中，所述測量探頭包括小型線圈以及高氫原子密度的樣品，所述高氫原子密度的樣品放置于所述小型線圈內，所述小型線圈的主軸垂直于所述磁體I產生的主磁場方向。
[0050]首先，執行步驟SI，將測量主軸15通過所述測量支架13固定在所述磁體I的主軸中心線MN上，所述中心參考點O偏離所述磁體理想電學中心預定距離，所述測量主軸15標有測量刻度19的一端位于所述參考端面14。具體地，在本實施例中，所述測量支架13包括兩個橫梁支架，磁體前后各一個(圖示為磁體前端的橫梁支架，后端橫梁支架圖未示)。本領域技術人員應當可以理解，所述測量支架13也可以是其他結構，只要能將所述測量主軸15固定在所述磁體I的主軸中心線MN上即可。所述探頭陣列16設置于測量主軸15上，所述測量探頭在測量主軸15上呈線性但并不一定為等距離分布，所述中心參考點O為所述探頭陣列16所在位置的所述測量主軸15上任意一點。由于磁體理想電學中心設計時的位置是根據實際情況而定的，可以為距離磁體幾何中心的位置偏差IOmm以內的某一點，也可以就是磁體幾何中心,在本實施例中，為了方便說明，磁體的理想電學中心設置為與磁體幾何中心重合，因此將所述中心參考點O的初始位置設置于偏離所述磁體幾何中心預定距離，能夠縮小要測量的測量區域。在本實施例中，中心參考點O位于所述磁體I幾何中心偏左3_的位置，在測試過程中，則向右移動所述測量主軸15。在其他實施例中，也可以設置中心參考點O位于所述磁體I幾何中心偏右預定距離的位置，在測試過程中，則向左移動所述測量主軸15。所述測量刻度19是表示相對于中心參考點O的距離,在測試時,通過讀取刻度19在參考端面14的數值，就能清楚地知道所述中心參考點O在所述磁體I中的位置。在本實施例中，所述測量刻度19在參考端面14的初始位置的刻度值為695_，則同時也能計算出磁體幾何中心距離參考端 面的距離為698mm。
[0051]選取所述測量主軸15上的任意一點為原點，沿著所述磁體I的主軸中心線MN建立第一局部坐標系，由于在制作測量主軸15時，所述探頭陣列16中的每個測量探頭在所述測量主軸15上的位置便已固定，因此，只要確定了原點的位置，就能知道所述每個測量探頭和所述中心參考點O在所述第一局部坐標系中的精確坐標。選取所述參考端面14上點P為原點，沿著所述磁體I的主軸中心線MN建立第二局部坐標系，所述點P為所述測量主軸15與所述參考端面14的垂直交點。所述第一局部坐標系與所述第二局部坐標系均平行于所述磁體I的主軸，根據所述中心參考點O距離所述第二局部坐標系原點P的距離，即所述測量刻度19在參考端面的數值，就能得到每個所述測量探頭在所述第二局部坐標系中的坐標值ZpZ2、…、Zn，其中，η為所述預定數量，即所述測量探頭的個數。具體地，為使計算簡化，在本實施例中，選取所述中心參考點O作為所述第一局部坐標系的原點，若所述探頭陣列16中的第10個測量探頭和第15個測量探頭在所述第一局部坐標系中的坐標值分別為-3mm和5mm,則在初始位置，即所述中心參考點O與所述參考端面14距離695mm的位置，所述第10個測量探頭和所述第15個測量探頭在所述第二局部坐標系中的坐標值Zltl為692mm、Z15為700_。當然，如果所述中心參考點O與所述第一局部坐標系的原點不重合，那么首先需要讀出所述中心參考點O在所述第一局部坐標系中的坐標值，計算出各測量探頭距離所述中心參考點O的距離，然后再讀出在所述第二局部坐標系中所述中心參考點O的坐標值，據此計算出所述各測量探頭在所述第二局部坐標系的坐標值。如前所述，本發明技術方案對磁體電學中心的測量是基于所述多項式的高階項系數對所述中心參考點與磁體電學中心的位置偏差比較敏感來判斷的，當所述高階項小于12階時，所述高階項系數對所述位置偏差就不是很敏感，因此，用作判斷的所述高階項應該不小于12階。由于所述多項式最高階數≤n-1，所以η的取值應該不小于13，在本實施例中，η為20。
[0052]執行步驟S2，通過所述控制處理器11的控制單元111發送測場序列，以檢測所述測量探頭所處位置的磁場強度。本發明技術方案利用了磁共振成像原理來檢測所述測量探頭所處位置的磁場強度，根據磁共振成像原理，所述測場序列包括測量探頭選擇信號和射頻脈沖發射/接收切換(T/R, Transmit/Receive)信號。
[0053]對于磁共振成像原理，本領域的技術人員應當可以理解，在此不再贅述，下面結合圖2和圖4對檢測每個所述測量探頭所處位置的磁場強度的過程作簡要的說明。 [0054]首先，由控制處理器11的控制單元111發出所述測量探頭選擇信號，將測場通路通到第一個測量探頭。在tl至t4時刻，所述T/R信號為高電平，表示所述控制單元111向所述射頻收發器12發送射頻脈沖發射信號。所述射頻收發器12中的射頻脈沖發生器122接收到所述射頻脈沖發射信號后，在t2時刻產生射頻脈沖(RF，Radio Frequency)信號的數字信號，所述射頻脈沖信號的數字信號經過所述數模轉換器123轉換為射頻脈沖信號的模擬信號，所述射頻功率放大器124將所述射頻脈沖信號的模擬信號放大為所述射頻脈沖信號，通過線纜18發送至所述探頭陣列16中被選擇的第一個測量探頭。通過調節射頻脈沖發生器122使所述射頻脈沖信號的頻率與所述磁體I產生的磁場頻率相同，所述測量探頭中氫原子質子會發生進動。在所述射頻脈沖信號持續一段時間后，在t4時刻，控制單元111發出的所述T/R信號變為低電平，表示所述控制單元111向所述射頻脈沖收發器12發送射頻脈沖接收信號，所述射頻收發器12不再向所述第一個測量探頭發送所述射頻脈沖信號。在所述射頻脈沖信號停止后，磁場中會產生一個自由感應衰減(FID，Free InductionDecay)信號，在t5時刻，所述第一個測量探頭接收所述FID信號，所述前置放大器20放大所述FID信號并通過線纜發送至所述模數轉換器121。所述FID信號為模擬電壓信號，所述模擬電壓信號經所述模數轉換器121轉換為數字電壓信號后發送至所述控制單元111。需要說明的是，圖4所示的測場序列原理圖是在理想狀態下的信號波形，在實際應用中，各信號會存在一定的延時。
[0055]所述控制單元111經過分析所述數字電壓后，得到所述第一個測量探頭所處位置處的磁場強度I。所述控制單元111再次發出測量探頭選擇信號，將測場通路通到第二個測量探頭，重復上述步驟，即能得到所述第二個測量探頭所處位置處的磁場強度B2。重復上述操作，直到得到所有所述測量探頭所處位置處的磁場強度，在本實施例中，測量得到的磁場強度為 B:、B2、...、B20O
[0056]執行步驟S3,通過對所述磁場強度B2、…、B2tl的分析,得到判斷項。具體地，由控制處理器11中的數據處理單元112實現。由于測量時所述測量探頭分布在所述磁體I的主軸中心線上，每個所述磁場強度B可用一個關于所述測量探頭坐標Z的多項式表示，即5 = 4 + 4Z + 為0Z2 +...+ Al5Zli +...+ A0aZn，其中，A、為°、405、…40力所述多項式的系數，所述測量探頭坐標為所述測量探頭在所述第二局部坐標系中的坐標值。在本實施例中，n=20，所述磁場強度為BpB2、…、B2tl可分別用所述多項式來表示，得到多項式組:
【權利要求】
1.一種磁體電學中心的檢測裝置，其特征在于，包括: 探頭陣列，包括預定數量且呈線性排布的測量探頭，所述測量探頭用于反饋模擬電壓信號以檢測其所處位置的磁場強度； 測量主軸，所述探頭陣列設置于所述測量主軸上，所述測量主軸的一端標有相對于中心參考點位置的測量刻度，所述中心參考點為所述探頭陣列所在位置的所述測量主軸上任意一點； 射頻收發器，與所述探頭陣列連接，用于發射射頻脈沖信號和接收所述模擬電壓信號; 控制處理器，與所述射頻收發器連接，包括:控制單元，用于發送測場序列以檢測所述測量探頭所處位置的磁場強度，所述測場序列用于控制所述射頻收發器對所述測量探頭發射射頻脈沖信號和接收所述測量探頭反饋的模擬電壓信號；數據處理單元，用于分析所述磁場強度，判斷所述中心參考點是否位于磁體電學中心。
2.根據權利要求1所述的磁體電學中心的檢測裝置，其特征在于，所述射頻收發器包括: 射頻脈沖發生器，用于產生所述射頻脈沖信號的數字信號，所述射頻脈沖發生器的輸入端連接所述控制單元； 數模轉換器，用于將所述數字信號轉換成所述射頻脈沖信號的模擬信號，所述數模轉換器的輸入端與所述射頻脈沖發生器的輸出端連接； 射頻功率放大器，用于將所述射頻脈沖信號的模擬信號放大為所述射頻脈沖信號并發送，所述射頻功率放大器的輸入端與所述數模轉換器的輸出端連接，所述射頻功率放大器的輸出端與所述探頭陣列連接； 模數轉換器，用于將所述測量探頭反饋的模擬電壓信號轉換為數字電壓信號，所述模數轉換器的輸出端與所述控制單元連接。
3.根據權利要求2所述的磁體電學中心的檢測裝置，其特征在于，還包括前置放大器，用于將所述測量探頭反饋的模擬電壓信號放大并發送，所述前置放大器的輸入端與所述探頭陣列連接，所述前置放大器的輸出端與所述模數轉換器的輸入端連接。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的磁體電學中心的檢測裝置，其特征在于，所述測量探頭包括小型線圈以及高氫原子密度的樣品。
5.根據權利要求4所述的磁體電學中心的檢測裝置，其特征在于，所述小型線圈的主軸垂直于所述磁體產生的主磁場方向。
6.根據權利要求5所述的磁體電學中心的檢測裝置，其特征在于，所述高氫原子密度的樣品放置于所述小型線圈內。
7.根據權利要求1所述的磁體電學中心的檢測裝置，其特征在于，還包括用于穩固所述測量主軸至所述磁體的主軸中心線上的測量支架。
8.根據權利要求7所述的磁體電學中心的檢測裝置，其特征在于，所述測量支架包括兩個橫梁支架，磁體前后各一個。
9.根據權利要求1所述的磁體電學中心的檢測裝置，其特征在于，還包括數據線及線纜，所述射頻收發器通過所述數據線與所述控制處理器連接，所述射頻收發器通過所述線纜與所述探頭陣列連接。
10.根據權利要求1所述的磁體電學中心的檢測裝置，其特征在于，所述測場序列包括測量探頭選擇信號和射頻脈沖發射/接收切換信號。
11.根據權利要求1所述的磁體電學中心的檢測裝置，其特征在于，所述預定數量的取值為不小于13。
12.一種磁體電學中心的檢測方法，所述磁體的一端為參考端面，其特征在于，包括以下步驟: Ca)將權利要求1所述的磁體電學中心的檢測裝置的測量主軸通過所述測量支架固定在所述磁體的主軸中心線上，所述中心參考點偏離所述磁體理想電學中心預定距離，所述測量主軸標有測量刻度的一端位于所述參考端面； (b)通過所述控制處理器的控制單元發送測場序列，以檢測所述測量探頭所處位置的磁場強度； (C)通過對所述磁場強度的分析，得到判斷項； (d)通過判斷所述判斷項是否在參考數值范圍內，確定所述中心參考點是否位于磁體電學中心； Ce)若所述判斷項不在所述參考數值范圍內，則所述中心參考點未位于磁體電學中心，沿著磁體主軸中心線移動所述測量主軸，重復步驟(b)~步驟(d); (f)若所述中心參考點位于磁體電學中心，測量結束。
13.根據權利要求12所述的磁體電學中心的檢測方法，其特征在于，所述預定距離的取值為3mm。
14.根據權利要求12所述的磁體電學中心的檢測方法，其特征在于，所述判斷項為所述磁場強度用多項式表示時的高階項系數。
15.根據權利要求12所述的磁體電學中心的檢測方法，其特征在于，所述參考數值范圍由所述磁體結構確定。
【文檔編號】G01B7/00GK103697801SQ201210367176
【公開日】2014年4月2日 申請日期:2012年9月28日 優先權日:2012年9月28日
【發明者】楊績文 申請人:上海聯影醫療科技有限公司