網格模具、包括該網格模具的檢測器和發射成像設備的制作方法

網格模具、包括該網格模具的檢測器和發射成像設備的制作方法
【專利摘要】本發明提供一種網格模具、包括該網格模具的檢測器和發射成像設備。該網格模具包括：多個橫向壁和多個縱向壁，其分別沿著橫向和縱向延伸，以形成以m×n矩陣排列的用于容納所述檢測器的閃爍晶體的多個網格槽，其中m和n均為正整數，且在所述網格槽的側壁中開設有光能夠穿透所述側壁的透光窗口；以及光反射層，其設置在所述側壁的除所述透光窗口以外的區域上。本發明提供的網格模具獲得閃爍晶體的反應深度(DOI)信息，利于提高發射成像設備的空間分辨率和系統檢測靈敏度。
【專利說明】網格模具、包括該網格模具的檢測器和發射成像設備

【技術領域】
[0001]本發明涉及發射成像系統，具體地，涉及一種用于發射成像設備的檢測器的網格模具、包括該網格模具的檢測器以及包括該檢測器的發射成像設備。

【背景技術】
[0002]包括正電子發射成像設備的發射成像設備已經被用于醫療診斷。以正電子發射成像設備為例，其利用正電子同位素衰變產生出的正電子與人體內負電子發生泯滅效應的現象，通向人體內注射帶有正電子同位素標記的化合物，采用復合探測的方法，利用檢測器探測泯滅效應所產生的Y光子。
[0003]該檢測器主要包括三部分，如圖1所示，即由離散的閃爍晶體組成的晶體矩陣110、玻璃光導層120和光電倍增管(PMT)矩陣130。每個閃爍晶體除了面向PMT矩陣130的面(即底面)之外都包覆有光反射材料。泯滅效應產生的511keV的高能光子(即Y光子)在晶體矩陣110內部發生反應，被轉換為可見光子群。由于除了底面外都包覆有光反射材料，可見光子群只能從閃爍晶體的底面射出并穿過玻璃光導層120進入PMT矩陣130。通過PMT矩陣130中，各PMT單元采集到的可見光信號的大小，用重心算法(Anger Logic),可以計算出Y光子在晶體矩陣110中的哪一個閃爍晶體內部發生的反應。這一過程稱為晶體解碼。這樣，可以得到人體內同位素的分布信息，由計算機進行重建組合運算，從而得到人體內標記化合物分布的三維斷層圖像。
[0004]然而，晶體矩陣110中的閃爍晶體一般比較細長。上述基于重心算法的解碼方法，只能夠確認Y光子在哪個閃爍晶體中發生反應，不能提供反應深度(Depth OfInteract1n,D0I)的信息。DOI對正電子發射成像設備的空間分辨率具有很大的影響。如圖1所示，閃爍晶體均具有一定的長度以便更好的接收Y光子，而Y光子在閃爍晶體內部的反應位置具有隨機性。圖2A-2B分別為現有的平板式和環式正電子發射成像設備的截面圖。其中實線代表Y光子的實際飛行路徑，虛線代表系統根據探測的信號生成的響應直線段。沒有DOI測量功能的正電子發射成像設備，無法精確確認Y光子的真實位置，只能默認閃爍晶體210的特定位置(例如前端中心)為響應直線段的兩個端點，而造成一定的誤差。這種由Y光子轉換為可見光子的位置在晶體深度范圍內的不確定性產生的誤差，會導致重建圖像的空間分辨率的降低。
[0005]從以上分析可見，如果閃爍晶體的長度(深度)越大，DOI越明顯，越不利于空間分辨率。另一方面，為了提高系統檢測靈敏度，希望閃爍晶體有更大的深度，從而能檢測到更多的Y光子。因此，有必要提出一種用于發射成像設備的檢測器的網格模具、包括該網格模具的檢測器以及包括該檢測器的發射成像設備，以取得閃爍晶體的反應深度信息，提高成像系統的空間分辨率。


【發明內容】

[0006]根據本發明的一個方面，提供一種用于發射成像設備的檢測器的網格模具，包括:多個橫向壁和多個縱向壁，其分別沿著橫向和縱向延伸，以形成以mXn矩陣排列的用于容納所述檢測器的閃爍晶體的多個網格槽，其中m和η均為正整數，且在所述網格槽的側壁中開設有光能夠穿透所述側壁的透光窗口 ；以及光反射層，其設置在所述側壁的除所述透光窗口以外的區域上。
[0007]優選地，所述透光窗口開設在所述側壁中對應閃爍晶體的上部的位置處。
[0008]優選地，每個所述網格槽具有兩個所述透光窗口，分別開設在對應于同一網格槽的相鄰的兩個側壁中。
[0009]優選地，所述網格模具還包括頂部反射層，所述頂部反射層覆蓋在所述多個網格槽的頂部。
[0010]優選地，在網格槽(m，η)的側壁中的前側壁和右側壁中開設有所述透光窗口，其中m+n為偶數。
[0011]優選地，在網格槽(1，η)的側壁中的后側壁中開設有所述透光窗口，其中η為偶數；在網格槽(mmax，n)的側壁中的前側壁中開設有所述透光窗口，其中mmax為最大行數，且η為偶數；在網格槽(m，l)的側壁中的左側壁中開設有所述透光窗口，其中m為偶數；在網格槽(m，nmax)的側壁中的右側壁中開設有所述透光窗口，其中nmax為最大列數，且m為偶數。
[0012]優選地，所述橫向壁和所述縱向壁從所述網格模具的外周到所述網格模具的中心具有逐漸減小的高度，所述橫向壁和所述縱向壁的上端對齊，且所述網格槽由所述橫向壁和所述縱向壁的上部形成。
[0013]優選地，每個所述網格槽具有四個所述透光窗口，分別開設在對應于同一網格槽的四個側壁中，且分別位于側壁的不同高度處。
[0014]此外，本發明還提供一種用于發射成像設備的檢測器，所述檢測器包括:多個閃爍晶體；如上所述的任一種網格模具，多個所述閃爍晶體分別插入在多個所述網格槽中；光傳感器層，所述光傳感器層連接至所述網格模具的底部，所述光傳感器層包括多個光傳感器。
[0015]優選地，所述檢測器還包括光導材料，所述光導材料填充在所述網格模具內，位于多個所述閃爍晶體與所述光傳感器層之間。
[0016]優選地，每個所述網格槽具有四個所述透光窗口，分別開設在對應于同一網格槽的四個側壁中，且分別位于側壁的不同高度處，所述光傳感器與所述閃爍晶體的一一對應。
[0017]另外，還提供一種發射成像設備，所述發射成像設備包括如上所述的任一種檢測器。
[0018]本發明提供的網格模具獲得閃爍晶體的反應深度信息，利于提高空間分辨率和系統檢測靈敏度。
[0019]在
【發明內容】
中引入了一系列簡化形式的概念，這將在【具體實施方式】部分中進一步詳細說明。本
【發明內容】
部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特征和必要技術特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術方案的保護范圍。
[0020]以下結合附圖，詳細說明本發明的優點和特征。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]本發明的下列附圖在此作為本發明的一部分用于理解本發明。附圖中示出了本發明的實施方式及其描述，用來解釋本發明的原理。在附圖中，
[0022]圖1為現有的用于正電子發射成像設備的檢測器的示意圖；
[0023]圖2A和2B分別為現有的平板式和環式正電子發射成像設備的截面圖；
[0024]圖3為根據發明一個實施例制作的網格模具的示意圖；
[0025]圖4為具有根據發明的網格模具的檢測器的剖視圖；
[0026]圖5A為未設置可透光區域的情況下光斑與閃爍晶體的示意圖；
[0027]圖5B為設置可透光區域的情況下光斑與閃爍晶體的示意圖；
[0028]圖5C為未設置可透光區域和設置有可透光區域的光斑的對比示意圖；
[0029]圖6A-6C為根據發明一個實施例制作網格模具的示意圖；
[0030]圖7A和7B分別為根據本發明一個實施例的網格模具的示意圖及光斑示意圖；以及
[0031]圖8A和8B分別為根據本發明另一個實施例的網格I旲具的不意圖及光斑不意圖；
[0032]圖9為基于SiPM的高能光子反應深度測量的設計方案的示意圖。

【具體實施方式】
[0033]在下文的描述中，提供了大量的細節以便能夠徹底地理解本發明。然而，本領域技術人員可以了解，如下描述僅涉及本發明的較佳實施例，本發明可以無需一個或多個這樣的細節而得以實施。此外，為了避免與本發明發生混淆，對于本領域公知的一些技術特征未進行描述。
[0034]本發明提供一種用于發射成像設備的檢測器的網格模具。如圖3所示，該網格模具包括多個橫向壁310和多個縱向壁320。橫向壁310相互平行地沿著橫向延伸，縱向壁320相互平行地沿著縱向延伸。多個橫向壁310和多個縱向壁320形成了以mXn矩陣排列的多個網格槽，其中m和η均為正整數。這些網格槽用于容納檢測器的閃爍晶體410，參見圖4，為采用該網格模具的檢測器的示意圖。橫向壁310和縱向壁320可以通過任意方式來形成，并且橫向壁310和縱向壁320可以是單層或多層結構。閃爍晶體可以為活性鉈碘化鈉晶體、鍺酸鉍晶體、硅酸镥晶體、硅酸镥-釔晶體中的一種。
[0035]作為示例，這些橫向壁310和多個縱向壁320可以為超薄隔板，主要用來固定閃爍晶體410。在一個實施例中，可以在橫向壁310和縱向壁320的側面預留透光區域，而在側面的其它區域上形成(例如涂覆、噴涂等)光反射材料，以在除透光窗口以外的區域上形成光反射層。這樣在網格槽的側壁中對應于預留的透光區域處就形成了能使光(例如可見光子群)穿透該側壁的透光窗口，而在該側壁的除透光窗口以外的區域上形成了光反射層。
[0036]透光窗口主要用來引導可見光子群在傳感器層(例如PMT矩陣)中的分布，以達到最佳的晶體解碼效果。理想的情況是晶體解碼圖中的光斑和離散的閃爍晶體的位置一一對應、沒有重合，即光斑與網格槽一一對應、沒有重合。這種解碼圖的缺點是只能夠確認高能光子在哪一個閃爍晶體中發生了反應，不能提供反應深度(DOI)的信息。透光窗口的設置就是為了使光斑的位置發生偏移，進而獲得DOI信息。后文將對引導可見光子群在傳感器層中的分布進行詳細描述。
[0037]在現有的檢測器中，閃爍晶體的六個面中有五個面均完全覆蓋有反光材料，僅一個面為出光面，參見圖1和圖4，面向傳感器層130和420的面為出光面。本文定義:高能光子從閃爍晶體的頂部進入其內部，出光面位于閃爍晶體的底部，反應產生的可見光子群從位于其底部的出光面離開閃爍晶體。在此情況下，晶體解碼圖中的光斑落在晶體的中心位置,如圖5A所示，光斑510的中心與閃爍晶體410的中心對準，如上所述，這樣將無法獲得DOI信息。本發明開創性地提出，在閃爍晶體410的側面留出可以透光的區域，例如圖5B中的區域500a和500b。且在閃爍晶體410的側面的非透光區域均由光反射層包圍。可透光區域500a設置在閃爍晶體410的右側面，可透光區域500b設置在閃爍晶體410的前側面。與圖5A的未設有可透光區域的示例相比，光斑520朝向X軸和Y軸的正向(即可透光區域500a和500b所在的方位)移動。參照圖5C，其示出了沒有可透光區域和有可透光區域的情況下，光斑510和520的位置。
[0038]進一步還發現，高能光子的反應深度位置距離可透光區域500a和500b越近(圖5B中的點A位置)，事件產生的光子群的重心位置出現在原光斑的中心位置較遠處(點A’)的可能性越大。相反地，高能光子的反應位置距離可透光區域500a和500b越遠(圖5B中的點B位置)，事件產生的光子群的重心位置偏離原光斑的中心位置較近處(點B’ )的可能性越大。
[0039]這樣，我們可以根據高能光子反應產生的光子群的重心位置離原光斑的中心(或者邊沿)位置的距離d來估計高能光子的反應深度位置h。該反應深度位置h和距離d的對應關系取決于晶體的尺寸、光導的厚度和可透光區域的幾何形狀和大小等。
[0040]基于此，可以在網格槽的側壁中開設光能夠穿透該側壁的透光窗口。網格槽的側壁是由橫向壁310和縱向壁320形成的，因此，在一個優選實施例中，可以直接在橫向壁310和縱向壁320上設置透光窗口。在某一閃爍晶體內反應產生的可見光子群將經由該透光窗口進入相鄰的閃爍晶體，然后經由與該相鄰的閃爍晶體對應的透光窗口進一步輻射到其相鄰的閃爍晶體。在圖6A-6C所示的實施例中，透光窗口可以在將橫向壁310和縱向壁320組裝前開設，這種加工方式是非常簡單易行的。如圖6A-6C所示，每個橫向壁310以及每個縱向壁320都可以為可拼接的多個離散的片，多個片相互拼接而形成多個網格槽。
[0041]如圖6A-6B所示，首先提供薄片310’，該薄片310’可以為超薄金屬片、超薄PVC片等等，一般可以為50-120微米。然后，在例如薄片310’的下部的合適位置處設置切槽311，并且在薄片310’的上部的合適位置處設置透光窗口 312，以形成橫向薄片。每個橫向壁310都可以為采用該方法制成的橫向薄片。類似地，每個縱向壁也都可以為采用上述方法制成的縱向薄片，不同之處在于縱向薄片上的切槽321 (參見圖6C)設置在其上部。縱向壁320上的透光窗口 322與橫向壁310上的透光窗口 312的位置可以根據需要設置，圖6A-6C所示的實施例僅為示例性的，因此不構成對本發明的限制。作為示例，還可以采用包括3D打印技術在內的各種已知技術來制作圖6B中所示的橫向壁310以及具有類似結構的縱向壁320 (參見圖6C)。如圖6C所示，橫向薄片和縱向薄片上切槽能夠使橫向薄片和縱向薄片相互插接，這樣多個橫向薄片和多個縱向薄片在切槽處插接，即可形成多個網格。
[0042]需要說明的是，圖6A-6C中所圖示的橫向壁310和縱向壁320僅用于說明該優選實施例的原理，本文不意欲將橫向壁310和縱向壁320的數量限定到圖示實施例。如上所述的，橫向壁310和縱向壁320除了在它們的側面上形成透光窗口用于晶體解碼之外，還起到固定閃爍晶體的作用，因此，在一個實施例中，可以使網格槽的長度和寬度分別與閃爍晶體的長度和寬度相對應(例如網格槽的尺寸相等或略小于閃爍晶體的尺寸)。優選地，在高度方向上，橫向壁310和縱向壁320的高度可以高于閃爍晶體的高度，如圖4所示。橫向壁310和縱向壁320的高出閃爍晶體的部分可以用于代替現有技術中的玻璃光導層中的切槽。橫向壁310和縱向壁320從該網格模具的外周到中心具有逐漸減小的高度。橫向壁310和縱向壁320的上端對齊，網格槽則由橫向壁310和縱向壁320的上部形成。越靠近外圍的壁(包括外圍的橫向壁310和縱向壁320)具有越高的高度，主要為了避免邊緣的閃爍晶體的解碼位置混在一起。各個壁的高度通常需要通過反復試驗來確定。
[0043]在圖6A-6C所示的實施例中，該光反射層可以是通過在橫向壁310和縱向壁320的側面、除透光窗口以外的區域上噴涂、鍍膜(例如噴涂或鍍銀膜)或粘貼反光材料(例如ESR反光片)而形成的。ESR(Enhanced Specular Reflector)反光片的厚度在40微米左右，例如38微米。作為高效反光片，ESR在整個可見光光譜范圍內的反射率都在98%以上，高于目前其他種類的反射片。ESR本身由高分子薄膜層組成，是更加綠色環保的反射片材料。
[0044]在本發明的實施例中，該網格模具還可以包括頂部反射層，該頂部反射層覆蓋在多個網格槽的頂部。
[0045]在一個優選實施例中，透光窗口開設在網格槽的側壁中、對應于閃爍晶體的上部的位置處。當閃爍晶體插入到網格槽中時，透光窗口對應于閃爍晶體的上部。由于光子群在閃爍晶體中的大體移動方向是自上而下，透光窗口設置在上部可以提高在上部(例如點A附近)發生反應產生的光子群從透光窗口直接離開的概率，避免無法區分在上部和下部發生反應產生的光子群形成的光斑。
[0046]在一個優選實施例中，每個網格槽具有兩個透光窗口，分別開設在對應于同一網格槽的相鄰的兩個側壁中。這樣可以使光斑沿著最大可偏移方向(即閃爍晶體的橫截面的對角線方向)移動。
[0047]當考慮到大量閃爍晶體的晶體矩陣時，使光斑沿著對角線方向偏移能夠有效避免相鄰的光斑之間的重疊，如圖7B所示，光斑A(l，l)沿著對角線偏移。除了考慮最大可偏移方向之外，還可以使位于該對角線方向上的閃爍晶體，例如位于網格槽(1，1)、(2,2), (3，3)……內的閃爍晶體，的光斑均沿同一方向偏移，且使相鄰的對角線方向上的閃爍晶體，例如位于網格槽(1，2)、(2,3), (3,4)......內的閃爍晶體的光斑，均沿相反的方向偏移。基于此，可以在網格槽(m，n)的側壁中的前側壁和右側壁中開設有透光窗口 700，其中m+n為偶數。例如，可以在網格槽(1，1)、(1,3), (1,5)……；(2，2)、(2,4), (2,6)……；(3，I)、(3，3)、(3,5)……；……的前側壁和右側壁中開設透光窗口。需要說明的是，網格槽(1，1)的右側壁上的透光窗口也就是相鄰的網格槽(2，I)的左側壁上的透光窗口。
[0048]但是，由于部分邊緣的網格槽僅包括一個透光窗口，例如網格槽(1，2)，因此，該閃爍晶體對應的光斑A(l，2)沿水平方向向左偏移，所以這兩個閃爍晶體對應的光斑A(l，I)和A(l，2)重疊的可能性增加了。在應用網格模具長度設計算法時，可以適當調整算法，使最外圍光斑和其相鄰行或者列光斑的距離稍微增大一些(而不是所有光斑均勻分布)。雖然這種設置方式增加了部分光斑的重疊概率，但是在實踐中是比較實用的，因為在整個晶體矩陣的最外圍通常會設置有殼體或光反射材料710等，因此實踐中很難在最外圍設置透光窗口。因此，此設置方式在實踐中會更容易被采用。
[0049]如果提供合適的方式，例如在整個晶體矩陣的最外圍設置光傳導通道，則有可能使在最外圍的側壁上設置透光窗口變得容易，因此提供另一種優選設置方式，除了上述的在網格槽(m，n)的前側壁和右側壁中開設的透光窗口 700 (m+n為偶數)之外，在網格槽(1，η)的側壁中的后側壁中開設有透光窗口 801，其中η為偶數；在網格槽Onmax,η)的側壁中的前側壁中開設有透光窗口 802，其中mmax為最大行數，且η為偶數；在網格槽(m，l)的側壁中的左側壁中開設有透光窗口 803，其中m為偶數；在網格槽(m，n_)的側壁中的右側壁中開設有透光窗口 804，其中nmax為最大列數，且m為偶數。如圖SB所示，所有的光斑都可能沿著對角線偏移，可以降低光斑重疊的概率。
[0050]雖然上述對基于晶體解碼圖的高能光子反應深度的測量的列舉主要基于PMT矩陣，但這種發射成像設備并不依賴于PMT矩陣。該發明構思亦適用于基于位置靈敏型光電倍增管(PS-PMT)，甚至尺寸更小的、例如硅光電倍增管(SiPM)的光傳感器矩陣。
[0051]針對光傳感器的尺寸能夠小到與閃爍晶體的尺寸相當(例如SiPM)，以使多個光傳感器與多個閃爍晶體一一對應的情況，本發明提供了進一步優選的實施例。參見圖9，給出了基于SiPM的高能光子反應深度測量的設計方案的示意圖。圖中，閃爍晶條900插入網格模具(未示出)后可以與光傳感器層910直接耦合，也可以通過光導材料與光傳感器層910耦合。在該圖中，為了說明原理，僅示出了一個閃爍晶體。離散晶條900與光傳感器層910中的光傳感器O對應。在該光傳感器層910中與光傳感器O相鄰的還有光傳感器A、B、C和D。在固定該閃爍晶體900的網格槽的四個側壁上的四個透光窗口。閃爍晶條900的面向光傳感器A、B、C和D的四個側面上的可透光區域900a、900b、900c和900d分別對應于這四個透光窗口。可透光區域900a、900b、900c和900d位于不同高度處，即四個透光窗口分別位于對應于同一網格槽的四個側壁的不同高度處。這樣，無論高能光子反應深度如何，閃爍晶條900正對的光傳感器O檢測到最多的可見光子(信號最強)。因此，當光傳感器O檢測到最多的可見光子時，可以確定高能光子被其正對的離散晶條所捕獲。然后，通過比較光傳感器A、B、C和D檢測信號的強弱，可以測算高能光子的反應深度。也就是說，光傳感器A、B、C和D中信號越強表示反應深度越靠近相應的可透光區域，從而測算反應深度。通過在網格槽的四個側壁上的不同高度處設置透光窗口，可以獲得更加準確的反應深度信息。
[0052]此外，本發明還提供一種用于發射成像設備的檢測器，參見圖4，該檢測器包括多個閃爍晶體410、如上所述的任一種網格模具、光傳感器層420和光導液體430。
[0053]多個閃爍晶體410分別插入在多個網格槽中。閃爍晶體410可以為活性鉈碘化鈉晶體、鍺酸鉍晶體、硅酸镥晶體、硅酸镥-釔晶體中的一種。如上所述的，網格槽的橫向尺寸可以等于或者略小于閃爍晶體的橫向尺寸。安裝時，可以先將網格模具稍微加熱至網格模具的尺寸略大于閃爍晶體的尺寸時，將閃爍晶體一個個插入網格模具的網格槽之中。然后停止加熱，待網格模具冷卻收縮后將閃爍晶體固定住。
[0054]傳感器層連接至網格模具的底部，該光傳感器層包括多個光傳感器。光傳感器包括 PMT、PS-PMT 或 SiPM 等。
[0055]優選地，光導材料430填充在網格模具內，位于多個閃爍晶體410與光傳感器層420之間。光導材料430可以為液體光導，也可以為例如玻璃光導的固體光導。這樣，從閃爍晶體410出來的可見光子群直接進入光導液體層430中，然后被光傳感器層420捕獲，這樣可以避免介入的中間層(包括粘合劑和/或氣體等介質)對晶體解碼產生的影響。其中，光導液體為常溫下的液體材料。光導液體優選地具有以下性能要求:化學性質穩定，無毒；420nm光衰減低；光導率較高(1.5左右)；粘滯系數低(low viscosity,防止起泡產生)。作為示例，光導液體可以為滿足以上條件的礦物油、Silica(如通用公司的Viscasil系列)
坐寸ο
[0056]進一步地，本發明還提供一種發射成像設備，該發射成像設備包括如上所述的任一種檢測器。
[0057]本發明已經通過上述實施例進行了說明，但應當理解的是，上述實施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發明限制于所描述的實施例范圍內。此外本領域技術人員可以理解的是，本發明并不局限于上述實施例，根據本發明的教導還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發明所要求保護的范圍以內。本發明的保護范圍由附屬的權利要求書及其等效范圍所界定。
【權利要求】
1.一種用于發射成像設備的檢測器的網格模具，其特征在于，包括: 多個橫向壁和多個縱向壁，其分別沿著橫向和縱向延伸，以形成以mXn矩陣排列的用于容納所述檢測器的閃爍晶體的多個網格槽，其中m和η均為正整數，且在所述網格槽的側壁中開設有光能夠穿透所述側壁的透光窗口 ；以及 光反射層，其設置在所述側壁的除所述透光窗口以外的區域上。
2.如權利要求1所述的網格模具，其特征在于，所述透光窗口開設在所述側壁中對應閃爍晶體的上部的位置處。
3.如權利要求1所述的網格模具，其特征在于，每個所述網格槽具有兩個所述透光窗口，分別開設在對應于同一網格槽的相鄰的兩個側壁中。
4.如權利要求1所述的網格模具，其特征在于，所述網格模具還包括頂部反射層，所述頂部反射層覆蓋在所述多個網格槽的頂部。
5.如權利要求1所述的網格模具，其特征在于，在網格槽(m，η)的側壁中的前側壁和右側壁中開設有所述透光窗口，其中m+n為偶數。
6.如權利要求5所述的網格模具，其特征在于，在網格槽(1，η)的側壁中的后側壁中開設有所述透光窗口，其中η為偶數；在網格槽(mmax，n)的側壁中的前側壁中開設有所述透光窗口，其中mmax為最大行數，且η為偶數；在網格槽(m，l)的側壁中的左側壁中開設有所述透光窗口，其中m為偶數；在網格槽(m，nmax)的側壁中的右側壁中開設有所述透光窗口，其中nmax為最大列數，且m為偶數。
7.如權利要求1所述的網格模具，其特征在于，所述橫向壁和所述縱向壁從所述網格模具的外周到所述網格模具的中心具有逐漸減小的高度，所述橫向壁和所述縱向壁的上端對齊，且所述網格槽由所述橫向壁和所述縱向壁的上部形成。
8.如權利要求1所述的網格模具，其特征在于，每個所述網格槽具有四個所述透光窗口，分別開設在對應于同一網格槽的四個側壁中，且分別位于側壁的不同高度處。
9.一種用于發射成像設備的檢測器，其特征在于，所述檢測器包括: 多個閃爍晶體； 如權利要求1-7中任一項所述的網格模具，多個所述閃爍晶體分別插入在多個所述網格槽中；以及 光傳感器層，所述光傳感器層連接至所述網格模具的底部，所述光傳感器層包括多個光傳感器。
10.如權利要求9所述的檢測器，其特征在于，所述檢測器還包括光導材料，所述光導材料填充在所述網格模具內，位于多個所述閃爍晶體與所述光傳感器層之間。
11.如權利要求9所述的檢測器，其特征在于，每個所述網格槽具有四個所述透光窗口，分別開設在對應于同一網格槽的四個側壁中，且分別位于側壁的不同高度處，所述光傳感器與所述閃爍晶體的 對應。
12.—種發射成像設備，其特征在于，所述發射成像設備包括如權利要求9-11中任一項所述的檢測器。
【文檔編號】G01T1/164GK104237924SQ201410413405
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年8月20日 優先權日:2014年8月20日
【發明者】石涵, 許劍鋒, 黃秋, 彭旗宇 申請人:許劍鋒