專利名稱：高精度數字式溫控器的制作方法
技術領域：
本發明涉及溫控器，特別是一種高精度數字式溫控器，主要用于半導體激光器的精確溫度控制，如激光二極管(LD)、恒溫晶體、恒溫激光腔等。
背景技術：
在半導體激光器中，激光二極管、激光腔體和晶體等的許多關鍵參數都與溫度有著密切的關系，如激光二極管輸出的中心波長、閾值電流和效率等；激光腔體受溫度不同而引起的變形直接影響激光腔的穩定性，嚴重的會引起激光腔失調，導致功率衰減；晶體的吸收效率與其溫度更是有直接的關系，溫度不同，晶體的匹配角度就會發生變化，導致激光輸出功率不穩定。因此，在實際應用中，總是期望激光二極管、激光腔體和晶體有盡可能穩定的溫度。目前應用于半導體激光器中的溫控器，都是基于專用的溫控集成芯片，如 MAX1968，這種溫控器無法對溫度進行非線性校正，穩定性不高，溫度漂移大。也有數字式溫度控制器，如歐姆龍E5系列溫控器，該控制器對熱敏電阻采用電阻網絡進行放大和模數轉換，采樣信號容易因采樣電路的噪聲導致存在誤差；通過調整半導體制冷片(TE)的電流大小調整目標溫度，溫度調整滯后性大；接口基本采用RS232或 RS485，而且僅用于參數設置，無法實時傳送溫度值、輸出量和故障原因，不利于分布式組網控制。傳統的溫控器只能實現1個環路的控制，如有2個以上的控制點，就必須增加更多的溫控器，大大增加了激光器的體積和成本。
發明內容
本發明的目的在于克服上述現有技術的不足，提供一種高精度數字式溫控器，該溫控器具有單向/雙向溫度控制功能，能適應全系列溫度傳感器；并集成有實時通訊功能， 支持軟件在線升級，控溫精度高等特點。本發明的技術解決方案如下一種高精度數字式溫控器，特點在于其構成包括嵌入式處理器，該嵌入式處理器包含ι個數據處理模塊和多個PWM脈寬調制發生器，具有CAN總線，多個IO接口、多個捕捉端口和多個PWM輸出端口，該嵌入式處理器連接有一個以上的第一控制回路或/和第二控制回路。所述的第一該控制回路由溫度測量電路、半導體制冷片驅動電路、半導體制冷片驅動電路和直流風機構成，所述的溫度測量電路、半導體制冷片驅動電路和第一直流風機都與所述的嵌入式處理器相連接，所述的半導體制冷片驅動電路的另一端與所述的半導體制冷片相連接，所述的溫度測量電路與第一直流風機相連，所述的和半導體制冷片的另一端與控制對象連接。所述的第二控制回路由溫度測量電路、半導體制冷片驅動電路和半導體制冷片構成，所述的溫度測量電路和半導體制冷片驅動電路都與所述的嵌入式處理器相連接，所述的半導體制冷片驅動電路的另一端與所述的半導體制冷片相連接，所述的半導體制冷片的另一端與控制對象連接。所述的溫度測量電路的構成和連接關系如下該溫度測量電路中第一電容的一端和所述的控制對象內部的熱敏電阻的一端連接后與運算放大器的反相端相連；所述的控制對象的熱敏電阻的另一端、第四電阻的一端、 第二電容的一端、運算放大器的輸出端的節點與所述的嵌入式處理器的CCPO相連接；第四電阻的另一端、第二電阻的一端、第三電阻的一端組成節點與所述的運算放大器的同相輸入端相連接，該運算放大器的電源端與3. 3V電源相連接，運算放大器接地端接地；第三電容接在3. 3V電源和地之間，所述的第二電阻的另一端接3. 3V電源；所述的第一電容、第二電容、第三電容和第三電阻的另一端接地。所述的半導體制冷片驅動電路包括一個芯片，該電路的構成和連接關系如下所述的芯片的RESET端和第二十九電阻的一端相連后與所述的嵌入式處理器的 PB4端相連接；芯片的PWMH端、第三十電阻的一端連接組成節點與所述的嵌入式處理器的 PWMO端相連接；芯片的PHASE、第三十一電阻的一端組成節點與所述的嵌入式處理器的PB5 相連接；芯片的FF1、第二十五電阻的一端組成節點與所述的嵌入式處理器的PB6相連接； 芯片的FF2、第二十六電阻的一端組成節點與所述的嵌入式處理器的PB7相連接；第二十七電阻的一端、第二十八電阻的一端組成節點與芯片的VDSTH相連接；第二十五電阻的另一端、第二十六電阻的另一端、第二十七電阻的另一端、芯片的PWML端組成節點與芯片的V5 端相連接；第三十二電阻的一端與芯片的RDEAD相連接，該第三十二電阻的另一端接地；第十三電容接在芯片的CPl端和CP2端之間；芯片的VREG端與第十二電容的一端相連接，該第十二電容的另一端接地；第十電容的“ + ”端、第十一電容的一端、芯片的VBB端組成節點與+12V電源相連接；第十電容的另一端、第十一電容的另一端、第十二電容的另一端、第十四電容的一端、第二十八電阻的另一端、第二十九電阻的另一端、第三十電阻的另一端、 第三十一電阻的另一端、第三十二電阻的另一端、芯片的SR端、芯片的GND端分別與電源地相連接；芯片的GHA端與第一場效應管的G端相連接；芯片的GHB端與第二場效應管的G 端相連接；芯片的GLA端與第三場效應管的G端相連接；芯片的GLB端與第四場效應管的G 端相連接；第十五電容的一端與芯片的CA端相連接；第十六電容的一端與芯片的CB端相連接；所述的第十五電容的另一端、第一場效應管的S端、第二場效應管的D端、芯片的SA 端組成節點與所述的半導體制冷片的+端相連接；第十六電容的另一端、第二場效應管的S 端、第四場效應管的D端，芯片的SB端組成節點與所述的半導體制冷片的-端相連接；第一場效應管的D端、第二場效應管的D端、第十七電容的+端、第十八電容的+端、第十九電容的+端、芯片的VDRAIN端組成節點與VTE電源相連接；第三場效應管的S端、第四場效應管的S端、第十七電容的-端、第十八電容的-端、第十九電容的-端、芯片的LSS端組成節點與VTE電源的地相連接。所述的嵌入式處理器的CAN總線接有隔離型CAN( "Controller Area Network", 簡稱“CAN”)通訊模塊。所述的控制對象為半導體激光器，或激光二極管，或激光腔體，或激光發熱晶體， 或需要控溫其他發熱物體。
5
本發明的技術效果本發明具有單向/雙向溫度控制功能、實時通訊功能，支持軟件在線升級和控溫精度高等特點；本發明所有的參數和傳感器的校準都是通過數字化設置，不需要去調整電位器。 可用于半導體激光器，或激光腔體，或激光發熱晶體，或需要控溫其他物體的精確溫度控制。本發明用于激光二極管的風冷系統和激光器恒溫腔體中，試驗表明運行非常穩定可靠，實際控制穩定度達到士0.01°C。
圖1本發明高精度數字式溫控器一個具體實施例的結構框中1-隔離型CAN通訊模塊，2-嵌入式處理器，3-溫度測量電路，4-半導體制冷片驅動電路，5-半導體制冷片，6-溫度測量電路，7-半導體制冷片驅動電路，8-半導體制冷片，9-溫度測量電路，10-半導體制冷片驅動電路，11-半導體制冷片，12-風機，13-激光二極管，14-風機，15-激光腔體，16-倍頻晶體圖2是本發明溫度測量電路3的電路3是本發明半導體制冷片驅動電路圖4是本發明嵌入式處理器2的端口示意5是本發明高精度數字式溫控器工作流程圖
具體實施例方式下面結合實施例和附圖對本發明作進一步說明，但不應以此限制本發明的保護范圍。先請參閱圖1，圖1本發明高精度數字式溫控器一個具體實施例的結構框圖，該實施例包括3路溫控環路和2個風機檢測的溫控器，半導體制冷片最大電壓28V，最大電流 30A。圖中1-隔離型CAN通訊模塊，2-嵌入式處理器，3-溫度測量電路，4-半導體制冷片驅動電路，5-半導體制冷片，6-溫度測量電路，7-半導體制冷片驅動電路，8-半導體制冷片，9-溫度測量電路，10-半導體制冷片驅動電路，11-半導體制冷片，12-風機，13-激光二極管，14-風機，15-激光腔體，16-倍頻晶體。其中第一路溫控環路和第二路溫控環路屬于第一類溫控環路，其構成是由溫度測量電路3、半導體制冷片驅動電路4、半導體制冷片驅動電路5和直流風機12構成，所述的溫度測量電路3、半導體制冷片驅動電路4和第一直流風機12都與所述的嵌入式處理器2相連接，所述的半導體制冷片驅動電路4的另一端與所述的半導體制冷片5的控制端相連接，所述的溫度測量電路3與第一直流風機12相連，所述的半導體制冷片5的一端與控制對象13連接，該控制對象13為激光晶體。第二路溫控環路由由溫度測量電路6、半導體制冷片驅動電路7、半導體制冷片驅動電路8和直流風機14構成，15為控制對象激光腔體，連接關系同第一路溫控環路。所述的第三路溫控環路是第二類溫控環路，第三控制回路由溫度測量電路9、半導體制冷片驅動電路10和半導體制冷片11構成，所述的溫度測量電路9和半導體制冷片驅動電路10都與所述的嵌入式處理器2相連接，所述的半導體制冷片驅動電路10的另一端與所述的半導體制冷片11相連接，所述的半導體制冷片11的另一端與控制對象16連接， 該控制對象16為倍頻晶體。所述的嵌入式處理器2采用TI公司的LM3S^65芯片，該芯片包含1個單指令周期的硬件乘法器和一個除法器，并具有豐富的接口，包括12位ADC，CAN總線，工作頻率為 50Mhz,內含6個16位PWM脈寬調制發生器。圖4是本發明嵌入式處理器2的端口示意圖。圖2是本發明采用的溫度測量電路3的電路圖，圖中，運算放大器A采用低壓差精密運算放大器TS1852ID，述的溫度測量電路3的構成和連接關系如下第一電容Cl的一端和所述的控制對象13內部的熱敏電阻Rl的一端連接后與運算放大器A的反相端相連；所述的控制對象13的熱敏電阻Rl的另一端、第四電阻R4的一端、第二電容C2的一端、運算放大器A的輸出端的節點與所述的嵌入式處理器2的CCPO相連接；第四電阻R4的另一端、第二電阻R2的一端、第三電阻R3的一端組成節點與所述的運算放大器A的同相輸入端相連接，運算放大器A的電源端與3. 3V電源相連接，運算放大器 A接地端接地；第三電容C3接在3. 3V電源和地之間，所述的第二電阻R2的另一端接3. 3V 電源；所述的第一電容Cl、第二電容C2、第三電容C3和第三電阻R3的另一端接地。調控對象13的溫度傳感器的熱敏電阻Rl兩端接運放TS1852ID的“VIN-”和“V0UT”管腳，“V0UT” 連接至Ij LM3S2965 的 CCPO 口。圖3是本發明半導體制冷片驅動電路，圖中H橋的驅動芯片U3采用Allegro的 A3941，H橋采用四只IRF的N溝道場效應管IRLR8743PBF。所述的半導體制冷片驅動電路 4包括一個芯片U3，該電路的構成和連接關系如下所述的芯片U3的RESET端和第二十九電阻R29的一端相連后與所述的嵌入式處理器2的PB4端相連接；芯片U3的PWMH端、第三十電阻R30的一端連接組成節點與所述的嵌入式處理器2的PWMO端相連接；芯片U3的PHASE、第三十一電阻R31的一端組成節點與所述的嵌入式處理器2的PB5相連接；芯片U3的FF1、第二十五電阻R25的一端組成節點與所述的嵌入式處理器2的PB6相連接；芯片U3的FF2、第二十六電阻R26的一端組成節點與所述的嵌入式處理器2的PB7相連接；第二十七電阻R27的一端、第二十八電阻似8的一端組成節點與芯片U3的VDSTH相連接；第二十五電阻R25的另一端、第二十六電阻R26 的另一端、第二十七電阻R27的另一端、芯片U3的PWML端組成節點與芯片U3的V5端相連接；第三十二電阻R32的一端與芯片U3的RDEAD相連接，該第三十二電阻R32的另一端接地；第十三電容C13接在芯片U3的CPl端和CP2端之間；芯片U3的VREG端與第十二電容C12的一端相連接，該第十二電容C12的另一端接地；第十電容ClO的“ + ”端、第十一電容Cll的一端、芯片U3的VBB端組成節點與+12V電源相連接；第十電容ClO的另一端、第十一電容Cll的另一端、第十二電容C12的另一端、第十四電容C14的一端、第二十八電阻似8的另一端、第二十九電阻似9的另一端、第三十電阻R30的另一端、第三十一電阻R31的另一端、第三十二電阻R32的另一端、芯片U3的SR端、芯片U3的GND端分別與電源地相連接；芯片U3的GHA端與第一場效應管Ql的G端相連接；芯片U3的GHB端與第二場效應管 Q2的G端相連接；芯片U3的GLA端與第三場效應管Q3的G端相連接；芯片U3的GLB端與第四場效應管Q4的G端相連接；第十五電容C15的一端與芯片U3的CA端相連接；第十六電容C16的一端與芯片U3的CB端相連接；所述的第十五電容C15的另一端、第一場效應管Ql的S端、第二場效應管Q2的D端，芯片U3的SA端組成節點與所述的半導體制冷片5
7的+端相連接；第十六電容C16的另一端、第二場效應管Q2的S端、第四場效應管Q4的D 端，芯片U3的SB端組成節點與所述的半導體制冷片5的-端相連接；第一場效應管Ql的 D端、第二場效應管Q2的D端、第十七電容C17的+端、第十八電容C18的+端、第十九電容C19的+端、芯片U3的VDRAIN端組成節點與電源VTE相連接；第三場效應管Q3的S端、 第四場效應管Q4的S端、第十七電容C17的-端、第十八電容C18的-端、第十九電容C19 的-端、芯片U3)LSS端組成節點與電源VTE的地相連接。針對本實施例還可以具體說明如下5為半導體制冷片，13為調控對象，調控對象13的溫度傳感器的兩端接運放 TS1852ID 的 “VIN-” 和 “V0UT” 管腳，“V0UT” 連接到 LM3S2965 的 CCPO 口，LM3S2965 的 PWM 輸出端口“PWM0”連接到 A3941 的“PWMH”，A3941 的“PWML”連接至lj“+5V”，LM3S^65 的 IO 口 PB3接A3941的“PHASE”，A3941的“GHA”連接到H橋的第一 N溝道場效應管的“G”，“GHB，， 連接到H橋的H橋的第二 N溝道場效應管的“G”，“GLA”連接到H橋的H橋的第三N溝道場效應管的“G”，“GLB”連接到H橋的H橋的第四N溝道場效應管的“G”，4的第一 N溝道場效應管的“D”和第二 N溝道場效應管的“D”組成節點連接到VDD電源端，4的第三N溝道場效應管的“S”和第四N溝道場效應管的“S”組成節點連接到地，3A3941 “SA”和4的第一 N 溝道場效應管的“S”和第三N溝道場效應管的“D”組成節點連接到半導體制冷片5的“ + ” 極，A3941的“SB”和4的第二 N溝道場效應管的“S”和第四N溝道場效應管的“D”組成節點連接到半導體制冷片5的“_”極。H-橋驅動芯片采用Allegro的A3941，該芯片內部具有欠壓保護、過壓保護、高溫保護和輸出短路保護，通過A3941中的“FF1”和“FF2”反饋給LM3S^65，如果發生故障， LM3S2965的PWM不輸出，保護電路的電子器件。采用周立功的隔離CAN總線模塊CTM8250T和LM3S^65的CANOTX腳和CANORX 腳相連，本控制器的預設電流，當前實際電流等數據均通過CTM8250T輸入和輸出，也可以通過該接口來改變本控制器的工作模式，在發生故障時，本控制器可以作為主機通過 CTM8250T立即發送出去，供激光器中的其他設備讀取或顯示。圖5是本發明高精度數字式溫控器工作流程圖，包括兩個主要程序升級程序和應用程序。本發明高精度數字式溫控器上電之后，根據內部存儲器(FLASH)保存的應用程序標志和應用程序的大小及校驗碼，如果無應用程序，則執行升級程序，否則根據應用程序大小和代碼計算校驗碼，校驗碼不正確，執行升級程序，校驗碼正確，執行應用程序。升級程序等待CAN總線上是否有升級命令到達，如果有升級命令到達，開始升級程序，升級完后校驗新程序，然后置應用程序標志，自動重新啟動。應用程序是一個多任務的實時控制程序，主要包括溫控程序、故障監測程序、通訊程序。執行應用程序時，開始初始化嵌入式處理器2的各個端口，然后初始化多任務，加載3個并行處理的任務溫控程序任務、故障監測程序任務和通訊程序任務；溫控程序任務是通過采集圖1中溫度測量電路3的頻率信號，獲得當前被控對象激光二極管(簡稱LD) 13和激光腔體(簡稱LH) 15和倍頻晶體(SHG) 16的溫度，如果無法獲取溫度，置溫度故障標志，供故障監測程序和通訊程序使用，通過嵌入式處理器2內部FLASH保存的報警溫度確定其溫度是否超過極限工作溫度，如果超過，置溫度傳感器故障標志供故障監測程序和通訊程序使用，否則根據嵌入式處理器內部FLASH保存的“預設溫度” 處理數據，計算出半導體制冷片5控制所需的脈寬調制信號值，判斷是否有溫度故障、驅動器故障和風機故障，如有故障，則關閉脈寬調制信號，否則產生脈寬調制信號，輸出到圖1 中半導體制冷片驅動電路驅動相應的半導體制冷片，控制LD、LH或SHG的溫度，執行完后延時調控周期(20us)，循環執行溫控程序任務。故障監測程序任務是監測是否有故障發生，包括TE驅動器故障檢測、溫度故障標志監測和風機故障檢測。首先監測圖1中半導體制冷片驅動電路4連接到嵌入式處理器 2的兩根信號線"FFl，，和“FF2”，若FFl為低電平“0”及FF2為低電平“0”表示無故障，否則根據FFl和FF2組合的邏輯值判定故障“01”表示輸出場效應管有短路，“10”表示驅動芯片溫度過高，“ 11 ”表示驅動芯片電壓過低。如果驅動電路有故障，置驅動器故障標志，供溫控程序任務和通訊程序任務使用，接著執行風機故障檢測，通過測量嵌入式處理器2和直流風機12轉速信號線相連的端口，如果該端口沒有脈沖，表示風機發生故障，置風機故障標志，供溫控程序任務和通訊程序任務使用，否則根據測得的頻率計算出風機的轉速供通訊程序任務使用。執行完后延時監測周期OOus)延時，循環執行故障監測程序任務。通訊程序任務負責本溫控器和半導體激光器的其它設備進行數據交換，首先檢測溫控程序任務和故障監測程序任務中是否有故障標志，如有，則通過廣播碼(OxFF)發送給所有掛機在CAN總線的設備，通知其它設備執行相應的緊急故障處理。接著監測是否有其它設備呼叫本機，沒有則進入通訊任務延時周期(5ms)，如果有，根據接受到的命令判別是否設置參數，如預設溫度等，是，則保存參數到嵌入式處理器2的FLASH中，并更新執行新參數，否則判斷是否為查詢數據，如當前溫度，風機轉速等，是，則發送需要查詢的參數，否則執行通訊任務周期(5ms)延時，循環執行通訊程序任務。
權利要求
1.一種高精度數字式溫控器，特征在于其構成包括嵌入式處理器O)，該嵌入式處理器( 包含1個數據處理模塊和多個PWM脈寬調制發生器，具有CAN總線，多個IO接口、和多個捕捉端口和多個PWM輸出端口，該嵌入式處理器( 接有一個以上的第一類控制回路或/和第二類控制回路。
2.根據權利要求1所述的高精度數字式溫控器，其特征在于所述的第一類控制回路由溫度測量電路(3)、半導體制冷片驅動電路0)、半導體制冷片( 和直流風機(1 構成， 所述的溫度測量電路(3)、半導體制冷片驅動電路⑷和第一直流風機(12)都與所述的嵌入式處理器( 相連接，所述的半導體制冷片驅動電路的另一端與所述的半導體制冷片(5)的控制端相連接，所述的溫度測量電路(3)與第一直流風機(12)相連，所述的半導體制冷片(5)的一端與控制對象(1 連接。
3.根據權利要求2所述的高精度數字式溫控器，其特征在于所述的第二類控制回路由溫度測量電路、半導體制冷片驅動電路和半導體制冷片構成，所述的溫度測量電路和半導體制冷片驅動電路都與所述的嵌入式處理器相連接，所述的半導體制冷片驅動電路的另一端與所述的半導體制冷片相連接，所述的半導體制冷片的另一端與控制對象連接。
4.根據權利要求2或3所述的高精度數字式溫控器，其特征在于所述的溫度測量電路 (3)的構成和連接關系如下第一電容(Cl)的一端和所述的控制對象(1 內部的熱敏電阻(Rl)的一端連接后與運算放大器㈧的反相端相連；所述的控制對象(13)的熱敏電阻(Rl)的另一端、第四電阻 (R4)的一端、第二電容(以)的一端、運算放大器(A)的輸出端的節點與所述的嵌入式處理器O)的CCPO相連接；第四電阻(R4)的另一端、第二電阻(R2)的一端、第三電阻(R3)的一端組成節點與所述的運算放大器(A)的同相輸入端相連接，運算放大器(A)的電源端與 3. 3V電源相連接，運算放大器(A)接地端接地；第三電容(O)接在3. 3V電源和地之間，所述的第二電阻(R2)的另一端接3. 3V電源；所述的第一電容(Cl)、第二電容(C2)、第三電容 (C3)和第三電阻(R3)的另一端接地。
5.根據權利要求2或3所述的高精度數字式溫控器，其特征在于所述的半導體制冷片驅動電路(4)包括一個芯片(U3)，該電路的構成和連接關系如下所述的芯片(U； )的RESET端和第二十九電阻(似9)的一端相連后與所述的嵌入式處理器的PB4端相連接；芯片(U3)的PWMH端、第三十電阻(R30)的一端連接組成節點與所述的嵌入式處理器的PWMO端相連接；芯片(U3)的PHASE、第三i^一電阻(R31) 的一端組成節點與所述的嵌入式處理器的PB5相連接；芯片(U3)的FF1、第二十五電阻(R25)的一端組成節點與所述的嵌入式處理器的PB6相連接；芯片(U3)的FF2、第二十六電阻(R26)的一端組成節點與所述的嵌入式處理器的PB7相連接；第二十七電阻(R27)的一端、第二十八電阻(似8)的一端組成節點與芯片(U3)的VDSTH相連接；第二十五電阻(R25)的另一端、第二十六電阻(似6)的另一端、第二十七電阻(R27)的另一端、芯片(U3)的PWML端組成節點與芯片(U3)的V5端相連接；第三十二電阻(R32)的一端與芯片(U3)的RDEAD相連接，該第三十二電阻(R32)的另一端接地；第十三電容(C13)接在芯片(U3)的CPl端和CP2端之間；芯片(U3)的VREG端與第十二電容(C12)的一端相連接，該第十二電容(C12)的另一端接地；第十電容(ClO)的“ + ”端、第十一電容(Cll)的一端、芯片(U3)的VBB端組成節點與+12V電源相連接；第十電容(ClO)的另一端、第十一電容(Cll)的另一端、第十二電容(C12)的另一端、第十四電容(C14)的一端、第二十八電阻 (R28)的另一端、第二十九電阻(R29)的另一端、第三十電阻(R30)的另一端、第三十一電阻 (R31)的另一端、第三十二電阻(R32)的另一端、芯片(U3)的SR端、芯片(U3)的GND端分別與電源地相連接；芯片(U3)的GHA端與第一場效應管Oil)的G端相連接；芯片(U3)的 GHB端與第二場效應管0^2)的G端相連接；芯片(U3)的GLA端與第三場效應管0^3)的G 端相連接；芯片(U； )的GLB端與第四場效應管OH)的G端相連接；第十五電容(CK)的一端與芯片(U3)的CA端相連接；第十六電容(C16)的一端與芯片(U3)的CB端相連接；所述的第十五電容(C15)的另一端、第一場效應管Oil)的S端、第二場效應管0^2)的D端，芯片(U3)的SA端組成節點與所述的半導體制冷片(5)的+端相連接；第十六電容(C16)的另一端、第二場效應管0^2)的S端、第四場效應管OH)的D端，芯片(U3)的SB端組成節點與所述的半導體制冷片(5)的-端相連接；第一場效應管Oil)的D端、第二場效應管0^2) 的D端、第十七電容(C17)的+端、第十八電容(C18)的+端、第十九電容(C19)的+端、芯片(TO)的VDRAIN端組成節點與電源(VTE)相連接；第三場效應管O )的S端、第四場效應管OH)的S端、第十七電容(C17)的-端、第十八電容(C18)的-端、第十九電容(C19) 的-端、芯片(U； )的LSS端組成節點與電源(VTE)的地相連接。
6.根據權利要求1所述的高精度數字式溫控器，其特征在于所述的嵌入式處理器(2) 的CAN總線接有隔離型CAN通訊模塊(1)。
7.根據權利要求1所述的高精度數字式溫控器，其特征在于所述的控制對象為半導體激光器，或激光腔體，或激光發熱晶體，或需要控溫其他發熱物體。
全文摘要
一種高精度數字式溫控器，其構成包括嵌入式處理器，該嵌入式處理器包含1個數據處理模塊和多個PWM脈寬調制發生器，具有CAN總線，多個IO接口、多個捕捉端口和多個PWM輸出端口，該嵌入式處理器接有一個以上的第一類控制回路或/和第二類控制回路。本發明具有單向/雙向溫度控制功能，實時通訊功能，支持軟件在線升級和控溫精度高等特點，可用于半導體激光器，或激光腔體，或激光發熱晶體，或需要控溫其他物體的精確溫度控制。
文檔編號G05D23/20GK102393766SQ20111024711
公開日2012年3月28日 申請日期2011年8月25日 優先權日2011年8月25日
發明者施偉, 沈宏華, 田懷勇, 金英杰 申請人:上海致凱捷激光科技有限公司