集成電路設計中的通孔嵌入的制作方法
【專利摘要】本發明涉及集成電路設計中的通孔嵌入，所揭示的是用于通孔嵌入(insertion)以改善所產生的裝置的制造性同時確保符合DRC規則的方法及設備(apparatus)。具體實施例包括：判斷具有第一通孔與多條繞線(route)的IC設計的基底的層件，多條繞線水平延伸(extend)于基底上并且置于多個等間隔垂直位置的其中一個上；以一個或多個臨界值(threshold?value)比較層件垂直延伸于第一組多繞線之間以及水平延伸于第二組多繞線之間的區域，此區域鄰近(adjacent)第一通孔并且與多條繞線分開；以及基于此比較嵌入第二通孔。
【專利說明】集成電路設計中的通孔嵌入
【技術領域】
[0001]本揭示關于IC設計中通孔的嵌入。本揭示尤其適用于利用自對準雙圖案化(SADP)或側壁影像轉移(SIT)技術將通孔或介層條(via bar)的嵌入應用到IC設計中。
【背景技術】
[0002]在IC設計制造中，尤其是使用SADP技術的IC設計制造，通孔經常配置成連接例如「I號金屬」(Ml)以及「2號金屬」(M2)層的層件。如此，通常是在設計程序的早期進行尺寸化并且安置通孔以有效利用IC設計上的空間并且取得所產生的裝置的適當效能、可靠度、以及可制造性。為了改良所產生的裝置的效能、可靠度、以及可制造性，可在設計程序中的后面步驟(例如在擺置繞線(P&R)之后、在分解(decomposition)之后)嵌入額外通孔。然而，為了確保所產生的裝置的可制造性，傳統程序需要復雜的二維設計規則檢查(DRC)，其使如DRC引擎和自動化繞線器之類之標準IC設計工具的執行時間變慢，會增加整體的設計周期時間。此外，傳統DRC可能為顏色相關(color dependent)因而需要分解信息,如特征是否為心軸或非心軸金屬以及尖端對尖端、側部對尖端、和側部對側部距離。
[0003]因此，需要能嵌入通孔以確保所產生的裝置的可制造性而不用復雜的二維DRC并且顏色無關(color independent)的方法及設備。
【發明內容】
[0004]本揭示的一個態樣通過比較鄰近既存通孔并且與既存繞線分開的區域與一個或多個臨界值而判斷用以嵌入(冗余或置換)通孔之區域的一種方法。
[0005]本揭示的一個態樣是組構成通過比較鄰近既存通孔并且與既存繞線分開之區域與一個或多個臨界值而用于判斷要嵌入(冗余或置換)通孔的區域。
[0006]本揭示另外的態樣及其它特征將在下文的說明中提出并且部分在查閱下文后對所屬領域的技術人員將顯而易知或可經由本揭示的實踐予以學習。本揭示的優點可隨著所附權利要求書所特別指出而實現并且取得。
[0007]如本揭示所述，某些技術功效可通過一種方法而部分達成，其包括:判斷具有第一通孔和多條繞線之IC之基底之層件，多條繞線水平延伸于基底上并且置于多個等間隔垂直位置之其中一者上；以一個或多個臨界值比較垂直延伸于多條繞線之第一組之間并且水平延伸于多條繞線之第二組之間的層件的區域；以及基于比較而嵌入第二通孔。
[0008]某些態樣包括一種方法，其中，一個或多個臨界值包括預定高度與寬度以及比較進一步包括:判斷鄰近第一通孔并且從第一通孔之外緣延伸至少預定高度的矩形區，矩形區具有至少為預定寬度的寬度；以及比較區域與矩形區，其中，第二通孔嵌入于矩形區內并且更基于區域與矩形區的比較。另外的態樣包括一種方法，其中，矩形區自外緣延伸預定高度以及寬度等于預定寬度。還有態樣包括:判斷介于第一通孔之外緣與第一組繞線之其中一者之間的垂直距離；判斷介于第一通孔之水平中點與沿著第一水平方向之第二組繞線之其中一者之間的第一水平距離；以及判斷介于第一通孔之水平中點與沿著另一水平方向之第二組繞線之其中一者之間的第二水平距離，其中，區域是自第一通孔之外緣以垂直距離垂直延伸并且具有等于第一與第二水平距離總和之寬度之矩形區的至少一部分。某些態樣包括一種方法，其中，一個或多個臨界值包括預定高度與寬度，以及比較進一步包括:比較垂直距離與預定高度；以及比較第一和第二水平距離與預定寬度，其中第二通孔嵌入于矩形區內并且更基于垂直距離與預定高度的比較及第一和第二水平距離與預定寬度的比較。另外的態樣包括基于矩形區的尺寸判斷第二通孔的尺寸。還有態樣包括一種方法，其中，層件為IC設計的Ml或M2層，以及第一與第二通孔是介于層件與IC設計之另一層件之間的連接件、針腳接通件(access)、或金屬轉移區。某些態樣包括:判斷用于嵌入第二通孔的最小區域；以及判斷與產生繞線、第一通孔、第二通孔、或其結合之屏蔽相關聯的關鍵距離，其中一個或多個臨界值基于最小區域和關鍵距離。
[0009]本揭示的另一態樣是一種設備，其包括:至少一個處理器；以及包括用于一個或多個程序之計算機程序碼的至少一個內存，至少一個內存和計算機程序碼組構成與至少一個處理器令設備進行至少下列所述者:判斷具有第一通孔與多條繞線之IC設計之基底上之層件，多條繞線水平延伸于基底上并且置于多個等間隔垂直位置之其中一者上；以一個或多個臨界值比較垂直延伸于多條繞線之第一組之間與水平延伸于多條繞線之第二組之間的區域，區域為鄰近第一通孔并且與多條繞線分開；以及基于比較而嵌入第二通孔。
[0010]態樣包括一種設備，其中，一個或多個臨界值包括預定高度與寬度，該比較進一步包括:判斷鄰近第一通孔并且從第一通孔之外緣延伸至少預定高度的矩形區，矩形區具有至少為預定寬度的寬度；以及比較區域與矩形區，其中，第二通孔嵌入于矩形區內并且更基于區域與矩形區的比較。某些態樣包括一種設備，其中，矩形區自外緣延伸預定高度以及寬度等于預定寬度。另外的態樣包括一種設備，其造成:判斷介于第一通孔之外緣與第一組繞線之其中一者之間的垂直距離；判斷介于第一通孔之水平中點與沿著第一水平方向之第二組繞線之其中一者之間的第一水平距離；以及判斷介于第一通孔之水平中點與沿著另一水平方向之第二組繞線之其中一者之間的第二水平距離，其中，區域是自具有第一和第二水平距離之寬度的第一通孔之外緣垂直延伸垂直距離之矩形區的至少一部分。還有態樣包括一種設備，其中，一個或多個臨界值包括預定高度與寬度，該比較進一步包括:比較垂直距離與預定高度；以及比較第一和第二水平距離與預定寬度，其中，第二通孔嵌入于矩形區內并且更基于垂直距離與預定高度的比較及第一和第二水平距離與預定寬度的比較。某些態樣包括一種設備，其造成基于矩形區的尺寸判斷第二通孔的尺寸。另外的態樣包括一種設備，其中，層件為IC設計的Ml或M2層，以及第一與第二通孔是介于層件與IC設計之另一層件之間的連接件、針腳接通件、或金屬轉移區。還有態樣包括一種設備，其進一步造成:判斷用于嵌入第二通孔的最小區域；以及判斷與產生繞線、第一通孔、第二通孔、或其結合之屏蔽相關聯的關鍵距離，其中，一個或多個臨界值基于最小區域和關鍵距離。
[0011]本揭示的另一態樣是一種方法，其包括:判斷具有第一通孔與多條繞線之集成電路(IC)之基底上的Ml或M2層，多條繞線水平延伸于基底上并且置于通過距離予以分開之多個等間隔垂直位置之其中一者上，并且第一通孔為介于IC設計之Ml或M2層與另一 Ml或M2層之間的連接件、針腳接通件、或金屬轉移區；判斷垂直延伸于多條繞線之第一組之間并且水平延伸于多條繞線之第二組之間用于嵌入第二通孔之Ml或M2層的第一區域，該區域以一個或多個臨界值鄰近第一通孔并且與多條繞線分開；判斷用于嵌入第二通孔的最小區域；判斷與產生繞線、第一通孔、第二通孔、或其結合之屏蔽相關聯的關鍵距離；基于最小區域和關鍵距離判斷預定高度和寬度；比較第一區域與預定高度和寬度；以及基于比較而在區域內嵌入第二通孔。
[0012]態樣包括:判斷鄰近第一通孔并且從第一通孔之外緣延伸預定高度的矩形區，矩形區具有預定寬度的寬度；以及比較第一區域與矩形區，其中，第二通孔嵌入于矩形區內并且更基于區域與矩形區的比較。某些態樣包括:判斷介于第一通孔之外緣與第一組繞線之其中一者之間的垂直距離；判斷介于第一通孔之水平中點與沿著第一水平方向之第二組繞線之其中一者之間的第一水平距離；判斷介于第一通孔之水平中點與沿著另一水平方向之第二組繞線之其中一者之間的第二水平距離，其中，該區域是從第一通孔之外緣垂直延伸垂直距離并且具有第一與第二水平距離之寬度的矩形區；比較垂直距離與預定高度；以及比較第一和第二水平距離與預定寬度，其中，第二通孔的嵌入更基于垂直距離與預定高度的比較以及第一與第二水平距離與預定寬度的比較。進一步的態樣包括基于矩形區的尺寸判斷第二通孔的尺寸。
[0013]本揭露的另些態樣及技術功效經由詳細說明對于熟悉本技藝的人士將顯而易知，其中本揭露通過經深思實施本揭露之最佳模式描述予以簡單說明。將理解的是，本揭露能夠有其它及不同具體實施例，以及其許多細節能以各種明顯態樣改進，全部都不違背本揭露。因此，圖式及說明的本質在于描述而非限制。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0014]本揭露以附加圖式的圖標通過實施例且非限制性予以描述，圖式中相同的組件符號意指類似組件，其中:
[0015]圖1A和IB是根據示例性具體實施例使用經組構成嵌入通孔的各種模塊的系統圖；
[0016]圖2是根據示例性具體實施例用于嵌入通孔的程序的流程圖；
[0017]圖3是根據示例性具體實施例用于嵌入通孔的另一程序的流程圖；
[0018]圖4至圖5和圖6A根據示例性具體實施例描述用于嵌入冗余通孔的程序；
[0019]圖4至圖5和圖6B根據示例性具體實施例描述用于嵌入置換通孔的程序；
[0020]圖4至圖5、圖6A、圖7、和圖8根據示例性具體實施例描述用于嵌入冗余心軸金屬通孔的程序；以及
[0021]圖9圖標可用于實現示例性具體實施例的芯片組。
[0022]主要組件符號說明
[0023]10A、100B 系統
[0024]101P&R 模塊
[0025]103布局記錄
[0026]109通孔嵌入模塊
[0027]111修改后之布局記錄
[0028]113預定區
[0029]200程序
[0030]201、203、205、207、209、211 步驟
[0031]300IC 布局
[0032]301線軌
[0033]303軌上特征
[0034]305通孔
[0035]307區域
[0036]309矩形
[0037]401金屬延伸
[0038]403,405區塊屏蔽
[0039]407、415、503、611 高度
[0040]409、413、505、613 寬度
[0041]501、609矩形區
[0042]601a第二通孔、冗余通孔、通孔
[0043]601b較大通孔、通孔
[0044]603第二金屬延伸
[0045]605,607第二區塊屏蔽
[0046]701心軸對心軸距離
[0047]801虛擬心軸
[0048]900芯片組
[0049]901總線
[0050]903處理器
[0051]905內存
[0052]907數字信號處理器(DSP)
[0053]909特定應用集成電路(ASIC)。
【具體實施方式】
[0054]在底下的說明中，為了解釋目的，提出許多特定細節用來提供對于示例性具體實施例的充分理解。然而，應領會的是，示例性具體實施例可無需這些特定細節或可用等效配置予以實現。在其它實例中，眾所周知的結構及裝置以方塊圖的形式表示以避免不必要地混淆示例性具體實施例。另外，除非另有所指，本說明書及權利要求書所使用表達數量、t匕率、以及成份、反應條件等等數值特性的數字應理解為得在所有實例中通過術語「大約」修改。
[0055]本揭示處理并且解決目前裝置因IC設計利用通孔(尤其是在利用P&R步驟期間所嵌入通孔及/或利用復雜二維DRC檢查的IC設計中)連接SADP繞線而有可制造性困難的問題。根據本揭示的具體實施例，通孔基于以臨界值比較鄰近既存通孔并且與既存繞線分開的區域而在無(或有)分解之P&R步驟期間(或之后)嵌入。
[0056]根據本揭示具體實施例的方法包括:判斷具有第一通孔與多條繞線之IC設計的基底層，多條繞線水平延伸于基底上并且置于多個等間隔垂直位置的其中一者上；以一個或多個臨界值比較垂直延伸于第一組多繞線之間并且水平延伸于第二組多繞線之間的層件區域，此區域鄰近第一通孔并且與多條繞線分開；以及基于此比較嵌入第二通孔。
[0057]又其它態樣、特征、以及技術功效經由底下的詳細說明對于熟悉本技藝之人士將顯而易知，其中較佳具體實施例單純地通過深思后的最佳模式描述予以表示并且說明。本揭露能夠為其它與不同具體實施例，以及其許多細節能夠以各種明顯態樣予以改進。因此，圖式及說明本質為描述性而非限制性。
[0058]圖1A及圖1B分別描述包括可存取布局記錄103 (log)之P&R模塊101、以及可存取預定區113之通孔嵌入模塊109的系統100A與100B。另外，圖1B的系統100B視需要地包括修改后之布局記錄111。可結合模塊101與109。記錄103可與記錄111結合，并且可與模塊101與109結合或分開及/或可通過模塊101與109的結合存取。
[0059]P&R模塊101組構成幫助決定或決定IC設計中電子組件的位置(例如，擺置)及此類組件的連接(例如，繞線)。例如，P&R模塊101可產生并且儲存IC設計于布局記錄103中，其標示可由分解模塊105及通孔嵌入模塊109存取的通孔和SADP繞線。
[0060]嵌入模塊109組構成判斷供嵌入冗余或置換通孔的布局區域。本文中，冗余通孔意指新增通孔供建立已由另一通孔連接之層件的連接，以及置換通孔意指以連接特殊層件之第二 (較大)通孔置換連接特殊層件之第一(較小)通孔。
[0061]請參閱圖1A，嵌入模塊109對記錄103中布局里的區域(例如鄰近通孔)與預定區113作比較，并且基于此比較在布局記錄103里嵌入冗余或置換通孔以改良設計的可制造性。如圖所示，通孔嵌入是在P&R程序期間完成而無需分解，藉以使具有嵌入通孔之所產生的設計之時序最佳化并且減少整體設計周期時間。
[0062]請參閱圖1B，嵌入模塊109對記錄103中布局里的區域(例如鄰近于通孔)與預定區域113作比較，并且基于對改良設計可制造性的比較在布局記錄111里嵌入冗余或置換通孔。如圖所示，通孔嵌入是在P&R程序之后完成而無需分解，藉以使實作更簡單并且減少整體的設計周期時間。
[0063]請參閱圖2，根據示例性具體實施例，流程圖描述用于嵌入通孔的程序。為了描述，針對圖1的系統說明程序200。注意到程序200的步驟可用任何適當的順序進行，并且用任何適當的方式結合或分開。例如，可省略步驟209。
[0064]在步驟201中，P&R模塊101判斷具有SADP繞線和第一通孔之記錄103中所儲存IC設計的布局。在步驟203中，嵌入模塊109判斷臨界值。例如，嵌入模塊109使用底下方程式存取及/或判斷預界定水平寬度「X」、以及預界定垂直高度「Y」:
[0065]X=2氺min(blockmaskCD_x)+min(metalExtension_x)
[0066]Y=min(blockmaskCD_y)+min(metalExtension_y)
[0067]其中blockmaskCD_x表不區塊屏蔽(block mask)之關鍵距離的水平寬度、metalExtension_x表示介層條之金屬延伸的水平寬度，以及其中blockmaskCD_y表示區塊屏蔽之關鍵距離的垂直高度、metalExtension_y表示介層條之金屬延伸的垂直高度。預界定值「X」和「Y」可實時決定，或者被預定給P&R步驟及/或分解步驟。另外，可添加公差(未圖標)至預界定值「X」和「Y」。
[0068]其次，嵌入模塊109在步驟205中判斷鄰近通孔并且與SADP繞線分開的區域。例如，嵌入模塊109辨識從通孔朝一個垂直方向延伸、以及遠離通孔中點(midpoint)朝兩水平方向延伸的區域。此區域可為例如多邊形、圓形、方形、及諸如此類的任何形狀。
[0069]接著，嵌入模塊109在步驟207中將該區域與臨界值作比較。例如，嵌入模塊109判斷是否滿足底下方程式:
[0070]min (dx) >X
[0071]min (hy) >Y
[0072]其中，4表示區域的水平寬度，「X」表示預界定水平寬度，并且其中，hy表示區域的垂直高度，「Y」表示預界定垂直高度。
[0073]另外，或或者，嵌入模塊109判斷是否滿足底下方程式:
[0074]min (dx) >2*min (b1ckmaskCDx) +min (metalExtensionx)
[0075]min (hy) >min (blockmaskCDy) +min (metalExtensiony)
[0076]其中，4表示區域的水平寬度，blockmasld:Dx表示區塊屏蔽之關鍵距離的水平寬度，以及metalExtensionx表示各種介層條之金屬延伸的水平寬度，并且其中，hy表示區域的垂直高度，blockmaskCDy表示區塊屏蔽之關鍵距離的垂直高度，以及metalExtensiony表示各種介層條之金屬延伸的垂直高度。
[0077]其次，嵌入模塊109在步驟209中基于此區域判斷第二通孔的尺寸及位置。例如，嵌入模塊 109 選擇多組「X」和「Y」(或 blockmaskCDx、metalExtensionx、blockmaskCDy、metalExtensiony)中最能滿足步驟207里方程式的其中一個。
[0078]在步驟211中，嵌入模塊109基于比較而在區域中嵌入第二通孔。例如，若滿足步驟207的方程式，則嵌入模塊109在區域中嵌入與步驟207里之預界定值「X」與「Y」相關聯的通孔(或步驟209里判斷的通孔)并且在記錄103 (或布局記錄111)中儲存所產生的修改后之布局。可在單一 IC設計上多次進行圖2的程序。例如，可對IC設計中的每一個通孔進行步驟205至211。如此，具有滿足步驟207方程式之鄰近區域的每一個通孔都可具有用以改良所產生的裝置之可制造性的對應冗余或置換通孔。
[0079]圖3至圖5及圖6A根據示例性具體實施例描述用以嵌入冗余通孔的程序。另外，圖3至5及6B根據示例性具體實施例描述用以嵌入置換通孔的程序。為了描述，就圖1A及IB的系統說明程序。注意到可用任何適當順序進行、以及以任何適當方式結合、省略、或分離程序的步驟。
[0080]圖3至圖5、圖6A、以及圖6B包括例如儲存在布局記錄103里并且設有具軌上特征(on-track feature) 303之交替心軸與非心軸SADP線軌301、以及通孔305的IC布局300。圖3描述鄰近通孔并且與SADP繞線分開的示例性區域307。另外，可縮減區域307以形成如矩形309、方形(未圖標)、圓形(未圖標)、及諸如此類的特殊預界定形狀。
[0081]請參閱圖4，嵌入模塊109判斷一組臨界值。如圖所示，此組臨界值基于記錄107的金屬延伸401、區塊屏蔽403、405。金屬延伸401具有等于metalExtensiony的高度407以及等于metalExtensionx的寬度409。另外，區塊屏蔽403各具有等于blockmaskO)x的寬度413以及區塊屏蔽405具有等于WockmaskCDy的高度415。圖5描述在區域307內具有高度503與寬度505之所產生的矩形區501。如上所述，可預定矩形區501 (以及高度503與寬度505)。
[0082]請參閱圖6A,第二通孔601a嵌入金屬延伸501內以冗余地連接通過通孔305所連接的Ml與M2層。如此，通孔601a在通孔305因制造公差而無法連接所產生的裝置中的延伸層時保存所產生的裝置之功能。另外，金屬延伸可嵌入Ml或M2層的任何一層，藉以例如基于每一層中的空間可用性(availability)而容許選擇Ml或M2以供金屬延伸的嵌入。如圖6A所示，冗余通孔601a的尺寸可相同于、或可小于(圖未示)或大于(圖未示)通孔305。
[0083]或者，圖6B表示一組臨界值的判斷。如圖所示。此組臨界值包括第二金屬延伸603、以及記錄107的第二區塊屏蔽605與607，其產生具有高度611與寬度613的矩形區609。類似上述，臨界值可為如矩形區609 (以及高度611與寬度613)之類的預定區。若矩形區609利用更多IC設計布局而仍在區域307內，則可利用較大通孔601b置換原始通孔305以提供相較于通孔601a更進一步之所產生的設計的可制造性。可基于此區域而尺寸化并且定位冗余通孔601a。此外，圖6A與6B所示的通孔601a和601b分別可通過區塊屏蔽形成以確保與二維金屬規則兼容而無需DRC兼容性檢查，藉以改良設計的可制造性而不會顯著增加整體的設計周期時間。
[0084]請參閱圖7及圖8，金屬延伸401通過心軸形成。如圖所示，心軸對心軸距離701(例如尖端對尖端)小于最小心軸對心軸間距。請參閱圖8，虛擬心軸801用于使特征即使在心軸對心軸距離(例如尖端對尖端)小于最小心軸對心軸間距時仍可分解。具體而言，包括有某些特征303與金屬延伸401的虛擬心軸801不會侵犯到最小心軸對心軸間距。此外，區塊屏蔽403與405移除虛擬心軸的不想要部位以形成特征303與401。如此，圖7及8中所示的步驟確保特征303與金屬延伸401的可分解性與產生而無需二維SADP DRC或顏色信息(例如，心軸對心軸、心軸對非心軸、非心軸對非心軸等)。因此，這些步驟容許即使在心軸對心軸距離(例如尖端對尖端)小于最小心軸對心軸間距時仍然能夠使用虛擬心軸金屬和區塊屏蔽形成心軸金屬特征。注意到圖7及8中所示的步驟也可用于形成置換通孔(例如，通孔601b)。
[0085]圖9是可用于實現各種示例性具體實施例的芯片組的圖。芯片組900經程序化以判斷用以嵌入本文所述的通孔，并且包括例如一個或多個實體封裝件(例如，芯片)內所含括關于圖9所述的處理器和內存組件。實體封裝件通過實施例包括結構組合件(structural assembly)(例如底座(baseboard))上一個或多個材料、組件、及/或電線的配置以提供一個或多個如物理強度、尺寸保持、及/或電交互作用限制之類的特性。所思考的是，芯片組于示例性具體實施例中可實現于單芯片內。芯片組900、或其一部分構成用于進行圖1至8中一個或多個步驟的機制。
[0086]芯片組900可包括用于在如芯片組900之組件之間傳遞信息之總線901之類的通訊機制。處理器903對總線901有連接性以執行指令并且處理儲存于例如內存905內的信息。處理器903可包括一個或多個各經配置成獨立執行的處理核心。多核心處理器能在單一實體封裝件內進行多程序。多核心處理器的實施例包括兩個、四個、八個、或更多個處理核心。或者，或另外，處理器903可包括一個或多個經由總線901前后組構(configured intandem)的微處理器而能夠獨立執行指令、管線、以及多執行緒。處理器903還可與一個或多個專用組件一起進行特定處理功能及工作，如一個或多個數字信號處理器(DSP)907、或一個或多個特定應用集成電路(ASIC)909。DSP907通常組構成獨立實時處理處理器903的真實信號(例如聲音)。類似地，ASIC909可組構成進行不易由通用處理器進行的專門功能。其它用以協助進行本文所述發明性功能的專門組件包括一個或多個現場式可編程柵陣列(FPGA)(圖未示)、一個或多個控制器(圖未示)、或者一個或多個其它特殊用途計算機芯片。
[0087]處理器903和附屬組件經由總線901而對內存905有連接性。內存905包括動態內存(例如RAM、磁盤、可寫入式光盤等)以及靜態內存(例如R0M、CD-R0M等)二者，用于儲存執行時進行本文所述發明性步驟之可執行指令。內存905還儲存與執行發明性步驟相關聯或所產生的資料。
[0088]本揭示的具體實施例可達成包括通孔嵌入的許多技術功效，導致所產生的設計之可制造性有所改善。本揭示在任何各種類型的高度整合半導體裝置中具有產業利用性，尤其是在利用SADP技術的IC裝置中。
[0089]在前述說明中，本揭露引用其明確示例性具體實施例予以說明。然而，顯而易見的是，可對此作各種修改及變更而不違背本揭露如權利要求所提出的廣義精神及范疇。本說明書及圖式因而視為描述性而非限制性。要理解的是，本揭露能夠使用各種其它組合與具體實施例并且能夠在本文所表達發明性概念的范疇內作任何變更或修改。
【權利要求】
1.一種方法，包含: 判斷具有第一通孔和多條繞線的集成電路(IC)的基底的層件，該多條繞線水平延伸于該基底上并且置于多個等間隔垂直位置的其中一者上； 將該層件中垂直延伸于該多條繞線的第一組之間并且水平延伸于該多條繞線的第二組之間的的區域與一個或多個臨界值比較，該區域鄰近該第一通孔并與該多條繞線分開；以及 基于該比較嵌入第二通孔。
2.如權利要求1所述的方法，其中，該一個或多個臨界值包括預定高度與寬度，以及該比較更包含: 判斷鄰近該第一通孔并且自該第一通孔的外緣延伸至少該預定高度的矩形區，該矩形區具有至少該預定寬度的寬度；以及 比較該區域與該矩形區，其中，該第二通孔嵌入于該矩形區內，并且更基于該區域與該矩形區的比較。
3.如權利要求2所述的方法，其中，該矩形區自該外緣延伸該預定高度，以及該寬度等于該預定寬度。
4.如權利要求1所述的方法，包含: 判斷介于該第一通孔的外緣與該第一組繞線的其中一者之間的垂直距離； 判斷介于該第一通孔的水平中點與沿著第一水平方向的該第二組繞線的其中一者之間的第一水平距離；以及 判斷介于該第一通孔的該水平中點與沿著另一水平方向的該第二組繞線的其中一者之間的第二水平距離，其中，該區域是自該第一通孔的該外緣以該垂直距離垂直延伸并且具有等于該第一與第二水平距離總和的寬度的矩形區的至少一部分。
5.如權利要求4所述的方法，其中，該一個或多個臨界值包括預定高度與寬度，以及該比較更包含: 比較該垂直距離與該預定高度；以及 比較該第一和第二水平距離與該預定寬度，其中，該第二通孔嵌入于該矩形區內并且更基于該垂直距離與該預定高度的比較及該第一和第二水平距離與該預定寬度的比較。
6.如權利要求5所述的方法,包含 基于該矩形區的尺寸判斷該第二通孔的尺寸。
7.如權利要求1所述的方法，其中，該層件為IC設計的Ml或M2層，以及該第一與第二通孔是介于該層件與該IC設計的另一層件之間的連接件、針腳接通件、或金屬轉移區。
8.如權利要求1所述的方法，包含: 判斷用于嵌入該第二通孔的最小區域；以及 判斷與產生該繞線、該第一通孔、該第二通孔、或其結合的屏蔽相關聯的關鍵距離，其中，該一個或多個臨界值基于該最小區域和該關鍵距離。
9.一種設備,包含: 至少一個處理器；以及 包括用于一個或多個程序的計算機程序碼的至少一個內存， 該至少一個內存和該計算機程序碼組構成與該至少一個處理器令該設備進行至少下列所述者， 判斷具有第一通孔與多條繞線的集成電路(IC)設計的基底上的層件，該多條繞線水平延伸于該基底上并且置于多個等間隔垂直位置的其中一者上； 以一個或多個臨界值比較垂直延伸于該多條繞線的第一組之間與水平延伸于該多繞線的第二組之間的區域，該區域為鄰近該第一通孔并且與該多條繞線分開；以及基于該比較而嵌入第二通孔。
10.如權利要求9所述的設備，其中，該一個或多個臨界值包括預定高度與寬度，以及該比較更包含: 判斷鄰近該第一通孔并且從該第一通孔的外緣延伸至少該預定高度的矩形區，該矩形區具有至少為該預定寬度的寬度；以及 比較該區域與該矩形區，其中，該第二通孔嵌入于該矩形區內，并且更基于該區域與該矩形區的比較。
11.如權利要求10所述的設備，其中，該矩形區從該外緣延伸該預定高度以及該寬度等于該預定寬度。
12.如權利要求9所述的設備，其中，該設備進一步造成: 判斷介于該第一通孔的外緣與該第一組繞線的其中一者之間的垂直距離； 判斷介于該第一通 孔的水平中點與沿著第一水平方向的該第二組繞線的其中一者之間的第一水平距離；以及 判斷介于該第一通孔的該水平中點與沿著另一水平方向的該第二組繞線的其中一者之間的第二水平距離，其中，該區域是從具有該第一和第二水平距離的寬度的該第一通孔的該外緣垂直延伸該垂直距離的矩形區的至少一部分。
13.如權利要求12所述的設備，其中，該一個或多個臨界值包括預定高度與寬度，以及該比較更包含: 比較該垂直距離與該預定高度；以及 比較該第一和第二水平距離與該預定寬度，其中，該第二通孔嵌入于該矩形區內并且更基于該垂直距離與該預定高度的比較及該第一和第二水平距離與該預定寬度的比較。
14.如權利要求13所述的設備，其中，該設備進一步造成: 基于該矩形區的尺寸判斷該第二通孔的尺寸。
15.如權利要求9的設備，其中，該層件為IC設計的Ml或M2層，以及該第一與第二通孔是介于該層件與該IC設計的另一層件之間的連接件、針腳接通件、或金屬轉移區。
16.如權利要求9所述的設備，其中，該設備進一步造成: 判斷用于嵌入該第二通孔的最小區域；以及 判斷與產生該繞線、該第一通孔、該第二通孔、或其結合的屏蔽相關聯的關鍵距離，其中，該一個或多個臨界值基于該最小區域和該關鍵距離。
17.—種方法,包括: 判斷具有第一通孔與多條繞線的集成電路(IC)的基底上的Ml或M2層，該多條繞線水平延伸于該基底上并且置于通過距離予以分開的多個等間隔垂直位置的其中一者上，并且該第一通孔為介于該IC設計的該Ml或M2層與另一Ml或M2層之間的連接件、針腳接通件、或金屬轉移區；判斷垂直延伸于該多條繞線的第一組之間并且水平延伸于該多條繞線的第二組之間用于嵌入第二通孔的該Ml或M2層的第一區域，該區域以一個或多個臨界值鄰近該第一通孔并且與該多條繞線分開； 判斷用于嵌入該第二通孔的最小區域； 判斷與產生該繞線、該第一通孔、該第二通孔、或其結合的屏蔽相關聯的關鍵距離； 基于該最小區域和該關鍵距離判斷預定高度和寬度； 比較該第一區域與該預定高度和寬度；以及 基于該比較而在該區域內嵌入該第二通孔。
18.如權利要求17所述的方法，包含: 判斷鄰近該第一通孔并且從該第一通孔的外緣延伸該預定高度的矩形區，該矩形區具有該預定寬度的寬度；以及 比較該第一區域與該矩形區，其中，該第二通孔嵌入于該矩形區內并且更基于該區域與該矩形區的比較。
19.如權利要求17所述的方法，包含: 判斷介于該第一通孔的外緣與該第一組繞線的其中一者之間的垂直距離； 判斷介于該第一通孔的水平中點與沿著第一水平方向的該第二組繞線的其中一者之間的第一水平距離； 判斷介于該第一通孔的該水平中點與沿著另一水平方向的該第二組繞線的其中一者之間的第二水平距離，其中，該區域是從該第一通孔的該外緣垂直延伸該垂直距離并且具有該第一與第二水平距離的寬度的矩形區； 比較該垂直距離與該預定高度；以及 比較該第一和第二水平距離與該預定寬度，其中，該第二通孔的嵌入更基于該垂直距離與該預定高度的比較以及該第一與第二水平距離與該預定寬度的比較。
20.如權利要求19所述的方法，包含:基于該矩形區的尺寸判斷該第二通孔的尺寸。
【文檔編號】G06F17/50GK104050315SQ201410098784
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2014年3月17日 優先權日:2013年3月15日
【發明者】袁磊, J·桂, H·萊文森 申請人:格羅方德半導體公司