專利名稱：光記錄媒體和光記錄裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及借助于激光的照射可以進行信息的記錄、擦除和再生的光信息記錄媒體和光記錄裝置。本發明特別涉及可以高速且高密度地進行記錄的可改寫相變化型光記錄媒體。
可改寫相變化型光記錄媒體，具有以碲等為主成分的記錄層，在記錄時，使聚焦激光脈沖短時間照射到結晶狀態的記錄層上，使記錄層部分地熔融。熔融后的部分借助于熱擴散急速地冷卻、固化，形成非晶狀態的記錄標識(mark)。該記錄標識的光線反射率比結晶狀態低，作為記錄信號可以光學性地再生。此外，在擦除時，采用向記錄標識部分照射激光，加熱到記錄層的熔點以下、結晶化溫度以上的溫度的辦法，使非晶態狀態的記錄標識結晶化，回到原來的未記錄狀態。作為這些可改寫相變化型光記錄媒體的記錄層的材料，人們知道Ge2Sb2Te5等的合金(N.Yamada et al.Proc.Int.Symo.on OpticalMemory 1987 p61-66)。
在以這些Te合金為記錄層光記錄媒體中，結晶化速度快，僅僅通過調制照射功率，就可以進行用圓形的1個光束進行的高速的重寫。在使用這些記錄層的光記錄媒體中，通常，在記錄層的兩面上分別各設置一層具有耐熱性和透光性的電介質層，防止在記錄時在記錄層上發生變形、開口。此外，人們還熟知這樣的技術在與光束入射方向相反一側的電介質層上邊，疊層光反射性的Al等的金屬反射層，以借助于光學性的干涉效應改善再生時的信號對比度。
此外，在該可改寫相變化型光記錄媒體中，或者是伴隨著反復重寫產生再生信號振幅(對比度)的降低使圖象跳動特性惡化，或者是產生因保護膜的剝離或破損引起的脈沖串(burst)缺陷等，在光盤的反復耐久性方面存在著問題。作為改善反復耐久性的手段，人們知道例如在日本專利雜志特開平11-115315號公報中所述的那樣，與記錄層接連地設置防止擴散層的手段。
但是，伴隨著光記錄媒體的高線速化和高密度化，在現有的光記錄媒體中，存在著擦除特性惡化的問題。就是說，如果對已經記錄有信號的磁道重新進行重寫，由于記錄標識的形狀或形成位置將受重寫前的信號調制，故擦除特性降低。其結果是，與第1次的記錄比較起來存在著圖象跳動特性惡化的問題。
作為改善擦除特性的手段，如特開平5-159360號公報所示，人們提出了設置吸收透過了記錄膜的光的吸收層的方案。但是，如果使用在這里所提出的吸收層，就是說使用由Ti、Ni、W、Mo、V、Nb、Cr、Fe等的金屬構成的吸收層，則作為改善擦除特性的手段是不充分的。
此外，隨著高線速化和高密度化，記錄標識的尺寸變小，為此，將產生信號的對比度降低、圖象跳動惡化的問題。
再有，在現有的光記錄媒體中，如果長時間放置已進行了記錄的光盤，有時候會產生記錄標識消失之類的現象。此外，如果在長時間放置已記錄下信號的記錄媒體之后再進行重寫，與立即進行重寫的情況比較，有時候圖象跳動特性會大幅度地惡化。為此，在光記錄媒體的保存耐久性方面存在著問題。
此外，在由于高密度化而使磁道寬度變得狹窄的情況下，由于激光束將超出到毗鄰的磁道中去，故將影響毗鄰的磁道的記錄標識，產生使圖象跳動惡化的現象，就是說，交叉擦除也是一個大問題。特別是在對于在記錄面上邊的激光束直徑d，磁道寬度變成為0.7×d以下(d是在記錄面上邊的激光束直徑)的情況下，該問題就更為嚴重。
此外，還常常產生這樣的問題當為了再生而反復照射激光時，由于記錄標識的一部分將結晶化，而使信號品質劣化(所謂的再生光劣化)。在為了應對高線速記錄而提高了結晶化速度的光記錄媒體中，就更易于發生交叉擦除和再生光劣化的問題。
本發明的目的在于提供即便是以高線速和高密度進行記錄，擦除特性也良好且圖象跳動小，難于產生交叉擦除和再生光劣化，此外保存耐久性也好的可改寫相變化型光記錄媒體和光記錄裝置。
本發明的目的，可以用這樣的光記錄媒體實現這是一種借助于照射激光可以進行信息的記錄、擦除和再生，且可以用非晶相與結晶相之間的可逆性的相變化進行信息的記錄和擦除的光記錄媒體，在基板上邊至少依次具備第1電介質層、第1邊界層、記錄層、第2邊界層、吸收量修正層和反射層，上述反射層的組成可以有下述通用公式表示，[{(Ge1-kSnk)0.5Te0.5}x(Sb0.4Te0.6)1-x]1-ySbyAz(其中，A表示除Ge、Sb、Te之外的元素周期表中的屬于從第3周期到第6周期的3族到14族的元素中選出來的元素)，x、y、z、k處于可以用下述(1)或(2)的關系式0.5≤x≤0.95 0≤y≤0.08 0＜z≤0.2 k＝0…(1)0.5≤x≤0.95 0≤y≤0.08 z＝0 0≤k≤0.5 …(2)表示的范圍內，且第1邊界層和第2邊界層分別由從碳、碳化物、氧化物和氮化物中選出來的至少一種為主成分的層構成，而且吸收量修正層的折射率在1.0以上4.0以下，衰減系數在0.5以上3.0以下。
此外，本發明的目的，可以用下述光記錄裝置實現這是一種具有光學頭和光記錄媒體，從該光學頭照射激光，借助于使該光記錄媒體中的非晶相和結晶相之間的可逆性的相變化可以進行信息的記錄、擦除和再生的光記錄裝置，激光照射的線速度為每秒7.5×106×d(d是記錄面上邊的激光束直徑)以上，可以借助于激光用標識邊沿方式進行記錄的記錄標識之內最短的標識在激光行進方向上的長度為0.55×d以下，光記錄媒體的磁道寬度為0.7×d以下，而且，該光記錄媒體是上述光記錄媒體。
另外，在本發明中，所謂主成分，指的是該成分在該層中含有50重量％以上。此外，更為理想的是該成分在該層中含有80重量％以上。
此外，所謂激光束直徑d，指的是在強度分布遵循高斯分布的激光中，中心強度變成為1/e2時的直徑。
作為擦除特性不好的問題的原因之一，可以考慮由于在記錄層中非晶狀態的記錄標識部分和結晶狀態的記錄標識部分的反射率之差大，故非晶狀態的記錄標識部分光吸收量變得比結晶狀態的區域的光吸收量大。其結果是，在用激光進行記錄時，由于事先已記錄下記錄標識的部分被更快地加熱，重寫信號被重寫前的信號調制，可以認為就是這種調制使得擦除率降低。
此外，在已記錄有信號的光記錄媒體長期間放置的情況下，再生信號強度降低或重寫圖象跳動顯著地劣化的原因，可以考慮由于長時間放置，非晶狀態的記錄標識產生了原子排列等的狀態的變化，或電介質層和記錄層進行反應等等。
交叉擦除或再生劣化，則可以考慮由于記錄層的非晶區域中的光吸收率比結晶區域中的光吸收率高，故記錄標識的部分為易于升溫的狀態，以及為了應對高線速記錄采用了結晶化速度高的記錄層組成，所以即便是在激光束的端部或用再生光等之類的低激光功率，也會使記錄標識結晶化。
歸因于本發明人等進行銳意研究，發現若與記錄層相接連地在其兩側設置邊界層，則可以改善擦除特性，改善重寫圖象跳動，此外，對于保存耐久性，就是說對于長期間保存后的再生特性和重寫特性的改善也是有效的。
此外，由于發現了由相變化產生的反射率之差大，而且，非晶態相穩定的記錄層組成，故還發現良好的圖象跳動和良好的保存耐久性可以同時滿足。此外，還發現該記錄層組成對交叉擦除和再生光劣化的降低也是有效的。
此外，還發現采用在第2邊界層和反射層之間設置吸收量修正層，對吸收量修正層的材料進行選擇，使光學常數，即，使折射率和衰減系數變成為特定的值的辦法，就可以進行光學設計使得記錄層的結晶部分和非晶部分的光吸收率之比(Ac/Aa)比現有技術大，而且，結晶部分和非晶部分的反射率之差也變大。借助于此，就可以得到高的對比度和擦除特性，可以進一步改善重寫圖象跳動。此外，還發現采用設置吸收量修正層的辦法，可以減少記錄標識部分的光吸收量，采用在向毗鄰的磁道結晶相記錄時減小超出光束的影響的辦法，可以降低交叉擦除。此外，還發現出于同樣的理由，對于再生劣化的耐久性也會大大地提高。
借助于以上的技術，才第1次得到了即便是激光照射的線速度為每秒7.5×106×d(d是記錄面上邊的激光束直徑)以上，可以借助于激光用標識邊沿(mark edge)方式進行記錄的記錄標識之內最短的標識在激光行進方向上的長度為0.55×d以下這樣的高線速進行高密度的記錄，擦除特性也良好且圖象跳動小，即便是使用記錄磁道寬度為0.7×d以下的基板，也難于產生交叉擦除、即便是為了再生而反復照射激光，信號品質也難于劣化，此外保存耐久性也好的可改寫相變化型光記錄媒體。
此外，本發明的光記錄媒體由于用邊界層把記錄層夾在中間，故反復耐久性也是良好的。
就是說，本發明的光記錄媒體的代表性的層構成，是在透明基板上邊依次疊層第1電介質層、第1邊界層、記錄層、第2邊界層、吸收量修正層和反射層。但是，并不限定于此，還可以再設置別的層。以下，按照順序進行說明。
第1電介質層是為了防止基板受到熱所引起的損傷，此外還防止記錄層因熱而變形、形成開口等而設置的。作為第1電介質層的材料，可以舉出ZnS、SiO2、氮化硅、氧化鋁等的無機化合物。特別理想的是ZnS和SiO2的混合物。該材料由于殘余應力小，故難于產生因反復重寫引起的脈沖串(burst)劣化。此外，ZnS和SiO2和碳的混合物，由于膜的殘余應力更小，即便是使用反復擦除，也難于產生記錄靈敏度、載波對噪聲比(C/N)、擦除率等的劣化，所以是特別理想的。
此外，第1電介質層的折射率為1.9以上2.4以下，衰減系數為0.1以下是理想的。借助于此，就可以進行設計使得可以用光學性的干涉得到高的反射率差。第1電介質層的厚度雖然由光學方面的條件決定，但是理想的是5～500nm。如果比這更厚，則常常會產生裂縫，如果比這薄，則基板易于因反復重寫而受到熱損傷，反復特性易于劣化。厚度的特別理想的范圍是50nm以上200nm以下。
在本發明中，必須與記錄層相接連地在其兩側設置邊界層。通過設置邊界層，就可以防止因反復重寫引起的特性的劣化。作為其原因，可以認為這是因為這些層起著防止原子從電介質層向記錄層的擴散的勢壘層的作用的緣故。此外通過設置邊界層來改善擦除特性。可以認為結晶化速度因邊界層而變大，因而將改善擦除特性。再有，采用設置邊界層的辦法可以改善保存耐久性、就是說改善長期保存后的再生特性和重寫特性。其原因被推測為是因為即便是長期間放置，也可以防止記錄層中的原子排列等的狀態的變化，或電介質層與記錄層的反應的緣故。
第1邊界層和第2邊界層，由以從碳、碳化物、氧化物和氮化物中選出來的至少一者為主成分的層構成。在這里所謂主成分說的是含有50重量％以上，更為理想的是含有80重量％以上。作為碳化物、氧化物和氮化物可以使用元素周期表第3周期到第6周期的第3主族到第14族的元素的碳化物、氧化物、氮化物，具體來講，理想的是使用從Al、Si、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、La、Hf、Ta、W、Re、Ir、Pt、Au、Tl、Pb中選出來的金屬的碳化物、氧化物、氮化物，更為理想的是使用從Si、Ge、Ti、Zr、Ta、Nb、Hf、Al、Y、Cr、W、Zn、In、Sn中選出來的金屬的碳化物、氧化物、氮化物。
作為第1邊界層的材質，以碳為主成分的材料是特別理想的，借助于此來改善記錄標識的長期保存穩定性。在使用后邊要講的長期保存穩定性良好的記錄層的情況下，即便是以從碳化物、氧化物、氮化物中選出來的至少一者為主成分的材料，也可以得到良好的長期保存穩定性。作為第2邊界層的材質，既可以是與第1邊界層相同的材料也可以是不同的材料。在長期保存穩定性這一點上，理想的是第1邊界層和第2邊界層這兩方都是以碳為主成分的層。
此外，從改善反復耐久性這一點來看，第1邊界層和第2邊界層都是以氮化物為主成分的層也是理想的。特別是以GeNx為主成分的材料，由于與記錄層之間的粘接性優良，所以是理想的，組成范圍在0.8≤x≤1.33則更為理想。此外，由于可以期待抑制Ge的氧化來改善長期保存穩定性的效果，故理想的是還要添加進從Cr、Ti、Mn、Zr、Nb、Mo、Ta、Fe、Co、Ni、Y、La中選出來的至少一者，特別理想的是添加進Cr。在GeCry的氮化物中，理想的組成范圍是0≤y≤0.5，GeCr0.25的氮化物是特別理想的。
作為邊界層的厚度，理想的是難于剝離，此外，從光學條件來看理想的是在0.5nm以上10nm以下。當厚度超過10nm時，第1電介質層或記錄層易于剝離。而若不足0.5nm，則難于蒸鍍成均一的厚度，而且有時候得不到設置邊界層的效果。只要是在邊界層以碳為主成分的層的情況下，從反復特性和長期保存穩定性來看，0.5nm以上4nm以下是特別理想的。由于碳層借助于與相接連的Ge-Sb-Te記錄層和ZnS-SiO2電介質層的化學結合或與化學結合相近的相互作用而結合得比較牢固，故被認為在界面上難于發生剝離等。但是，如果碳層的厚度變厚，由于存在于厚度方向的中央附近的強度弱的石墨成分層將變厚，故在反復時等，易于產生該部分的破壞，被認為易于發生脈沖串錯誤。
在用濺射法使碳膜成膜時，導入氣體不僅可以是Ar氣體等的惰性氣體，也可以混入氫氣。此外，雖然也可以混入其它的材料，但是要想得到良好的特性，理想的是以80mol％以上的比率含有碳。
本發明的記錄層的組成必須處于下述公式的范圍之內。1-ySbyAz(其中，A表示除Ge、Sb、Te之外的元素周期表中的屬于從第3周期到第6周期的3族到14族的元素中選出來的元素，就是說，表示從Al、Si、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、La、Hf、Ta、W、Re、Ir、Pt、Au、Tl、Pb中選出來的至少一種元素，x、y、z、k滿足下述(1)或(2)的關系式。
0.5≤x≤0.95、0≤y≤0.08、0＜z≤0.2、k＝0 …(1)0.5≤x≤0.95、0.01≤y≤0.08、z＝0、0≤k≤0.5 …(2)若x＜0.5，由于伴隨著記錄層的相變化的反射率變化小，故有時候得不到充分的信號強度，得不到良好的圖象跳動，在x＞0.95的情況下，由于結晶化速度變慢，故有時候擦除特性惡化，重寫圖象跳動惡化。在y＞0.08的情況下，有時候初始擦除特性不好或長期保存后的重寫特性變壞。在z＞0.2的情況下，由于結晶化速度變慢，故擦除特性惡化，重寫圖象跳動變壞，或者反復特性因相分離而劣化得很大，或者長期保存后的重寫特性惡化，在z＝0而且y＜0.01的情況下非晶態的穩定性低，長期保存后的再生特性常常會惡化。
在z＞0的情況下，k＝0。在z＝0的情況下，以擦除特性的改善和保存耐久性的改善為目的，在0≤k≤0.5的范圍內，把Ge的一部分置換成Sn的組成也是理想的。
此外，在使用滿足下式的記錄層的情況下，由于可以改善非晶態的穩定性，此外還可以得到長期保存穩定性，故是理想的。
{(Ge0.5Te0.5)x(Sb0.4Te0.6)1-x}1-y-zSbyAz0.5≤x≤0.95 0.03≤y≤0.08 0≤z≤0.2此外，在前邊所說的記錄層組成范圍中，記錄層中的Ge、Sb、Te這3元素中的Sb的摩爾分率，從擦除特性改善來看，理想的是在20％以下，就是說，0.4(1-x)(1-y)+y＜0.2是理想的。
此外，在記錄層中也可以含有氮或氧，也可以含有在進行濺射時使用的氬。在記錄層的厚度比上述還薄的情況下，由反復重寫引起的記錄特性的劣化顯著，而在記錄層的厚度比上述還厚的情況下，易于產生因反復重寫引起的記錄層的移動，圖象跳動將變得很激烈。為了防止這些，必須使記錄時的記錄層的冷卻變得更大，記錄層的厚度，理想的是7nm～25nm。此外，應當使結晶和非晶的吸收率之比盡可能地大，從改善擦除特性來看記錄層薄是理想的。為此，更為理想的記錄層的厚度是7nm～17nm。
在本發明中，為了調整記錄靈敏度等，也可以在第2邊界層和反射層之間設置第2電介質層。第2電介質層的材質，既可以是與作為第2電介質層的材料所舉出的材料相同的材料，也可以是別的材料。厚度，理想的是在2nm以上50nm以下。若第2電介質層的厚度比上述還薄，由于將發生裂縫等的缺陷，反復耐久性降低，故是不能令人滿意的。此外，若第2電介質層的厚度比上述還厚，由于記錄層的冷卻度降低，故是不能令人滿意的。第2電介質層的厚度，對于記錄層的冷卻來說，影響更為直接地大，為了得到更為良好的擦除特性和反復耐久性，更為有效的是30nm以下。從對于吸收、記錄、擦除來說可以效率良好地把光作為熱能使用的性能來看，用不透明的材料形成也是理想的。例如，ZnS和SiO2和碳的混合物，從膜的殘余應力小，就算是由于記錄、擦除的反復進行，也難于產生記錄靈敏度、載波對噪聲比(C/N)、擦除率等的劣化等方面來看也是理想的。
在本發明中，必須在第2邊界層或第2電介質層與反射層之間設置吸收量修正層。如前所述，若用現有的構成，非晶狀態的記錄層的光吸收率雖然會變得比結晶狀態的記錄層的光吸收率大，但是借助于新設置的吸收量修正層，也可以降低非晶狀態的記錄層的光吸收率，減小與結晶狀態之間的光吸收量之差，甚至于還可以使得比結晶狀態還小。借助于該吸收量修正層的效果，由于可以減小結晶部分與非晶部分的記錄時的升溫狀態的差，可以降低記錄標識的形狀的混亂和形成位置的偏離等，故可以提高擦除特性，改善重寫圖象跳動。吸收量修正效果，雖然由各個構成層的厚度和光學常數(折射率和衰減系數)決定，但是，特別是對吸收量修正層的依賴性很大。該吸收量修正層的折射率和衰減系數應為適度的大小是必要的，折射率在1.0以上4.0以下，衰減系數在0.5以上3.0以下是必要的。借助于此，就可以進行設計使得由相變化引起的反射率差可以取得大而且可以使吸收量修正效果形成得大。折射率和衰減系數理想的是在進行記錄或再生的激光的波長下進行測定。更為理想的是在660nm下進行測定。
作為本發明的吸收量修正層的理想的材質，是各種的合金或金屬的化合物以及他們的混合物等等，具體地說，例如可以舉出以含有硅、鍺、鈦、鋯、鎢、鉻、鉬、鋁之內的至少一種的固溶體合金、金屬間化合物或氧化物、碳化物、氮化物等的材料中選出來的至少一種為主成分的材料。特別是鋁和鉻中的至少一種的氧化物或氮化物，由于易于控制光學常數，故是理想的。特別是鋁氧化物，就是說AlOx，由于x處于0.3～0.8范圍內的鋁氧化物，作為吸收量修正層具有適度的光學常數，故更為理想。在鋁氧化物中，在10wt％以下的范圍內混合進鉻或鈦等的金屬或其氧化物的材料，由于具有提高耐蝕性等的效果，故也是理想的。
吸收量修正層的膜厚，從吸收量修正效果方面來看，理想的是在1nm以上，從生產性方面來看理想的是在200nm以下。吸收量修正層的膜厚，雖然因吸收量修正層的光學常數而變，但是更為理想的是在10nm以上100nm以下。
作為反射層的材質，可以舉出具有光反射性的金屬、合金和金屬與金屬化合物的混合物等等。具體地說，Al、Au、Ag、Cu等的高反射率的金屬、以它們為主成分的合金、Al、Si等的氮化物、氧化物、鹵化物等的金屬化合物是理想的。Al、Au、Ag等的金屬和以它們為主成分的合金，由于光反射性高且熱導率高，所以是特別理想的。特別是由于從材料的價格便宜，故以Al或Ag為主成分的合金是理想的。作為反射層的厚度，通常大體上為10nm以上300nm以下。從記錄靈敏度可以形成得高、再生信號強度可以形成得大的方面來看，理想的是30nm以上200nm以下。
其次，對本發明的光記錄媒體的制造方法進行說明。作為在基板上邊形成第1電介質層、第1邊界層、記錄層、第2邊界層、吸收量修正層、反射層等的方法，可以舉出在真空中進行的薄膜形成法，例如，真空蒸鍍法、離子注入法、濺射法等等。特別是從組成、膜厚的易于控制方面來看，濺射法是理想的。所要形成的記錄層等的厚度的控制，采用石英振子膜厚計等對堆積狀態進行監控的辦法，可以容易地進行。
此外，在不顯著地損傷本發明的效果的范圍內，在反射層形成之后，為了防止傷、變形等等，也可以根據需要設置ZnS、SiO2、ZnS-SiO2等的電介質層或紫外線硬化樹脂層等的保護層等等。
此外，本發明的光記錄裝置，具有可以照射激光的光學頭，從該光學頭向上述光記錄媒體照射激光，借助于該光記錄媒體中的非晶相與結晶相之間的可逆性的相變化，進行信息的記錄、擦除和再生。
激光的波長，為進行高密度記錄，理想的是645nm～660nm。進行信息的記錄、擦除和再生的激光波長既可以彼此相同也可以彼此不同。此外，激光照射的線速度，為了進行高線速度記錄，理想的是在每秒7.5×106×d(d是在記錄面上邊的激光束直徑)以上。
為了進行高密度記錄，信息的記錄方式理想的是標識邊沿方式。此外在用標識邊沿方式記錄的標識之內，在最短的標識的激光行進方向上的長度理想的是在0.55×d以下。此外，磁道寬度理想的是在0.7×d以下。
以下，根據實施例對本發明進行說明。
(分析、測定方法)反射層、記錄層的組成用ICP發光分析(精工電子工業(株)制造)進行確認。吸收量修正層的組成用盧瑟福背散射分析進行確認。記錄層、電介質層、反射層的形成中的膜厚，用石英振子膜厚計進行監控。此外，各層的厚度，采用用掃描式或透過式電子顯微鏡觀察剖面部分進行測定。
用濺射法成膜的光記錄媒體，在進行記錄之前，要預先用830nm波長的半導體激光的光束使光盤整個面的記錄層結晶化，進行初始化。
記錄特性，使用物鏡的孔徑數為0.6、半導體激光的波長為660nm(激光束直徑0.95微米)的光學頭，在線速度8.2m/秒的條件下，用8-16調制方式進行標識邊沿記錄并進行評價。記錄激光波形，是一般性的多個脈沖，使用根據記錄標識的長度和前后間隔的長度使記錄脈沖的邊沿位置變化的圖形適應型的記錄補償方式。記錄功率、擦除功率規定為在各光記錄媒體中最佳的功率。再生功率成為1.0mW。
反射率由光記錄媒體的反射鏡部分的再生信號電位求出。
擦除特性的評價如下那樣地進行。首先，在記錄頻率2.7MHz下以最長記錄標識(11T標識)為一組進行10次重寫，在此基礎上，在記錄頻率9.7MHz下進行一次最短記錄標識(3T標識，激光行進方向的長度為0.42微米)的重寫，把最短記錄標識的載波和重寫后的最長記錄標識的載波之比作為有效擦除率，在帶寬30kHz的條件下，用頻譜分析儀進行測定。
其次，以重寫100次隨機圖形為一組，用時間間隔分析儀測定圖象跳動。接著對毗鄰的兩側的磁道在每次重寫100次隨機圖形之后進行擦除，再一次測定中央磁道的圖象跳動，評價由交叉擦除引起的圖象跳動的上升的程度。
此外，對于對再生劣化的耐久性來說，采用對記錄完畢的磁道用1.2mW的再生功率反復再生1000次，測定圖象跳動的變化的辦法進行評價。
至于反復耐久性，則借助于進行了每組10萬次的重寫后的圖象跳動進行評價。此外，還用示波器對信號波形的振幅的降低、脈沖串缺陷的有無進行了觀察。
至于保存耐久性，用可以測定字節錯誤率的評價用驅動器進行記錄，為了進行加速試驗，在80℃或90℃的烘箱內保管后，用字節錯誤率評價信號的再生特性和重寫特性。
(實施例1)邊以每分40轉使厚度0.6mm、直徑12cm、節距1.23微米(脊背寬度0.615微米，溝槽寬度0.615微米)的帶螺旋溝槽的聚碳酸酯制造的基板進行旋轉，邊進行濺射。首先，在使真空容器內排氣到1×10-4Pa后，在0.2Pa的氬氣氣氛中濺射已摻進20mol％的SiO2的ZnS靶，在基板上邊形成膜厚135nm的第1電介質層(折射率2.1，衰減系數0)。其次，濺射碳靶，作為第1邊界層形成2nm的碳層。接著，濺射由Ge、Sb、Te構成的合金靶，得到厚度10nm、組成為Ge28.6Sb17.8Te63.6，即，{(Ge0.5Te0.6)0.579(Sb0.4Te0.6)0.421}0.989Sb0.011的記錄層。此外，作為第2邊界層，形成2nm在氬和氮的混合氣體中濺射鍺靶形成的氮化鍺層(GeN1.2)。接著，作為第2電介質層，與第1電介質層一樣，濺射ZnS-SiO2靶，形成厚度26nm的第2電介質層。然后，作為吸收量修正層，在氬和氧的混合氣體中濺射鋁靶，形成50nm的氧化鋁層(AlO0.41、折射率2.2、衰減系數2.1)。接著濺射Al97.5Cr2.5合金，形成膜厚90nm的反射層。在從真空容器中取出了該盤體后，在該反射層上邊旋轉涂敷丙烯系紫外線硬化樹脂(大日本墨水(株)制造，SD-101)，用紫外線照射使之硬化形成膜厚3微米的樹脂層，其次，用絲網印刷機涂敷遲效性的紫外線硬化樹脂并照射紫外線后，把2塊同樣制作的盤體粘接起來得到本發明的光記錄媒體。
記錄層為結晶狀態時的反射率和為非晶狀態時的反射率之差為20％，可以確保充分的對比度。此外，倘根據在波長為660nm時的光學計算，則記錄層的結晶區域和非晶區域的光吸收率之比(Ac/Aa)為1.0，得到了吸收量修正效果。測定有效擦除率得知為28dB，擦除特性是良好的。100次重寫之后的圖象跳動為窗口寬度的7.7％，非常好。包括對毗鄰的磁道由反復記錄產生的交叉擦除的影響在內的圖象跳動為7.9％，因交叉擦除引起的圖象跳動值的上升小。此外沒有觀察到再生光劣化。10萬次重寫后的圖象跳動為9.8％，可以確認為在實用上充分地小。信號的振幅，與100次重寫后的信號的振幅比幾乎沒有變化，沒有發現脈沖串缺陷。就是說得知反復耐久性沒有問題。
此外，該光記錄媒體在進行一次記錄并測定這時的字節錯誤率時得知，為1.0×10-5。保持已進行記錄的狀態不變，在未進行加濕等的濕度調整的空氣中，在80℃的條件下，放置100個小時。然后，測定同一部分的字節錯誤率，得知為1.6×10-5，幾乎沒有變化，因而可知長期保存后的再生特性是良好的。此外，對該部分進行一次重寫，確認字節錯誤率為3.2×10-5，可以確認長期保存后的重寫特性也是十分良好的。此外，在90℃、相對濕度為80％的條件下放置了140個小時，但沒有發現因剝離引起的脈沖串缺陷。就是說，可以確認保存耐久性是良好的。
(實施例2)除去作為第1邊界層形成2nm的氮化鍺層(GeN1.2)之外，制作與實施例1同樣的光記錄媒體，并進行評價。如表2所示，可以確認擦除特性、圖象跳動、交叉擦除、再生光劣化、反復耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(實施例3)除去把記錄層的組成作成為Ge28.8Sb18.8Te62.4，即，作成為{(Ge0.5Te0.5)0.594(Sb0.4Te0.6)0.406}0.969Sb0.031之外，制作與實施例2同樣的光記錄媒體并進行評價。如表2所示，可以確認擦除特性、圖象跳動、交叉擦除、再生光劣化、反復耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(實施例4)除去作為第2邊界層形成2nm的碳層之外，制作與實施例1同樣的光記錄媒體，并進行評價。如表2所示，可以確認擦除特性、圖象跳動、交叉擦除、再生光劣化、反復耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(實施例5)除去作為第1邊界層和第2邊界層，在氬和氮的混合氣體中濺射GeCr0.25靶形成的厚度2nm的氮化鍺鉻(GeCr0.25N1.2)之外，制作與實施例3同樣的光記錄媒體，并進行評價。如表2所示，可以確認擦除特性、圖象跳動、交叉擦除、再生光劣化、反復耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(實施例6)除去濺射由Ge、Sn、Sb、Te構成的合金靶制作的厚度10nm、組成為Ge22.2Sn7.4Sb17.1Te53.3，即，作成為[{(Ge0.75Sn0.25)0.5Te0.5}0.60(Sb0.4Te0.6)0.40]0.987Sb0.013之外，制作與實施例1同樣的光記錄媒體并進行評價。如表2所示，可以確認擦除特性、交叉擦除、圖象跳動、再生光劣化、反復耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(實施例7)除去把第1邊界層和第2邊界層作成為在氬氣中濺射氧化鋁靶形成的2nm的氧化鋁層之外制作與實施例3同樣的光記錄媒體并進行評價。如表2所示，可以確認擦除特性、圖象跳動、交叉擦除、再生光劣化、反復耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(實施例8)除去把第1邊界層和第2邊界層作成為在氬氣中濺射碳化硅靶形成的2nm的碳化硅層之外制作與實施例3同樣的光記錄媒體并進行評價。如表2所示，可以確認擦除特性、圖象跳動、交叉擦除、再生光劣化、反復耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(實施例9)除去把記錄層的組成作成為Ge36Sb12Te52，即，作成為{(Ge0.5Te0.5)0.733(Sb0.4Te0.6)0.267}0.987Sb0.013之外，制作與實施例1同樣的光記錄媒體并進行評價。如表2所示，可以確認擦除特性、圖象跳動、交叉擦除、再生光劣化、反復耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(實施例10)除去把記錄層的組成作成為Ge28.3Sb16.9Te53.8Nb1，即，作成為{(Ge0.5Te0.5)0.572(Sb0.4Te0.6)0.428}0.99Nb0.01之外，制作與實施例1同樣的光記錄媒體并進行評價。如表2所示，可以確認擦除特性、圖象跳動、交叉擦除、再生光劣化、反復耐久性和保存耐久性全都是良好的。
此外，在記錄層的組成中，即便是在使用Al、Si、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Y、Zr、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、La、Hf、Ta、W、Re、Ir、Pt、Au、Tl或Pb來取代Nb的情況下，也可以得到幾乎同樣的結果。
(實施例11)除去把吸收量修正層作成為在氬和氧的混合氣體中濺射鋁靶形成的厚度50nm的氧化鋁層(AlO0.64、折射率2.8、衰減系數1.5)之外，制作與實施例1同樣的光記錄媒體，并進行評價。
如表2所示，可以確認擦除特性、圖象跳動、交叉擦除、再生光劣化、反復耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(實施例12)除去把吸收量修正層作成為在氬與氮的混合氣體中濺射鉻靶形成的厚度50nm氮化鉻層(CrN0.74、折射率3.2、衰減系數2.3)之外，制作與實施例1同樣的光記錄媒體，并進行評價。
如表2所示，可以確認擦除特性、圖象跳動、交叉擦除、再生光劣化、反復耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(實施例13)除去把吸收量修正層作成為在氬與氮的混合氣體中濺射鉻靶形成的厚度50nm氮化鉻層(CrN0.91、折射率3.5、衰減系數1.7)之外，制作與實施例1同樣的光記錄媒體，并進行評價。
如表2所示，可以確認擦除特性、圖象跳動、交叉擦除、再生光劣化、反復耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(實施例14)除去把吸收量修正層作成為在氬與氮的混合氣體中濺射鋁靶形成的厚度50nm氮化鋁層(AlN、折射率2.2、衰減系數2.0)之外，制作與實施例1同樣的光記錄媒體，并進行評價。
如表2所示，可以確認擦除特性、圖象跳動、交叉擦除、再生光劣化、反復耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(實施例15)除去作為第1邊界層和第2邊界層在氬與氮的混合氣體中濺射鍺靶形成的2nm的氮化鍺層(GeN0.8)之外，制作與實施例3同樣的光記錄媒體，并進行評價。如表2所示，可以確認擦除特性、圖象跳動、交叉擦除、再生光劣化、反復耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(實施例16)除去作為第1邊界層和第2邊界層在氬與氮的混合氣體中濺射GeCr0.25靶形成的2nm的氮化鍺鉻層(GeCr0.25N0.8)之外，制作與實施例3同樣的光記錄媒體，并進行評價。如表2所示，可以確認擦除特性、圖象跳動、交叉擦除、再生光劣化、反復耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(實施例17)除去作為第1邊界層和第2邊界層在氬與氮的混合氣體中濺射GeCr0.2靶形成的2nm的氮化鍺鉻層(GeCr0.2N1.2)之外，制作與實施例3同樣的光記錄媒體，并進行評價。如表2所示，可以確認擦除特性、圖象跳動、交叉擦除、再生光劣化、反復耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(實施例18)除去作為第1邊界層和第2邊界層在氬與氮的混合氣體中濺射GeCr0.4靶形成的2nm的氮化鍺鉻層(GeCr0.4N1.2)之外，制作與實施例3同樣的光記錄媒體，并進行評價。如表2所示，可以確認擦除特性、圖象跳動、交叉擦除、再生光劣化、反復耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(實施例19)在與實施例1同樣的條件下，在基板上邊，作為第1電介質層形成膜厚120nm的ZnS-SiO2層，其次，作為第1邊界層形成2nm的碳層，接著形成厚度9nm、組成為Ge36Sb12Te52，即，作成為{(Ge0.5Te0.5)0.733(Sb0.4Te0.6)0.267}0.987Sb0.013的記錄層，然后，作為第2邊界層形成2nm的碳層，接著，作為第2電介質層形成厚度35nm的ZnS-SiO2層。再有，作為吸收量修正層，氬與氧的混合氣體中濺射鋁靶形成的厚度70nm的氧化鋁層(AlO0.41、折射率2.2、衰減系數2.1)。接著濺射Al97.5Cr2.5合金，形成膜厚90nm的反射層。
如表2所示，可以確認擦除特性、圖象跳動、交叉擦除、再生光劣化、反復耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(實施例20)除去把吸收量修正層作成為在氬與氮的混合氣體中濺射鉻靶形成的厚度50nm的氮化鉻層(CrN0.74、折射率3.2、衰減系數2.3)之外，制作與實施例19同樣的光記錄媒體，并進行評價。
如表2所示，可以確認擦除特性、圖象跳動、交叉擦除、再生光劣化、反復耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(實施例21)在與實施例1同樣的條件下，在基板上邊，作為第1電介質層形成膜厚70nm的ZnS-SiO2層，其次，作為第1邊界層形成2nm的碳層，接著形成厚度12nm、組成為Ge36Sb12Te52，即，作成為{(Ge0.5Te0.5)0.733(Sb0.4Te0.6)0.267}0.987Sb0.013的記錄層，然后，作為第2邊界層形成2nm的碳層，接著，作為第2電介質層形成厚度15nm的ZnS-SiO2層。再有，作為吸收量修正層，設置在氬與氧的混合氣體中濺射鋁靶形成的厚度50nm的氧化鋁層(AlO0.64、折射率2.8、衰減系數1.5)。接著濺射Al97.5Cr2.5合金，形成膜厚90nm的反射層。
如表2所示，可以確認擦除特性、圖象跳動、交叉擦除、再生光劣化、反復耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(實施例22)除去把吸收量修正層作成為在氬與氮的混合氣體中濺射鉻靶形成的厚度50nm的氮化鉻層(CrN0.91、折射率3.5、衰減系數1.7)之外，制作與實施例21同樣的光記錄媒體，并進行評價。
如表2所示，可以確認擦除特性、圖象跳動、交叉擦除、再生光劣化、反復耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(實施例23)除去把記錄層的組成作成為Ge35Sb14Te51，即，作成為{(Ge0.5Te0.5)0.733(Sb0.4Te0.6)0.267}0.967Sb0.033，把第1、第2邊界層作成為在氬與氮的混合氣體中濺射鍺靶形成的厚度2nm的氮化鍺層(GeN1.2)之外，制作與實施例22同樣的光記錄媒體，并進行評價。
如表2所示，可以確認擦除特性、圖象跳動、交叉擦除、再生光劣化、反復耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(實施例24)除去把第1邊界層和第2邊界層作成為在氬氣中濺射氧化鋁靶形成的2nm氧化鋁層之外，制作與實施例23同樣的光記錄媒體，并進行評價。如表2所示，可以確認擦除特性、圖象跳動、交叉擦除、再生光劣化、反復耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(實施例25)除去把第1邊界層和第2邊界層作成為在氬氣中濺射碳化硅靶形成的2nm碳化硅層之外，制作與實施例23同樣的光記錄媒體，并進行評價。如表2所示，可以確認擦除特性、圖象跳動、交叉擦除、再生光劣化、反復耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(實施例26)除去把記錄層的組成作成為Ge36.3Sb10.6Te52.1Nb1，即，作成為{(Ge0.5Te0.5)0.733(Sb0.4Te0.6)0.267}0.99Nb0.01之外，制作與實施例22同樣的光記錄媒體并進行評價。如表2所示，可以確認擦除特性、圖象跳動、交叉擦除、再生光劣化、反復耐久性和保存耐久性全都是良好的。
(比較例1)除去不設置第1邊界層和第2邊界層之外，制作與實施例1同樣的光記錄媒體，并進行評價。有效擦除率為15dB，與實施例1比較顯著地劣化。為此，重寫圖象跳動也已惡化，進行了100次記錄時的圖象跳動變成為11.5％這么大的值。在10萬次重寫后，產生了再生信號振幅降低，圖象跳動變成為18％這么大，和錯誤率增大等的問題。
此外，對該光盤進行一次記錄，測定這時的字節錯誤率，得知為3.0×10-5。保持已進行記錄的狀態不變，在未進行加濕等的濕度調整的空氣中，在80℃的條件下，放置100個小時。然后，測定同一部分的字節錯誤率，得知為3.9×10-5，幾乎沒有變化，但對該部分進行一次重寫時得知，字節錯誤率變成為4.3×10-3，可知長期保存后的再生特性顯著地劣化。
(比較例2)除去不設置吸收量修正層之外，制作與實施例1同樣的光記錄媒體，并進行評價。但是要把第1電介質層、記錄層、第2電介質層的厚度分別作成為160nm、12nm、17nm，使得變成為光學上的最佳狀態。
波長660nm下的記錄層的結晶區域和非晶區域的光吸收率之比(Ac/Aa)為0.8，由于未設置吸收量修正層，故光吸收率之比小。有效擦除率為21dB，與實施例1比劣化了。100次記錄時的圖象跳動為8.7％，包括對毗鄰磁道的因反復記錄而產生的交叉擦除的影響在內的圖象跳動為9.7％，由交叉擦除的影響產生的圖象跳動的上升是大的。此外，使已進行了100次記錄的磁道進行1000次反復再生，得知圖象跳動變成為13.0％，觀察到了再生光劣化。
如表2所示，反復耐久性和保存耐久性是良好的。
(比較例3)除去把吸收量修正層作成為在氬氣氣體中濺射鈦靶形成的50nm的鈦層(折射率2.5、衰減系數3.2)之外，制作與實施例1同樣的光記錄媒體，并進行評價。在波長660nm時的光吸收率比(Ac/Aa)為0.9，與實施例1比稍微小一點。有效擦除率為23dB，與實施例1比稍微差一點。100次記錄時的圖象跳動為8.8％，包括對毗鄰磁道的因反復記錄而產生的交叉擦除的影響在內的圖象跳動為9.8％。就是說，由交叉擦除的影響產生的圖象跳動的上升是大的。
此外，即便是在作為吸收量修正層使用Ni、W、Mo、V、Nb、Cr、Fe來取代Ti的情況下，結果也幾乎是同樣的。
(比較例4)除去把記錄層的組成作成為Ge47.9Sb2.5Te49.6，即，作成為{(Ge0.5Te0.5)0.97(Sb0.4Te0.6)0.03}0.987Sb0.013之外，制作與實施例1同樣的光記錄媒體，并進行評價。有效擦除率為13dB，與實施例1比顯著地降低了，為此，100次記錄時的圖象跳動變成為11.6％這么大的值。
(比較例5)除去把記錄層的組成作成為Ge19.7Sb25.0Te55.3，即，作成為{(Ge0.5Te0.5)0.40(Sb0.4Te0.6)0.60}0.987Sb0.013之外，制作與實施例1同樣的光記錄媒體，并進行評價。有效擦除率為25dB，擦除特性是良好的。但是，記錄層為結晶時和為非晶時的反射率差為14％，與實施例1比小，100次重寫后的圖象跳動為9.8％是大的。
(比較例6)除去把記錄層的組成作成為Ge28.6Sb17.1Te54.3，即，作成為(Ge0.5Te0.5)0.572(Sb0.4Te0.6)0.428之外，制作與實施例1同樣的光記錄媒體，并進行評價。如表2所示，擦除特性、圖象跳動、交叉擦除、反復耐久性是良好的。
對該光盤進行一次記錄，測定這時的字節錯誤率，得知為1.2×10-5。保持已進行記錄的狀態不變，在未進行加濕等的濕度調整的空氣中，在80℃的條件下，放置100個小時。然后，測定同一部分的字節錯誤率，得知為1.4×10-3，錯誤率的增加顯著，長期保存后的再生特性已經劣化。
(比較例7)除去把記錄層的組成作成為Ge25.7Sb25.4Te48.9，即，作成為{(Ge0.5Te0.5)0.572(Sb0.4Te0.6)0.428}0.9Sb0.1之外，制作與實施例1同樣的光記錄媒體，并進行評價。有效擦除率為18dB，不如實施例1。
對該光盤進行一次記錄，測定這時的字節錯誤率，得知為2.3×10-5。保持已進行記錄的狀態不變，在未進行加濕等的濕度調整的空氣中，在80℃的條件下，放置100個小時。然后，測定同一部分的字節錯誤率，得知為3.0×10-5，幾乎沒有變化，得知長期保存后的再生特性是良好的。但是，在對該部分進行一次重寫時得知，字節錯誤率顯著地上升到3.4×10-3，就是說長期保存后的重寫特性劣化。
(比較例8)除去把記錄層的組成作成為Ge20Sb12Te38Nb30，即，作成為{(Ge0.5Te0.5)0.572(Sb0.4Te0.6)0.428}0.7Nb0.3之外，制作與實施例1同樣的光記錄媒體并進行評價。有效擦除率為19dB，不如實施例1。100次重寫后的圖象跳動也大到10.7％，不如實施例1。10萬次重寫后，再生信號的振幅降低，圖象跳動變成為17％這么大，從而產生了錯誤率增大的問題。
對該光盤進行一次記錄，測定這時的字節錯誤率，得知為8.5×10-5。保持已進行記錄的狀態不變，在未進行加濕等的濕度調整的空氣中，在80℃的條件下，放置100個小時。然后，測定同一部分的字節錯誤率，得知為9.5×10-5，幾乎沒有變化，得知長期保存后的再生特性是良好的。但是，在對該部分進行一次重寫時得知，字節錯誤率顯著地上升到8.5×10-3，就是說長期保存后的重寫特性劣化。
(比較例9)除去作為吸收量修正層，在與實施例1不同的組成的氬與氧的混合氣體中濺射鋁靶形成50nm的氧化鋁層(AlO0.25、折射率2.0、衰減系數3.5)之外，制作與實施例1同樣的光記錄媒體，并進行評價。在波長660nm時的光吸收率比(Ac/Aa)為0.9，與實施例1比稍微小一點。有效擦除率為21dB，與實施例1比稍微差一點。100次記錄時的圖象跳動，在脊背、溝槽處分別為8.5％，包括對毗鄰磁道的因反復記錄而產生的交叉擦除的影響在內的圖象跳動為9.3％。就是說，由交叉擦除的影響產生的圖象跳動的上升稍大。
(比較例10)除去作為吸收量修正層，在與實施例1不同的組成的氬與氧的混合氣體中濺射鋁靶形成50nm的氧化鋁層(AlO0.90、折射率2.2、衰減系數0.4)之外，制作與實施例1同樣的光記錄媒體，并進行評價。在波長660nm時的光吸收率比(Ac/Aa)為0.8，比實施例1小。有效擦除率為18dB，比實施例1差。100次記錄時的圖象跳動為9.0％，包括對毗鄰磁道的因反復記錄而產生的交叉擦除的影響在內的圖象跳動為10.1％，由交叉擦除的影響產生的圖象跳動的上升稍大。
圖1 表2
工業上利用的可能性倘采用本發明的光記錄媒體，則可以提供即便是以高線速進行高密度的記錄，擦除特性也是良好的且圖象跳動小，即便是使用磁道寬度狹窄的基板也難于產生交叉擦除，即便是為了再生而反復照射激光信號品質也難于劣化，此外保存耐久性也良好的可改寫相變化型光記錄媒體和光記錄裝置。此外，本發明的光記錄媒體反復耐久性也是優良的。
權利要求
1.一種可以借助于照射激光進行信息的記錄、擦除和再生，且可以用非晶相與結晶相之間的可逆性的相變化進行信息的記錄和擦除的光記錄媒體，在基板上邊至少依次具備第1電介質層、第1邊界層、記錄層、第2邊界層、吸收量修正層和反射層，上述記錄層的組成可以用下述通用公式表示，[{(Ge1-kSnk)0.5Te0.5}x(Sb0.4Te0.6)1-x]1-ySbyAz其中，A表示除Ge、Sb、Te之外的元素周期表中的屬于從第3周期到第6周期的3族到14族的元素中選出來的元素，x、y、z、k處于可以用下述(1)或(2)的關系式0.5≤x≤0.95、0≤y≤0.08、0＜z≤0.2、k＝0 …(1)0.5≤x≤0.95、0.01≤y≤0.08、z＝0、0≤k≤0.5 …(2)表示的范圍內，且第1邊界層和第2邊界層分別由從碳、碳化物、氧化物和氮化物中選出來的至少一種為主成分的層構成，而且吸收量修正層的折射率在1.0以上4.0以下，衰減系數在0.5以上3.0以下。
2.權利要求1所述的光記錄媒體，第1邊界層由以碳為主成分的層構成。
3.權利要求1所述的光記錄媒體，第1邊界層和第2邊界層這兩方都由以碳為主成分的層構成。
4.權利要求1所述的光記錄媒體，第1邊界層和第2邊界層都由以從碳化物、氧化物和氮化物中選出來的至少一種為主成分的層構成，且記錄層的組成在可以用下式表示的范圍內{(Ge0.5Te0.5}x(Sb0.4Te0.6)1-x}1-y-zSbyAz其中，A表示從除去Ge、Sb、Te之外的屬于元素周期表中的第3周期到第6周期的3族到14族元素中選出來的元素，x、y、z滿足關系式0.5≤x≤0.95、0.03≤y≤0.08、0≤z≤0.2。
5.權利要求1所述的光記錄媒體，吸收量修正層由以含有在Al和Cr之內至少一種的金屬的氧化物或氮化物為主成分的材料構成。
6.權利要求5所述的光記錄媒體，吸收量修正層以AlOx(x＝0.3～0.8)為主成分。
7.權利要求1所述的光記錄媒體，第1電介質層的折射率在1.9以上2.4以下，衰減系數在0.1以下。
8.權利要求1所述的光記錄媒體，第1電介質層的厚度在50nm以上200nm以下，記錄層的厚度在7nm以上17nm以下，吸收量修正層的厚度在10nm以上100nm以下。
9.權利要求1所述的光記錄媒體，折射率和衰減系數在進行記錄或再生的激光波長下進行測定。
10.權利要求1所述的光記錄媒體，折射率和衰減系數在激光波長660nm下進行測定。
11.一種具有光學頭和光記錄媒體，從該光學頭照射激光，借助于使該光記錄媒體中的非晶相和結晶相之間的可逆性的相變化可以進行信息的記錄、擦除和再生的光記錄裝置，激光照射的線速度為每秒7.5×106×d以上，d是記錄面上邊的激光束直徑，可以借助于激光用標識邊沿方式進行記錄的記錄標識之內最短的標識在激光行進方向上的長度為0.55×d以下，光記錄媒體的磁道寬度為0.7×d以下，而且，該光記錄媒體是權利要求1～10中的任何一項所述的光記錄媒體。
12.權利要求11所述的光記錄裝置，進行記錄、擦除和再生的激光的波長為645～660nm。
全文摘要
擦除特性好且圖象跳動小、難于產生交叉擦除、品質難于劣化且保存耐久性好的可改寫相變化型光記錄媒體和光記錄裝置。在基板上邊依次至少具備第1電介質層、第1邊界層、記錄層、第2邊界層、吸收量修正層和反射層,具有特定的記錄層組成,且第1邊界層和第2邊界層都由以從碳、碳化物、氧化物和氮化物中選出來的至少一種為主成分的層構成,而且,吸收量修正層的折射率在1.0以上4.0以下,衰減系數在0.5以上3.0以下。
文檔編號G11B7/253GK1296260SQ0013374
公開日2001年5月23日 申請日期2000年10月27日 優先權日1999年10月29日
發明者中久喜英夫, 新井猛, 野中敏央 申請人:東麗株式會社