用于堆疊半導體裝置的測試存取以及相關聯系統及方法與流程

本技術大體上涉及豎直堆疊半導體存儲器裝置，且更特定來說，涉及用于存取及測試系統級封裝中的高帶寬存儲器裝置的系統及方法。

背景技術：

1、微電子裝置(例如存儲器裝置、微處理器及其它電子器件)通常包含安裝到襯底且圍封于保護覆蓋物中的一或多個半導體裸片。半導體裸片包含功能特征，例如存儲器單元、處理器電路、成像器裝置、互連電路系統等。為了滿足對減小大小的持續需求，晶片、個別半導體裸片及/或有源組件通常批量制造、經單粒化且接著堆疊于中介層及/或支撐襯底(例如，印刷電路板(pcb)或其它合適的襯底)上。接著，堆疊裸片可通過疊瓦式堆疊裸片(例如，在每一裸片具有一定偏移的情況下堆疊的裸片)中的接合線及/或裸片與支撐襯底之間的貫穿襯底通路(tsv)耦合到中介層及/或支撐襯底(有時也稱為封裝襯底)。

技術實現思路

1、在一個方面中，本公開涉及一種高帶寬存儲器(hbm)裝置，其包括：第一裸片；多個第二裸片，其由所述第一裸片承載，所述多個第二裸片包含最上裸片，其中所述多個第二裸片中的每一者通過多個有源貫穿襯底通路(tsv)可通信地耦合到所述第一裸片；以及hbm測試組件，其至少部分由所述最上裸片的上表面承載且經定位以可通信地耦合到所述第一裸片。

2、在另一方面中，本公開涉及一種系統級封裝(sip)裝置，其包括：中介層襯底；處理單元，其由所述中介層襯底承載；及高帶寬存儲器(hbm)裝置，其由所述中介層襯底承載，其中所述hbm裝置通過中介層總線耦合到所述處理單元，且其中所述hbm裝置包括：接口裸片，其由所述中介層襯底承載；多個存儲器裸片，其由所述接口裸片承載，其中所述多個存儲器裸片可通信地耦合到所述接口裸片；以及hbm測試組件，其至少部分由最上存儲器裸片的上表面承載，所述hbm測試組件經定位以可通信地耦合到所述接口裸片以在所述hbm裝置的最上表面處提供對所述接口裸片的存取。

3、在另一方面中，本公開涉及一種用于制造系統級封裝(sip)裝置的方法，其包括：形成高帶寬存儲器(hbm)裝置，所述hbm裝置包括：接口裸片；多個存儲器裸片；及hbm測試組件，其可在所述hbm裝置的外表面處存取；將所述hbm裝置的內表面附接到中介層；通過所述hbm測試組件存取所述hbm裝置中的一或多個電路以測試所述hbm裝置的一或多個測試度量；以及將一或多個額外組件附接到所述中介層。

技術特征：

1.一種高帶寬存儲器hbm裝置，其包括：

2.根據權利要求1所述的hbm裝置，其中所述hbm測試組件包括：

3.根據權利要求1所述的hbm裝置，其中所述hbm測試組件包括：

4.根據權利要求1所述的hbm裝置，其中所述第一裸片包括多個有源電路，且其中所述hbm測試組件包括：

5.根據權利要求4所述的hbm裝置，其中所述測試裸片包含所述第一裸片中的每一有源組件的副本。

6.根據權利要求4所述的hbm裝置，其中所述hbm測試組件進一步包括測試tsv，所述測試tsv從所述第一金屬化層延伸到所述第二金屬化層以可通信地耦合在所述第一裸片中的一或多個測試電路與所述測試裸片之間以提供對所述最外表面處的所述一或多個測試電路的存取。

7.根據權利要求1所述的hbm裝置，其中所述hbm測試組件包括：

8.根據權利要求7所述的hbm裝置，其中所述熔絲斷開。

9.根據權利要求1所述的hbm裝置，其中所述hbm測試組件包括：

10.一種系統級封裝sip裝置，其包括：

11.根據權利要求10所述的sip裝置，其中所述多個存儲器裸片通過從所述接口裸片延伸到所述最上存儲器裸片內的第一高度的多個信號貫穿襯底通路tsv可通信地耦合到所述接口裸片，且其中所述hbm測試組件包括從所述接口裸片延伸到所述最上存儲器裸片的所述上表面處或上方的第二高度的存取tsv。

12.根據權利要求10所述的sip裝置，其中所述hbm測試組件包括從所述接口裸片延伸到所述最上存儲器裸片的所述上表面處或上方的高度的存取貫穿襯底通路tsv，所述存取tsv經定位以可通信地耦合到所述接口裸片中的一或多個測試電路。

13.根據權利要求10所述的sip裝置，其中所述hbm測試組件包括由所述最上存儲器裸片的所述上表面承載的額外裸片及從所述接口裸片延伸到所述額外裸片內的高度的存取貫穿襯底通路tsv。

14.根據權利要求13所述的sip裝置，其中所述hbm測試組件進一步包括由所述額外裸片的外表面承載的一或多個接合墊及將所述一或多個接合墊可通信地耦合到所述存取tsv的一或多個重布層。

15.根據權利要求10所述的sip裝置，其中所述hbm測試組件包含形成在所述最上存儲器裸片的所述上表面上的一或多個重布層。

16.一種用于制造系統級封裝sip裝置的方法，其包括：

17.根據權利要求16所述的方法，其進一步包括在存取所述一或多個電路以測試所述一或多個測試度量之后將所述hbm測試組件與所述一或多個電路斷開連接。

18.根據權利要求17所述的方法，其中將所述hbm測試組件斷開連接包括過驅動可通信地耦合在所述hbm測試組件與所述一或多個電路之間的熔絲。

19.根據權利要求17所述的方法，其中形成所述hbm裝置包括：

20.根據權利要求17所述的方法，其中形成所述hbm存儲器包括：

技術總結
本公開涉及用于堆疊半導體裝置的測試存取以及相關聯系統及方法。本文中公開高帶寬存儲器HBM裝置以及相關聯系統及方法。在一些實施例中，所述HBM裝置包含第一裸片(例如，接口裸片)、由所述第一裸片承載的可通過多個HBM總線貫穿襯底通路TSV通信耦合到所述第一裸片的多個第二裸片(例如，存儲器裸片)。所述HBM裝置還包含至少部分由最上第二裸片的上表面承載的HBM測試組件。所述HBM測試組件通過所述HBM裝置的最上表面提供對所述第一裸片及所述第二裸片的存取以在制造期間測試所述HBM裝置。舉例來說，所述HBM測試組件允許在所述HBM裝置被安裝到系統級封裝的基底襯底之后測試所述第一裸片及所述第二裸片，而在所述基底襯底上不需要用于存取引腳的任何占用面積。

技術研發人員：楊玲明,R·斯里拉曼尼,N·N·加杰拉
受保護的技術使用者：美光科技公司
技術研發日：
技術公布日：2025/3/13