本發明涉及半導體器件，具體涉及一種準兩端自旋軌道矩(spin-orbittorque,簡稱sot)器件的數據寫入方法及裝置。
背景技術：
1、自旋軌道矩作為第三代磁隨機訪問存儲器(magnetic?random?access?memory，簡稱mram)的寫入方案，具有高速、高耐久度等優勢。
2、集成密度是限制sot-mram的另一關鍵問題，三端口結構意味著兩晶體管控制，需要額外的面積冗余。準兩端sot器件是優化sot-mram的存儲單元面積的重要方案之一。準兩端sot器件通過共享sot通道，形成準兩端，極大程度減少晶體管數量。在準兩端結構中，準兩端sot器件通常需要兩步操作實現多比特的數據寫入，包括擦除操作和選擇性寫操作。其中，選擇性寫操作需要被選中的單元實現可靠地寫入，而未被選擇的寫單元的數據不被干擾，即準兩端sot器件的選通性要滿足要求。然而，目前準兩端sot器件的選通性遠無法滿足存儲的應用需求。
技術實現思路
1、針對現有技術中的問題，本發明實施例提供一種準兩端sot器件的數據寫入方法及裝置，能夠至少部分地解決現有技術中存在的問題。
2、第一方面，本發明提出一種準兩端sot器件的數據寫入方法，包括：
3、對目標器件進行擦除操作，使所述目標器件的所有磁隧道結(magnetic?tunneljunction,簡稱mtj)變為初始態；
4、對所述目標器件進行多次選擇性寫操作，使所述目標器件的目標磁隧道結變更狀態實現目標數據的寫入。
5、進一步地，所述多次選擇性寫操作中每次選擇性寫操作的參數相同。
6、進一步地，所述多次選擇性寫操作對應的寫電壓相同。
7、進一步地，所述多次選擇性寫操作為兩次選擇性寫操作。
8、進一步地，第二次選擇性寫操作對應的寫電壓與第一次選擇性寫操作對應的寫電壓不相同。
9、進一步地，本發明實施例提供的準兩端sot器件的數據寫入方法還包括：
10、在所述多次選擇性寫操作完成之后，讀取所述目標器件對應的存儲數據；
11、若判斷獲知所述目標器件對應的存儲數據與所述目標數據不一致，則獲取不一致的數據；
12、基于所述不一致的數據重新對所述目標器件進行多次選擇性寫操作，直到所述目標器件對應的存儲數據與所述目標數據一致或者重復寫入次數達到上限值。
13、另一方面，本發明提供一種準兩端sot器件的數據寫入裝置，包括：
14、擦除模塊，用于對目標器件進行擦除操作，使所述目標器件的所有磁隧道結變為初始態；
15、寫入模塊，對所述目標器件進行多次選擇性寫操作，使所述目標器件的目標磁隧道結變更狀態實現目標數據的寫入。
16、第三方面，本發明提供一種計算機設備，包括存儲器、處理器及存儲在存儲器上的計算機程序，所述處理器執行所述程序以實現上述任一實施例所述的準兩端sot器件的數據寫入方法。
17、第四方面，本發明提供一種計算機可讀存儲介質，所述計算機可讀存儲介質存儲有計算機程序/指令，該計算機程序/指令被處理器執行時實現上述任一實施例所述的準兩端sot器件的數據寫入方法。
18、第五方面，本發明提供一種計算機程序產品，包括計算機程序/指令，該計算機程序/指令被處理器執行時實現上述任一實施例所述的準兩端sot器件的數據寫入方法。
19、本發明實施例提供的準兩端sot器件的數據寫入方法及裝置，能夠對目標器件進行擦除操作，使所述目標器件的所有磁隧道結變為初始態；對所述目標器件進行多次選擇性寫操作，使所述目標器件的目標磁隧道結變更狀態實現目標數據的寫入，在降低選擇的磁隧道結的寫錯誤率的同時，平衡未選擇的磁隧道結的誤寫入率，通過多次選擇性寫操作提高目標器件的選通性。
1.一種準兩端sot器件的數據寫入方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述多次選擇性寫操作中每次選擇性寫操作的參數相同。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述多次選擇性寫操作對應的寫電壓相同。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述多次選擇性寫操作為兩次選擇性寫操作。
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，第二次選擇性寫操作對應的寫電壓與第一次選擇性寫操作對應的寫電壓不相同。
6.根據權利要求1至5任一項所述的方法，其特征在于，還包括：
7.一種準兩端sot器件的數據寫入裝置，其特征在于，包括：
8.一種計算機設備，包括存儲器、處理器及存儲在存儲器上的計算機程序，其特征在于，所述處理器執行所述計算機程序以實現權利要求1至6任一項所述方法的步驟。
9.一種計算機可讀存儲介質，其特征在于，所述計算機可讀存儲介質存儲有計算機程序/指令，該計算機程序/指令被處理器執行時實現權利要求1至6任一項所述方法的步驟。
10.一種計算機程序產品，包括計算機程序/指令，其特征在于，該計算機程序/指令被處理器執行時實現權利要求1至6任一項所述方法的步驟。