專利名稱：不流動的增韌的環氧樹脂－酸酐底層填料密封劑的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種可用在不流動的底層填料(underfill)方法中的底層填料密封劑。
背景技術：
本發明涉及由環氧樹脂制得的底層填料密封劑化合物，其在微電子裝置中用來保護和加強電子元件與基底之間的相互連接。微電子裝置含有多種類型的電路元件，主要是在集成電路(IC)芯片中組合在一起的半導體管，但也還有電阻器、電容器和其它元件。這些電子元件互相連接形成電路，并最終連接到并支撐在載體或基底，例如印刷電路板上。集成電路元件可包括單裸芯片、單密封芯片或密封封裝的多級芯片。單裸芯片可連接到引線架上，而其又被密封并連接到印刷電路板上，或者該單裸芯片還可直接連接到印刷電路板上。
無論元件是連接到引線架上的裸芯片，還是連接到印刷電路板或其它基底上的封裝，該連接均是在電子元件上的電終端與相應的基底上的電終端之間進行。進行這些電連接的一種方法是使用聚合材料或金屬材料，并將這些材料以腫塊形式施加至元件或基底終端。調整終端并使其接觸在一起，加熱所得組件以使金屬或聚合材料軟熔，并固化該連接。
在器件的正常的服務壽命期間，電子組件要經受不同的溫度寬范圍的循環。由于電子元件、互聯材料和基底之間的熱膨脹系數的差異，該熱循環會壓迫組件的元件并使其損壞。為了避免該損壞，用聚合物密封劑(該聚合密封劑在下文中稱作底層填料或底層填料密封劑)填充元件與基底之間的空隙，用以加固互聯材料并吸收一些循環熱應力。此外，該材料還有助于吸收沖擊能并改善所謂的“沖擊試驗”性能。
底層填料技術的兩個突出用途是用來加固工業上稱為芯片刻度封裝(CSP)的封裝，其中芯片封裝被連接到印刷電路板上，用來加固倒裝球柵陣列(BGA)，其中芯片通過球和柵陣列而連接在印刷電路板上，和用來加固倒裝芯片器件。
在傳統的毛細管流動底層填料應用中，在金屬或聚合物互聯部分軟熔后底層填料發生分配和固化。在此方法中，起初將熔劑放置在位于基底上的金屬墊上。接下來，對于金屬連接的情況，將芯片放置在基底的熔劑區域上，并位于焊接點的頂部。然后加熱組件，使其軟熔以產生焊點。在這一點上，使測定量的底層填料密封劑材料沿著電子組件的一個或多個周邊進行分配，而組件-與-基底間的縫隙內的毛細管作用將材料向內牽引。該縫隙被填充后，可沿著整個組件周邊分配額外的底層填料密封劑，以幫助降低應力的集中，并延長組件結構的疲勞壽命。隨后固化該底層填料密封劑，以達到其最佳的最終性能。
不流動的底層填料方法提供了一種比上述方法更有效的工藝，用以將電子元件連接到基底上，并用底層填料密封劑保護該組件。在不流動的密封過程中，熔劑包含在底層填料中，并在放置元件前將該底層填料施加在組件位置處。放置了元件后，使包括元件、底層填料和基底的整個組件通過軟熔爐，從而將元件焊接在基底上的金屬墊連接上。在該方法中，底層填料使焊料和金屬墊流動，焊點發生軟熔，從而在元件和基底之間形成互相接合，并且底層填料發生固化。由于會在墊和焊料之間形成顆粒并干擾焊接點的形成，因此試圖在不流動的潛流組合物中使用填料均告失敗。因此，該方法刪除了施加熔劑和后-固化底層填料的獨立步驟。當底層填料的焊接和固化出現在該方法的同一步驟中時，在不流動的底層填料密封過程中，要求使底層填料材料嚴格保持具有適當的粘度和固化速率。為了易于分配，易于使焊料熔化并在元件和基底之間形成互聯，底層填料必須保持低粘度(約3,000-6,000cps)。也很重要的是，焊料固化后不可過度延遲底層填料的固化。希望的是，在不流動方法中，焊料熔化后底層填料在一次軟熔流通過程中迅速固化。此外，底層填料必須提供對焊料掩模、焊料和塑模的鈍化層優異的粘附性。總的來說，該底層填料在室溫下還必須顯示出長工作壽命，并在熱循環過程中具有良好的安全性。但是，不流動的底層填料材料的性質相對來說比較硬和脆，在-55℃-125℃的熱循環過程中最終會破裂和脫層。
發明概述本發明涉及一種可固化的底層填料密封劑組合物，其特別適用于不流動的底層填料密封過程。該組合物含有環氧樹脂、助熔劑、線性聚酐、芯殼聚合物增韌劑和催化劑。在可選擇的實施方案中，該組合物還含有環狀酸酐。還可將各種添加劑，例如表面活性劑和偶聯劑加入到該組合物中。
發明詳述用在本發明的底層填料密封組合物中的樹脂為可固化化合物，其意指該樹脂能夠聚合。如本說明書中所用的，固化是指帶有交聯的聚合。如本領域所理解的，交聯是兩個聚合物鏈通過橋接元素、分子基團或化合物進行連接，并且通常在加熱下發生交聯。
本發明的成分包括一種或多種環氧樹脂、助熔劑、線性聚酐、芯殼聚合物增韌劑和催化劑。任選地，還可包括環狀酸酐、表面活性劑、反應性稀釋劑和其它成分。應對該成分進行特別選擇，以獲得希望的使用特定樹脂所需的平衡性質。
適合用在本發明的底層填料組合物中的環氧樹脂例如包括單官能和多官能的雙酚-A和雙酚-F的縮水甘油醚和脂環族環氧樹脂，或其組合。脂環族環氧樹脂優選選自每分子中含有多于一個1.2環氧基團的非縮水甘油醚環氧化物。這些環氧化物的特征在于環結構，其中該環氧基團可為環的一部分，或者可以連接在環結構上。非縮水甘油醚環氧化物的例子包括3，4-環氧環己基甲基-3，4-環氧環己烷羧酸酯，其含有兩個作為環結構的一部分的環氧基團和酯鍵、乙烯基環己烯二氧化物，其含有兩個環氧基團，其中一個為環結構的一部分、3，4-環氧-6-甲基環己基甲基-3，4-環氧環己烷羧酸酯和二環戊二烯二氧化物。
在本發明中優選縮水甘油醚過氧化物，或單獨使用或與非甘油醚環氧化物結合起來。這些樹脂選自每分子中含有多于一個1.2環氧基團的甘油醚環氧化物。優選的此類型環氧樹脂為雙酚A樹脂。優選的雙酚A型樹脂包括2，2-雙(4-羥基苯基)丙烷-環氧氯丙烷共聚物。最優選的環氧樹脂為雙酚A型樹脂。這些樹脂通常通過一摩爾雙酚F與兩摩爾環氧氯丙烷的反應來制備。進一步優選的環氧樹脂類型為環氧酚醛樹脂。環氧酚醛樹脂通常由酚醛樹脂與環氧氯丙烷的反應來制備。優選的環氧酚醛樹脂為聚(苯基縮水甘油醚)-共-甲醛。聯苯基型環氧樹脂也可用在本發明中。這種類型的樹脂通常由雙酚樹脂與環氧氯丙烷的反應來制備。可使用的其它類型環氧樹脂為二環戊二烯-苯酚環氧樹脂、萘樹脂、環氧官能化丁二烯丙烯腈共聚物、環氧官能化聚二甲基硅氧烷及其混合物。用作本發明的底層填料密封劑的優選環氧樹脂為雙酚F型。市售的雙酚-F型樹脂可得自CVC Specialty Chemicals，Maple Shade，新澤西，商品標號為8230E。雙酚-A型樹脂可作為EPON828而購自Resolution Technology，而雙酚-A和雙酚-F的混合物可購自Nippon Chemical Company，商品標號為ZX-1059。
必須對本發明的線性聚酐進行選擇，從而使不流動的底層填料密封劑在低于焊料熔點以及剛剛高于焊料熔點時，在足夠長的時間內保持低粘度，以使焊料和金屬墊進行相互連接。用在底層填料密封劑中的線性聚酐為多官能的。與樹脂的初始反應是裂解聚合酸酐鏈，從而降低分子量。這在下面的簡圖中示意顯示出 在步驟(1)中，借助催化劑來裂解線性聚酐鏈。在該示意圖中，R為4-10個碳的線性聚亞甲基片斷。在步驟(2)中，引發通常的羧酸酯-環氧反應。在步驟(3)中，環氧樹脂的醇鹽離子再次發生反應從而使另一個聚酐鏈裂解。裂解過程通過降低聚酐分子量而有效地延遲粘度的增長。這樣在固化過程中就沒有延遲，從而使本發明的組合物在更長的時間內保持低粘度。在更高的固化程度下分子量不可避免地開始增大。此外，線性聚酐還作為助熔劑。優選的線性聚酐為癸二酸脫水形成的聚癸二酸聚酐(PSPA)。優選的PSPA可以PSPA購自Lonza，Inc.，中間體和添加劑，Pasadena，得克薩斯。其它可用的線性聚酐包括聚壬二酸聚酐和聚己二酸聚酐。具有線性聚酐的制劑提供快速的反應性，而粘度卻不迅速增大。線性聚酐還有一個優越性就是其為低蒸汽壓固體。因此，在高于晶體熔點的高溫下聚酐沒有揮發的趨勢，而且在固化底層填料的過程中也不產生空隙。
優選將催化劑用于底層填料密封劑中。優選的催化劑為1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑。該材料為液體咪唑，優選對其進行封端或保護以延遲反應性，而且該材料的市售商標為CURIMID-DN，可購自PolyOrganix，Inc.，Newburyport，Massachusetts。其它可用的催化劑包括AMICURE 2PIP(Air Products & Chemicals，Allentown，賓夕法尼亞)、烷基取代的咪唑、三苯基膦、咪唑鎓鹽、咪唑磷酸鹽、咪唑鹽、鎓硼酸鹽、金屬螯合物及其混合物。
在含有線性聚酐的底層填料制劑中，線性聚酐賦予固化組合物許多柔性。這種柔性在某些應用，例如CSP組件中正是所希望的。在其它某些應用中所希望的是更硬的固化組合物，例如在熱沖擊可靠性試驗中需要更長耐久性的那些應用中。在這些需要更硬的組合物的情況下，希望將第二種聚酐或更高官能度的環氧樹脂摻入配方中，以提供更高的硬性和更高的玻璃化轉變溫度。優選的第二種酸酐優選為脂環族酸酐，最優選為甲基六氫鄰苯二甲酸酐(MHHPA)，其可作為商購自Lonza的MHHPA。其它可用的環狀聚酐，尤其用于提高玻璃化轉變溫度的環狀聚酐包括甲基四氫鄰苯二甲酸酐、順-內-5-降冰片烯-2，3-二甲酸酐(nadic methyl anhydride)、六氫鄰苯二甲酸酐、四氫鄰苯二甲酸酐、鄰苯二甲酸酐、十二烷基琥珀酸酐或其混合物。在含有線性聚酐和環狀聚酐的底層填料密封劑制劑中，兩種組分的比例優選為化學計量比。此外，優選的制劑應基本不含由于過早增大粘度并加速交聯過程而損害線性聚酐效果的反應性物質。
為了改善底層填料對焊料和硅模的粘附性，改善抗龜裂性和提高底層填料的斷裂韌度，并且不破壞底層填料的耐溫性，底層填料中還包括芯-殼聚合物增韌劑。底層填料的抗龜裂性是一個重要的標準，因為其是在熱循環過程中導致出故障的一個最常見原因。因此，底層填料的熱循環性質也得到了改善。芯-殼聚合物增韌劑是有機填料，其優選被很好地分散在底層填料中，而且具有約0.1-0.5μm的亞微粒度。該亞微粒度防止在軟熔過程中阻礙焊接點的形成，但其不減低產率。此外，加入增韌劑已顯示對底層填料的Tg沒有實際影響。如
圖1所示，該增韌劑在-55℃-125℃的液體-液體熱循環過程中大大提高了焊接點的可靠性。如圖2所示，該可靠性的增加可歸功于對焊料和基底的增大的粘附性，以及增大的斷裂韌度。還有一個好處就是，用作增韌劑的有機填料降低了不流動的底層填料的焓，從而更有利于滿足低限制性的運輸規則和分類。示例性的芯-殼聚合物增韌劑包括丙烯腈-丁二烯-苯乙烯芯殼聚合物，其以BLENDEX-415的商標名出售(General Electric Company)，和甲基丙烯酸酯丁二烯苯乙烯芯殼聚合物，其以BTA-753的商標名出售(Rohm & Haas Company)。其它芯-殼聚合物改性劑包括丙烯酸類耐沖擊性改進劑。
還可將其它成分加至底層填料密封劑中，以制備具有希望的性質的組合物。例如，多官能反應性稀釋劑可逐漸延遲粘度的增大，而不會對固化底層填料的物理性質帶來不利影響。優選的稀釋劑為對叔丁基苯基縮水甘油醚，盡管也可使用其它稀釋劑，例如，烯丙基縮水甘油醚、甘油二縮水甘油醚、縮水甘油醚或烷基、丁二醇二縮水甘油醚及其混合物。還可使用表面活性劑，以助于在倒裝鍵合過程和隨后的焊接點軟熔和材料固化過程中防止過程中成洞。可使用的各種表面活性劑包括有機丙烯酸聚合物、硅氧烷、聚氧化乙烯/聚氧化丙烯嵌段共聚物、基于乙二胺的聚氧化乙烯/聚氧化丙烯嵌段共聚物、基于多元醇的聚氧化烯、基于脂肪醇的聚氧化烯、脂肪醇聚氧鏈烯烴烷基醚及其混合物。此外，還可根據希望加入偶聯劑、聚合改性劑和其它成分。
作為本發明的底層填料密封制劑的替代實施方案，其包括環氧樹脂、作為助熔劑的線性聚酐、催化劑、芯-殼聚合物和其它希望的成分，例如表面活性劑。該環氧樹脂可包括約25-95wt％的環氧樹脂。優選，該底層填料包括約35-約65wt％的環氧樹脂。該制劑還可包括約2wt％-約50wt％的含有助熔劑的線性聚酐。更優選，該底層填料包括約5wt％-約35wt％的線性聚酐固化劑。該線性聚酐優選為小于50微米的粒子。芯-殼聚合物包括約1-約15％的制劑。最優選，該芯-殼聚合物包括約2wt％-約8wt％的底層填料。最后，還可按照希望加入其它成分。在優選的制劑中，加入0.05wt％-約1.0wt％，更優選加入約0.1wt％-約0.25wt％的催化劑，還加入約0wt％-約0.75wt％，更優選約0.2wt％-約0.6wt％的表面活性劑。
在優選的實施方案中，底層填料密封劑包括環氧樹脂、線性聚酐、環狀聚酐、芯殼聚合物、催化劑和其它希望的成分，例如表面活性劑。底層填料可包括約25-約75wt％的環氧樹脂。優選，該底層填料包括約35wt％-約65wt％的環氧樹脂。該制劑還包括約2wt％-約40wt％的線性聚酐。更優選該底層填料包括約5-約30wt％的線性聚酐。該線性聚酐優選為小于50微米的粒子。該底層填料包括約0wt％-約45wt％的環狀聚酐。優選該底層填料包括約0wt％-約30wt％的環狀聚酐。芯-殼聚合物包括約1wt％-約15wt％的制劑。最優選，該底層填料包括約2wt％-約8wt％的芯-殼聚合物。最后，還可按照希望加入其它成分。在優選的制劑中，加入0.05wt％-約1.0wt％，更優選約0.1wt％-約0.25wt％的催化劑，還加入約0wt％-約0.75wt％，更優選約0.2wt％-約0.6wt％的表面活性劑。
參考下列實施例可更好地理解本發明。
實施例1.按照下列方式形成了三種不同的底層填料密封劑。在混合容器中稱重環氧樹脂。將芯殼聚合物加至該樹脂中，并低速混合5分鐘，直至其被摻入樹脂中。然后在高速下混合組合物1-2小時，直至組合物被精細分散。在Hegman磨削計上檢測該組合物，以確保沒有未分散的芯殼聚合物粒子。稱重另外的環氧樹脂并將其加至組合物中。加入添加劑，例如除氣劑和增粘劑，并用攪拌槳緩慢混合該組合物2分鐘，直至該組合物達到均勻。加入聚癸二酸酐，同時低速攪拌該組合物，并持續攪拌直至該組合物達到均勻。然后加入MHHPA，并混合該組合物10分鐘直至其均勻。停止混合器，將組合物從混合容器的側壁上刮下。最后，將催化劑加至該組合物中，并再混合5分鐘。該密封劑如表1所示。
表1.具有芯殼聚合物的底層填料密封劑
1EPPALOY 8230E(CVC Specialty Chemicals，Inc.)2ZX1059(Nippon Chemical Company)350％BLENDEX-415(ABS-使用時以14wt％的濃度預分散在1059ZX樹脂中)，和50％硅氧烷(Hanse Chemie-使用的是以40wt％濃度分散在雙酚A樹脂中形成的物質)4BTA-753(Rohm & Hass-使用時以8.16wt.％的濃度預分散在ZX1059樹脂中)5BYK A-5006硅烷A-187(Dow Corning)7對照-咪唑磷酸鹽，AMICURE 2PIP(Air Products)制劑A、B-CURIMID-CN(Shikoku，Air Products)對對照制劑和制劑A和B的性能特性進行了測試，結果如表2所示。
表2.底層填料密封劑的性能特性
表2清楚地顯示，含有芯殼聚合物的底層填料對硅片的粘附性、斷裂韌度、能量釋放速率和可靠性均大于不含芯殼聚合物的底層填料。
如圖3和4所，在不同的試驗循環中，在Ni-Au和OSP基底上，含有芯殼聚合物的底層填料的連續性等于或優于不含芯殼聚合物的底層填料。為了進行評價，對于兩個連續的試驗間隔，當電阻率增加20％或更大時則表示失效，該電阻率確定為全部測試試樣的平均電阻率。
表3.底層填料在Ni-Au基底上的可靠性
如表3所示，含有芯殼聚合物的所有制劑在至少379次循環后都產生良好的穩定性，而不含芯殼聚合物的制劑性能很差，而且通常僅在230次循環后就失效。
表4.底層填料在OSP基底上的可靠性
如表4所示，含有芯殼聚合物的所有制劑在至少1531次循環后都產生良好的穩定性，而不含芯殼聚合物的制劑僅在1136次循環后就失效。同樣地，如表5所示，制劑B通過至少1108次循環后仍提供良好的穩定性。
表5.底層填料在OSP基底上的可靠性
在不偏離本發明的精神和范圍的情況下可對本發明進行許多改變和變型，這對本領域熟練技術人員來說是顯而易見的。本文中描述的具體實施方案僅僅是以實施例的方式提供的，本發明只是通過所附權利要求，以及與這些權利要求相當的全部范圍來進行限定的。
權利要求
1.一種不流動的底層填料密封劑材料，其包括a)一種或多種環氧樹脂；b)一種或多種線性聚酐；c)一種或多種催化劑，和d)一種或多種芯殼聚合物。
2.權利要求1的不流動的底層填料密封劑，其中環氧樹脂選自3，4-環氧環己基甲基-3，4-環氧環己烷羧酸酯、乙烯基環己烯二氧化物、3，4-環氧-6-甲基環己基甲基-3，4-環氧環己烷羧酸酯、二環戊二烯二氧化物、雙酚A樹脂、2，2-雙(4-羥基苯基)丙烷-環氧氯丙烷共聚物、雙酚F型樹脂、環氧酚醛樹脂、聚(苯基縮水甘油醚)-共-甲醛、聯苯基型環氧樹脂、二環戊二烯-苯酚環氧樹脂、萘環氧樹脂、環氧官能化丁二烯丙烯腈共聚物、環氧官能化聚二甲基硅氧烷及其混合物。
3.權利要求2的不流動底層填料密封劑，其中環氧樹脂包括含有多于1.2個環氧基團或分子的雙酚-F環氧樹脂。
4.權利要求3的不流動的底層填料密封劑，其中環氧樹脂包括約25wt％-約75wt％的密封劑。
5.權利要求4的不流動的底層填料密封劑，其中環氧樹脂包括約35wt％-約65wt％的密封劑。
6.權利要求5的不流動的底層填料密封劑，其中環氧樹脂為雙酚A和雙酚F型環氧樹脂的混合物。
7.權利要求1的不流動的底層填料密封劑，其中線性聚酐包括聚癸二酸聚酐、聚壬二酸聚酐、聚己二酸聚酐或其混合物。
8.權利要求7的底層填料密封劑，其中線性聚酐包括聚癸二酸聚酐。
9.權利要求7的底層填料密封劑，其中線性聚酐包括約2wt％-約50wt％的密封劑。
10.權利要求9的底層填料密封劑，其中線性聚酐包括約5wt％-約35wt％的密封劑。
11.權利要求1的底層填料密封劑，其中催化劑為咪唑。
12.權利要求11的底層填料密封劑，其中對咪唑進行封端或保護以延遲反應性。
13.權利要求12的底層填料密封劑，其中催化劑選自1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、烷基取代的咪唑、三苯基膦、咪唑鎓鹽、咪唑磷酸鹽、鎓硼酸鹽、金屬螯合物及其混合物。
14.權利要求12的底層填料密封劑，其中催化劑包括約0.05wt％-約1wt％的密封劑。
15.權利要求14的底層填料密封劑，其中催化劑包括約0.1wt％-約0.25wt％的密封劑。
16.權利要求1的底層填料密封劑，其中芯殼聚合物選自丙烯腈-丁二烯-苯乙烯芯殼聚合物、甲基丙烯酸酯丁二烯苯乙烯芯殼聚合物、硅芯殼聚合物或其混合物。
17.權利要求16的底層填料密封劑，其中芯殼聚合物為丙烯腈-丁二烯-苯乙烯芯殼聚合物。
18.權利要求16的底層填料密封劑，其中芯殼聚合物包括約1wt％-約15wt％的密封劑。
19.權利要求18的底層填料密封劑，其中芯殼聚合物包括約2wt％-約8wt％的密封劑。
20.權利要求1的底層填料密封劑，其中密封劑還包括一種或多種表面活性劑、偶聯劑、反應稀釋劑、聚合物改性劑或其混合物。
21.權利要求20的底層填料密封劑，其中表面活性劑選自有機丙烯酸聚合物、硅氧烷、聚氧乙烯/聚氧丙烯嵌段共聚物、基于乙二胺的聚氧乙烯/聚氧丙烯嵌段共聚物、基于多元醇的聚氧化烯、基于脂肪醇的聚氧化烯、脂肪醇聚氧化烯烷基醚及其混合物。
22.權利要求20的底層填料密封劑，其中反應性稀釋劑選自對叔丁基苯基縮水甘油醚、烯丙基縮水甘油醚、甘油二縮水甘油醚、縮水甘油醚或烷基、丁二醇二縮水甘油醚及其混合物。
23.權利要求2的底層填料密封劑，其進一步包括環狀酸酐。
24.權利要求23的底層填料密封劑，其中環狀酸酐為脂環族酸酐。
25.權利要求24的底層填料密封劑，其中環狀酸酐選自甲基六氫鄰苯二甲酸酐、甲基四氫鄰苯二甲酸酐、順-內-5-降冰片烯-2，3-二甲酸酐、六氫鄰苯二甲酸酐、四氫鄰苯二甲酸酐、十二烷基琥珀酸酐、鄰苯二甲酸酐或其混合物。
26.權利要求25的底層填料密封劑，其中環狀酸酐包括約0wt％-約30wt％的密封劑。
27.權利要求24的底層填料密封劑，其中環氧樹脂包括約25wt％-約75wt％的密封劑。
28.權利要求28的底層填料密封劑，其中環氧樹脂包括約35wt％-約65wt％的密封劑。
29.權利要求27的不流動的底層填料密封劑，其中環氧樹脂選自3，4-環氧環己基甲基-3，4-環氧環己烷羧酸酯、乙烯基環己烯二氧化物、3，4-環氧-6-甲基環己基甲基-3，4-環氧環己烷羧酸酯、二環戊二烯二氧化物、雙酚A樹脂、2，2-雙(4-羥基苯基)丙烷-環氧氯丙烷共聚物、雙酚F型樹脂、環氧酚醛樹脂、聚(苯基縮水甘油醚)-共-甲醛、聯苯基型環氧樹脂、二環戊二烯-苯酚環氧樹脂、萘環氧樹脂、環氧官能化丁二烯丙烯腈共聚物、環氧官能化聚二甲基硅氧烷及其混合物。
30.權利要求29的不流動底層填料密封劑，其中環氧樹脂為雙酚A和雙酚F型環氧樹脂的混合物。
31.權利要求24的不流動底層填料密封劑，其中線性聚酐包括聚癸二酸聚酐、聚壬二酸聚酐、聚己二酸聚酐或其混合物。
32.權利要求31的底層填料密封劑，其中線性聚酐包括聚癸二酸聚酐。
33.權利要求32的底層填料密封劑，其中線性聚酐包括等于或小于50微米的粒子。
34.權利要求31的底層填料密封劑，其中線性聚酐包括約2wt％-約50wt％的密封劑。
35.權利要求34的底層填料密封劑，其中線性聚酐包括約5wt％-約35wt％的密封劑。
36.權利要求34的底層填料密封劑，其中催化劑為咪唑。
37.權利要求36的底層填料密封劑，其中對咪唑進行封端或保護以延遲反應性。
38.權利要求24的底層填料密封劑，其中催化劑選自1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、烷基取代的咪唑、三苯基膦、咪唑鎓鹽、咪唑磷酸鹽、鎓硼酸鹽、金屬螯合物及其混合物。
39.權利要求36的底層填料密封劑，其中催化劑包括約0.05wt％-約1wt％的密封劑。
40.權利要求39的底層填料密封劑，其中催化劑包括約0.1wt％-約0.25wt％的密封劑。
41.權利要求24的底層填料密封劑，其中密封劑還包括一種或多種表面活性劑、偶聯劑、活性稀釋劑、聚合物改性劑或其混合物。
42.權利要求41的底層填料密封劑，其中表面活性劑選自有機丙烯酸聚合物、硅氧烷、聚氧化乙烯/聚氧化丙烯嵌段共聚物、基于乙二胺的聚氧乙烯/聚氧丙烯嵌段共聚物、基于多元醇的聚氧化烯、基于脂肪醇的聚氧化烯、脂肪醇聚氧化烯烷基醚及其混合物。
43.權利要求41的底層填料密封劑，其中反應性稀釋劑選自對叔丁基苯基縮水甘油醚、烯丙基縮水甘油醚、甘油二縮水甘油醚、縮水甘油醚或烷基、丁二醇二縮水甘油醚及其混合物。
42.權利要求23的的底層填料密封劑，其中芯殼聚合物選自丙烯腈-丁二烯-苯乙烯芯殼聚合物、甲基丙烯酸酯丁二烯苯乙烯芯殼聚合物、硅芯殼聚合物或其混合物。
43.權利要求42的底層填料密封劑，其中芯殼聚合物為丙烯腈-丁二烯-苯乙烯芯殼聚合物。
44.權利要求42的底層填料密封劑，其中芯殼聚合物包括約1wt％-約15wt％的密封劑。
45.權利要求44的底層填料密封劑，其中芯殼聚合物包括約2wt％-約8wt％的密封劑。
全文摘要
一種可固化的底層填料密封劑組合物，其特別適用于不流動的底層填料密封方法。該組合物含有環氧樹脂、線性聚酐、芯殼聚合物和催化劑。在可選擇的實施方案中，該組合物還含有環狀酸酐。還可將各種添加劑，例如表面活性劑和偶聯劑加入到該組合物中。
文檔編號H01L23/29GK1732225SQ200380107868
公開日2006年2月8日 申請日期2003年10月31日 優先權日2002年11月6日
發明者J·P·沙 申請人:國家淀粉及化學投資控股公司