專利名稱：刻蝕后殘留聚合物的去除方法及刻蝕結構的形成方法
技術領域：
本發明涉及半導體制造技術領域，特別涉及一種刻蝕后殘留聚合物 的去除方法及刻蝕結構的形成方法。
背景技術：
隨著超大規模集成電路器件特征尺寸不斷地等比例縮小，集成度不 斷地提高，對可以完整地將掩膜圖形復制到襯底表面的刻蝕技術的要求
也越來越高。不但要求刻蝕的均勻性好；還要求刻蝕后形成的刻蝕結構 具有較好的側壁形狀。為此，現有的刻蝕過程中常需要產生一些附著于 側壁上的聚合物(polymer),其可以在刻蝕過程中防止發生^f黃向刻蝕， 形成具有較好的側壁形狀的刻蝕結構。
圖1至3是"i兌明現有的刻蝕方法的器件剖面示意圖。圖1為刻蝕前的器 件剖面示意圖，如圖1所示，在硅襯底101上生長介質層102，該介質層102 可以是氧化硅層，然后在介質層102的表面涂布光刻膠103，并光刻形成 刻蝕結構的圖形。
圖2為刻蝕后的器件剖面示意圖，如圖2所示，利用刻蝕工藝將未被 光刻膠保護的介質層102刻蝕去除。在刻蝕過程中，通常所用的刻蝕反應 氣體會包含CF4、 CF8、 C5F8、 C4F6、 CHF3中氣體中的一種，它們與光刻 膠、刻蝕生成物等會產生一定的結合，形成聚合物210,該聚合物210能 阻擋對側壁的刻蝕，增強刻蝕的方向性，從而實現對刻蝕結構的孔徑尺 寸的良好控制。
但是，這些聚合物在刻蝕完成后必須去除，否則將成為增加產品表 面缺陷密度的顆粒和污染物源，毀壞器件功能，影響器件的成品率和可
個關鍵步驟，其去除效果的好壞也備受關注。現有的去除刻蝕后殘留聚合物的方法主要有兩種， 一種是濕法清洗 的方法，另一種則是利用氧氣等離子體實現的清洗方法，但這兩種方法
都有不足的地方
對于濕法清洗的方法，是在刻蝕后利用特殊的化學溶劑對襯底進行 清潔以去除殘留的聚合物的方法，如通常可以用去光阻液(EKC)或標 準清洗液l (SC1)進行該種濕法清潔；但是，該種濕法清洗方法不僅實 現起來較為麻煩、成本較高，而且往往不能將殘留的聚合物完全去除干 凈，仍會殘留下部分難溶的聚合物微粒。圖3為采用現有的濕法清洗方法 去除殘留聚合物后的器件剖面圖，如圖3所示，在刻蝕完成后，若未能完 全去除聚合物，則在刻獨的溝槽內仍會殘留一些聚合物微粒310,這些殘 留聚合物微粒310—般都很小，甚至可以逃過正常的鏡檢進入后面的工藝 流程，但隨著工藝的進行，這些殘留的聚合物微粒往往會發生移動，在 襯底表面形成凝:粒缺陷，并最終對器件性能造成不可彌補的影響。
對于等離子體清洗方法，是在刻蝕完成后，采用含氧的氣體對襯底 進行等離子處理，以消除刻蝕溝槽內的聚合物的方法。但是，采用該等 離子體方法處理后常會出現刻蝕結構的孔徑變大的現象，影響到了對圖 形線寬的控制。圖4為采用現有的等離子體清洗方法去除殘留聚合物后的 器件剖面圖，如圖4所示，利用氧氣等離子體清洗后，在介質層102內形 成的刻蝕結構401的孔徑變大了。其原因在于，刻蝕后的聚合物中殘留了 大量的F—離子，當利用02進行等離子體處理時，該F—離子會與刻蝕結構 的側壁介質層發生進一步的刻蝕反應，結果導致刻蝕結構的孔徑變大， 影響了對圖形線寬的控制。
有關刻蝕后殘留聚合物的去除方法，在公開號為CN1848383的中國 專利申請中還包括了更多的信息。
發明內容
本發明提供一種刻蝕后殘留聚合物的去除方法，可以改善刻蝕后殘留聚合物的去除效果。
本發明還提供一種刻蝕結構的形成方法，其通過改善刻蝕后殘留聚 合物的去除效果而提高了刻蝕結構的形成質量。
本發明提供一種刻蝕后殘留聚合物的去除方法，包括步驟 提供刻蝕后的襯底；
利用含氫的氣體對所述襯底進行第 一等離子體處理； 利用含氧的氣體對所述襯底進行第二等離子體處理。 其中，所述含氫的氣體可以為氫氣；所述含氧的氣體可以為氧氣或 臭氣。
其中，所述第 一等離子體處理和所述第二等離子體處理過程中還通 入了載氣體，且所述載氣體至少包含氮氣、氬氣或氦氣中的一種。
其中，所述含氫氣體與所述載氣體的流量比在3: l至20: l之間。 其中，所述含氧氣體與所述載氣體的流量比在1: 30至1: IO之間。
其中，所述第一等離子體處理的功率在100W至800W之間，腔室 壓力在50至200mTorr之間，通入的含氫氣體的流量在50sccm至 800sccm之間。
其中，所述第二等離子體處理的功率在200W至600W之間，腔室 壓力在10至100mTorr之間，通入的含氧氣體的流量在5sccm至50sccm 之間。
本發明具有相同或相應技術特征的一種刻蝕結構的形成方法，包括 步驟
提供村底；
利用掩膜在所述襯底上形成刻蝕結構的圖案；
對所述襯底進行刻蝕，形成所述刻蝕結構；
利用含氫的氣體對所述刻蝕后的襯底進行第 一等離子體處理；利用含氧的氣體對所述刻蝕后的村底進行第二等離子體處理。
其中，所述第一等離子體處理和所述第二等離子體處理過程中還通 入了載氣體，且所述載氣體至少包含氮氣、氬氣或氦氣中的一種。
其中，所述含氫氣體與所述載氣體的流量比在3: l至20: l之間。 其中，所述含氧氣體與所述載氣體的流量比在1: 30至1: IO之間。 其中，所述刻蝕、第一等離子體處理和第二等離子體處理是利用同 一臺等離子體刻蝕設備完成。
與現有技術相比，本發明具有以下優點
本發明的刻蝕后殘留聚合物的去除方法，先利用第 一等離子體處理 中含氫的氣體破壞了殘留聚合物中的穩定的化學鍵，并將F—離子去除； 再利用第二等離子體處理中含氧的氣體將剩余的聚合物較為徹底地去
除。利用本發明的刻蝕后殘留聚合物的去除方法，不僅可以改善殘留聚 合物的去除效果，還可以有效防止因F-離子存在而引發的刻蝕結構的 孔徑變大的現象。
本發明的刻蝕結構的形成方法，在刻蝕后，進行了第一等離子體處 理和第二等離子體處理，在保持孔徑不變的前提下，較為徹底地去除了 刻蝕后殘留的聚合物，提高了刻蝕結構的形成質量。
圖1為刻蝕前的器件剖面示意圖2為刻蝕后的器件剖面示意圖3為采用現有的濕法清洗方法去除殘留聚合物后的器件剖面圖； 圖4為采用現有的等離子體清洗方法去除殘留聚合物后的器件剖面
圖5為采用本發明第一實施例的流程圖6為采用本發明第一實施例中去除殘留聚合物后的器件剖面圖；圖7為本發明第二實施例的雙鑲嵌刻蝕結構形成方法的流程圖； 圖8為本發明第二實施例中形成層間介質層后的器件剖面示意圖； 圖9為本發明第二實施例中形成通孔后的器件剖面圖； 圖10為本發明第二實施例中形成溝槽后的器件剖面示意圖； 圖11為本發明第二實施例中去除殘留聚合物后的器件剖面圖。
具體實施例方式
為使本發明的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂，下面結合 附圖對本發明的具體實施方式
做詳細的說明。
本發明的處理方法可以被廣泛地應用于各個領域中，并且可利用許 多適當的材料制作，下面是通過較佳的實施例來加以說明，當然本發明 并不局限于該具體實施例，本領域內的普通技術人員所熟知的一般的替 換無疑地涵蓋在本發明的保護范圍內。
其次，本發明利用示意圖進行了詳細描述，在詳述本發明實施例時， 為了便于說明，表示器件結構的剖面圖會不依一般比例作局部放大，不 應以此作為對本發明的限定，此外，在實際的制作中，應包含長度、寬 度及深度的三維空間尺寸。
本發明的刻蝕后殘留聚合物的去除方法，先利用含氫的等離子體氣 體對殘留聚合物中的F—離子進行了去除，然后，再利用含氧的等離子 體氣體對余下的聚合物進行去除。本發明的聚合物去除方法，還通過大 量實驗確定了較為合適的工藝條件，實現了對聚合物的較為徹底的去 除。圖5為本發明第一實施例的流程圖，下面結合圖5對本發明的第一 實施例進行詳細說明。
首先，提供刻蝕后的襯底(S501 )。本步中提供的刻蝕后襯底可以 是已刻蝕形成接觸孔、通孔等各類刻蝕結構的襯底，如，可以是刻蝕后 在層間介質層內形成通孔的襯底。本實施例中，該刻蝕后的襯底如圖2中所示，由硅襯底101和襯底上的介質層102組成，本實施例中，該介 質層102為氧化硅層。利用光刻膠103為掩膜在介質層102內形成了刻 蝕結構，為了確保刻蝕結構具有較好的側壁形狀，在刻蝕過程中需要產 生一定的附著于刻蝕結構側壁上的聚合物210。本實施例中，該刻蝕過 程中所用的刻蝕氣體至少包含了 CF3、 CF4、 CH2F2、 CHF3和C4Fs等碳 氟氣體中的一種。
在刻蝕后，必須要將這些聚合物210去除，否則其將成為顆粒污染 源，影響器件的成品率和可靠性。然而，這種在刻蝕過程中產生的聚合 物的成份相當復雜，具有很強的難以氧化和去除的碳氟鍵(C-F),難 以去除。為了能將刻蝕后殘留的聚合物210去除干凈，且對器件結構影 響不大，本實施例中，對該刻蝕后的襯底進行了兩次等離子體處理。
第 一次等離子體處理為利用含氫的氣體對所述襯底進行的第 一等 離子體處理(S502)。本實施例中所用的含氫氣體為氫氣(H2),其可以 打破聚合物中穩定的碳氟鍵(C-F)，將F—離子快速帶離，大大減少聚 合物中殘留的F—離子量。該第一等離體處理可以在室溫下進行，所用 的功率在IOOW至800W之間，如為300W、 600W等，處理的時間在5 秒至30秒之間，如為20秒，所通入的氫氣的流量在50sccm至800sccm 之間，如為500sccm，腔室的壓力保持在50至200mTorr之間，如為100 mTorr、 150 mTorr等。
第二次等離子體處理為利用含氧的氣體對所述襯底進行的第二等 離子體處理(S503 )。本實施例中，所用含氧氣體為氧氣(02)，在本發 明的其他實施例中，所用的含氧氣體還可以為臭氧(03)等其他含氧氣 體。該第二等離體處理可以在室溫下進行，所用的功率在100W至600W 之間，如為200W、 400W等，處理的時間在5秒至30秒之間，如為20 秒，所通入的氧氣的流量在5sccm至50sccm之間，如為10sccm 、 20sccm，腔室的壓力保持在10至100mTorr，如為15 mTorr、 50 mTorr等。
圖6為采用本發明第 一實施例中去除殘留聚合物后的器件剖面圖， 如圖6所示，采用本實施例的兩步等離子體處理的方法去除刻蝕后的殘 留聚合物后，形成的刻蝕結構601不僅維持了小孔徑，且所附著的聚合 物也被較好地去除了。
之所以采用本實施例中的聚合物去除方法可以達到上述效果是由 于在第一等離子體處理過程中已由氫氣帶走了大部分的F—離子，在進 行第二等離子體處理過程中，利用包括含氧氣體在內的等離子體去除余 下的聚合物時，不會再由于F—離子的存在而導致刻蝕結構的孔徑變大， 仍能保持原有的孔徑。
本實施例中，當刻蝕后形成的刻蝕結構的孔徑為104nm時，如果 直接采用傳統的氧氣等離子體進行聚合物的去除，則去除聚合物后的孔 徑變為了 108nm,對形成的圖形的尺寸有較大的影響；如果采用本發明 的兩步等離子體處理方法進行聚合物去除，則去除聚合物后的孔徑仍可 以保持不變，為104nm。
為了達到更好的去除效果，提高去除效率，在第一等離子體處理和 /或第二等離子體處理過程中，還可以通入載氣體，該載氣體通常為不 活潑的氣體，如氮氣、氬氣或氦氣等。本實施例中，在第一等離子體處 理過程中除了通入氫氣外，還通入了載氣體——氮氣，并將氫氣與氮氣 的流量比設置在3: l至20: l之間，如為10: 1。在第二等離子體處理 過程中除了通入氧氣外，還通入了載氣體一一氬氣，并將氧氣與氬氣的 流量比設置在l: 30至1: IO之間，如為1: 20。
利用本發明的刻蝕結構的形成方法還可以形成質量較好的刻蝕結 構，本發明的第二實施例以雙鑲嵌結構為例，說明了采用本發明的方法 形成具有較好質量的雙鑲嵌刻蝕結構的詳細過程。
圖7為本發明第二實施例的雙鑲嵌刻蝕結構形成方法的流程圖，圖8至12為說明本發明第二實施例的雙鑲嵌刻蝕結構形成方法的器件剖 面示意圖，下面結合圖7至12對本發明的第二實施例進行詳細說明。
首先，提供村底(S701)。因雙鑲嵌結構是用于形成層間金屬導線 連接的，在該襯底表面上應具有至少一處導電區域，且后面最終形成的 雙鑲嵌結構的底部是與該村底表面上的導電區域相連的，或者說，本發 明的雙鑲嵌結構是建立在襯底表面的部分導電區域之上的，以實現兩層 間的電連接。
然后，在該襯底上形成刻蝕停止層(S702)。該層是用于保護下面 的襯底材料的，要求其在刻蝕速率方面要低于其上的生長的介質層，以 防止后面刻蝕介質層發生過刻蝕時會損傷到下面的襯底材料。在0.13 微米以上的工藝中，該層一般采用氮化硅材料，而0.13微米以下的工藝 中，為了與低k值的介質材料更好地匹配，常改用含氧、氮的碳硅化合 物材料作為刻蝕停止層。本實施例中選用的是含氮的碳硅化合物。
接著，在刻蝕停止層上沉積層間介質層(S703 )。圖8為本發明第 二實施例中形成層間介質層后的器件剖面示意圖(圖中未示出襯底中的 導電區域)，如圖8所示，襯底801上為刻蝕停止層802，在其上又形成 了層間介質層803。對于高集成度、高速器件，為降低寄生電容，該介 質層必須選擇低k值的介質層，如利用化學氣相沉積方法形成的摻氟的 氧化硅(FSG), 4參碳的氧化硅(CDO)，未摻雜的氧化硅(USG)層，或 者采用旋涂的方式(SOD)利用液態的膠狀氧化硅基材料形成的多孔介 質層等。本實施例中選用的是具有低k值的化學氣相沉積方法制成的黑 鉆石(BD, Black Diamond)材料。
再接著，在介質層803上涂布光刻膠并進行圖形化處理，再以該光 刻膠為掩膜對介質層803進行刻蝕形成通孔(S704)。圖9為本發明第 二實施例中形成通孔后的器件剖面圖，如圖9所示，本步刻蝕工藝中， 為保持較好的側壁形狀，在通孔901的側壁處附著了一些刻蝕后的聚合物910。
本實施例中，是直接以光刻膠為掩膜對通孔進^f亍刻蝕的，在本發明 的其他實施例中，還可以在層間介質層803上再形成一層硬掩膜層(如 可以生長一層氮化硅層作為硬掩膜)，先對該硬掩膜進行圖形化處理， 再以其為掩膜對其下的層間介質層803進行刻蝕形成通孔；或者在對該 硬掩膜層進行圖形化后，再以光刻膠及該硬掩膜層一起作為掩膜進行通 孔的刻蝕，該硬掩膜層的存在，可以令形成的通孔邊緣形狀更好。
對于雙鑲嵌的刻蝕結構，形成通孔后，還要再進行圖形化處理并刻 蝕形成溝槽(S705)。圖IO為本發明第二實施例中形成溝槽后的器件剖 面示意圖，如圖IO所示，形成的溝槽IOOI下方的通孔901可以有一個 或多個，其是根據電路的功能設計安排每一個溝槽下所對應的通孔的情 況，通常至少會有一個。形成溝槽1001后，還需要將位于通孔901底 部的刻蝕停止層102去除，該步去除可以是濕法腐蝕去除也可以是干法 刻蝕去除，本實施例中，利用的是干法刻蝕的方法。
形成雙鑲嵌的刻蝕結構后，需要在其內填充金屬實現層間的電連 接，但是，如圖IO所示，在刻蝕形成雙鑲嵌的過程中，在溝槽1001及 通孔卯l內，存在大量的刻蝕后聚合物1010，如果不能將這些聚合物 IOIO去除，其會成為產品內部的顆粒污染源，影響后面填充金屬的質量， 進而影響到器件的電連接性能。為了能在保持雙鑲嵌結構的尺寸不變的 情況下，將各刻蝕結構(本實施例中的通孔和溝槽)內的聚合物1010 去除，本實施例中，在形成所需的刻蝕結構后，還進行了兩步等離子體 處理。
第 一次等離子體處理為利用含氫的氣體對所述襯底進行的第 一等 離子體處理(S706)。本實施例中所用的含氬氣體為氫氣(H2)，其可以 打破聚合物中穩定的C-F鍵，將F—離子快速帶離，大大減少聚合物中 殘留的F-離子量。該第一等離體處理可以在室溫下進行，所用的功率在300W至800W之間，如為400W、 600W等，處理的時間在5秒至 30秒之間，如為20秒，所通入的氫氣的流量在300sccm至800sccm之 間，如為500sccm，腔室的壓力保持在50至200mTorr,如為100mTorr、 150 mTorr等。
第二次等離子體處理為利用含氧的氣體對所述襯底進行的第二等 離子體處理(S707)。本實施例中，所用含氧氣體為臭氧(03)。在本發 明的其他實施例中，還可以是氧氣(02)等其他含氧氣體。該第二等離 體處理可以在室溫下進行，所用的功率在200W至600W之間，如為 300W、 400W等，處理的時間在5秒至30秒之間，如為20秒，所通入 的氧氣的流量在5sccm至50sccm之間，長口為10sccm 、 20sccm,月空室 的壓力保持在10至lOOmTorr,如為15mTorr、 50mTorr等。
圖11為本發明第二實施例中去除殘留聚合物后的器件剖面圖，如 圖11所示，采用本實施例的兩步等離子體處理的方法去除刻蝕后的殘 留聚合物后，形成的溝槽1001及其下的通孔901不僅保持了較小的孔 徑，且所附著的聚合物的去除效果也較好。
至此，形成了具有較好質量的雙鑲嵌的刻蝕結構。接著，可以在其 內填充金屬(通常為銅或鎢等)，形成層間的電連4妄。
同樣地，為了達到更好的去除效果，提高去除效率，在第一等離子 體處理和/或第二等離子體處理過程中，也可以通入載氣體，該載氣體 通常可為不活潑的氣體，如氮氣、氬氣或氦氣等。本實施例中，在第一 等離子體處理過程中除了通入氫氣外，還通入了載氣體一一氮氣，并將 氫氣與氮氣的流量比設置在3: l至20: l之間，如為10: 1。在第二等 離子體處理過程中除了通入氧氣外，還通入了載氣體—一氬氣，并將氧 氣與氬氣的流量比設置在1: 30至1: IO之間，如為1: 20。
本實施例中，用于去除聚合物的第一等離子體處理和第二等離子處 理是在形成溝槽后再進行的，在本發明的其他實施例中，還可以在形成通孔及溝槽后分別進行一次(每一次都包括第 一等離子體處理和第二等 離子體處理)。
本實施例中，先刻蝕形成了通孔，再刻蝕形成溝槽，在本發明的其 他實施例中，還可以先形成溝槽，再形成通孔，其去除聚合物的操作同 樣既可以在形成溝槽和通孔后各進行一次(每一次都包括第 一等離子體 處理和第二等離子體處理)，也可以僅在形成通孔后進行。
本實施例中，S705中的刻蝕形成溝槽、S706中的第一等離子體處 理和S707中的第二等離子體處理均在同一臺等離子體刻蝕設備中原位 (in suit)完成的，在本發明的其他實施例中，也可以在刻蝕形成溝槽 后(此時，所用的刻蝕設備不一定為等離子體刻蝕設備)，再利用其他 等離子體設備進行第 一等離子體處理和第二等離子體處理，如等離子體 灰化設備等。
本發明的第二實施例是以雙鑲嵌刻蝕結構為例，說明了本發明刻蝕 結構的形成方法，在本發明的其他實施例中，還可以對其他更簡單、或 更復雜的刻蝕結構進行類似的去除聚合物的處理，以得到具有較好質量 的刻蝕結構。在本發明上述兩個實施例的啟示下，這一應用上的延伸對 于本領域的普通技術人員而言是易于理解和實現的，在此不再贅述。
本發明雖然以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發明， 任何本領域技術人員在不脫離本發明的精神和范圍內，都可以做出可能 的變動和修改，因此本發明的保護范圍應當以本發明權利要求所界定的 范圍為準。
權利要求
1、一種刻蝕后殘留聚合物的去除方法，其特征在于，包括步驟提供刻蝕后的襯底；利用含氫的氣體對所述襯底進行第一等離子體處理；利用含氧的氣體對所述襯底進行第二等離子體處理。
2、 如權利要求1所述的去除方法，其特征在于所述含氫的氣體 為氫氣。
3、 如權利要求1所述的去除方法，其特征在于所述含氧的氣體 為氧氣或臭氣。
4、 如權利要求1所述的去除方法，其特征在于所述第一等離子 體處理和所述第二等離子體處理過程中還通入了載氣體。
5、 如權利要求4所述的去除方法，其特征在于所述載氣體至少 包含氮氣、氬氣或氦氣中的一種。
6、 如權利要求4所述的去除方法，其特征在于所述含氫氣體與 所述載氣體的流量比在3: 1至20: 1之間。
7、 如權利要求4所述的去除方法，其特征在于所述含氧氣體與 所述載氣體的流量比在l: 30至1: IO之間。
8、 如權利要求4所述的去除方法，其特征在于所述第一等離子 體處理的功率在IOOW至800W之間。
9、 如權利要求4所述的去除方法，其特征在于所述第一等離子 體處理的腔室壓力在50至200mTorr之間。
10、 如權利要求4所述的去除方法，其特征在于所述第一等離子 體處理中通入的含氫氣體的流量在50sccm至800sccm之間。
11、 如權利要求4所述的去除方法，其特征在于所述第二等離子 體處理的功率在200W至600W之間。
12、 如權利要求4所述的去除方法，其特征在于所述第二等離子體處理的腔室壓力在10至100mTorr之間。
13、 如權利要求4所述的去除方法，其特征在于所述第二等離子 體處理中通入的含氧氣體的流量在5sccm至50sccm之間。
14、 一種刻蝕結構的形成方法，其特征在于，包括步驟 提供襯底；利用掩膜在所述襯底上形成刻蝕結構的圖案； 對所述村底進行刻蝕，形成所述刻蝕結構； 利用含氫的氣體對所述刻蝕后的襯底進行第 一等離子體處理； 利用含氧的氣體對所述刻蝕后的襯底進行第二等離子體處理。
15、 如權利要求14所述的形成方法，其特征在于所述第一等離 子體處理和所述第二等離子體處理過程中還通入了載氣體。
16、 如權利要求15所述的形成方法，其特征在于所述載氣體至 少包含氮氣、氬氣或氦氣中的一種。
17、 如權利要求15所述的形成方法，其特征在于所述含氫氣體 與所述載氣體的流量比在3: 1至20: 1之間。
18、 如權利要求15所述的形成方法，其特征在于所述含氧氣體 與所述載氣體的流量比在1: 30至1: IO之間。
19、 如權利要求14所述的形成方法，其特征在于所述刻蝕、第 一等離子體處理和第二等離子體處理是利用同 一臺等離子體刻蝕設備 完成。
全文摘要
本發明公開了一種刻蝕后殘留聚合物的去除方法，包括步驟提供刻蝕后的襯底；利用含氫的氣體對所述襯底進行第一等離子體處理；利用含氧的氣體對所述襯底進行第二等離子體處理。本發明的聚合物去除方法在避免刻蝕結構的孔徑變大的前提下，改善了刻蝕后殘留聚合物的去除效果。本發明還公開了一種刻蝕結構的形成方法，其通過兩次等離子體處理，形成了質量較好的刻蝕結構。
文檔編號H01L21/70GK101303966SQ20071004059
公開日2008年11月12日 申請日期2007年5月10日 優先權日2007年5月10日
發明者乒 劉, 尹曉明, 馬擎天 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司