專利名稱：磁場產生裝置及其制造方法
技術領域：
本發明涉及磁場產生裝置及其制造方法，更為特定地是涉及MRI用磁場產生裝置及其制造方法。
背景技術：
目前，MRI用的磁場產生裝置，在發貨前預先充分調整磁場強度及磁場均勻性之后，再用集裝箱(container)等運輸到設置場所。
可是，有時會發生這樣的情況盡管下了這樣的工夫，但在到達放置地點之時，磁場強度降低，或者磁場的均勻性超過基準值而惡化，必須再次調整磁場產生裝置。
特別是，使用泄露磁通防止用磁鐵減少泄露磁通的同時，使從主磁鐵產生的磁通集中到中心部分的磁場產生裝置中，該傾向更為顯著。而且，在用集裝箱包裝運輸的情況下，或為提高攝像速度最近被廣泛使用的磁場強度比較大的(中心磁場強度0.25T以上)裝置中，該傾向明顯。
因此，本發明的主要目的在于提供能夠抑制在運輸后磁場強度的降低及磁場均勻性的惡化的磁場產生裝置及其制造方法。
發明內容
根據本發明的觀點，提供一磁場產生裝置，其具有形成空隙，被相向配置且包括R-Fe-B類磁鐵的一對第一磁鐵及支撐一對第一磁鐵的磁軛；R-Fe-B類磁鐵的磁化率為80％以上99.9％以下。
這里所稱“磁化率”為常溫(25℃)中的磁化率。
本發明中，通過將R-Fe-B類磁鐵(R為含釔(Y)稀土類元素、Fe為鐵、B為硼)的最終磁化率抑制在80％以上99.9％以下，可以不損害固有矯頑磁力地抑制因組裝了的磁場產生裝置的經過時間或者溫度上升等環境因素引起的減磁。因此，可以抑制磁場產生裝置在運輸后磁場強度的降低及磁場均勻度的惡化，磁場產生裝置在達到放置場所時可以保持高度的磁場均勻度。
另外，如果R-Fe-B類磁鐵的最終磁化率不足80％，那么不能充分發揮該磁鐵的磁力特性，磁鐵使用量變多，效率變差。另一方面，在該最終的磁化率超過99.9％的狀態下如果使用該磁鐵，那么，由于運輸時的溫度變化等，該磁鐵的減磁會變大。
本發明適于如下情況還具有設置于一對第一磁鐵相對面一側的磁極板，磁極板包括環狀突起和設置于環狀突起的外側面上設置的泄露磁通防止用第二磁鐵。一般地，通過設置泄露磁通防止用的第二磁鐵，可以減少泄露磁通，但是，其反面則容易使作為主磁鐵的第一磁鐵減磁。不過，在本發明中，通過預先抑制第一磁鐵包含的R-Fe-B類磁鐵的磁化率，即使再設置泄露磁通防止用的第二磁鐵，第一磁鐵也并不受第二磁鐵的影響，可以抑制住磁場產生裝置磁場強度的變化及磁場均勻度的惡化。而且，如果組裝泄露磁通防止用的第二磁鐵之后對磁場產生裝置實施加溫處理，可以進一步抑制隨后的磁場強度的變化或磁場均勻度的惡化。
另外，本發明適于R-Fe-B類磁鐵實質上不包含Co及/或Dy的情況。R-Fe-B類磁鐵如果不包含鈷(Co)及/或鏑(Dy)，則固有矯頑磁力變小，易于產生熱減磁，對于逆磁場轉弱，在各自的情況下磁場強度或磁場均勻度變得容易發生變化。不過，在本發明中，通過預先抑制R-Fe-B類磁鐵最終的磁化率，即使使用不含昂貴元素的Co或Dy的磁鐵，也能夠抑制磁場強度的變化及磁場均勻度的惡化。
另外，在本發明中所謂“實質上不包含”，是指重量比率在0.1wt％以下。
再有，本發明適于所需磁場強度的均勻度為100ppm以內(均勻磁場空間中，空間內的各點對于中心磁場強度(基準磁場強度)具有±50ppm的磁場強度)的情況。在該發明中，因為能夠抑制磁場強度的變化或磁場均勻度的惡化，即使在誤差要求100ppm以內這樣高精度的磁場強度的情況下，也容易將磁場強度的誤差抑制在上述范圍內。
本發明適于磁場產生裝置由集裝箱運輸的情況。例如用沒有空調的集裝箱運輸磁場產生裝置時，由于集裝箱內的溫度有時上升至70℃左右，故容易招致磁場強度的變化及磁場均勻度的惡化。不過，在本發明中，即使在由這種集裝箱運輸的情況下，也能夠抑制住磁場強度的變化及磁場均勻度的惡化。
另外，本發明適于在均勻磁場空間具有0.25T以上的磁場強度的情況。因為減磁以％單位進行，所以磁場強度越大，磁場強度的變化量就越大。因此，在均勻磁場空間的磁場強度例如有0.25T以上之大的情況下，磁場強度的變化量也變大。不過，在本發明中，即使像這樣在磁場強度較大的情況下，也能夠抑制磁場強度的變化。
所謂“均勻磁場空間”，指磁場強度的差在100ppm以內的磁場空間。
根據本發明的另一觀點，提供一種磁場產生裝置的制造方法，其具有組裝包括R-Fe-B類磁鐵的磁場產生裝置的第一工序及以40℃以上70℃以下的溫度加溫組裝了的磁場產生裝置整體的第二工序。
在本發明中，通過使用磁化率超過99.9％的磁鐵并在組裝了磁場產生裝置之后，加溫磁場產生裝置整體，預先減磁磁場產生裝置所包含的磁鐵，抑制磁化率。這樣，例如即使發生溫度上升等環境因素的變化，由磁場產生裝置產生的磁場也會長時間穩定，從而可以抑制住磁場產生裝置在運輸后磁場強度的降低及磁場均勻度的惡化，磁場產生裝置在到達放置場所時能夠保持高度的磁場精度。
根據本發明的另一觀點，提供一種磁場產生裝置的制造方法，其具有將包括R-Fe-B類磁鐵的磁鐵固定于板狀磁軛，組裝磁極單元的第一工序、以40℃以上70℃以下的溫度加溫組裝了的磁極單元的第二工序、及將加溫了的磁極單元固定于支撐磁軛的第三工序。
在本發明中，通過在組裝磁極單元之后加溫磁極單元整體，來預先減磁磁極單元所包含的磁鐵，抑制磁化率。在使用該磁極單元組裝的磁場產生裝置中，磁場長時間穩定，可以抑制住磁場產生裝置在運輸后磁場強度的降低及磁場均勻度的惡化。另外，與加溫磁場產生裝置整體的情況相比，加溫空間狹窄，但足夠。
再有，根據本發明的另一觀點，提供一種磁場產生裝置的制造方法，其具有形成包括R-Fe-B類磁鐵的磁鐵的第一工序、以40℃以上70℃以下的溫度加溫磁鐵的第二工序、磁化加溫了的磁鐵的第三工序、以及將磁化了的磁鐵固定于板狀磁軛的第四工序。
在本發明中，通過在磁鐵階段加溫后進行磁化，來抑制磁鐵的磁化率。在使用該磁鐵組裝的磁場產生裝置中，磁場長時間穩定，可以抑制住磁場產生裝置在運輸后磁場強度的降低及磁場均勻度的惡化。另外，與加溫磁場產生裝置整體或磁極單元的情況相比，加溫空間狹窄也可以，能夠使用小型的加溫裝置。
根據本發明的另一觀點，提供一種磁場產生裝置的制造方法，其具有形成包括R-Fe-B類磁鐵的磁鐵的第一工序、以超過99.9％的磁化率磁化磁鐵的第二工序、使磁化了的磁鐵減磁至80％以上99.9％以下的磁化率的第三工序、及將減磁了的磁鐵固定于板狀磁軛的第四工序。
在本發明中，通過以超過99.9％的磁化率磁化磁鐵之后進行減磁，來抑制磁鐵的磁化率。在使用該磁鐵組裝的磁場產生裝置中，磁場長時間穩定，可以抑制住磁場產生裝置在運輸后磁場強度的降低及磁場均勻度的惡化。另外，因為根據磁鐵的狀態能夠進行處理，所以作業效率好。
圖1為表示本發明一實施方式的立體圖。
圖2為表示圖1實施方式關鍵部位的示意圖。
圖3為表示用于本發明的永久磁鐵組一例子的立體圖。
圖4為表示用于本發明的磁化裝置一例子的示意圖。
圖5為表示用于本發明的加溫裝置一例子的示意圖。
圖6為表示永久磁鐵的磁場強度隨時間變化的圖表。
圖7為表示因永久磁鐵的磁場強度的溫度上升產生變化的圖表。
圖8(a)表示具有泄露磁通防止用磁鐵的磁場產生裝置的磁通分布；圖8(b)表示沒有泄露磁通防止用磁鐵的磁場產生裝置的磁通分布。
具體實施例方式
下面，參照
本發明的實施方式。
參照圖1及圖2，本方面的一實施方式MRI用磁場產生裝置10為開放式的MRI用磁場產生裝置，包括形成空隙相對配置的一對磁極單元11a及11b。
磁極單元11a及11b分別具有板狀磁軛12a及12b。一對板狀磁軛12a及12b各自的相對面一側配置有永久磁鐵組14a及14b，在永久磁鐵組14a及14b各自的相對面一側固定有磁極板16a及16b。
從圖3知道，永久磁鐵組14a及14b包括長方體狀的多個永久磁鐵18。永久磁鐵18采用了實質上不包含例如NEOMAX-47(住友特殊金屬株式會社制)等的Co及/或Dy的高磁通密度型的R-Fe-B類磁鐵，例如將常溫下的磁化率設定在80％以上99.9％以下。作為一個例子，永久磁鐵18如果磁化率在100％時的磁通密度為0.3824T的磁鐵，那么會被磁化到磁通密度為0.3820T。永久磁鐵18可以通過組裝磁鐵單體(未圖示)來獲得。
磁極板16a包括配置于永久磁鐵組14a上的例如由鐵制成的圓板狀的底座20。底座20上形成有用于防止渦電流的產生的硅鋼板22。硅鋼板22用粘接劑固定在底座20上。底座20的周緣部位，形成有例如由鐵制成，用于提高周緣部位的磁場強度，獲得均勻磁場的環狀突起24。環狀突起24包括多個環狀突起片26，通過將各環狀突起片26固定在硅鋼板22的周緣部位而形成環狀突起24。
各環狀突起24的外側面上設置有泄露磁通防止用的永久磁鐵28。永久磁鐵28采用了NEOMAX-39SH(住友特殊金屬株式會社制)等的高矯頑磁力型的R-Fe-B類磁鐵，例如將常溫下的磁化率設定在80％以上99.9％以下。作為一個例子，永久磁鐵28如果磁化率在100％時的磁通密度為0.3824T的磁鐵，那么會被磁化到磁通密度為0.3820T。永久磁鐵28可以通過組裝磁鐵單體(未圖示)來獲得。
通過永久磁鐵28可以將磁通誘導至磁極板16a、16b間，減少泄露磁通。為了磁通不從永久磁鐵28的底部發生泄露，永久磁鐵28的下部優選延長至永久磁鐵28的底部大約連接在永久磁鐵組14a上(接近于5mm以下)。這樣，在永久磁鐵28與永久磁鐵組14a接近的情況下，易產生減磁。關于磁極板16b也是同樣的。
如圖2所示，下側的磁極板16a上的永久磁鐵28的磁化方向A1與永久磁鐵組14a的各永久磁鐵18的磁化方向B1不同，朝向內部。其永久磁鐵28的磁化角度θ1表示對于永久磁鐵組14a的主面30a(水平方向)，永久磁鐵28的磁化方向A1構成的角度。上側的磁極板16b上的永久磁鐵28的磁化方向A2與永久磁鐵組14b的各永久磁鐵18的磁化方向B2不同，朝向外部。其永久磁鐵28的磁化角度θ2表示對于永久磁鐵組14b的主面30b(水平方向)，永久磁鐵28的磁化方向A2構成的角度。
另外，板狀磁軛12a及12b上，分別形成有多個貫通孔32a及32b；在永久磁鐵組14a及14b上，分別在與貫通孔32a及32b對應的位置形成貫通孔34a及34b。進而，在磁極板16a及16b的各底座20上，分別在與貫通孔34a及34b對應的位置形成有螺絲孔36a及36b。
而且，磁極板固定用的固定螺栓38a插入并通過貫通孔32a及34a，即，通過貫通板狀磁軛12a及永久磁鐵組14a，并擰入螺絲孔36a，磁極板16a被固定在永久磁鐵組14a的主面上。同樣地，磁極板固定用的固定螺栓38b插入并通過貫通孔32b及34b，即，通過貫通板狀磁軛12b及永久磁鐵組14b，并擰入螺絲孔36b，磁極板16b被固定在永久磁鐵組14b的主面上。
板狀磁軛12a及12b通過一張板狀的支撐磁軛40被磁結合起來。即，支撐磁軛40連接在板狀磁軛12a及12b上，分別地，板狀磁軛12a的一端邊緣側上面位于支撐磁軛40的下端面上，而支撐磁軛40的上端面，位于板狀磁軛12b的一端邊緣側下面。因此，板狀磁軛12a及12b與支撐磁軛40，其連接部位有大約90度的角度，從側面看成“コ”狀連接著。
參照圖1，板狀磁軛12a和支撐磁軛40的連接部位內面一側中，在離永久磁鐵組14a最遠的位置(此實施方式中板狀磁軛12a和支撐磁軛40的連接部位內面一側的兩端)上分別形成有加強構件42。同樣地，板狀磁軛12b和支撐磁軛40的連接部位內面一側中，在離永久磁鐵組14b最遠的位置(此實施方式中板狀磁軛12b和支撐磁軛40的連接部位內面一側的兩端)上分別形成有加強構件42。因此，通過加強構件42，板狀磁軛12a和支撐磁軛40、板狀磁軛12b和支撐磁軛40分別被更強固地固定起來。
另外，在板狀磁軛12a的下面，安裝有四個腳部44。
在這種磁場產生裝置10中，均勻磁場空間F(參照圖2)例如要求有0.25T以上的磁場強度。
接下來，說明磁場產生裝置10的制造方法。
使用例如如圖4所示那樣的磁化裝置50磁化或者減磁作為主磁鐵的永久磁鐵18及作為泄露磁通防止用磁鐵的永久磁鐵28。磁化裝置50具有磁化線圈52，配置在載置臺54上的永久磁鐵18或28插入到磁化線圈52內。磁化電源58通過切換開關56與磁化線圈52連接。因此，磁化裝置50通過切換開關56的動作，可以切換磁化和減磁。
另外，使用例如如圖5所示的加溫裝置60加溫永久磁鐵18及28。加溫裝置60具有加溫槽62，加溫槽62內的上部及下部分別設置有加熱器64。加熱器64通過溫度控制裝置66得到控制。而且，永久磁鐵18及28從加溫槽62的入口到出口通過傳送帶68來搬送。永久磁鐵18(28)在加溫槽62內被升溫。
制造方法1說明加熱磁場產生裝置10整體的情況。
首先，組裝磁場產生裝置10整體。此時，使用例如如圖4所示的磁化裝置50以超過99.9％的磁化率磁化永久磁鐵18及28。這里，所謂的“磁化率超過99.9％的磁化”，是說磁化大約飽和的狀態。通常，在施加磁鐵的矯頑磁力的3倍以上的磁場時達到該狀態。
然后，通過加熱器加熱能夠裝下磁場產生裝置10的房間，使其整體達到均勻溫度，在該房間內裝入磁場產生裝置10進行加熱減磁。磁場產生裝置10例如加熱到40℃以上70℃以下這樣的期望溫度。如果在該溫度范圍內，可以將永久磁鐵18或28常溫下的磁化率設定在80％以上99.9％以下，根據期望的磁化率設定溫度。隨后，進行最終磁場調整。
根據該制造方法，組裝磁場產生裝置10整體后，進行加溫處理，將永久磁鐵18、28的磁化率抑制在80％以上99.9％以下，通過這樣，可以減少隨后的因時間經過或溫度上升引起的減磁，可以抑制磁場產生裝置10在運輸后的磁場強度降低以及磁場均勻度的惡化。
特別是，泄露磁通防止用的永久磁鐵28使作為主磁鐵的永久磁鐵18減磁，但是，根據該方法，加溫具有永久磁鐵18及28的磁場產生裝置10，在減磁永久磁鐵18及28后，進行最終磁場調整，所以，隨后的磁場均勻度的劣化少，可以抑制由泄露磁通防止用的永久磁鐵28產生的影響。
因此，磁場產生裝置10即使在運輸中達到了高溫度，在到達放置場所時間點上，仍可保持高磁場均勻度。
而且，為加溫磁場產生裝置10，預先將加熱器埋入板狀磁軛12a及12b等中，這樣，也可以使磁場產生裝置10從內部升溫。這種情況下，優選用海綿等隔熱材料覆蓋磁場產生裝置10整體。
制造方法2關于加溫磁極單元11a的情況說明如下。
首先，組裝磁極單元11a。此時，使用例如如圖4所示的磁化裝置50以超過99.9％的磁化率磁化永久磁鐵18及28。
然后，通過加熱器加熱能夠裝下磁極單元11a的房間，使其整體達到均勻溫度，在該房間內裝入磁極單元11a進行加熱減磁。磁極單元11a與前面制造方法1同樣，根據期望的磁化率(從80％以上99.9％以下中選擇)，例如加熱到40℃以上70℃以下溫度。關于磁極單元11b，進行同樣處理。
隨后，將磁極單元11a、11b固定于支撐磁軛40，得到磁場產生裝置10后，在工廠發貨前最終進行磁場均勻度的調整。
根據該制造方法，通過加溫處理組裝后的磁極單元11a、11b，可以抑制使用了磁極單元11a、11b的磁場產生裝置在運輸后的磁場強度的降低以及磁場均勻度的惡化。特別是，泄露磁通防止用的永久磁通28易于給作為主磁鐵的永久磁鐵18以影響，但是，根據該方法，加溫具有永久磁鐵18及28的磁極單元，在減磁永久磁鐵18及28之后，進行最終磁場調整，所以，隨后的磁場均勻度的惡化少，也可以抑制泄露磁通防止用的永久磁通28造成的影響。另外，與組裝磁場產生裝置10整體后加溫的情況相比，加溫空間狹窄也可以。
制造方法3關于組裝永久磁鐵18，在升溫之后磁化的情況說明如下。
在該情況，組裝永久磁鐵18后，粘接在板狀磁軛12a及12b上之前進行以下工序。
首先，將永久磁鐵18放入例如圖5所示的加溫裝置60的加溫槽62內，加溫至永久磁鐵18整體達到均勻例如60℃溫度。而且，永久磁鐵18能夠以例如40℃以上70℃以下這樣的期望溫度加溫。從加溫槽62中取出被加溫了的永久磁鐵18，用例如圖4所示的磁化裝置50對永久磁鐵18瞬間地施加高磁場(3T以上)，以80％以上99.9％以下的磁化率磁化永久磁鐵18。因為高溫時比低溫時磁化率降低，所以，在高溫狀態下磁化永久磁鐵18，結果與在磁化后熱減磁永久磁鐵18(參照后述的制造方法5)是一樣的。
關于永久磁鐵28，也進行同樣處理。
隨后，將永久磁鐵18及28固定于板狀磁軛12a、12b上，組裝磁場產生裝置10。
根據該制造方法獲得的使用了永久磁鐵18及28的磁場產生裝置10，可以抑制在運輸后磁場強度的降低以及磁場均勻度的惡化。另外，比起加溫磁場產生裝置10整體或磁極單元11a、11b的情況，加溫空間也可以狹小，可以使用小型的加溫裝置60。
另外，永久磁鐵一旦磁化，磁力就起作用，吸引力和抵抗力相互作用，所以將加溫了的永久磁鐵固定在板狀磁軛12a、12b上的部分按順序磁化、使用，從安全面上為優選。
制造方法4關于組裝永久磁鐵18，在磁化了之后施加逆磁場進行減磁的情況，說明如下。
在該情況，組裝永久磁鐵18后，粘接在板狀磁軛12a、12b上之前進行以下工序。
首先，對永久磁鐵18瞬間地施加高磁場(3T以上)，以超過99.9％的磁化率磁化之后，對被磁化了的永久磁鐵18施加逆磁場(0.01T～2T)使其減磁，將磁化率抑制在80％以上99.9％以下。永久磁鐵18的磁化及減磁，例如使用圖4所示的磁化裝置50進行。
關于永久磁鐵28，也進行同樣處理。
隨后，將永久磁鐵18及28固定于板狀磁軛12a、12b上，組裝磁場產生裝置10。
根據該制造方法獲得的使用了永久磁鐵18及28的磁場產生裝置10，可以抑制在運輸后磁場強度的降低以及磁場均勻度的惡化。另外，根據該方法，因為不是加溫引起的減磁，所以，可以在短時間內結束，工作效率高。
制造方法5關于組裝永久磁鐵18，在磁化了之后進行減磁的情況，說明如下。
在該情況，組裝永久磁鐵18后，粘接在板狀磁軛12a、12b上之前進行以下工序。
首先，對永久磁鐵18，使用例如圖4所示的磁化裝置50瞬間地施加高磁場(3T以上)，以超過99.9％的磁化率磁化。將被磁化了的永久磁鐵18裝入設置了加熱器的爐子(40℃～70℃)內，使其熱減磁，將磁化率抑制在80％以上99.9％以下。
關于永久磁鐵28，也進行同樣處理。
將永久磁鐵18及28固定于板狀磁軛12a、12b上，組裝磁場產生裝置10。
根據該制造方法獲得的使用了永久磁鐵18及28的磁場產生裝置10，可以抑制在運輸后磁場強度的降低以及磁場均勻度的惡化。
另外，作為上述制造方法以外的方法，也可以在與原來磁化方向相反的方向上將永久磁鐵稍微磁化之后，進行本磁化從而獲得期望的磁化率。在該情況下，相反方向的磁化率越大，越必須將隨后的正方向的磁化磁場加大。
再者，作為減磁的方法，也可以對磁場產生裝置10整體或磁極單元11a、11b實施逆磁場減磁。
附帶地，參照圖6就關于永久磁鐵的一實驗例子進行說明。
這里，作為永久磁鐵使用NEOMAX-47，關于加溫處理(100％磁化后在50℃維持24小時)永久磁鐵的情況和不加溫處理的情況，比較磁場強度的隨時間變化。
加溫處理過的永久磁鐵的磁化率設定為99％，未加溫處理過的永久磁鐵的磁化率設定為100％。而且，在實驗中，永久磁鐵無逆磁場，溫度保持在32℃。
從圖6可知，加溫處理過的情況比未加溫處理的情況，可以大幅度減小磁場強度的變化率。
下面，參照圖7說明其它實驗例子。
這里，作為永久磁鐵使用NEOMAX-47，關于將永久磁鐵55℃加溫處理的情況和進行逆磁場減磁處理的情況、加溫處理以及逆磁場減磁處理都不進行的情況，比較磁場強度對于溫度上升的變化。
“55℃加溫處理”將永久磁鐵100％磁化后在55℃保持兩個小時，磁化率定為99.9％。“逆磁場減磁處理”將永久磁鐵100％磁化后，為表面磁場強度與55℃加溫處理的情況達到同等，一邊提高逆磁場一邊減磁。
從圖7可知，55℃加溫處理的情況及逆磁場減磁處理的情況，比起不進行這些處理的情況，磁場強度相對于溫度上升的變化率大幅度減小。
再有，55℃加溫處理的情況比起逆磁場減磁處理的情況，磁場強度相對于溫度上升的變化率減小。這是因為加溫處理對于永久磁鐵整體均勻地起作用，但是逆磁場減磁處理難以使逆磁場進行的減磁相對于永久磁鐵均勻地起作用。
從圖6及圖7的結果可知，如果將加溫處理或逆磁場減磁處理后的永久磁鐵作為主磁鐵及/或泄露磁通防止用磁鐵使用，就可以抑制因主磁鐵或泄露磁通防止用磁鐵的經過時間變化或溫度上升產生的減磁，可以抑制組裝磁場產生裝置后的磁場強度的變化或磁場均勻度的降低。
另外，圖8表示磁場產生裝置的磁通分布。
圖8(a)表示具有泄露磁通防止用磁鐵的磁場產生裝置的磁通分布；圖8(b)表示沒有泄露磁通防止用磁鐵的磁場產生裝置的磁通分布。圖8(a)的情況下的中心磁場強度為0.262T；圖8(b)的情況下的中心磁場強度為0.215T。
比較圖8(a)和圖8(b)可知，在使用泄露磁通防止用磁鐵的情況下，將磁通誘導至磁極板間，另一方面，泄露磁通防止用磁鐵外側的變稀疏。換言之，可以說泄露磁通防止用磁鐵和永久磁鐵組互相抵觸，處于易于減磁的狀態。因此，在使用了泄露磁通防止用磁鐵的磁場產生裝置中，通過溫度上升，磁場強度或其分布變得更加易于變化。所以，如果將本發明用于使用了泄露磁通防止用磁鐵的磁場產生裝置中，可以起到抑制磁場均勻度的劣化的明顯效果。
另外，用于永久磁鐵18或28的R-Fe-B類磁鐵，比起鐵氧磁鐵或Sm-Co磁鐵，在比較低的溫度下熱減磁易于產生，但是如上述實施方式，通過預先抑制R-Fe-B類磁鐵的磁化率，可以抑制住熱減磁。
在要求永久磁鐵18有高殘留磁通密度的情況下，如上所述，使用實質上不包含Co的三元系R-Fe-B類磁鐵。該情況下，比起含有Co的永久磁鐵，由于熱減磁變大，故采用上述的實施方式的效果大。另外，在使用實質上不包含Dy的磁鐵的情況下，采用上述的實施方式的效果也大。
并且，因為能夠抑制磁場強度的變化或磁場均勻度的惡化，所以，在空隙中，即使在需要均勻磁場空間F即磁場強度的誤差在100ppm以內的磁場空間的情況下，也易于將磁場強度的誤差抑制在上述范圍內。
再有，即使在例如通過空調不充分的集裝箱運輸磁場產生裝置的情況下，也能夠抑制磁場強度的變化及磁場均勻度的惡化。
而且，即使在均勻磁場空間F的磁場強度例如大至0.25T以上，變化量容易增大的情況下，也能夠抑制住磁場強度的變化。
本發明雖然被詳細說明，并且圖示出來，但是那是作為簡單的圖解及一實例使用的，不應被理解為僅限定于此是明顯的。本發明的精神及范圍僅通過附加的權利要求的范圍中的內容來限定。
權利要求
1.一種磁場產生裝置的制造方法，其特征在于，具有組裝包括R-Fe-B類磁鐵的磁場產生裝置的第一工序；和以40℃以上70℃以下的溫度加溫組裝了的所述磁場產生裝置整體的第二工序。
2.一種磁場產生裝置的制造方法，其特征在于，具有將包括R-Fe-B類磁鐵的磁鐵固定于板狀磁軛，組裝磁極單元的第一工序；以40℃以上70℃以下的溫度加溫組裝了的所述磁極單元的第二工序；及將加溫了的所述磁極單元固定于支撐磁軛的第三工序。
3.一種磁場產生裝置的制造方法，其特征在于，具有形成包括R-Fe-B類磁鐵的磁鐵的第一工序；以40℃以上70℃以下的溫度加溫所述磁鐵的第二工序；磁化加溫了的所述磁鐵的第三工序；及將磁化了的所述磁鐵固定于板狀磁軛的第四工序。
全文摘要
提供一種磁場產生裝置(10)及其制造方法，能夠抑制在運輸后的磁場強度的降低及磁場均勻性的惡化。該磁場產生裝置的制造方法，其特征在于，具有組裝包括R－Fe－B類磁鐵的磁場產生裝置的第一工序；和以40℃以上70℃以下的溫度加溫組裝了的所述磁場產生裝置整體的第二工序。
文檔編號H01F7/00GK101089649SQ200710103830
公開日2007年12月19日 申請日期2003年2月12日 優先權日2002年2月15日
發明者青木雅昭, 津崎剛 申請人:株式會社新王磁材