專利名稱：彩色透明光電幕墻玻璃的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種玻璃產品，特別涉及一種彩色透明光電幕墻玻璃。
背景技術：
1929年，世界級建筑大師勒.柯布西埃率先提出大片玻璃幕墻的設想，并將之描繪成理想的建筑形式。玻璃幕墻-阮野開闊，通透性強，而寫字樓進深大，采光要求較高，玻璃幕墻相對易滿足其設計要求等優點。在過去的幾十年中得到了廣泛應用。但是，由于玻璃幕墻給城市造成了大面積的光污染，而且多數不能開啟，通風效果差，保溫性能差，能耗大，運行維護的費用高等劣勢使其應用受到越來越多的限制。
發明內容
本發明為了克服傳統的幕墻玻璃光污染嚴重、通風效果差、能耗大、運行費用高等的劣勢，而提供一種彩色透明、透光率可調、不存在光污染、可以發電且運行費用低的彩色透明光電幕墻玻璃。該彩色透明光電幕墻玻璃是在普通導電玻璃上鍍膜而形成的，在鍍膜過程中，調整各層薄膜厚度和薄膜間距，進而調節玻璃的透光率和顏色。另外，在后續加工過程中，可根據客戶對外觀顏色和透光率的需求，加透明彩色薄膜，依據三基色原理經背面玻璃幾次調光，達到調整幕墻玻璃顏色和透光率的要求，既利用
太陽能發電，又不影響建筑自然采光，將太陽光的綜合轉換率提高到4oy。以上。本發明特別適合在屋面、天窗、幕墻等建筑構件領域應用。
本發明采用的技術方案是
彩色透明光電幕墻玻璃，由導電玻璃、半導體硅薄膜層、封裝材料和背面玻璃組合而成，在導電玻璃上通過等離子體化學氣相沉積(PECVD)工藝沉積半導體硅薄膜以實現發電功能，后在半導體薄膜上依次鋪上封裝材料和背面玻璃，形成彩色透明光電幕墻玻璃，并從側面通過銅錫帶引出正、負極。
半導體硅薄膜制備過程中通過改變和間距來改變玻璃的顏色和透光率，以適合建筑應用的需要。半導體硅薄膜層厚度為235nm-450nm，半導體硅薄膜層之間的間隙15 0um-65 Oum。彩色透明光電幕墻玻璃主要由導電玻璃、半導體硅薄膜層、封裝材料和背面玻璃組合而成。導電玻璃為普通導電玻璃，背面玻璃采用普通鋼化玻璃，封裝材料選用具有多種顏色、透明、密封、防潮、穩定、耐溫、抗
紫外線等功能的建筑PVB膠膜。彩色透明光電幕墻玻璃為夾膠結構，既具有顏色可調、透明等優勢，又可隔熱保溫、隔音、防紫外，且可以發電。在側面通過銅錫帶引出正、負極。該彩色透明光電幕墻玻璃像普通幕墻玻璃一樣直接作為建筑材料使用。各幕墻組件之間打密封膠，相互緊密連接在一起不需要其他的密封裝置，施工快捷便利。電池的背電極采用磁控濺射透明導電薄膜替代傳統的真空蒸發的不透明鋁或銀電極。
本發明的有益效果是:彩色透明光電幕墻玻璃有效的彌補了傳統幕墻玻璃的光污染、高能耗、高運行費用等的劣勢，可以滿足客戶對不同外觀顏色和透光率的要求，同時可以起到更好的隔熱保溫、隔音、防紫外、防水、防火以及發電等功能且無需支架系統結構，直接作為建筑玻璃使用，簡單適用，能與建筑完美的結合，安裝快捷便利，成本低廉。
圖l為本發明的結構示意圖。
圖2為本發明的^f黃截面示意圖，圖中5-金屬導電層，6-非晶硅薄膜，7-為透明導電層。
圖3為本發明的引出電4及示意圖。
具體實施方式
結合附圖對本發明作進一步的描述。
如圖l所示，彩色透明光電幕墻玻璃由導電玻璃l、半導體硅薄膜層2、封裝材料3和背面玻璃4組成，半導體硅薄膜2的膜厚和間隙可以調整透光率和顏色，并可以發電，半導體硅薄膜2上鋪封裝材料3彩色透明PVB膠膜及背面玻璃4封裝成彩色透明光電幕墻玻璃，并從側面通過銅錫帶引出正、負電極。如圖2、圖3所示。
彩色透明光電幕墻玻璃按以下步驟進行制作
1、 導電玻璃、背面玻璃準備下料、清洗、烘干；背面玻璃采用普通鋼化3皮璃；
2、 鍍膜沉積p-i-n結將清洗好的導電玻璃l，放入等離子體化學氣相沉積PECVD設備沉積室內，調整沉積參數，在透明導電膜7即TC0膜上依
4次進行p型非晶硅薄膜、i型非晶硅薄膜和n型非晶硅薄膜的沉積，如果是 多結電池，重復沉積p， i， n即可；
3、 '減射透明背電極將經過第2步制作的導電玻璃，放入磁控濺射室 內，調整濺射參數，在非晶硅薄膜上沉積氧化鋅鋁透明導電薄膜這層稱為 金屬導電層5，金屬導電層5作為背電極；
4、 引出電極將第三步的半成品，用涂銅錫帶從背電極連出兩條電極 引出線以便將電流引出和后面的封裝；
5、 組合半導體硅薄膜2上鋪彩色透明3PVB膠膜及背面玻璃4封裝成彩
色透明光電幕墻玻璃；
6、 封裝將第5步完成的半成品在專用設備上引出正、負電極；
7、 檢測進行外觀、機械性能及電性能檢測；
8、 包裝。
半導體硅薄膜層厚度為235nm-450nm,半導體硅薄膜層的之間的間隙 在150um-650um，根據客戶的不同要求，可以通過第2步的鍍膜來改變半導 體硅薄膜層的厚度和半導體硅薄膜層之間的間距來改變玻璃的顏色和透 光率，以適合客戶的建筑應用需要。
權利要求
1、彩色透明光電幕墻玻璃，由導電玻璃(1)、半導體硅薄膜層(2)、封裝材料(3)和背面玻璃(4)組成，其特征在于在導電玻璃(1)上通過等離子體化學氣相沉積工藝沉積半導體硅薄膜層(2)，在半導體薄膜層(2)上依次鋪上封裝材料(3)和背面玻璃(4)，并從側面通過銅錫帶引出正、負極。
2、 根據權利要求l所述的彩色透明光電幕墻玻璃，其特征在于所述 半導體硅薄膜層(2)的厚度為235nm-"0nm。
3、 根據權利要求l所述的彩色透明光電幕墻玻璃，其特征在于所述 半導體硅薄膜層(2)之間的間隙15 0um-65 Oum。
4、 根據權利要求l所述的彩色透明光電幕墻玻璃，其特征在于所述 的封裝材料(3)為彩色透明PVB膠膜。
全文摘要
本發明涉及一種彩色透明光電幕墻玻璃，由導電玻璃、半導體硅薄膜層、封裝材料和背面玻璃組合而成，在導電玻璃上通過等離子體化學氣相沉積(PECVD)工藝沉積半導體硅薄膜以實現發電功能，后在半導體薄膜上依次鋪上封裝材料和背面玻璃，形成彩色透明光電幕墻玻璃，并從側面通過銅錫帶引出正、負極。本發明具有顏色多變、透明、透光率可調等優勢，也具有更好的隔熱、防水、防火、防紫外、防碎落、發電等功能。并直接安裝在建筑上，結構簡單適用，且成本低廉，便于太陽能與建筑的一體化應用。
文檔編號H01L31/048GK101465387SQ20091006046
公開日2009年6月24日 申請日期2009年1月9日 優先權日2009年1月9日
發明者飛 余, 徐進明, 王曉晶, 黃小利 申請人:武漢日新科技有限公司