使用薄的、高速液體層處理晶片表面的方法

專利名稱：使用薄的、高速液體層處理晶片表面的方法
技術領域：
本發明涉及半導體晶片處理，更具體地涉及用于在減少污染和降低晶片清洗費用 的情況下更有效地提供并從晶片表面去除液體的裝置和工藝。
背景技術：
眾所周知，在半導體芯片制造過程中，需要使用例如清洗和烘干的操作來處理晶 片。在這些操作類型的每一種類型中，都需要有效地提供并去除晶片處理過程中的液體。
舉例來說，在進行制造操作的地方不得不引入晶片清洗使得在晶片表面留下不希 望的殘余物。這種制造操作的例子包括等離子體蝕刻(例如，鎢深蝕刻(tungsten etch back) (WEB))和化學機械拋光(CMP)。在CMP中，晶片放在支架上，此支架對著旋轉帶或旋 轉壓板推動晶片表面。此帶使用漿料，其由引起拋光的化學品和研磨材料組成。遺憾地，這 種處理傾向于在晶片表面留下漿料顆粒的聚集物和殘余物。如果在晶片上殘留，除了別的 物質以外(amongother things)，不希望的殘余材料和顆粒就會引起缺陷，如晶片表面的劃 痕和在金屬化特性間的不合適的相互作用。在一些情況，這些缺陷可引起晶片上的器件不 可能工作。為了避免丟棄不能工作的器件的晶片的過度花費，因此，就必須在留下不希望的 殘余物的制造操作后充分地有效地清洗晶片。 在濕法清洗晶片后，必須有效地烘干晶片以防止水或清洗液殘余物在晶片表面上 殘留。如果在晶片表面的清洗液可以蒸發，如通常發生小滴形式時，蒸發后，先前溶于清洗 液的剩余物或污染物會留在晶片表面上(例如，形成水滴斑點)。為了防止蒸發發生，必需 盡可能塊地去除清洗液，在晶片表面不形成小滴。在嘗試完成這個問題中，應用了幾個不同 的烘干技術如旋轉烘干、IPA或馬蘭各尼(Marangoni)烘干中的一種技術。所有這些烘干 技術利用在晶片表面上的運動的液體/氣體界面的一些方式，如果合適地保持，就導致在 沒有小滴形成的情況下烘干晶片表面。遺憾地，如果運動的液體/氣體界面中斷，如前述所 有的烘干方法就會經常發生，小滴形式和蒸發就會發生，導致在晶片表面上殘留污染物。當 今使用最流行的烘干技術是旋轉漂洗烘干(SRD)。 圖1A說明在SRD處理過程中在晶片10上的液體運動。在這種烘干處理中，濕晶 片通過選轉14高速旋轉。在SRD中，通過使用離心力，用于漂洗晶片的液體從晶片的中心 推到晶片的外邊最后離開晶片，如液體方向箭頭16所示。隨著烘干過程的進展，液體被推 離晶片，運動的液體/氣體界面12在晶片的中心產生并運動到晶片的外邊(S卩，由運動的 液體/氣體界面12產生的圓就會變大)。在圖1A的例子中，由運動的液體/氣體界面12 形成的圓的內部區域并無液體，且由運動的液體/氣體界面12形成的圓的外部區域存在液 體。因此，隨著烘干處理的繼續，運動的液體/氣體界面12的內部(干區域)增加，而運動 的液體/氣體界面12的外部(濕區域)減少。如前所述，如果運動的液體/氣體界面12
4中斷，流動的小滴就會形成在晶片上，由于小滴的蒸發就會產生污染。同樣地，限制小滴形 成和隨后的蒸發以使晶片表面遠離污染是必須的。遺憾地，目前的烘干方法僅對于防止運 動的液體界面中斷部分地有效。 另外，對于不易被水粘濕的干晶片表面，用SRD處理是困難的。不易被水粘濕的晶 片表面難烘干，因為這種表面排斥水和水基(含水的)清洗溶液。因此，隨著烘干處理的繼 續和清洗液被推離晶片表面，剩余的清洗液(如果含水基)會被晶片表面排斥。結果，含水 的清洗液以最少的面積與不易被水粘濕的晶片表面接觸。另外，由于表面張力的結果(即， 作為分子氫鍵鍵合的結果)，含水的清洗溶液傾向于自身粘緊。因此，由于不易被水粘濕的 界面和表面張力，含水清洗液球(或小滴)以不可控的方式在不易被水粘濕的晶片表面上 形成。此形成的小滴導致有害的蒸發和前面討論的污染。在晶片中心對小滴起作用的離心 力最小，SRD的局限性尤其嚴重。因此，盡管SRD處理是目前最常用的晶片烘干方法，該方法 在晶片表面上減少形成清洗液小滴是困難的，尤其地當用于不易被水粘濕的晶片表面。晶 片的特定部分可能有不同的不易被水粘濕(疏水)的特性。 圖1B表示晶片烘干處理18的示例。在此例中，晶片10的部分20是親水的區域， 部分22是不易被水粘濕的區域。部分20吸引水，因此液體26匯聚在這個區域。部分22 是不易被水粘濕的，以致該區域排斥水，因此在晶片10的此部分就會有更薄的水膜。因此， 晶片10的不易被水粘濕的部分通常比親水的部分更快地被烘干。這就會導致不一致的晶 片烘干，其增加了污染水平，因此降低了晶片產量。 因此，需要一種避免現有技術的方法和裝置，通過優化的液體控制和應用于晶片 使得減少沉積在晶片表面的污染。這種當今經常出現的沉積減少了可接受的晶片產量和增 加了制造半導體器件的費用。

發明內容
—般的說，本方明通過提供襯底處理裝置來滿足這些需要，此裝置能夠以高速液
體層處理晶片表面，同時有效減少晶片污染。值得稱贊的是本發明能夠用多種方法實現，包 括如處理、裝置、系統、器件或方法。本發明的幾個創造性實施例如下所述。 在一個實施例中，公開了一種處理襯底的方法，其包括在襯底表面上產生液體層，
液體層限定出液體彎月面。這種產生包括移動頭部以接近表面，從頭部給表面提供液體，同 時接近襯底表面的頭部限定液體層，用真空通過接近的頭部從表面去除液體。液體沿著在 頭部和襯底之間的液體層以增加頭部更接近表面的速度流動。 在另一個實施例中，提供一種處理襯底的裝置，其包括能夠移動接近襯底表面和 在襯底表面產生以限定出液體彎月面的液體層的頭部。這個接近的頭部包括至少一個從襯 底表面去除液體的入口。這個頭部能夠沿著在頭部和襯底之間的液體層以增加頭部更接近 表面的速度移動液體。 在另一個實施例中，提供一種襯底準備系統，其包括當操作時，接近襯底表面能夠 被移動的頭部和經過頭部傳送液體到襯底表面的第一管道。這個系統進一步包括用以從襯 底表面去除液體的第二管道，在操作中液體在襯底表面上形成液體層。液體沿著在頭部和 襯底之間的液體層以增加頭部更接近表面的速度流動。 本發明有許多優點。最顯著地，在此描述的裝置和方法利用液體彎月面以高速液體層有效地處理(例如，清洗、烘干等)襯底，通過包括液體提供的優化的控制和從襯底去 除液體的操作，從而減少了留在晶片表面的不希望的液體和污染。在一個實施例中，通過使 用高速液體產生液體彎月面，液體彎月面能夠應用于襯底/晶片，而不需要利用表面張力 來減小氣體對著液體彎月面/氣體邊界。結果，由于有效的晶片處理，就能夠提高晶片處理 和生產，并獲得更高的晶片產量。 參照附圖理解，通過例子說明本發明的原理，從下面的詳細描述中，本發明的其它 方面和優點將變得明顯。


參照附圖，通過隨后的詳細描述，將很好地理解本發明。為了便于描述，相同的參 考數字代表相同的元件結構。 圖1A表示在SRD烘干處理期間，晶片上的清洗液的運動。 圖1B表示晶片烘干處理的一個例子。 圖2顯示了依照本發明一個實施例的晶片處理系統。 圖3表示了依照本發明一個實施例的接近頭部進行晶片處理的操作。 圖4表示了可以由依照本發明一個實施例的接近頭部引起的晶片處理操作。 圖5A表示依照本發明一個實施例的接近頭部的頂視圖。 圖5B表示依照本發明一個實施例的接近頭部的透視圖。 圖6A表示依照本發明一個實施例的接近頭部在晶片表面產生具有高速液層的液 體彎月面的側視圖。 圖6B表示依照本發明一個實施例的與晶片平面呈一角度的接近頭部。 圖7表示依照本發明一個實施例的延伸到晶片直徑上的接近頭部。 圖8描述了依照本發明一個實施例的在晶片上的操作處理中的接近頭部。 圖9表示依照本發明一個實施例的具有第一零件(piece)和第二零件的接近頭

部。
圖io表示依照本發明一個實施例的晶片處理系統。
圖11A表示依照本發明一個實施例的接近頭部進行的烘干操作。
圖11B表示依照本發明一個實施例的接近頭部的局部頂視圖。
圖IIC表示依照本發明一個實施例的接近頭部的入口 /出口圖形。
圖IID表示依照本發明一個實施例的接近頭部的另一個入口 /出口圖形'
圖IIE表示依照本發明一個實施例的接近頭部的又一個入口 /出口圖形'
具體實施例方式
本發明公開了用于處理襯底的方法和裝置。在下面的描述中，為了完全理解本發 明，闡述多個具體的詳細說明。然而，本領域的普通技術人員應該清楚，不脫離某些或全部 的這些詳細說明就可以實施本發明。此外，為了避免混淆本發明，沒有詳細地描述公知的處 理操作。 雖然本發明根據幾個優選實施例來描述，應該意識到，本領域的技術人員在閱讀 前面的詳述和研究附圖的基礎上可以實現就此不同的修改、增加、置換和等效替換。因此，希望本發明包括所有這些修改、增加、置換和等效替換，并落入本發明的精神和范圍之內。
以下

使用接近頭部(多個接近頭部)用高速液體層產生一個或多個具體形狀、尺寸和位置的液體彎月面的晶片處理系統的各實施例。在一個實施例中，用以產生液體彎月面的高速液體，通過彎月面在被處理的晶片上產生柏努利(Bernoulli)效應。因此，通過液體彎月面被處理的晶片表面區域受到的力就會比沒有與液體彎月面接觸的其它的晶片區更小。因此，這種力實際上在接近頭部和液體彎月面之間產生幾乎相同的吸引力(attractive-like force)。因此，像這種效應就會產生高度地可控且穩定的液體彎月面，而不需要使用表面張力減少氣體來控制液體彎月面的邊界。 在這里描述的技術可以被用來形成任一合適類型的組合晶片操作(多操作)類型，例如，舉例來說烘干、蝕刻、電鍍等。應該清楚，在此描述的系統和接近頭部本質上是示例性的，任何其它能產生和移動一個或多個彎月面的適合類型的結構都可以使用。在所示的實施例中，接近頭部(多個接近頭部)可以以直線形式從晶片中心部分運動到晶片邊緣。應該清楚，其它的實施例可以使用接近頭部(多個接近頭部)以直線形式運動，從晶片的一邊到另一個徑直相對的晶片邊緣，或其它非直線的運動也可使用，例如，舉例來說，以放射狀的運動、以圓形的運動、以螺旋形的運動、以鋸齒形的運動、以隨機運動、等。另外，運動也可以是由使用者期望的任一適合的指定的運動輪廓。另外，在一個實施例中，可以旋轉晶片并沿直線形式移動接近頭部，因此接近頭部可以處理晶片的所有部分。應該清楚，其他的實施例可以使用晶片不旋轉但是接近頭部設置為在晶片上以能夠處理晶片的所有部分的形式來運動。另外，在此描述的接近頭部和晶片處理系統可以被用來處理任何形狀和尺寸的襯底，例如200mm晶片、300mm晶片、扁平的基板等。 另外，可以改變接近頭部的尺寸并順序地(in turn)改變彎月面的尺寸(或根據實施例的彎月面)。在一個實施例中，接近頭部的尺寸和彎月面(或多個彎月面)的尺寸可以比待處理的晶片更大，在另一個實施例中，接近頭部和彎月面的尺寸可以比待處理的晶片小。而且，在此描述的彎月面被用于晶片處理工藝的其他形式，例如，舉例來說，清潔、光刻、兆聲波(megasonics)、等。可以用接近頭部支持和移動(例如，移動到晶片上、從晶片上移除和穿過晶片)液體彎月面。應該清楚，在此描述的系統在本質上僅僅是示例性的，在此描述的接近頭部可以在任何適合的系統中使用。 圖2顯示了根據本發明一個實施例的晶片處理系統100。系統100包括滾軸102a和102b，它們可以保持和/或旋轉晶片使得能夠處理晶片表面。系統100也包括接近頭部106a和106b，在一個實施例中，它們各自固定在上臂104a和下臂104b上。在一個實施例中，參照圖5A到9如下所述，接近頭部106a和/或106b被設置成對晶片提供高速液體層。接近頭部106a和106b可以是任一可適合產生液體彎月面的裝置，例如，舉例來說如在此描述的任一接近頭部。在另一實施例中，接近頭部106a和/或106b可以是在此描述的任一適合的接近頭部(多個接近頭部)。上臂104a和下臂104b可以部分地裝配以使接近頭部106a和106b沿著晶片半徑基本線性移動。在另一個實施例中，裝配使得接近頭部106a和106b沿任一適合的使用者確定的位移(movement)運動。 在一個實施例中，把上臂104設置成保持位于晶片之上的接近頭部106a且接近頭部106b位于晶片下靠近(in close proximity to)晶片。例如，在一個示例性實施例中，可以通過具有上臂104a和下臂104b沿垂直的方式運動使得一旦接近頭部水平地運動到晶片
7開始處理的位置，接近頭部106a和106b可以垂直地運動到接近晶片的位置來實現。在另一個實施例中，可以設置上臂104a和下臂104b使得在處理之前產生彎月面的位置處接近頭部106a和106b開始并且從晶片108的邊緣區將在接近頭部106a和106b之間已經產生的彎月面移送到待處理的晶片表面上。因此，上臂104a和下臂104b可以以任一合適的方式設置使得接近頭部106a和106b可以移動以進行如在此描述的晶片處理。還應該清楚，系統100可以以任一合適的方式設置，只要接近頭部(多個接近頭部)可以移動接近晶片來產生和控制彎月面。還應該清楚，接近可以是與晶片任一合適的距離，只要可以保持彎月面。在一個實施例中，接近頭部106a和106b的(與在此描述的其它接近頭部一樣)每一個都可以位于離晶片大約0. lmm到大約10mm之間來在晶片表面上產生液體彎月面。在優選的實施例中，接近頭部106a和106b (與在此描述的其它接近頭部一樣)的每一個可以位于離晶片大約5微米到大約500微米之間來在晶片表面上產生液體彎月面，在更優選的實施例中，接近頭部106a和106b(與在此描述的其它接近頭部一樣)的每一個都可以位于離晶片大約70微米來在晶片表面上產生液體彎月面。另外，根據液體彎月面和晶片表面間的距離，形成液體彎月面的液體速度可以變化。 在一個實施例中，系統100、臂104設置為使接近頭部106a和106b從已處理的到未處理的晶片部分移動。應該清楚，臂104可以以任一合適的方式移動，此合適的方式為使得接近頭部106a和106b移動以按所需來處理晶片。在一個實施例中，臂104可以由電機驅動沿著晶片表面來移動接近頭部106a和106b。應該清楚，盡管所示的晶片處理系統100具有接近頭部106a和106b，可以使用任一合適數目的接近頭部，例如，舉例來說，1、2、3、4、5、6等個接近頭部。晶片處理系統100的接近頭部106a和/或106b也可以是如所示的任一一種尺寸和形狀，舉例來說，如在此描述的任一接近頭部。在此描述的不同結構在接近頭部和晶片之間產生液體彎月面。可以移動液體彎月面橫跨晶片，通過給晶片表面施加液體和從表面去除液體來處理晶片。在這種方式中，根據施加給晶片的液體，就可以實現清洗、烘干、蝕刻和/或電鍍。因此，接近頭部106a和106b可以有如在此所述的任何數目的結構類型或其它結構，以致能夠進行在此所述的處理。還應該清楚，系統IOO可以處理晶片的一個表面或晶片的上表面和下表面兩個表面。 另外，除了處理晶片的上表面和/或下表面之外，系統100也可以設置為用一種類型的工藝(例如，蝕刻、清洗、烘干、電鍍等)來處理晶片的一側，通過輸入和輸出不同類型的液體或通過使用不同的輪廓的彎月面，用相同的工藝或不同的工藝來處理晶片的另一側。接近頭部可以設置為除了處理晶片的上部和/下部之外，還處理晶片的傾斜邊緣。這些通過從晶片處理傾斜邊緣的晶片邊緣移除(或移入)彎月面來實現。還應該清楚接，近頭部106a和106b可以是相同類型的裝置或不同類型的接近頭部。 通過滾軸102a和102b保持和以任一合適的方向旋轉晶片108，只要這個方向使得所需的接近頭部靠近待處理的晶片108的一部分。在一個實施例中，滾軸102a和102b能以順時針方向旋轉使得晶片108在逆時針方向旋轉。應該清楚，根據所需的晶片旋轉，滾軸可以以逆時針或順時針方向旋轉。在一個實施例中，通過滾軸102a和102b給予晶片108的旋轉起到移動未被處理的晶片區以靠近接近頭部106a和106b的作用。然而，自身的旋轉不能烘干晶片或將晶片表面上的液體朝晶片邊緣移動。因此，在一個晶片處理操作的例子中，未處理的晶片區可以通過接近頭部106a和106b的線性運動和通過晶片108的旋轉提交給接近頭部106a和106b。通過至少一個接近頭部可以自身地進行晶片處理操作。因此，在一個實施例中，隨著處理操作的進展，晶片108的已處理部分可以以螺旋線運動(spiralmovement)從晶片108的中心區擴展到邊緣區。在另一個實施例中，當接近頭部106a和106b從晶片108的周邊運動到晶片108的中心時，晶片108的已處理部分以螺旋線運動從晶片108的邊緣擴區展到晶片108的中心區。 在一個處理操作例子中，應該清楚，接近頭部106a和106b可以設置為烘干、清洗、蝕刻和/或電鍍晶片108。在一個示例性的晶片處理實施例中，至少設置一個給晶片表面提供處理液體的人口，并至少設置一個通過提供真空(也通稱真空出口 )可從晶片和特定的接近頭部之間的區域去除液體的出口。在一個優選的實施例中，可以使用另外的入口給晶片表面的液體提供表面張力減少液體(例如，氮氣中的異丙醇蒸汽)。在一個烘干操作的實施例中，至少一個入口可給晶片表面提供去離子水。 在一個示例性的清洗實施例中，清洗溶液可由DIW來替代。示例性蝕刻的實施例可實施為由DIW替代蝕刻劑。在另外的實施例中，如在此所述(asdescribed)，通過使用處理液體和設置為電鍍的接近頭部結構可以完成電鍍。另外，可以輸入其它類型的溶劑到晶片表面上的液體彎月面并根據所需的處理操作將其從液體彎月面去除。
應該清楚，位于接近頭部面上的入口和出口可以以任一合適的方式設置，只要可以使用如此所述的穩定的彎月面。在一個實施例中，至少一個入口與至少一個真空出口相鄰以形成處理液體真空方向，在那里至少一個出口至少部分地圍繞至少一個入口。應該清楚，根據所需的晶片處理和希望被增強的晶片處理機理的類型，可以使用其它方向的類型。在一個優選實施例中，真空處理液體方向可以被用來巧妙地和有效地產生、控制和移動位于接近頭部和待處理的晶片之間的彎月面。如果上述方向可以保持，可以以任一合適的方式設置處理液體入口和真空出口 。例如，除了真空出口和處理液體入口之外，在另外的實施例中，根據所需接近頭部的結構，可以有附加組的處理液入口裝置和/或真空出口 。應該清楚，真空處理液方向的精確結構可以根據應用來變化。例如，真空和處理液輸入位置之間的距離可以變化，因此，距離是恒定或距離是不一致的。另外，根據接近頭部106a的尺寸、形狀和結構和處理彎月面(即，彎月面形狀和尺寸)的所需尺寸，真空出口和處理液入口之間的距離大小可以不同。 在優選實施例中，至少一個N乂IPA蒸汽入口和至少一個真空出口相鄰，該真空出口與至少一個處理液入口依次相鄰以形成IPA真空處理液方向。 在一個實施例中，接近頭部106a和106b可以各自置于靠近晶片108的上表面和下表面，可以利用至少一個入口和至少一個出口來產生和晶片108接觸的晶片處理彎月面，其能夠處理晶片108的上表面和下表面。基本上同時提供處理液給晶片表面，提供真空靠近晶片表面來去除處理液和周邊的一些空氣、和/或可存在晶片上的液體。處理液部分即在接近頭部和晶片之間的區域是彎月面。應該清楚，如此使用的術語"輸出"指從晶片108和特定的接近頭部之間的區域去除液體，術語"輸入"指將液體引入到晶片108和特定的接近頭部之間的區域。 圖3說明根據本發明的一個實施例的接近頭部106進行的晶片處理操作。圖3到圖4B顯示通過使用IPA操作(application)產生液體彎月面的方法。圖5A到9說明不使用IPA操作產生液體彎月面的方法和裝置。在一個實施例中，接近頭部106移動一會以接
9近晶片108的上表面108a來產生晶片處理操作。應該清楚，接近頭部106也可以被用來處理(例如，清洗、烘干、電鍍、蝕刻等)晶片108的下表面108b。在一個實施例中，旋轉晶片108，因此當處理上表面108a時，接近頭部106可以沿頭部的移動以直線方式移動。通過入口 302提供IPA310，經過出口 304提供真空312和經過入口 306提供處理液314，可以產生彎月面116。應該清楚，如圖3所示的入口 /出口方向在本質上僅是示例性的，任何可以產生穩定彎月面的合適的入口 /出口方向都可以使用，如在此描述的那些結構。在一個實施例中，可以產生具有高速液體層的彎月面116。因此，參考圖6A進一步說明，在晶片108上產生柏努利效應，因此，減小或避免了需要給液體彎月面116邊界提供表面張力減少液體(如，氣體、物質、液體等)。 圖4說明根據本發明的一個實施例通過接近頭部106a來進行(conducted)的晶片處理操作。應該清楚，IPA的提供是隨意的和如參考圖6A所述的在優選實施例中的不使用IPA就可以產生液體彎月面116。盡管圖4顯示被處理的上表面108a，應該清楚，基本上同樣的方式用于晶片108的下表面108b就可以完成晶片處理。在一個實施例中，入口 302可以被用來朝晶片108的上表面108a提供異丙醇(IPA)蒸汽，入口 306可以被用來朝晶片108的上表面108a提供處理液。另外，出口 304可以被用來在靠近晶片表面區域提供真空來去除位于上表面108a上或臨近上表面108a的液體或蒸汽。如上所述，應該清楚，只要彎月面116可以形成，可以使用任何入口和出口的適合組合。IPA可以是任何合適的形式，例如，舉例來說，IPA蒸汽，這里通過使用氮氣，以蒸汽形式輸入IPA。而且，可以使用能夠或增強晶片處理的任何合適的用來處理晶片的液體(例如，清洗液、烘干液、蝕刻液、電鍍液等)。在一個實施例中，通過入口 302提供IPA流310，通過出口 304提供真空312和通過入口 306提供處理液流314。因此，如果液體膜殘留在晶片108上，通過IPA流(inflow) 310提供第一液壓到晶片表面，通過處理液流314提供第二液壓到晶片表面，和通過真空312提供第三液壓來去除在晶片表面上的處理液、IPA和液體膜。 因此，在一個晶片處理實施例中，在朝晶片表面提供處理液流314和IPA流310時，晶片表面的液體(如果有的話)和處理液流314混合。此時，朝晶片表面提供的處理液流314遇到IPA流310。 IPA與處理液流314形成界面118 (也通稱IPA/處理液界面118)，并與真空312 —起有助于從晶片108的表面把處理液流314和其它的液體一起去除。在一個實施例中，IPA/處理液界面118減少處理液的表面張力。在操作中，朝晶片表面提供處理液并幾乎立刻通過出口 304提供真空來一起去除在晶片表面上的液體。提供朝晶片表面的處理，且同時在接近頭部和晶片表面之間區域的殘留物和晶片表面的任何液體一起形成彎月面116，這里彎月面116的邊界是IPA/處理液界面118。因此，彎月面116是朝表面提供的恒定的液體流和基本上同時隨著晶片表面的任何液體被去除。幾乎立刻從晶片表面去除處理液就防止了在被烘干的晶片表面區域上形成液滴，因此，處理液已經完成根據操作(例如，蝕亥lj、清洗、烘干、電鍍等)目的之后，就減小了污染晶片108的可能性。IPA向下注入的壓力(該壓力由IPA的流速產生)也有助于保持彎月面116。 攜帶氣體含有IPA的N2的流速可有助于引起位移或推動處理液流離開接近頭部和晶片表面之間的區域并進入出口 304(真空出口 )，通過此出口液體可以從接近頭部輸出。應注意，推動處理液流不是處理所需的但是可以使用以優化彎月面邊界控制。因此，當IPA和處理液被推入到出口 304時，因為氣體(例如，空氣)和液體一起被推入到出口 304
10中，所以構成IPA/處理液界面118的邊界是不連續的邊界。在一個實施例中，當真空從出口304推動處理液、IPA和晶片表面上的液體時，進入出口 304的流體是不連續的。當在液體和氣體的混合物上施加真空時，流體的不連續性類似于通過稻草撥起液體和氣體。因此，當接近頭部106a移動時，彎月面和接近頭部一起移動，由于IPA/處理液或僅處理液界面118的移動，以前被彎月面占據的區域已經干了。還應該清楚，根據裝置的結構和所需彎月面的尺寸和形狀，可以使用任何合適數目的入口 302、出口 304和入口 306。在另一個實施例中，液體流速和真空流速是如此以至于所有流入到真空出口的液體是連續的，因此沒有氣體流入真空出口。應該清楚，處理液和真空可以使用任何合適的流速，只要可以保持高速液體層構成的彎月面116。應該清楚，液體流速可以根據接近頭部的尺寸變化，只要液體彎月面116能在晶片上保持伯努俐類型效應。以下參考圖6A進一步詳細討論使用的特定流速。在一個實施例中，更大的頭部和更小的接近頭部相比，可以有更大的液體流速。在一個實施例中，這可以發生，因為較大的接近頭部有更大的入口 306和出口 304。 應該清楚，根據使用的處理液，使用彎月面可以進行任何合適類型的晶片處理操作。例如，清洗液例如，舉例來說，SC-1、 SC-2等，可以被用作處理液以進行晶片清洗操作。類似的方式，可以使用不同液體，并可以使用相似的入口和出口結構，所以晶片處理彎月面也可以蝕刻和/或電鍍晶片。在一個實施例中，蝕刻液如，舉例來說，HF、 EKC專利的溶液、KOH等，可以被用來蝕刻晶片。在另一個實施例中，電鍍液如，舉例來說，Cu硫酸鹽、Au氯化物、Ag硫酸鹽等，與電的輸入一同使用。 圖5A到9顯示接近頭部106的實施例，其可具有至少一個給晶片提供處理液的入口和通過至少一個出口去除處理液。參考圖5A到9如優選實施例所述，不需要提供IPA，可以產生穩定且可移動的液體彎月面。在一個示例性的實施例中，接近頭部可以通過至少一個入口在晶片表面上提供高速液體層和通過至少一個出口從高速液體層去除液體來產生液體彎月面。通過在接近頭部和晶片表面之間提供高速液體層，可以產生伯努利類型效應，因此在晶片表面和液體彎月面接觸的區域建立低的向下力(downforce)區。隨著給晶片表面提供液體，在一個實施例中，來自出口的真空和在接近頭部和晶片表面的小間隙的組合可以產生構成高速液體層的更高速度的液體。因此，液體彎月面的液體在晶片表面之上以高速度運動，這里通過真空去除液體和液體在接近頭部和襯底表面之間的小間隙中運動來產生較高速度。隨著接近頭部和襯底表面的間隙變得越來越小，構成高速液體層的液體速度就會增加。因此，低的向下力(downforce)區域可向對方方向有效拉動接近頭部和晶片，直到在晶片表面和接近頭部的處理表面之間取得平衡距離。因此產生的液體彎月面可應用和從晶片表面以不留下液滴的優選方式去除液體，高度地減少了在晶片表面上的污染水平。 圖5A說明根據本發明的一個實施例的接近頭部106'的頂視圖。接近頭部106'包括處理區320，處理區320包括有多個入口 306和多個出口 304的區域。在一個實施例中，多個入口 306被設置成能夠以在晶片表面上產生高速液體層的流速給晶片表面提供處理液。在一個實施例中，多個出口 304給液體彎月面邊緣提供真空并從液體彎月面去除一些從多個入口 306輸入的液體。參考圖6A進一步詳細描述，在晶片表面的高速液體是在晶片表面上的液體彎月面，根據使用的處理液，可產生任何適合晶片表面的處理類型。另外，在一個實施例中，這里接近頭部106'位于晶片108之上，高速液體層通過表面張力和伯努
11利類型效應保持在處理區下面的位置來產生液體彎月面。因此，在接近頭部和晶片108之間有一低壓，因為在液體彎月面中運動的液體如此快速地運動，隨著液體彎月面如液體運輸地操作，此低壓造成晶片108附著于接近頭部。另外，這種穩定且非常薄的液體彎月面的產生避免了需要其它的源出口來提供表面張力減小液體，例如，舉例來說，IPA蒸汽。
圖5B說明根據本發明的一個實施例的接近頭部106'的透視圖。在一個實施例中，接近頭部106'包括一排基本上被多個出口 304包圍的入口 306。因此，隨著處理液從一排入口 306提供到晶片表面，高速的液體在晶片表面上形成一層以產生伯努利類型效應。應該清楚，接近頭部106'可以是任何適合的尺寸和形狀，只要可以產生具有高速液體層的液體彎月面即可。在一個實施例中，接近頭部106'可以比晶片小和可以用于處理操作而在晶片上被掃描。在另一個實施例中，接近頭部106'可以有比晶片直徑大的長度。在此實施例中，參考圖7所述，接近頭部106'通過在晶片上一次掃描，接近頭部106'可以處理晶片的整個表面。另外，應該清楚，接近頭部106'可由任何適合的材料制造，例如，塑料、藍寶石、石英、金屬。另外，接近頭部106'可以由多種材料制造。在一個實施例中，參考圖9如下所述，接近頭部106'的處理區可由結構上和化學上極穩定的材料制造，例如，舉例來說，藍寶石，接近頭部其它的部分可由塑料制造。 圖6A說明根據本發明的一個實施例的在晶片表面上產生具有高速液體層的液體彎月面116的接近頭部106'的側視圖。如通過處理液提供336所示，通過入口 306，接近頭部106'給晶片表面提供處理液。以高速提供處理液，因此，形成高速液體層，其大體上是液體彎月面116。通過定向箭頭344顯示高速液體層的運動。通過真空334經過出口 304去除提供給晶片表面的處理液。 在另一個實施例中，僅在如圖示的源出口 304的一個中使用真空334。應該清楚，每單位時間通過入口 306提供的處理液量和每單位時間通過出口 304去除的處理液量基本上相等。大體上，在一個實施例中，一旦在接近頭部106'和晶片108之間建立了液體彎月面116，穩定態的通過源入口 306的液體流入和通過源出口 304的液體流出，就可以保持彎月面的穩定。因此，通過出口 304提供真空和通過入口 306提供的處理流速可以一致，因此單位時間單元流入液體彎月面116的液體量和單位時間從液體彎月面116除去的液體量基本上相同。 在定向344上的液體流速與液體速度和高度(例如，接近頭部106'和晶片108之間的間隙的高度)的乘積成比例。因此，通過增加進入源入口 306的流速和增加從出口 304去除的液體，可以在接近頭部106'和晶片108之間產生高速液體，因此獲得的高度隨著流速變化。另外，可以設定某個點的高度且流量可保持常量，因此增加液體速度以在晶片108和接近頭部106'之間產生低壓區。因此，液體速度越高，高度越小。因此，假定流速保持不變，在接近頭部和晶片表面之間的間隙越小，在晶片表面上的液體速度越高。因此，在一個實施例中，在入口 302和出口 304之間的區域中，液體以更高的速度在更高速液體區348中傳遞。因此，在通過液體彎月面116處理的晶片表面上產生低壓區域。這個低壓區比較它周圍的高壓區在接近頭部106'和晶片108之間產生吸引力。 通過高速液體層和通過表面張力產生的伯努利類型效應，不損壞彎月面的情況下，液體彎月面116能夠極穩定且可移動的橫跨在晶片表面上。另外，產生在晶片上的伯努利類型效應，在接近頭部106'和晶片108之間產生保持接近頭部106'靠近晶片108的力346。因此，在一個實施例中，根據構成液體彎月面116的液體層中的液體速度，可以改變在 接近頭部106'和晶片108之間的距離382。 在特定路徑內的特定液體速度可產生不同類型的低壓帶。因此，通過以越來越高 的流速供給進入液體彎月面116的液體，低壓區可被制成為更低的平均低壓區，因此增加 了晶片108和接近頭部106'之間的引力。因此，通過控制液體彎月面116內的液體速度， 可以調節在晶片108和接近頭部106'之間的低壓量。結果，通過以特定速度提供液體通 過液體彎月面116，可以獲得特定水平的低壓。因此，朝晶片背面的壓力可保持不變但在前 側(具有液體彎月面的一側)的壓力就會降低。因此，在晶片108背側的壓力就會朝接近 頭部106'的方向推動晶片。 因為低壓量和在接近頭部106'和液體彎月面116之間的引力的量相關，就可以 通過液體速度改變在接近頭部106'和晶片108之間的間隔。在一個不同的實施例中，可以 設置距離382和可利用在344方向上優化的處理液速度來產生優化的液體彎月面附著。
此外，提供提供高速液體以產生液體彎月面116，由高速液體產生低壓區就能夠移 動晶片108、定位晶片108并對準晶片108。 另外，通過將高度減小到非常短的距離，可以降低流速仍然獲得高速液體。因此， 可以用更少量的液體來處理晶片。這樣可以節省處理晶片的費用和增強晶片處理操作。還 應該清楚，接近頭部106'可以使用任何適合類型的液體來產生液體彎月面116。因此，根 據使用的液體可以進行任何適合類型的晶片處理操作，例如，舉例來說，蝕刻、清洗、沖洗、 烘干等。此外，根據接近頭部106'的處理表面上的導管結構，彎月面116可以處理干或濕 的表面。 因此，根據所需的晶片處理操作，距離382可以是任何適合的距離，只要具有高速 液體層的液體彎月面116可以在接近頭部106和晶片108之間產生。在一個實施例中，距 離382在大約5微米和大約500微米之間。在另一個實施例中，距離382為大約50微米到 大約200微米。在優選實施例中，距離382大約為70微米。另外，當運動時在入口和出口 之間的液體速度可以在5cm/sec和200cm/sec之間。在另一個實施例中，接近頭部能夠沿 晶片表面從入口到出口以速度在10cm/sec和100cm/sec之間移動液體。
液體流速和液體彎月面的高度(例如，接近頭部106'和晶片108之間的距離)具 有如下表所示的關系。
表1 _ 表1 _ 速度二流量/2(LH) _ _ 如表1所示的所用的方程中，L是彎月面116的長度，H是彎月面的高度。應該清 楚根據所需的晶片處理操作，液體彎月面116可以是任何適合的尺寸。使用液體彎月面116 的下述尺寸純粹是示范的目的，不應該解釋為限制液體彎月面到某一尺寸。在一個實施例 中，液體彎月面116可以具有長度50mm，寬度為大約0. 25英寸。通過使用如表1所示的方
13程，如果高度H為1.5mm，在1000ml/min的流速下可以獲得10cm/s的速度，在500ml/min 的流速下可以獲得5cm/s的速度，在100ml/min的流速下可以獲得lcm/s的速度。在另一 個例子中，如果液體彎月面的高度(例如，接近頭部106和晶片108之間的間隙)是大約 0. 005cm，那么在1L/min的流速下可以獲得167cm/s的速度，對于500mL/min的流速可以獲 得83cm/s的速度，對于lOOmL/min的流速可以獲得17cm/s的速度。例子的計算純粹是示 范目的，應該清楚根據彎月面116的尺寸，可以改化以上的計算。 圖6B顯示了根據本發明的一個實施例的與晶片108的平面形成角度的接近頭部 106'。在一個實施例中，接近頭部106'以角度9 452形成角度，這里接近頭部106'和晶 片108之間的距離可以根據所需的結構和處理操作而變化。角度9 452可以是任何適合的 角度，只要液體彎月面116可以在晶片表面形成。在一個實施例中，角度9 452可以在0到2 度之間。在另一個實施例中角度9 452可以在2到IO度之間，在優選實施例中角度9 452大 約是0.3度。 通過具有角度e 452，可以改變彎月面116的形狀。在一個實施例中，通過包括角度 9 452，接近頭部106'可以優化成在特定方向操作。舉例來說，如圖6B所示，提升接近頭部 106'的右側比接近頭部106'的左側高。因此，通過接近頭部106'產生的液體彎月面316 具有在右側比左側更大的高度。在此實施例中，液體彎月面316可以有優化的運動模式到 左邊(例如，液體彎月面316的更薄的末端是引導末端)和將待處理的晶片表面先遇到液 體彎月面316的左邊。如果是那樣的話，最后液體彎月面316的右側將留在被處理的區域。
如圖所示，因為在液體彎月面316的右側的邊界374處的液體-氣體界面，晶片表 面的處理區是左邊以更有效的方式被烘干而液體彎月面316的右邊最后接觸處理區。另 外，在圖6B所示的結構中，當液體彎月面316的引導邊緣是液體較薄層的側面時，可以以更 快速方式移動接近頭部106'，因此在某個時間段可以處理更大的晶片區域。在一個實施例 中，可以以固定的方式保持晶片108，因此在接近頭部106'的任何位置和晶片108之間的 距離不變。這樣，處理環境可保持不變。 圖7顯示根據本發明一個實施例的擴展超過晶片108的接近頭部106〃 。在一個 實施例中，接近頭部106〃可以從晶片108的一個末端開始，在502方向上沿晶片108的直 徑向下移動來處理晶片108。在一個實施例中，接近頭部可以位于晶片之上和晶片之下，因 此，在接近頭部之間可以形成液體彎月面116。 圖8描繪了根據本發明一個實施例的在處理操作中晶片108上的接近頭部106a〃 和106b〃 。在接近頭部106a〃和106b〃的一個實施例中，接近頭部106a〃和106b〃的入 口 306在接近頭部106a〃和106b〃之間產生高速液體層，液體彎月面116通過處理液提 供。距離346可以分隔接近頭部106a〃和106b〃 ，因此，可以產生具有高度即距離346的 液體彎月面。高速液體層可以在接近頭部106a〃和106b〃之間產生低壓區，從而在接近頭 部106a〃和106b〃之間產生吸引力。因此根據構成液體彎月面的液體的速度，通過接近頭 部106a〃產生的液體彎月面就可以非常薄。因為在接近頭部106a〃和106b〃之間產生的 低壓區，所以液體彎月面是極穩定且可運動的。另外，產生的液體彎月面在運動中不留下水 滴和沒有污染殘留于干的處理表面，因此增強了晶片處理操作。 圖9說明根據本發明一個實施例的具有第一零件和第二零件的接近頭部 106〃 '。在一個實施例中，接近頭部106"'可以包括設置靠近晶片108的第一零件600
14和包圍第一零件600的第二零件602。在此實施例中，第一零件600可以是具有強容限能 力的材料，例如，舉例來說，藍寶石。第二零件602可以是容易構形的材料，例如，舉例來說， 塑料、PET等。第一零件600和第二零件602可以栓接或者通過粘接劑粘在一起。在一個 實施例中，第一零件600和第二零件602可以被設置以使第一零件600比第二零件602更 靠近晶片108。在此方式中，可以將接近頭部106"'的具有最高尺寸公差的部分置于處理 區，在處理區產生液體彎月面116。 在一個實施例中，接近頭部106〃 '可包括至少一個源入口 306和至少一個源出 口 304。至少一個源入口 302可以給晶片108的表面提供處理液。當在朝源出口 304的高 速層中運動時，液體可以形成液體彎月面116，出口 304可以利用真空從晶片108的表面去 除液體。這樣，在晶片和接近頭部106"'之間的晶片表面上可以產生薄的高速層。因此， 在晶片表面上產生伯努利效應，因而穩定液體彎月面116并使在晶片表面上的液體彎月面 116運動，通過從晶片表面優化去除液體，就不留下液滴或污染。 下圖描述具有可產生液體彎月面的示例性的接近頭部的示例性的晶片處理系統。 應該清楚，具有可產生液體彎月面的任何適合類型的接近頭部的適合系統都可用于本發明 在此描述的實施例。 圖10顯示根據本發明的一個實施例的晶片處理系統1100。應該清楚，任何適合 的保持和移動晶片的方式都可以使用，例如，舉例來說，滾軸(rollers)、栓(pins)、壓盤 (platen)等。系統IIOO可以包括滾軸1102a、1102b和1102c，它們可以保持和旋轉晶片 使得晶片表面能夠被處理。系統1100也可包括接近頭部106a和106b，在一個實施例中， 接近頭部106a和106b分別固定在上臂1104a和下臂1104b上。上臂1104a和下臂1104b 可以是接近頭部運載裝置1104的一部分，該運載裝置能夠沿著晶片半徑基本上線性移動 接近頭部106a和106b。在一個實施例中，接近頭部運載裝置1104可以被設置為在晶片之 上保持接近頭部106a和在晶片之下接近頭部106b靠近晶片。這可通過上臂104a和下臂 104b以垂直方式移動來實現，因此，一旦接近頭部水平地運動到晶片處理的開始位置，接近 頭部106a和106b可以垂直地運動到靠近晶片的位置。在另一個實施例中，液體彎月面可 以在接近頭部106a和106b之間形成，并運動到晶片的上表面和下表面上。上臂1104a和 下臂1104b可以以任何適合的方式設置，因此，可以移動接近頭部106a和106b如此所述地 進行晶片處理。還應該清楚，可以以任何適合的方式設置系統iioo，只要可以移動接近頭 部(多個接近頭部)靠近晶片來在晶片上產生并控制彎月面。在另一個示例性實施例中， 接近頭部106被設置在臂的第一末端，其圍繞由臂的第二末端限定的軸旋轉。因此，在此實 施例中，接近頭部可以在晶片表面之上以弧形運動。在再一個實施例中，臂可以以旋轉運動 和直線運動結合的方式運動。盡管已經顯示，對應晶片的每一側有接近頭部106，但晶片的 每側也可以使用單個頭部。在不使用接近頭部106的側面，可以進行其它的表面準備處理， 例如晶片刷洗。 在另一個實施例中，系統1100可包括接近頭部對接(docking)部位，其具有與晶 片相鄰的過渡表面。在此實施例中，當在控制和操縱狀態中，液體彎月面可以在對接部位和 晶片表面之間過渡。此外，只要預定處理晶片的一側，就可利用具有一個接近頭部的一個臂。 圖11說明根據本發明的一個實施例的接近頭部106進行的晶片處理操作。在一
15個實施例中，當靠近晶片108上表面108a時，接近頭部106移動以進行晶片處理操作。應 該清楚，根據提供給晶片108的液體的類型，通過接近頭部106在晶片表面108a上產生的 液體彎月面116可以適合任何晶片處理操作，例如，舉例來說，清洗、漂洗、烘干、蝕刻、電鍍 等。應該清楚，還可以用接近頭部106來處理晶片108的下表面108b。在一個實施例中，可 以旋轉晶片108，因此，當液體彎月面處理上表面108a時，可以移動接近頭部106。在另一個 實施例中，可以保持晶片108，直到接近頭部106在晶片表面上產生液體彎月面。接著，接近 頭部可以在晶片表面之上移動或掃描，因此沿著晶片表面移動液體彎月面。在再一個實施 例中，接近頭部106可以制造得足夠大以至于液體彎月面包圍整個晶片表面區。在這類實 施例中，通過提供液體彎月面到晶片表面，不用移動接近頭部就可以處理晶片的整個表面。
在一個實施例中，接近頭部106包括源入口 1302和1306和源出口 1304。在這類 實施例中，通過源入口 1302給晶片表面提供在氮氣中的異丙醇蒸汽IPA/NJ310，通過源出 口 1304給晶片表面提供真空1312，通過源入口 1306給晶片表面提供處理液1314。
在一個實施例中，提供IPA/N2 1310和處理液1314，除了提供真空1312來從晶片 表面108a上去除處理液1314和IPA/N2 1310之外，還能夠產生液體彎月面116。液體彎月 面116可以是限定在接近頭部106和晶片表面之間的液體層，其可以以穩定且可控的方式 移動橫跨晶片表面108a。在一個實施例中，液體彎月面116可以通過恒定的提供和去除處 理液1314來限定。根據源入口 1306、源出口 1304和源入口 1302的尺寸、數量、形狀和/或 圖形，限定液體彎月面116的液體層可以是任何適合的形狀和/或尺寸。
另外，根據所需待產生的液體彎月面的類型，可以使用任何適合的真空、IPA/N2、 真空和處理液的流速。在再一個實施例中，根據在接近頭部106和晶片表面之間的距離，當 產生和利用液體彎月面116時，可以省略IPA/N2。在這類實施例中，接近頭部106可以不包 括源入口 1312，僅通過源入口 1306提供處理液1314和通過源出口 1304去除處理液1314 來產生液體彎月面116。 在另一個接近頭部106的實施例中，根據產生的彎月面結構，接近頭部106的處理 表面(設置源入口和源出口的接近頭部的區域)可以具有任何適合的表面形貌。在一個實 施例中，接近頭部的處理表面可以是從周邊表面凹陷或突出。 圖11B顯示根據本發明一個實施例的接近頭部106的一部分的頂視圖。應該清楚， 參考圖8B所述接近頭部106結構在本質上是示例性的。因此，其它接近頭部結構可以用來 產生液體彎月面，只要可以給晶片表面提供處理液和從晶片表面去除處理液以在晶片表面 產生穩定的液體彎月面即可。另外，如上所述，當接近頭部106被設置為不使用N2/IPA產 生液體彎月面時，其它接近頭部106的實施例就不需要源入口 1316。 在一個實施例的頂視圖中，從左到右是一組源入口 1302、一組源出口 1304、一組 源入口 1306、一組源出口 1304、和一組源入口 1302。因此，當N2/IPA和處理化學進入接近 頭部106和晶片108之間的區域，真空將N2/IPA和處理化學和任何液體膜和/或留在晶片 108上的污染一起去除。在此描述的源入口 1302、源入口 1306和源出口 1304可以是任何 適合的幾何形貌類型，例如，舉例來說，圓形開孔、三角形開孔、方形開孔等。在一個實施例 中，源入口 1302和1306和源出口 1304具有圓形開孔。應該清楚，根據所需待產生的液體 彎月面116的尺寸和形狀，接近頭部106可以是任何適合的尺寸、形狀、和/或結構。在一 個實施例中，接近頭部可以延伸小于晶片的半徑。在另一個實施例中，接近頭部可以延伸大于晶片的半徑。因此，根據任何在給定時間內所需待處理的晶片表面區的尺寸，液體彎月面 的尺寸可以是任何適合的尺寸。另外，應該清楚，根據晶片處理操作，接近頭部106可以定 位于任何適合的方向，例如，舉例來說，水平地、垂直地或其間任何適合的其它位置。接近頭 部106也可以集成到可進行一個或多個類型的晶片處理操作的晶片處理系統中。
圖IIC說明根據本發明一個實施例的接近頭部106的入口 /出口圖形。在這個實 施例中，接近頭部106包括源入口 1302和1306，以及源出口 1304。在一個實施例中，源出 口 1304可以圍繞源入口 1306，源入口 1302可以圍繞源出口 1304。 圖IID說明根據本發明一個實施例的接近頭部106的另外的入口 /出口圖形。在 這個實施例中，接近頭部106包括源入口 1302和1306，以及源出口 1304。在一個實施例中， 源出口 1304可以圍繞源入口 1306，源入口 1302可至少部分地圍繞源出口 1304。
圖IIE說明根據本發明一個實施例的接近頭部106的又一個入口 /出口圖形。在 這個實施例中，接近頭部106包括源入口 1302和1306，以及源出口 1304。在一個實施例中， 源出口 1304可以圍繞源入口 1306。在一個實施例中，接近頭部106不包括源入口 1302，因 為，在一個實施例中，不需提供IPA/N2，接近頭部106就能夠產生液體彎月面。應該清楚，上 述入口/出口圖形在本質上是示例性的且可以使用任何適合類型的入口/出口圖形，只要 可以產生穩定且可控的液體彎月面即可。 雖然，根據幾個優選實施例來描述了本發明，應該清楚，本領域的技術人員在閱讀 前面的詳述和研究附圖的基礎上可以實現就此不同的修改、增加、置換和等效替換。因此可 以認為，本發明包括所有這些修改、增加、置換和等效替換，且它們將落入本發明的精神和 范圍之內。
權利要求
一種處理襯底的方法，包括在所述襯底的表面產生液體層，所述液體層限定出液體彎月面，所述產生包括移動所述頭部以接近所述襯底表面，所述移動在所述襯底和所述頭部的表面之間限定間隙；當所述頭部接近所述襯底的所述表面時從所述頭部給所述表面提供液體以限定所述液體層；和用真空通過所述接近頭部從所述表面去除所述液體，所述真空根據所述襯底的所述表面和所述頭部的所述表面之間的間隙的液體流動速度來調節，所述真空的所述調節確保所述液體彎月面可控制地被保持在所述頭部的所述表面和所述襯底的所述表面之間；其中，所述液體沿著在所述頭部的所述表面和所述襯底的所述表面之間的所述液體層以當頭部更接近所述表面時增加的速度流動，其中，當所述速度增加時所述真空增加，當所述速度減小時所述真空減小。
2. 如權利要求1所述的處理襯底的方法，其中在所述液體層的產生期間所述頭部距離 可被調節至大約5微米和大約500微米之間，所述速度在5厘米/秒和200厘米/秒之間。
3. 如權利要求2所述的處理襯底的方法，其中所述液體具有在大約50毫升/秒和大約 500毫升/秒之間的流速。
4. 如權利要求1所述的處理襯底的方法，其中所述液體彎月面用于蝕刻操作、清洗操 作、電鍍操作或烘干操作中的一種。
5. 如權利要求1所述的處理襯底的方法，其中產生液體層包括通過液體入口給所述襯 底表面提供所述液體和通過液體出口從所述襯底表面去除液體。
6. 如權利要求5所述的處理襯底的方法，其中所述液體是蝕刻液、電鍍液、清洗液或漂 洗液之一。
7. 如權利要求1所述的處理襯底的方法，其中產生液體層包括給所述液體彎月面提供 表面張力減小液。
8. 如權利要求5所述的處理襯底的方法，其中去除液體包括通過所述液體出口提供所 述真空。
9. 一種處理襯底的方法，包括在所述襯底的表面產生液體層，所述液體層限定出液體彎月面，所述產生包括 設定一個距離，使所述襯底的所述表面接近用于產生所述液體彎月面的所述頭部的表面；當所述頭部以所述設定的距離接近所述襯底的所述表面時從所述頭部給所述襯底的 所述表面提供液體以限定所述液體層；以及用真空通過所述接近頭部從所述表面去除所述液體，所述真空被設定成用以確保所述 液體彎月面可控制地被保持在所述頭部的所述表面和所述襯底的所述表面之間；其中，所述液體沿著在所述頭部的所述表面和所述襯底的所述表面之間的所述液體層 以當頭部更接近所述表面時增加的速度流動，其中，當所述速度增加時所述真空增加，當所 述速度減小時所述真空減小。
10. 如權利要求9所述的處理襯底的方法，其中在所述液體層的產生期間所述頭部距 離被設定在大約5微米和大約500微米之間，所述速度在5厘米/秒和200厘米/秒之間。
11. 如權利要求10所述的處理襯底的方法，其中所述液體具有在大約50毫升/秒和大 約500毫升/秒之間的流速，根據所設定的距離而定。
12. 如權利要求9所述的處理襯底的方法，所述襯底被移動，使得從所述襯底的一端橫 過至所述襯底的相反的一端。
13. 如權利要求9所述的處理襯底的方法，所述頭部被接合至一臂上，將所述頭部設置 在最接近所述襯底的所述表面的位置。
14. 如權利要求9所述的處理襯底的方法，其中，所述襯底被放置在支架上，使所述襯 底能夠移動接近所述頭部。
全文摘要
一種處理襯底的方法，包括在所述襯底的表面產生液體層，所述液體層限定出液體彎月面，所述產生包括移動所述頭部以接近所述襯底表面，所述移動在所述襯底和所述頭部的表面之間限定間隙；當所述頭部接近所述襯底的所述表面時從所述頭部給所述表面提供液體以限定所述液體層；和用真空通過所述接近頭部從所述表面去除所述液體，所述真空根據所述襯底的所述表面和所述頭部的所述表面之間的間隙的液體流動速度來調節，所述真空的所述調節確保所述液體彎月面可控制地被保持在所述頭部的所述表面和所述襯底的所述表面之間；其中，所述液體沿著在所述頭部的所述表面和所述襯底的所述表面之間的所述液體層以當頭部更接近所述表面時增加的速度流動，其中，當所述速度增加時所述真空增加，當所述速度減小時所述真空減小。
文檔編號H01L21/304GK101783285SQ20101011975
公開日2010年7月21日 申請日期2005年4月1日 優先權日2004年4月1日
發明者C·迪皮伊特羅, F·雷德克, J·M·德拉里奧斯, M·G·R·史密斯, M·拉金, M·科羅里克 申請人:蘭姆研究有限公司