專利名稱：Pmos器件的制造方法
技術領域：
本發明涉及半導體制造領域，特別是涉及一種PMOS器件的制造方法。
背景技術：
隨著半導體制造技術的飛速發展，為了實現高集成度，半導體器件的尺寸在不斷縮小。在P溝道金屬氧化物半導體(PMOS)器件的制造工藝中，由于PMOS器件尺寸的不斷縮小，多晶硅柵厚度也要求越來越薄，這使得源漏擴展區的離子注入能量要小，以免注入離子打穿多晶硅柵。但是由于源漏擴展區的離子注入能量小，使得源漏擴展區的深度較淺，會導致PMOS輸入輸出器件(10器件)出現嚴重的柵極誘生漏電流(GIDL，fette Induced Drain Leakage)窄 H圖IA ID為現有技術中形成PMOS器件的方法示意圖。在現有技術中，形成PMOS 的方法包括下列步驟步驟S11，如圖IA所示，在襯底101上依次形成柵氧化層102和多晶硅層103。步驟S12，如圖IB所示，對所述柵氧化層102和所述多晶硅層103進行刻蝕，形成核心器件柵極11和IO器件柵極12。步驟S13，如圖IC所示，在上述結構表面覆蓋一層光刻膠104 ；并去除核心器件區域的光刻膠104，形成核心器件離子注入窗口。步驟S14，如圖IC所示，在所述核心器件柵極11兩側進行輕摻雜源漏區(LDD， Lightly Doped Drain)離子注入和袋形區(pocket)離子注入，形成核心器件的源漏擴展區 105。然后去除光刻膠104。步驟S15，如圖ID所示，在上述結構表面覆蓋一層光刻膠106 ；并去除IO器件區域的光刻膠106，形成IO器件離子注入窗口。步驟S16，如圖ID所示，在所述IO器件柵極12兩側進行輕摻雜源漏區離子注入和袋形區離子注入，形成IO器件的源漏擴展區107。然后去除光刻膠106。利用上述方法制作的PMOS器件，由于源漏擴展區的離子注入能量小，使得源漏擴展區的深度較淺，容易導致PMOS IO器件的GIDL效應。 現有技術為改善PMOS IO器件的GIDL效應，通常采用優化輕摻雜源漏區離子注入和袋形區離子注入的方法，但是這種方法在90納米制程后效果并不明顯。另一種改進方法是在IO器件源漏擴展區形成之后，增加一道爐管的熱效應工藝，可使注入的離子擴散并增大所述IO器件源漏擴展區的深度，從而改善GIDL效應。但是所述爐管的熱效應工藝，會使已經形成的PMOS核心器件產生短溝道效應。因此，如何改善PMOS IO器件的GIDL效應并避免PMOS核心器件產生短溝道效應是半導體制造工藝中亟待解決的問題。
發明內容
本發明的目的在于提供一種PMOS器件的制造方法，以改善PMOS IO器件的GIDL 效應，降低器件的漏電流，并能避免PMOS核心器件產生短溝道效應。
為解決上述技術問題，本發明提供一種PMOS器件的制造方法，包括下列步驟在襯底上依次形成柵氧化層和多晶硅層；對所述柵氧化層和所述多晶硅層進行刻蝕，形成IO器件柵極和核心器件柵極；在核心器件區域覆蓋光刻膠，暴露出IO器件區域；在所述IO器件柵極兩側進行輕摻雜源漏區離子注入和袋形區離子注入，形成IO 器件的源漏擴展區，去除光刻膠；進行爐管的熱效應工藝；在IO器件區域覆蓋光刻膠，暴露出核心器件區域；在所述核心器件柵極兩側進行輕摻雜源漏區離子注入和袋形區離子注入，形成核心器件的源漏擴展區，去除光刻膠。在所述的PMOS器件的制造方法中，形成所述IO器件源漏擴展區的輕摻雜源漏區離子注入的注入離子為硼或者氟化硼。在所述的PMOS器件的制造方法中，形成所述IO器件源漏擴展區的袋形區離子注入的注入離子為硼或者氟化硼。在所述的PMOS器件的制造方法中，所述爐管的熱效應工藝條件為溫度為 5001000°C，時間最小為10分鐘。在所述的PMOS器件的制造方法中，形成所述核心器件源漏擴展區的輕摻雜源漏區離子注入的注入離子為硼或者氟化硼。在所述的PMOS器件的制造方法中，形成所述核心器件源漏擴展區的袋形區離子注入的注入離子為硼或者氟化硼。本發明提供的PMOS器件的制造方法，在源漏擴展區的離子注入工藝中，把PMOS IO器件的源漏擴展區的離子注入放在核心器件的前面，注入的能量根據多晶硅柵厚度，盡可能高能量的注入硼或氟化硼離子，離子注入的能量以不打穿多晶硅柵為限制。在做完IO 器件源漏擴展區離子注入后，加一道爐管的熱效應工藝，所述爐管的熱效應工藝可使注入的離子擴散并增大所述IO器件源漏擴展區的深度，使得源漏擴展區節變成比較緩變節，從而不容易發生漏電流。同時，由于在執行所述爐管的熱效應工藝時，尚未形成PMOS核心器件，從而不容易產生PMOS核心器件的短溝道效應。因此，本發明提供的PMOS器件的制造方法能夠改善PMOS IO器件的GIDL效應，降低器件的漏電流，并能避免PMOS核心器件產生短溝道效應。
圖IA ID為現有技術中形成PMOS器件的方法示意圖；圖2為本發明一實施例的形成PMOS器件的方法流程圖；圖3A 3D為本發明一實施例的形成PMOS器件的方法示意圖。
具體實施例方式下面結合附圖對本發明的具體實施方式
做詳細的說明。本發明的核心思想在于，提供一種PMOS器件的制造方法在源漏擴展區的離子注入工藝中，把PMOS IO器件的源漏擴展區的離子注入放在核心器件的前面；而且在做完IO器件源漏擴展區離子注入后，加一道爐管的熱效應工藝。所述爐管的熱效應工藝可使注入的離子擴散并增大所述IO器件源漏擴展區的深度，使得源漏擴展區節變成比較緩變節，從而不容易發生漏電流，能夠改善PMOS IO器件的GIDL效應。同時，由于在執行所述爐管的熱效應工藝時，尚未形成PMOS核心器件，從而不容易產生PMOS核心器件的短溝道效應。圖2為本發明一實施例的形成PMOS器件的方法流程圖。圖3A 3D為本發明一實施例的形成PMOS器件的方法示意圖。如圖2所示，本發明提供的PMOS器件的制造方法包括以下步驟步驟S21，如圖3A所示，在襯底201上依次形成柵氧化層202和多晶硅層203。步驟S22，如圖:3B所示，對所述柵氧化層202和所述多晶硅層203進行刻蝕，形成 IO器件柵極21和核心器件柵極22。步驟S23，如圖3C所示，在上述結構表面覆蓋一層光刻膠204 ；并去除IO器件區域的光刻膠204，形成IO器件離子注入窗口。步驟S24，如圖3C所示，在IO器件柵極21兩側進行輕摻雜源漏區離子注入和袋形區離子注入，形成IO器件的源漏擴展區205。然后去除光刻膠204。形成所述IO器件源漏擴展區205的輕摻雜源漏區離子注入的注入離子為硼或者氟化硼；形成所述IO器件源漏擴展區205的袋形區離子注入的注入離子為硼或者氟化硼。步驟S25，進行爐管的熱效應工藝。所述爐管的熱效應工藝條件為溫度為 500°C 1000°C，時間最小為10分鐘。所述爐管的熱效應工藝可使注入的離子擴散并增大所述IO器件源漏擴展區205的深度，使得源漏擴展區節變成比較緩變節，從而不容易發生漏電流，能夠改善IO器件的GIDL效應。步驟S26，如圖3D所示，在上述結構表面覆蓋一層光刻膠206 ；并去除核心器件區域的光刻膠206，形成核心器件離子注入窗口。步驟S27，如圖3D所示，在所述核心器件柵極22兩側進行輕摻雜源漏區離子注入和袋形區離子注入，形成核心器件的源漏擴展區207。然后去除光刻膠206。形成所述核心器件源漏擴展區207的輕摻雜源漏區離子注入的注入離子為硼或者氟化硼；形成所述核心器件源漏擴展區207的袋形區離子注入的注入離子為硼或者氟化硼。接下來采用現有技術的工藝進行其它形成PMOS器件的步驟。綜上所述，本發明提供了一種PMOS器件的制造方法，在源漏擴展區的離子注入工藝中，把PMOS IO器件的源漏擴展區的離子注入放在核心器件的前面，注入的能量根據多晶硅柵厚度，盡可能高能量的注入硼或氟化硼離子，離子注入的能量以不打穿多晶硅柵為限制。在做完IO器件源漏擴展區離子注入后，加一道爐管的熱效應工藝，這道爐管的熱效應工藝可使注入的離子擴散并增大所述IO器件源漏擴展區的深度，使得源漏擴展區節變成比較緩變節，從而不容易發生漏電流。同時，由于在執行所述爐管的熱效應工藝時，尚未形成PMOS核心器件，從而不容易產生PMOS核心器件的短溝道效應。因此，本發明提供的PMOS 器件的制造方法能夠改善PMOS IO器件的GIDL效應，降低器件的漏電流，并能避免PMOS核心器件產生短溝道效應。顯然，本領域的技術人員可以對本發明進行各種改動和變型而不脫離本發明的精神和范圍。這樣，倘若本發明的這些修改和變型屬于本發明權利要求及其等同技術的范圍之內，則本發明也意圖包含這些改動和變型在內。
權利要求
1.一種PMOS器件制造方法，其特征在于，所述方法包括下列步驟在襯底上依次形成柵氧化層和多晶硅層；對所述柵氧化層和所述多晶硅層進行刻蝕，形成輸入輸出器件柵極和核心器件柵極；在核心器件區域覆蓋光刻膠，暴露出輸入輸出器件區域；在所述輸入輸出器件柵極兩側進行輕摻雜源漏區離子注入和袋形區離子注入，形成輸入輸出器件的源漏擴展區，去除光刻膠；進行爐管的熱效應工藝；在輸入輸出器件區域覆蓋光刻膠，暴露出核心器件區域；在所述核心器件柵極兩側進行輕摻雜源漏區離子注入和袋形區離子注入，形成核心器件的源漏擴展區，去除光刻膠。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述輸入輸出器件源漏擴展區的輕摻雜源漏區離子注入的注入離子為硼或者氟化硼。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述輸入輸出器件源漏擴展區的袋形區離子注入的注入離子為硼或者氟化硼。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述爐管的熱效應工藝條件為溫度為 5001000°C，時間最小為10分鐘。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述核心器件源漏擴展區的輕摻雜源漏區離子注入的注入離子為硼或者氟化硼。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述核心器件源漏擴展區的袋形區離子注入的注入離子為硼或者氟化硼。
全文摘要
本發明公開了一種PMOS器件的制造方法。在源漏擴展區的離子注入工藝中，把PMOS IO器件的源漏擴展區的離子注入放在核心器件的前面，注入的能量根據多晶硅柵厚度，盡可能高能量的注入硼或氟化硼離子，離子注入的能量以不打穿多晶硅柵為限制。在做完IO器件源漏擴展區離子注入后，加一道爐管的熱效應工藝，所述爐管的熱效應工藝可使注入的離子擴散并增大所述IO器件源漏擴展區的深度，使得源漏擴展區節變成比較緩變節，從而不容易發生漏電流。同時，由于在執行所述爐管的熱效應工藝時，尚未形成PMOS核心器件，從而不容易產生PMOS核心器件的短溝道效應。
文檔編號H01L21/265GK102437058SQ20111036626
公開日2012年5月2日 申請日期2011年11月17日 優先權日2011年11月17日
發明者謝欣云, 陳玉文 申請人:上海華力微電子有限公司