專利名稱：單基島埋入單圈引腳靜電釋放圈封裝結構的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及ー種單基島埋入單圈引腳靜電釋放圈封裝結構，屬于半導體封裝技術領域。
技術背景傳統的引線框結構主要有兩種第一種采用金屬基板進行化學蝕刻及電鍍后，在金屬基板的背面貼上ー層耐高溫的膠膜形成可以進行封裝過程的引線框載體(如圖3所示)；第二種采用首先在金屬基板的背面進行化學半蝕刻，再將前述已經過化學半蝕刻的區域進行塑封料的包封，之后將金屬基板的正面進行內引腳的化學蝕刻，完成后再進行引線框內引腳表面的電鍍，即完成引線框的制作(如圖5所示)。而上述兩種引線框在封裝過程中存在了以下不足點第一種I、此種的引線框架因背面必須要貼上ー層昂貴可抗高溫的膠膜，所以直接増加了高昂的成本；2、也因為此種的引線框架的背面必須要貼上ー層可抗高溫的膠膜，所以在封裝過程中的裝片エ藝只能使用導電或是不導電的粘結物質，而完全不能采用共晶エ藝以及軟焊料的エ藝進行裝片，所以可選擇的產品種類就有較大的局限性；3、又因為此種的引線框架的背面必須要貼上ー層可抗高溫的膠膜，而在封裝過程中的金屬線鍵合エ藝中，因為此可抗高溫的膠膜是軟性材質，所以造成了金屬線鍵合參數的不穩定，嚴重的影響了金屬線鍵合的質量及產品可靠度的穩定性；4、再因為此種的引線框架的背面必須要貼上ー層可抗高溫的膠膜，而在封裝過程中的塑封エ藝過程，因為塑封時的注膠壓カ很容易造成引線框架與膠膜之間滲入塑封料，而將原本應屬金屬腳是導電的型態因為滲入了塑封料反而變成了絕緣腳(如圖4所示)。第二種I、因為分別進行了二次的蝕刻作業，所以多増加了エ序作業的成本；2、引線框的組成是金屬物質加環氧樹脂物質(塑封料)所以在高溫下容易因為不同物質的膨脹與收縮應カ的不相同，產生引線框翹曲問題；3、也因為引線框的翹曲直接影響到封裝エ序中的裝置芯片的精準度與引線框傳送過程的順暢從而影響生產良率；4、也因為引線框的翹曲直接影響到封裝エ序中的金屬線鍵合的對位精度與弓I線框傳送過程的順暢從而影響生產良率；5、因為引線框正面的內引腳是采用蝕刻的技術，所以蝕刻內引腳的腳寬必須大于lOOMffl，而內引腳與內引腳的間隙也必須大于lOOMffl，所以較難做到內引腳的高密度能力。
發明內容[0017]本實用新型的目的在于克服上述不足，提供一種單基島埋入單圈引腳靜電釋放圈封裝結構，它省去了背面的耐高溫膠膜，降低了封裝成本，可選擇的產品種類廣，金屬線鍵合的質量與產品可靠度的穩定性好，塑封體與金屬腳的束縛能力大，實現了內引腳的高密度能力。本實用新型的目的是這樣實現的一種單基島埋入單圈引腳靜電釋放圈封裝結構，其特點是它包括外引腳和外靜電釋放圈，所述外引腳正面通過多層電鍍方式形成內引腳，所述外靜電釋放圈正面通過多層電鍍方式形成內靜電釋放圈，所述外靜電釋放圈內部設置有芯片，所述芯片正面與內引腳正面之間以及芯片正面與內靜電釋放圈正面之間用金屬線連接，所述內引腳上部以及芯片和金屬線外包封有塑封料，所述外引腳外圍的區域、夕卜靜電釋放圈與外引腳之間的區域以及外引腳與外引腳之間的區域均嵌置有填縫劑，且外引 腳和外靜電釋放圈的背面露出填縫劑外，在露出填縫劑外的外引腳和外靜電釋放圈的背面設置有第二金屬層。所述外靜電釋放圈內部正面通過多層電鍍方式形成內基島，所述芯片設置于內基島正面。所述第一金屬層可以采用鎳、銅、鎳、鈀、金五層金屬層或鎳、銅、銀三層金屬層，或者其他類似結構。以鎳、銅、鎳、鈀、金五層金屬層為例，其中第一層鎳層主要起到抗蝕刻阻擋層的作用，而中間的銅層、鎳層和鈀層主要起結合增高的作用，最外層的金層主要起到與金屬線鍵合的作用。所述第二金屬層的成分根據不同的芯片的功能可以采用金鎳金、金鎳銅鎳金、鎳鈕金、金鎳鈕金、鎳金、銀或錫等。與現有技術相比，本實用新型的有益效果是I、此種引線框的背面不需貼上一層昂貴的可抗高溫的膠膜，所以直接降低了高昂的成本；2、也因為此種引線框的背面不需要貼上ー層可抗高溫的膠膜，所以在封裝過程中的エ藝除了能使用導電或是不導電的粘結物質外，還能采用共晶エ藝以及軟焊料的エ藝進行裝片，所以可選擇的種類較廣；3、又因為此種的引線框的背面不需要貼上ー層可抗高溫的膠膜，確保了金屬線鍵合參數的穩定性，保證了金屬線鍵合的質量和產品的可靠度的穩定性；4、再因為此種的引線框的背面不需要貼上ー層可抗高溫的膠膜，因而在封裝的エ藝過程中完全不會造成引線框與膠膜之間滲入塑封料；5、由于正面采用了細線電鍍的方法，所以正面的引腳寬度最小可以達到25Mffl，以及內引腳與內引腳之間的距離最小達到25Mm，充分地體現出引線框內引腳的高密度能力；6、由于應用了正面內引腳的電鍍方式與背面蝕刻技術，所以能夠將引線框正面的引腳盡可能的延伸到基島的旁邊，促使芯片與引腳距離大幅的縮短，如此金屬線的成本也可以大幅的降低(尤其是昂貴的純金質的金屬線);7、也因為金屬線的縮短使得芯片的信號輸出速度也大幅的增速(尤其存儲類的產品以及需要大量數據的計算更為突出)，由于金屬線的長度變短了，所以在金屬線所存在的寄生電阻、寄生電容與寄生電感對信號的干擾也大幅度的降低；8、因運用了內引腳的電鍍延伸技術，所以可以容易的制作出高腳數與高密度的腳與腳之間的距離，使得封裝的體積與面積可以大幅度的縮小； 9、因為將封裝后的體積大幅度的縮小，更直接的體現出材料成本大幅度的下降，由于材料用量的減少，也大幅度地減少了廢棄物等環保問題困擾。
圖I為本實用新型一種單基島埋入單圈引腳靜電釋放圈封裝結構示意圖。圖2為圖I的俯視圖。圖3為以往四面無引腳引線框背面貼上耐高溫膠膜的示意圖。圖4為以往背面貼上耐高溫膠膜的四面無引腳引線框封裝時溢料的示意圖。 圖5為以往預包封雙面蝕刻引線框的結構示意圖。其中外引腳I外靜電釋放圈2內基島3內引腳4內靜電釋放圈5芯片6金屬線7塑封料8導電或不導電粘結物質9第二金屬層10填縫劑11。
具體實施方式
參見圖I、圖2，本實用新型一種單基島埋入單圈引腳靜電釋放圈封裝結構，它包括外引腳I和外靜電釋放圈2，所述外引腳I正面通過多層電鍍方式形成內引腳4，所述外靜電釋放圈2正面通過多層電鍍方式形成內靜電釋放圈5，所述外靜電釋放圈2內部正面通過多層電鍍方式形成內基島3，所述內基島3、內引腳4和內靜電釋放圈5統稱為第一金屬層，所述內基島3正面通過導電或不導電粘結物質9設置有芯片6，所述芯片6正面與內引腳4正面之間以及芯片6正面與內靜電釋放圈5正面之間用金屬線7連接，所述內基島3、內引腳4和內靜電釋放圈5上部以及芯片6和金屬線7外包封有塑封料8，所述外引腳I外圍的區域、外靜電釋放圈2與外引腳I之間的區域以及外引腳I與外引腳I之間的區域均嵌置有填縫劑11，且外引腳I和外靜電釋放圈2的背面露出填縫劑11タト，在露出填縫劑11外的外引腳I和外靜電釋放圈2的背面設置有第二金屬層10。所述外靜電釋放圈2內部正面可不通過多層電鍍方式形成內基島3，若外靜電釋放圈2內部正面不形成內基島3，此時芯片6直接通過導電或不導電粘結物質9設置于外靜電釋放圈2內部的填縫劑11正面。
權利要求1.一種單基島埋入單圈引腳靜電釋放圈封裝結構，其特征在于它包括外引腳(I)和外靜電釋放圈(2)，所述外引腳(I)正面通過多層電鍍方式形成內引腳(4)，所述外靜電釋放圈(2)正面通過多層電鍍方式形成內靜電釋放圈(5)，所述外靜電釋放圈(2)內部設置有芯片(6)，所述芯片(6)正面與內引腳(4)正面之間以及芯片(6)正面與內靜電釋放圈(5)正面之間用金屬線(7)連接，所述內引腳(4)上部以及芯片(6)和金屬線(7)外包封有塑封料(8)，所述外引腳(I)外圍的區域、外靜電釋放圈(2)與外引腳(I)之間的區域以及外引腳(I)與外引腳(I)之間的區域均嵌置有填縫劑(11)，且外引腳(I)和外靜電釋放圈(2)的背面露出填縫劑(11)外，在露出填縫劑 (11)外的外引腳(I)和外靜電釋放圈(2)的背面設置有第二金屬層(10)。
2.根據權利要求I所述的ー種單基島埋入單圈引腳靜電釋放圈封裝結構，其特征在干所述外靜電釋放圈(2)內部正面通過多層電鍍方式形成內基島(3)，所述芯片(6)設置于內基島(3)正面。
專利摘要本實用新型涉及一種單基島埋入單圈引腳靜電釋放圈封裝結構，它包括外引腳(1)和外靜電釋放圈(2)，所述外引腳(1)正面通過多層電鍍方式形成內引腳(4)，所述外靜電釋放圈(2)內部設置有芯片(6)，所述芯片(6)正面與內引腳(4)正面之間用金屬線(7)連接，所述外引腳(1)外圍的區域、外靜電釋放圈(2)與外引腳(1)之間的區域以及外引腳(1)與外引腳(1)之間的區域均嵌置有填縫劑(11)，所述外引腳(1)和外靜電釋放圈(2)的背面設置有第二金屬層(10)。本實用新型的有益效果是它省去了背面的耐高溫膠膜，降低了封裝成本，可選擇的產品種類廣，金屬線鍵合的質量與產品可靠度的穩定性好，塑封體與金屬腳的束縛能力大，實現了內引腳的高密度能力。
文檔編號H01L23/49GK202394934SQ201120479968
公開日2012年8月22日 申請日期2011年11月28日 優先權日2011年11月28日
發明者吳昊, 梁志忠, 王新潮, 謝潔人 申請人:江蘇長電科技股份有限公司