專利名稱：一種晶圓缺陷檢測方法
技術領域：
本發明涉及半導體集成電路制造工藝技術領域，尤其涉及一種晶圓缺陷檢測方法。
背景技術：
在半導體集成電路制造中，各工藝過程會因為各種原因而引入微粒或者缺陷，隨著對超大規模集成電路高集成度和高性能的需求逐漸增加，半導體技術向著更小的特征尺寸發展，這些微粒或者缺陷對集成電路質量的影響也日趨顯著，在線缺陷檢測的必要性和重要性與日俱增。在進行半導體制造工藝過程中，通過對晶圓進行缺陷檢測來定位并分析引起缺陷的原因，根據原因找到相應的對策來避免或者減少缺陷的產生，從而保證產品的良率及可靠性，從根本上保證生產的產量與質量，從而獲得更高的利潤。光刻是半導體制造中非常重要的一步工藝，通過光刻機把圖形從掩膜版轉移到設置于半導體晶圓上的光刻膠上，再通過刻蝕的工藝把圖形轉移到晶圓上。為了分攤單個器件的制造成本，在每個半導體晶圓上排列多個半導體器件，完成全部工藝后再將多個半導體器件分離為各個半導體器件。晶圓上的這種半導體器件的周期性單元稱為方塊單元(Die)，目前的晶圓檢測一般都采用相鄰方塊單元之間互相比較的方法來判定是否存在缺陷。即，當掃描沿著X方向進行時，把當前正在檢測的方塊單元和其左邊的方塊單元和其右邊的方塊單元分別比較，如果圖形與兩邊的方塊單元都不一樣，則判定此處缺陷存在。然而，如果掩膜版本身在制造或保存過程中存在缺陷或從環境中引入了有害顆粒，就會在光刻過程中把缺陷引入到所有的方塊單元，即在每一個方塊單元的相同位置都存在相同的缺陷，以目前這種方塊單元和方塊單元比較的方法就不能檢測到這類缺陷。在晶圓的設計中，存在不少具有重復性圖形的結構，比如SRAM的陣列，后道的大面積金屬互連區域等。這類結構的良率對器件的性能有著非常重要的影響。如何全面對這些區域進行缺陷檢測，包括由光刻的掩膜版異常引入的缺陷，至關重要。圖I為現有技術中缺陷檢測的晶圓地圖。如圖I所示，所述晶圓上具有多個周期重復性的方塊單元(Die)，所述方塊單元是在光刻工藝中利用同一個掩膜圖形按照一定比例進行圖形轉移而復制在晶圓上的，因而晶圓上每一方塊單元的圖形重復且與掩膜圖形的圖形保持一致。
在現有技術進行晶圓缺陷檢測時，檢測機臺搜集反應晶圓表面形貌的表面圖像信息，通過將每一方塊單元與相鄰方塊單元進行比較來判定是否存在缺陷。對于圖I所示的晶圓地圖，將標記了 T (target)的方塊單元稱之為目標方塊單元，將對目標方塊單元T進行缺陷檢測，與目標方塊單元T相鄰的標記了 Rl (referencel)和R2 (reference〗)的方塊單元作為參考方塊單元。當對目標方塊單元T進行掃描時，檢測機臺會將搜集到的目標方塊單元T的形貌與參考方塊單元Rl和參考方塊單元R2對應的位置處的形貌進行比較，目標方塊單元T中的某處圖形的形貌與參考方塊單元Rl和參考方塊單元R2對應位置的圖形的形貌都不一樣時，判定目標方塊單元T中的該處圖形存在缺陷。
圖2為現有技術中晶圓上目標方塊單元與參考方塊單元的缺陷示意圖。結合圖2，現有技術中缺陷檢測方法具體判定過程如下例如目標方塊單元T中存在如下表面異常形貌三角形標注處存在第一異常圖形Al，圓形標注處存在第二異常圖形A2。對于三角形標注處存在的第一異常圖形Al，將第一異常圖形Al與參考方塊單元Rl的對應位置處圖形的形貌進行比較，結果形貌不同，將第一異常圖形Al與參考方塊單元R2的對應位置處圖形的形貌進行比較，結果形貌不同，第一異常圖形Al與參考方塊圖形單元Rl及參考方塊單元R2的對應位置處圖形的形貌均不同，則第一異常圖形Al判定為缺陷。對于圓形標注處存在的第二異常圖形A2，同樣與參考方塊圖形單元Rl及參考方塊單元R2的對應位置處圖形的形貌進行比較，結果第二異常圖形A2與參考方塊單元Rl及參考方塊單元R2的對應位置處圖形的形貌均相同，則第二異常圖形A2不判定為缺陷。至此，對目標方塊單元T的缺陷掃描和判定結束，掃描判定結果為目標方塊單元T中僅存在一個缺陷，即為三角形標注處存在的缺陷。然而，在參考方塊單元Rl和參考方塊單元R2中與目標方塊單元T的第二異常圖 形A2相對應的位置處具有同樣的圓形標注處存在的異常圖形，此類缺陷通常為光刻時由于掩膜版上異常雜質的引入，導致掩膜版上圖形轉移到晶圓上時，以相同的表面形貌存在于每一方塊單元的相同位置處，導致缺陷檢測無法查出此類缺陷，導致檢測結果。
發明內容
本發明的目的是提供一種能夠檢測出由于掩膜版缺陷等問題造成的晶圓上方塊單元在相同位置存在的同樣的缺陷的晶圓缺陷檢測方法。為解決上述問題，本發明一種晶圓缺陷檢測方法，所述晶圓表面包括若干周期性重復的方塊單元，所述方塊單元中存在至少一個具有周期性重復圖形的區域，所述晶圓缺陷檢測方法包括以下步驟獲取晶圓的版圖設計數據和晶圓表面形貌彳目息；根據所述版圖設計數據和晶圓表面形貌信息，選定目標方塊單元中具有周期性重復圖形的區域為待檢區域；確定所述待檢區域中圖形重復的最小周期，根據所述最小周期設定偏移量；以與目標方塊單元相鄰的方塊單元為參考方塊單元，將參考方塊單元中與所述待檢區域位置對應的參考區域的圖形按照所述偏移量進行偏移，獲得偏移參考區域；對所述待檢區域圖形進行缺陷檢測，將所述待檢區域圖形與所述偏移參考區域圖形進行形貌比較，若待檢區域中某處圖形與偏移參考區域中對應位置的圖形均不一致時，則判定該處圖形存在異常；掃描所述待檢區域上異常圖形，對成對出現且間隔距離為一個偏移量的兩個異常圖形，判斷位于偏移量方向起始處的異常圖形為缺陷，位于偏移量方向終止處的異常圖形非缺陷；對于其余單獨出現的異常圖形判斷為缺陷。進一步的，所述版圖設計數據包括預設晶圓表面的圖形、層次及尺寸數據。進一步的，所述晶圓表面形貌信息通過光學電子顯微鏡、掃描電子顯微鏡或聚焦粒子束掃描獲取。進一步的，所述晶圓缺陷檢測針對所述晶圓上全部或部分方塊單元中周期性重復圖形的區域進行檢測。進一步的，當所述方塊單元中存在多個周期性重復圖形的區域時，所述晶圓缺陷檢測方法針對方塊單元中全部或部分周期性重復圖形的區域進行檢測。進一步的，所述偏移量數值為最小周期數值的整數倍。進一步的，所述最小周期包括相互垂直的兩個方向的最小周期標量。進一步的，所述最小周期包括沿著缺陷檢測掃描方向的最小周期標量和垂直于缺陷檢測掃描方向的最小周期標量。進一步的,所述偏移量包括兩個分別與最小周期標量方向相對應的偏移標量。進一步的，所述參考方塊單元包括與所述目標方塊單元相鄰的兩個方塊單元。綜上所述，本發明所述晶圓缺陷檢測方法，在對目標方塊單元中周期性重復圖形的區域進行缺陷檢測的過程中，通過確定所述待檢區域中圖形重復的最小周期，根據所述最小周期設定偏移量，并將參考方塊單元圖形按照所述偏移量進行偏移，獲得偏移參考區域，對所述待檢區域圖形進行缺陷檢測，將所述待檢區域圖形與所述偏移參考區域圖形進行形貌比較，若待檢區域中某一圖形與偏移參考區域中對應位置的圖形均不一致時，則判定該處圖形存在異常；對于所述待檢區域上成對出現的異常圖形，且成對的異常圖形之間距離為一個偏移量，則判斷位于偏移量起始位置處的異常圖形為缺陷；對于其余單獨出現的異常圖形亦判斷為缺陷。所述晶圓缺陷檢測方法能夠檢測出由于掩膜版缺陷等問題造成的晶圓上方塊單元在相同位置存在的同樣的缺陷，檢測結果準確，檢測方法簡單易行。
圖1為現有技術中缺陷檢測的晶圓地圖。圖2為現有技術中晶圓上目標方塊單元與參考方塊單元的缺陷示意圖。圖3為本發明一實施例中晶圓缺陷檢測方法的實施步驟流程圖。圖4為本發明一實施例中方塊單元上周期性重復圖形的區域的位置示意圖。圖5為本發明一實施例中目標方塊單元上周期性重復圖形的區域的周期示意圖。圖6為本發明一實施例中晶圓上目標方塊單元與參考方塊單元的形貌簡要示意圖。圖7為本發明一實施例中晶圓上目標方塊單元與經參考方塊單元圖形偏移后的偏移參考區域的形貌簡要示意圖。圖8為本發明一實施例中晶圓缺陷檢測方法的異常判定結果示意圖。圖9為本發明一實施例中晶圓缺陷檢測方法的缺陷判定結果示意圖。
具體實施例方式為使本發明的內容更加清楚易懂，以下結合說明書附圖，對本發明的內容作進一步說明。當然本發明并不局限于該具體實施例，本領域內的技術人員所熟知的一般替換也涵蓋在本發明的保護范圍內。其次，本發明利用示意圖進行了詳細的表述，在詳述本發明實例時，為了便于說明，示意圖不依照一般比例局部放大，不應以此作為對本發明的限定。圖3為本發明一實施例中晶圓缺陷檢測方法的實施步驟流程圖。如圖3所示，本發明提出一種晶圓缺陷檢測方法，包括以下步驟步驟SOl :獲取晶圓的版圖設計數據和晶圓表面形貌信息；步驟S02 :根據所述版圖設計數據和晶圓表面形貌信息，選定目標方塊單元中具有周期性重復圖形的區域為待檢區域；步驟S03 :確定所述待檢區域中圖形重復的最小周期，根據所述最小周期設定偏
移量;步驟S04 :以與目標方塊單元相鄰的方塊單元為參考方塊單元，將參考方塊單元中與所述待檢區域位置對應的參考區域的圖形按照所述偏移量進行偏移，獲得偏移參考區域；步驟S05 :對所述待檢區域圖形進行缺陷檢測，將所述待檢區域圖形與所述偏移參考區域圖形進行形貌比較，若待檢區域中某處圖形與偏移參考區域中對應位置的圖形均不一致時，則判定該處圖形存在異常；步驟S06 :掃描所述待檢區域上異常圖形，對成對出現且間隔距離為一個偏移量的兩個異常圖形，判斷位于偏移量方向起始處的異常圖形為缺陷，位于偏移量方向終止處的異常圖形非缺陷；對于其余單獨出現的異常圖形判斷為缺陷。以下詳細說明本發明的步驟。在步驟SOl中，獲取晶圓的版圖設計數據和晶圓表面形貌信息；晶圓表面形貌信息一般可以通過光學電子顯微鏡、掃描電子顯微鏡、聚焦粒子束掃描等表面形貌掃描方法獲取。晶圓的版圖設計數據一般為版圖文件，所述版圖文件設定了晶圓表面的圖形、尺寸以及不同層之間的相關數據信息，掩膜版根據版圖文件數據，按照一定比例對圖形等比例放大制作而成。理論上，版圖設計數據與掩膜版的圖形相一致，然而在實際工藝生產中，在掩膜版制作及保存等過程中引入的制作缺陷和環境有害顆粒會破壞掩膜版的正常圖形，在通過光刻過程掩膜版將缺陷復制到晶圓上，在每一方塊單元中相同位置處形成。在步驟S02中，根據所述版圖設計數據和晶圓表面形貌信息，選定目標方塊單元中具有周期性重復圖形的區域為待檢區域；本實施方法中所述晶圓，其版圖設計上都存在至少一個具有周期性重復圖形的區域，例如SRAM的陣列結構或后道大面積金屬互連區域等。不同晶圓上版圖設計不同，則存在的周期性重復圖形的區域的數量、面積和分布也會不相同。全部選定這些具有重復周期性圖形的區域還是部分選定這些具有重復周期性圖形的區域，視工藝監控的需求及檢測機臺掃描效率而定。例如對所述晶圓上每一方塊單元中周期性重復圖形的區域進行晶圓缺陷檢測或對晶圓上部分方塊單元中周期性重復圖形的區域進行檢測的選擇，以及當所述方塊單元中存在多個周期性重復圖形的區域時，對方塊單元中全部或部分周期性重復圖形的區域進行缺陷檢測的選擇均可根據實際工藝要求確定。對于具有周期性重復圖形的區域的選擇，可以通過版圖設計數據直接傳輸到缺陷檢測機臺上，并通過和晶圓地圖的相對位置的校準來確定。具體如何選擇周期性重復圖形的區域不被限定。圖4為本發明一實施例中方塊單元上周期性重復圖形的區域的位置示意圖。如圖4所示，在本實施例中，目標方塊單元中存在三個周期性重復圖形的區域，選定其中一周期 性重復圖形的區域為待檢區域T102，進行后續步驟。在步驟S03中，確定所述待檢區域T102中圖形重復的最小周期，根據所述最小周期設定至少一個偏移量；所述的最小周期是指待檢區域T102中圖形平移一個最小周期的距離后，圖像實現重疊。所述的偏移量用于后續在進行缺陷檢測時，將參考方塊單元R1、R2進行偏移固定值進行比較。確定周期性重復圖形的區域中圖形重復出現的最小周期，所述最小周期可以包括相互垂直的兩個方向的最小周期標量，進一步的，所述最小周期包括沿缺陷檢測掃描方向和垂直于缺陷檢測掃描方向的兩個方向的最小周期標量，相應的，所述偏移量包括兩個分別與最小周期標量方向相對應的偏移標量。圖5為本發明一實施例中目標方塊單元上周期性重復圖形的區域的周期示意圖。在本實施例，如圖5所示，設定缺陷檢測掃描方向沿著X方向的進行，設定垂直于缺 陷檢測掃描方向為Y方向，則偏移量可以設置在X方向，也可以設置在Y方向，也可以對X方向和Y方向同時設置一個偏移標量。使用光學電子顯微鏡、掃描電子顯微鏡、聚焦粒子束掃描等晶圓表面形貌測試設備，對所述待檢區域中圖像進行分析，結合版圖設計數據。如圖5，對于目標方塊單元T，圖4所示的待檢區域圖形T102，確定待檢區域圖形T102在X方向上重復出現的最小周期標量為X，在Y方向上重復出現的最小周期標量為y，即圖形重復出現的最小周期為xXy所示方塊內包含的圖形，確定該圖形重復出現的最小周期為xXy的一個區域。以下以設定一個沿著X方向、一個大小為X的向右偏移量為例，說明缺陷檢測方法。在步驟S04中，以與目標方塊單元相鄰的方塊單元為參考方塊單元，將參考方塊單元中與所述待檢區域位置對應的參考區域的圖形按照所述偏移量進行偏移，獲得偏移參考區域。在較佳的實施例中，選擇與所述目標方塊單元相鄰的兩個方塊單元為參考方塊單元，此外位于目標方塊單元上下的兩個方塊單元，或目標單元四周的四個方塊單元均可作為參考方塊單元。圖6為本發明一實施例中晶圓上目標方塊單元與參考方塊單元的形貌簡要示意圖。圖7為本發明一實施例中晶圓上目標方塊單元與經參考方塊單元圖形偏移后的偏移參考區域的圖形形貌簡要示意圖。結合圖4 圖7，以設定一個沿著X方向、一個大小為X的向右偏移量為例，根據該設置的偏移量，參考方塊單元Rl和參考方塊單元R2的對應參考區域R102、R202分別沿著X方向向右平移了 X的距離，偏移后，獲得形成如圖7所示的偏移參考區域rl02、r202。其中偏移參考區域rl02、r202相對于參考區域R102、R202僅進行了偏移，偏移參考區域rl02、r202內每個位置圖形形貌與平移前參考區域R102、R202的圖形形貌均保持一致，因而參考區域R102、R202所有的表面異常形貌未作改變，僅根據偏移量進行了偏移。結合圖6和圖7，在本實施例中，參考區域R102、R202上圓形標注的缺陷R11、R12偏移形成了偏移參考區域rl02、r202上的圓形標注的缺陷rll、rl2、參考區域R102方形標注的缺陷R31偏移形成了偏移參考區域rl02上的圓形標注的缺陷r31。步驟S05 :對所述待檢區域圖形進行缺陷檢測，將所述待檢區域圖形與所述偏移參考區域進行形貌比較，若待檢區域中某處圖形與偏移參考區域中對應位置的圖形均不一致時，則判定該處圖形存在異常。如圖7所示，將所述待檢區域T102圖形與對應的偏移參考區域rl02、r202進行形貌比較，若待檢區域T102圖形與對應的偏移參考區域rl02、r202中對應位置的圖形均不一致時，判定該待檢區域圖形存在異常。具體判斷過程如下對于待檢測區域T102中圓形所示標注處的圖形Tl，在偏移參考區域rl02、r202中與該圖形Tl對應位置處的圖形均不是圓形標注的圖形形貌，故該圖形Tl與偏移參考區域rl02、r202對應位置的圖形均不一致，則判斷待檢測區域T102中圓形所示標注處的圖形Tl
存在異常；對于待檢測區域T102中三角形所示標注處的圖形T2，其在偏移參考區域rl02、r202與該圖形T2對應位置處的圖形均不是三角形標注的圖形形貌，故該圖形T2與偏移參考區域rl02、r202對應位置的圖形均不一致，則判斷待檢測區域T102中三角形所示標注處的圖形T2存在異常； 對于待檢測區域T102的圖形T3，在偏移參考區域rl02與圖形T3對應位置處的圖形為方形標示的圖形形貌，在另一偏移參考區域r202與圖形T3對應位置處的圖形無圖形為方形標示的圖形形貌，故該圖形T3與偏移參考區域rl02對應位置的圖形不一致，與偏移參考區域r202對應位置的圖形一致，則判斷待檢測區域T102中的圖形T3不存在異常；對于待檢測區域T102的圖形T4，其在偏移參考區域rl02、r202與該圖形T4對應位置處的圖形均為圓形標注的圖形形貌r 11、r 12，故該圖形T4與偏移參考區域r 101、r 102對應位置的圖形均不一致，則判斷待檢測區域T102中的圖形T4存在異常；同理圖7中待檢測區域T102其他位置的圖形均可判斷為不存在異常。從而，獲得如圖8所示的異常判定結果，異常判定結果為待檢測區域T102中存在三個異常B1、B2、B3。在步驟S06中，掃描所述待檢區域上異常圖形，對成對出現且間隔距離為一個偏移量的兩個異常圖形，判斷位于偏移量方向起始處的異常圖形為缺陷，位于偏移量方向終止處的異常圖形非缺陷；對于其余單獨出現的異常圖形判斷為缺陷。掃描圖8獲得的待檢測區域T102上的異常圖形BI、B2、B3，其中可知BI和B3之間距離為一個偏移量x，且偏移量為向右方向，則可知BI、B3為成對出現，則判斷偏移量方向起始處的異常圖形BI為缺陷bl，位于偏移量方向終止處的異常圖形B3非缺陷；而對于單獨出現的異常圖形B2，則判斷為缺陷b2。至此，獲得如圖9所示的缺陷判定結果示意圖。從而可知本發明所述缺陷檢測結果不僅找出了現有技術能檢測到的由三角形所示標注的缺陷b2，同時也找出了現有技術不能檢測到的由圓形所示標注的缺陷bl。本發明所述晶圓缺陷檢測方法可以與現有技術的不進行偏移的檢測方向相結合，比較兩次獲得的缺陷判定結果示意圖，或通過設定不同的偏移量后進行多次檢測，獲得多張缺陷判定結果示意圖，通過缺陷判定結果示意圖之間的比較，進一步矯正判定結果，從而進一步提高缺陷檢測的準確率。在實際生產工藝中，可根據工藝要求和缺陷圖形大致種類，選擇采用上述所述缺陷檢測方法的具體檢測次數，可以在提高檢測效率的同時，提高缺陷檢測的準確性。綜上所述，本發明所述晶圓缺陷檢測方法，在對目標方塊單元中周期性重復圖形的區域進行缺陷檢測的過程中，通過確定所述待檢區域中圖形重復的最小周期，根據所述最小周期設定偏移量，并將參考方塊單元圖形按照所述偏移量進行偏移，獲得偏移參考區域，對所述待檢區域圖形進行缺陷檢測，將所述待檢區域圖形與所述偏移參考區域圖形進行形貌比較，若待檢區域中某一圖形與偏移參考區域中對應位置的圖形均不一致時，則判定該處圖形存在異常；對于所述待檢區域上成對出現的異常圖形，且成對的異常圖形之間距離為一個偏移量，則判斷位于偏移量起始位置處的異常圖形為缺陷；對于其余單獨出現的異常圖形亦判斷為缺陷。所述晶圓缺陷檢測方法能夠檢測出由于掩膜版缺陷等問題造成的晶圓上方塊單元在相同位置存在的同樣的缺陷，檢測結果準確，檢測方法簡單易行。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和范圍內，當可作些許的更動與潤飾，因此本發明的保護范圍當視權利要求書所界定者為準。
權利要求
1.一種晶圓缺陷檢測方法，所述晶圓表面包括若干周期性重復的方塊單元，所述方塊單元中存在至少一個具有周期性重復圖形的區域，所述晶圓缺陷檢測方法包括以下步驟 獲取晶圓的版圖設計數據和晶圓表面形貌信息； 根據所述版圖設計數據和晶圓表面形貌信息，選定目標方塊單元中具有周期性重復圖形的區域為待檢區域； 確定所述待檢區域中圖形重復的最小周期，根據所述最小周期設定偏移量； 以與目標方塊單元相鄰的方塊單元為參考方塊單元，將參考方塊單元中與所述待檢區域位置對應的參考區域的圖形按照所述偏移量進行偏移，獲得偏移參考區域； 對待檢區域圖形進行缺陷檢測，將所述待檢區域圖形與所述偏移參考區域圖形進行形貌比較，若待檢區域中某處圖形與偏移參考區域中對應位置的圖形均不一致時，則判定該處圖形存在異常； 掃描所述待檢區域上異常圖形，對成對出現且間隔距離為一個偏移量的兩個異常圖形，判斷位于偏移量方向起始處的異常圖形為缺陷，位于偏移量方向終止處的異常圖形非缺陷；對于其余單獨出現的異常圖形判斷為缺陷。
2.如權利要求I所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于，所述版圖設計數據包括預設晶圓表面的圖形、層次及尺寸數據。
3.如權利要求I所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于，所述晶圓表面形貌信息通過光學電子顯微鏡、掃描電子顯微鏡或聚焦粒子束掃描獲取。
4.如權利要求I所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于，所述晶圓缺陷檢測針對所述晶圓上全部或部分方塊單元中周期性重復圖形的區域進行檢測。
5.如權利要求I所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于，當所述方塊單元中存在多個周期性重復圖形的區域時，所述晶圓缺陷檢測方法針對方塊單元中全部或部分周期性重復圖形的區域進行檢測。
6.如權利要求I所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于，所述偏移量數值為最小周期數值的整數倍。
7.如權利要求I所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于，所述最小周期包括相互垂直的兩個方向的最小周期標量。
8.如權利要求I所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于，所述最小周期包括沿著缺陷檢測掃描方向的最小周期標量和垂直于缺陷檢測掃描方向的最小周期標量。
9.如權利要求7或8所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于，所述偏移量包括兩個分別與最小周期標量方向相對應的偏移標量。
10.如權利要求I所述的晶圓缺陷檢測方法，其特征在于，所述參考方塊單元包括與所述目標方塊單元相鄰的兩個方塊單元。
全文摘要
本發明提供所述晶圓缺陷檢測方法，在對目標方塊單元中周期性重復圖形的區域進行缺陷檢測的過程中，通過確定最小周期并設定偏移量，將參考方塊單元圖形按照所述偏移量進行偏移獲得偏移參考區域，將所述待檢區域圖形與所述偏移參考區域進行形貌比較，若待檢區域中某一圖形與偏移參考區域中對應位置的圖形均不一致時，則判定異常；對成對出現且間隔距離為一個偏移量的兩個異常圖形，判斷位于偏移量方向起始處的異常圖形為缺陷，位于偏移量方向終止處的異常圖形非缺陷；對于其余單獨出現的異常圖形判斷為缺陷。所述晶圓缺陷檢測方法能夠檢測出由于掩膜版缺陷等問題造成的晶圓上方塊單元在相同位置存在的同樣的缺陷，檢測結果準確，檢測方法簡單易行。
文檔編號H01L21/66GK102623368SQ20121009222
公開日2012年8月1日 申請日期2012年3月31日 優先權日2012年3月31日
發明者盧意飛 申請人:上海集成電路研發中心有限公司